大容量光存儲介質的制作方法

專利名稱：大容量光存儲介質的制作方法
技術領域：
本發明涉及在一次性寫入存儲介質上光存儲信息，信息凹坑(pit)因寫入位置處或未寫入位置處著色劑的光學性質不同而被區分。這種技術通常稱為“WORM”(例如“CD-R”/“DVD-R”)；這些術語已經保留在本文中。
通過使用在630到690納米發射的小型高性能二極管激光器，與具有藍色層或綠色層的介質相比，原則上有可能實現數據存儲密度提高4到5倍，存儲容量增加6到8倍，這是因為可以減小道間距(兩條信息軌道之間的距離)和凹坑的大小到例如常規CD值的約一半。
然而，這對待用記錄層提出了格外高的要求，如高折射率、在不同長度的脈沖持續時間下的腳本寬度的均一性以及在日光下的高的光穩定性，同時對高能激光照射的高靈敏度。已知記錄層的這些性質不令人滿意。
JP-A-02/55189和JP-A-03/51182公開了光存儲介質，其中記錄層基本上包括花青染料和偶氮金屬絡合物，包括例如下式的偶氮絡合物， US-6168843、US-6242067和JP-A-2000/198273公開了適合使用波長為635納米的激光進行記錄的存儲介質，其包括花青染料或酞菁染料與對氨基取代的偶氮金屬絡合物和對硝基取代的偶氮金屬絡合物或對鹵素取代的偶氮金屬絡合物的混合物，例如下式的化合物，
這些偶氮金屬絡合物可另外被羥基取代。然而，US-6 242 067的比較例2公開了羥基取代基導致溶解性不足。另外，US-6 168 843的化合物的敏感性僅足夠用于1倍速(1×)，或者在US-6 242 067的化合物中，僅夠用于2倍速(2×)，DVD-記錄速度。
US-4 686 143公開了可寫入的光學信息介質，其可在780納米下寫入，并包括單偶氮化合物的金屬絡合物，單偶氮化合物具有芳環和N-雜芳環。N-雜芳環可未被取代或被電子受體取代基取代，并且兩個環都可被電子供體取代基取代，例如，通過下式的配體“NBTADMAP”說明 類似地，JP-A-2002/002118同樣公開了可在780納米下使用的可寫入的光學信息介質，其包括雜環偶氮化合物的金屬絡合物，例如下式的化合物，
JP-A-2002/293031提出了將JP-A-02/55189和JP-A-03/51182的金屬絡合物與US-6 168 843、US-6 242 067和JP-A-2000/198273的那些并用。
所有這些公開中的主題是在偶氮基團對位的氨基是光學信息介質具有良好性能所必需的。
US-5 441 844公開了可寫入的光學信息介質，其包括雙偶氮三苯胺或三偶氮三苯胺，例如下式的那些， 或
最大吸收λmax分散在418到605納米的寬范圍，而摩爾吸光系數ε為43000到126000(未指明溶劑)。
然而，已經發現，已知記錄介質的性質仍然有一些不令人滿意的地方，特別是考慮到使用波長為約658±5納米的激光的記錄質量(DVD-R)。
另一方面，JP-A-03/132669公開了電子照相術用調色劑，其包括下式的金屬絡合物作為炭黑的替代品， 這些粉狀的黑-紫色顏料嵌入熱塑性塑料中并且作為調色劑對潮氣、溫度和其它環境條件、以及全填充量具有良好穩定性。在合成實施例3中，將2-氨基-5-氯酚偶氮化，與間苯三酚偶合，然后與乙酸鉻金屬化，伴隨的結構式錯誤地表示為2-氨基-4-硝基酚。
非在前公開申請WO-03/098617和WO-03/098618公開了五環若丹明，與其聯合的特別是下式所列舉的陰離子
本發明的目的是提供光記錄介質，其記錄層具有高存儲容量和其它優異性質。這種記錄介質應該在600到700納米(優選630到690納米)波長范圍內的相同波長既是可寫入的又是可讀出的。本發明記錄層的主要特征是在激光二極管的所述波長范圍內極高的初始反射率，其可用較高靈敏度調節；高折射率；在固態下的窄吸收帶；在不同的脈沖持續時間下腳本寬度的良好均一性；優異的光穩定性；和在極性溶劑中的良好溶解性，以及與記錄和重放用的不同波長的激光源的優異相容性。
非常令人驚訝地，通過利用某些金屬絡合物陰離子作為記錄層或者作為記錄層的附加，已經可以提供具有性質令人驚訝地好于至今已知的記錄介質的性質的光記錄介質。其更加引人注目是因為本發明的金屬絡合物陰離子比已知的金屬絡合物陰離子相比具有顯著低的消光系數。然而，相當出人意料地是，在固體層中，折射率驚人地高。特別對這種金屬絡合物陰離子與呫噸陽離子的組合感興趣。
因此，本發明涉及包括基材、反射層和記錄層的光記錄介質，其中記錄層包括式[L1Mr-4L2]o[Am-]p[Zn+]q(I)、[L1Mr-3L3]o[Am-]p[Zn+]q(II)或[L3Mr-2L4]o[Am-]p[Zn+]q(III)的化合物，式(I)、(II)或(III)的化合物也可為內消旋形式或者互變異構形式，其中L1和L2各自獨立地為 和
L3和L4各自獨立地為 M分別是指式(I)、(II)或(III)中Mr-4、Mr-3或Mr-2的位置； 是 或 Q1為CR1或N，Q2為O、S、NR10或Q5＝Q8，Q3是CR3或N，Q4是O、S、NR10或Q7＝Q8，Q5是CR5或N，Q6是CR6或N，Q7是CR7或N，Q8是CR8或N，并且Q9是O、S、NR10或Q6＝Q8，優選要么Q1是CR1且Q3是CR3，要么Q1和Q3都是N，和/或Q8在Q5＝Q8、Q6＝Q8或Q7＝Q8中相對于 的氮原子位于β位，并且在互變異構體的情況下，Q1也可是NR1和/或Q3也可是NR3；R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自獨立地為H、鹵素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)；C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13和/或SO3R9；或C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9雜芳基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代R10、鹵素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；R2是OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN；R9各自獨立地為R15、COR15、COOR15、CONR12R13、CN或負電荷，優選為H或負電荷；R10、R11和R14各自獨立地為氫、C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、[C2-C8亞烷基-O-]k-R16、[C2-C8亞烷基-NR17-]k-R16或C7-C12芳烷基，對于NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN中的R10可能另外為可離域的負電荷；R12、R13和R15各自獨立地為H；C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、OR10、SR10、NR10R14、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR10、SO3-、CONR11R14、SO2NR11R14、SO2R10和/或SO3R10；或C7-C12芳烷基、C6-C12芳基或C5-C9雜芳基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代R10、鹵素、OR10、SR10、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR14、SO3-、CONR11R14、SO2R10、SO2NR11R14、SO3R10、PO3-、PO(OR10)(OR11)、NR11R14、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；或NR12R13、NR11R14或NR10R15是5元或6元雜環，其可含有另外的N或O原子，并且其可以被C1-C8烷基單取代或多取代；R16和R17各自獨立地為單取代或多取代的C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基、C3-C12雜環烷基、C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9雜芳基；Mr是具有r個正電荷的過渡金屬陽離子；
Am-是無機、有機或有機金屬陰離子，或其混合物；Zn+是質子、金屬、銨或鏻陽離子、帶正電的有機或有機金屬發色團、或其混合物；相同或不同配體L1、L2、L3和/或L4的基團，所述基團各自選自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R14、R15和R16可能彼此成對地以直接鍵合或-O-、-S-或-N(R17)-橋的方式連接，和/或對于0到p個陰離子Am-和/或0到q個陽離子Zn+，各自將與相同或不同配體L1、L2、L3和/或L4的任何基團R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16或R17或與Mr以直接鍵合或-O-、-S-或-N(R17)-橋的方式連接；k是1-6的整數；m、n和r各自獨立地為1-4的整數；優選m和n為1或2，且r是2或3；和o、p和q各自為0-4的數字，o、p和q彼此之間的比，根據有關子結構的電荷，使得在式(I)、(II)或(III)中沒有過量的正電荷或負電荷；并且進一步的前提條件是當R1、R3、R4、R5、R7和R8全部為H，R2是OH，R6是NO2，M是Co且r是3時，[Zn+]q不能為下式， 或 其中R18和R28各自獨立地為氫；C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR35CONR35R36、OR35、SR35、COO-、COOH、COOR35、CHO、CR37OR35OR36、COR35、SO2R35、SO3-、SO3H、SO3R35或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C4-C12雜芳基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR37CONR35R36、R35、OR35、SR35、CHO、COR35、CR37OR35OR36、SO2R35、SO3-、SO3R35、SO2NR35R36、COO-、COOR35、CONR35R36、PO3-、PO(OR35)(OR36)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；但是R18和R28不同時為氫；R19、R20、R26和R27各自獨立地為C1-C12烷基，其未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、OR37、SR37、NO2、CN、NR40R41、COO-、COOH、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R37，R19和R20和/或R26和R27和/或R31和R32和/或R33和R34有可能彼此成對地以直接鍵合或-O-、-S-或-NR42-橋的方式連接在一起形成5-12元環；R21和R25各自獨立地為C1-C3亞烷基或C1-C3亞烯基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、R42、OR42、SR42、NO2、CN、NR43R44、COO-、COOH、COOR42、SO3-、SO3H或SO3R42；R22、R24、R29和R30各自獨立地為氫、鹵素、OR45、SR45、NO2、NR45R46；或C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基、C3-C12雜環烷基或C7-C18芳烷基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、OR45、SR45、NO2、CN或NR45R46；R23是氫；(CH2)kCOO-、(CH2)kCOOR47、C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基或C3-C24環烯基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NR47R48或OR48；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13雜芳基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR47R48、SO3-、SO3R47、SO2NR47R48、COO-、(CH2)kOR47、(CH2)kOCOR47、COOR47、CONR47R48、OR47、SR47、PO3-、PO(OR47)(OR48)或SiR37R38R39；R31、R32、R33和R34各自獨立地為C1-C12烷基，其未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、OR35、SR35、NO2、CN、NR40R41、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R35；R35、R36、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48各自獨立地為氫；C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、OR37、SR37、COO-、COOH、COOR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO3H、SO3R37或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13雜芳基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、R37、OR37、SR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO2NR37R38、COO-、COOR39、CONR37R38、PO3-、PO(OR37)(OR38)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；或NR35R36、NR40R41、NR43R44、NR45R46或NR47R48為5或6元雜環，其可含有另外的N或O原子并且其可被C1-C8烷基單取代或多取代；R37、R38和R39各自獨立地為氫、C1-C20烷基、C2-C20鏈烯基、C2-C20炔基或C7-C18芳烷基，R37和R38有可能彼此以直接鍵合或-O-、-S-或-NC1-C8烷基-橋的方式連接在一起形成5或6元環；選自R18、R19、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48的1-4個基團有可能彼此成對地以直接鍵合或-O-、-S-或-N(G)-橋的方式連接或只與Am-和/或Zn+連接，其中G是單取代或多取代的C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基、C3-C12雜環烷基、C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13雜芳基。
Q5＝Q8、Q6＝Q8或Q7＝Q8各自表示Q5、Q6、Q7和Q8定義中的兩個原子或基團以雙鍵連接。
有利地，p和q不同時為1-4的數字，但是p或q中的一個是0。優選地，p是0且q是1-4，特別是1。當數字p和q不是整數時，式(I)、(II)或(III)可解釋為某一摩爾組成的混合物，其中各個組分也可具有不同的化學計量。
過渡金屬陽離子為例如Co2+、Co3+、Cu+、Cu2+、Zn2+、Cr3+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Al3+、Ce2+、Ce3+、Mn2+、Mn3+、Si4+、Ti4+、V3+、V5+或Zr4+，優選Co2+、Co3+、Cr3+、Ni2+、Fe3+或Si4+。
陰離子為例如氫氧根、氧負離子、氟離子、氯離子、溴離子、碘離子、高氯酸根、高碘酸根、碳酸根、碳酸氫根、硫酸根、硫酸氫根、磷酸根、磷酸氫根、磷酸二氫根、四氟硼酸根、六氟銻酸根、乙酸根、草酸根、甲磺酸根、三氟甲磺酸根、甲苯磺酸根、單甲酯硫酸根、酚根、苯甲酸根或帶負電的金屬絡合物。
金屬、銨或鏻陽離子為，例如，Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、Cu2+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Co2+、Co3+、Zn2+、Sn2+、Cr3+、La3+、甲基銨、乙基銨、十五烷基銨、異丙基銨、二環己基銨、四甲基銨、四乙基銨、四丁基銨、芐基三甲基銨、芐基三乙基銨、甲基三辛基銨、三(十二烷基)甲基銨、四丁基鏻、四苯基鏻、丁基三苯基鏻或乙基三苯基鏻、或質子化Primene 81RTM或Rosin Amine DTM。優選H、Na+、K+、NH4+、伯、仲、叔或季銨以及陽離子發色團。
對于帶正電荷的有機發色團，可使用在300到1500納米范圍內吸收的任何陽離子，特別是在300到800納米范圍內吸收的任何陽離子。所屬技術領域的專業人員將特別優選先前已經提出用在光學信息介質中的發色團陽離子，例如花青、呫噸、二吡咯亞甲基(dipyrromethene)、苯乙烯基型、三苯基次甲基(triphenylmethine)、偶氮、金屬絡合物、醌二亞銨、聯吡啶鎓及其它陽離子。花青、呫噸、二吡咯亞甲基、偶氮金屬絡合物、和苯乙烯基陽離子是優選的。其它適合以陽離子形式使用的發色團可在WO 01/75873中找到，但是這些例子不被認為是限制性的選擇。
烷基、鏈烯基或炔基可以為直鏈或支鏈的。鏈烯基是具有單不飽和度或多不飽和度的烷基，其中兩個或多個雙鍵可以分離或共軛。炔基是具有一個或多個雙重不飽和度的烷基或鏈烯基，其中三鍵可以彼此或與雙鍵分離或共軛。環烷基或環烯基分別是單環狀或多環狀的烷基或鏈烯基。
因此，C1-C24烷基可以是，例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲丙基、正己基、庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基或二十四烷基。
因此，C3-C24環烷基可以是，例如，環丙基、環丙基-甲基、環丁基、環戊基、環己基、環己基-甲基、三甲基環己基、苧基、降冰片基、冰片基、降蒈烷基、蒈烷基、薄荷基、降蒎基、蒎基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、5α-甾烷基(gonyl)或5ξ-孕甾烷基(pregnyl)。
C2-C24鏈烯基為，例如，乙烯基、烯丙基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、1，3-丁二烯-2-基、2-戊烯-1-基、3-戊烯-2-基、2-甲基-1-丁烯-3-基、2-甲基-3-丁烯-2-基、3-甲基-2-丁烯-1-基、1，4-戊二烯-3-基、或己烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十二烯基、十四烯基、十六烯基、十八烯基、二十烯基、二十一烯基、二十二烯基、二十四烯基、己二烯基、辛二烯基、壬二烯基、癸二烯基、十二烷二烯基、十四烷二烯基、十六烷二烯基、十八烷二烯基或二十烷二烯基的任何異構體。
C3-C24環烯基為，例如，2-環丁烯-1-基、2-環戊烯-1-基、2-環己烯-1-基、3-環己烯-1-基、2，4-環己二烯-1-基、1-對-薄荷烯-8-基、4(10)-苧烯-10-基、2-降冰片烯-1-基、2，5-降冰片二烯-1-基、7，7-二甲基-2，4-降蒈二烯-3-基或莰烯基。
C2-C24炔基為，例如，1-丙炔-3-基、1-丁炔-4-基、1-戊炔-5-基、2-甲基-3-丁炔-2-基、1，4-戊二炔-3-基、1，3-戊二炔-5-基、1-己炔-6-基、順式-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、反式-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、1，3-己二炔-5-基、1-辛炔-8-基、1-壬炔-9-基、1-癸炔-10-基或1-二十四炔-24-基。
C7-C24芳烷基為，例如，芐基、2-芐基-2-丙基、β-苯基-乙基、9-芴基、α，α-二甲基芐基、ω-苯基-丁基、ω-苯基-辛基、ω-苯基-十二烷基或3-甲基-5-(1′，1′，3′，3′-四甲基-丁基)-芐基。C7-C24芳烷基也可以為，例如，2，4，6-三-叔丁基-芐基或1-(3，5-二芐基-苯基)-3-甲基-2-丙基。當C7-C24芳烷基被取代時，芳烷基基團的烷基部分和芳基部分都可以被取代，優選后一方案。
C6-C24芳基為，例如，苯基、萘基、聯苯基、2-芴基、菲基、蒽基或三聯苯基。
鹵素為氯、溴、氟或碘，優選氯或溴。
C4-C12雜芳基是具有4n+2個共軛π電子的不飽合或芳香基團，例如，為2-噻吩基、2-呋喃基、1-吡唑基、2-吡啶基、2-噻唑基、2-噁唑基、2-咪唑基、異噻唑基、三唑基或任何其它環系統，所述環系統包括噻吩、呋喃、吡啶、噻唑、噁唑、咪唑、異噻唑、噻二唑、三唑、吡啶和苯環，且未被取代或被1-6個乙基、甲基、乙撐和/或甲撐取代基取代。
另外，芳基和芳烷基也可為與金屬連接的芳香基團，例如為本領域已知的過渡金屬的金屬茂形式，更具體是
或 其中R49為CH2OH、CH2OR15或COOR15。
C3-C12雜環烷基為不飽和的或部分不飽和的環系基團，例如環氧、氧雜環丁烷、1-氮雜環丙烷；四唑基、吡咯烷基、哌啶基、哌嗪基、咪唑啉基、吡唑烷基、吡唑啉基、嗎啉基、奎寧環基；或其它單氫化或多氫化的C4-C12雜芳基。
5-12元環為，例如環戊基、環己基、環庚基和環辛基，優選環戊基，特別為環己基。
特別提及以下作為R1到R17的取代基-CH2-CH2-OH、-CH2-O-CH3、-CH2-O-(CH2)7-CH3、-CH2-CH2-O-CH2-CH3、-CH2-CH(OCH3)2、-CH2-CH2-CH(OCH3)2、-CH2-C(OCH3)2-CH3、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH3、-(CH2)3-OH、-(CH2)6-OH、-(CH2)7-OH、-(CH2)8-OH、-(CH2)9-OH、-(CH2)10-OH、-(CH2)11-OH、-(CH2)12-OH、-CH2-Si(CH3)3、-CH2-CH2-O-Si(CH3)2-C(CH3)3、-(CH2)3-O-Si(CH3)2-C(CH3)3、-(CH2)4-O-Si(C6H5)2-C(CH3)3、-CH2-CH2-CH(CH3)-CH2-CH2-CH(OH)-C(CH3)2-OH、-(CH2)5-O-Si(CH(CH3)2)3、-CH2-CH(CH3)-CH2-OH、-CH2-C(CH3)2-CH2-OH、-CH2-C(CH2-OH)3、-CH2-CH(OH)-CH3，-CH2-CH(OH)-CH2-OH， 、和-(CH2)2CH＝N-R50，其中R50為C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基、C7-C12芳烷基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基、C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或被一個或多個相同或不同的上述定義中的基團取代，或為金屬絡合物。當R50為C1-C12烷基時，其可未被中斷或被1-3個氧原子和/或硅原子中斷。特別有利的是烷基，其未被取代或被一個或兩個羥基取代基取代或被金屬茂基或偶氮金屬絡合物基團取代，具體為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、2-丁基、異丁基、叔丁基、3-戊基、正戊基、叔戊基、新戊基、2，2-二甲基-丁-4-基、2，2，4-三甲基-戊-5-基、環丙基、環丙基甲基、環丁基、環丁基甲基、環戊基、環戊基甲基、環己基、環己基甲基、環己-4-烯基-甲基、5-甲基-環己-4-烯基-甲基或2-乙基己基。這些基團作為R9或R15特別重要。
R2優選為OR9、SR9或NR10CN，特別優選OR9，特別是其中R9和R10為負電荷時，在式(II)中特別有利，導致在內消旋形式中與金屬的附加鍵。與優選的R2聯合或非聯合的獨立形式中，特別優選R5、R6、R7和R8中的至少一個為CF3、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-或PO(OR10)(OR11)；特別地R6或R7為CF3、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-或SO3R9。
本發明的記錄介質除了包括式(I)、(II)或者(III)的化合物之外，還另外包括鹽，例如氯化銨、氯化十五烷基銨、氯化鈷(II)、氯化鈉、硫酸鈉、甲磺酸鈉或者單甲酯硫酸鈉，其中的離子可例如來源于所用組分。
優選式(I)、(II)或(IH)的化合物，其中R2和R4為羥基、O-、巰基或S-，R6或R7為硝基或氰基；Zn+為呫噸；和/或R10為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、2-丁基、異丁基、叔丁基、3-戊基、正戊基、叔戊基、新戊基、2，2-二甲基-丁-4-基、2，2，4-三甲基-戊-5-基、環丙基、環丙基甲基、環丁基、環丁基甲基、環戊基、環戊基甲基、環己基、環己基甲基、環己-4-烯基-甲基、5-甲基-環己-4-烯基-甲基或2-乙基己基，它們各自未被取代或被氟單取代或多取代。
特別優選式(I)、(II)或(III)的化合物，其中R2和R4為羥基或O-，和/或R6或R7為硝基。C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基、C3-C12雜環烷基、C7-C12芳烷基、C6-C10芳基和C5-C9雜芳基通常優選為C1-C8烷基、C2-C8鏈烯基、C2-C8炔基、C3-C8環烷基、C3-C8環烯基、C3-C8雜環烷基、C7-C8芳烷基、苯基和C5-雜芳基，特別優選C1-C4烷基、C2-C4鏈烯基、C2-C4炔基、C3-C4環烷基、C3-C4環烯基和C3-C4雜環烷基。
當R10和R11通過直接鍵合或-O-、-S-或-NR17-橋彼此連接時，它們優選連接形成5或6元環。
將上述優選條件應用于式(I)、(II)或(III)中所含的子結構的每一種，在每種情況下與可存在的任何其它子結構相互獨立，條件是滿足式(I)、(II)或(III)固有的條件，即，所得化合物沒有過量的正電荷或負電荷。式(I)、(II)或(III)的子結構理解為是它們的三個部分，[金屬絡合物r-4]0、(Am-)p和(Zn+)q，如上所述，它們可彼此連接。從上述定義中可知，子結構可彼此連接或多個相同或不同的子結構可例如為二聚物的形式。彼此連接的Mr+和Am-的例子為(但并非排他性的)Fe(OH)2+、Fe(Cl)2+、Ti(O)2+和V(O)3+。
優選金屬絡合物，其中式(I)、(II)或(III)的兩個配體通過例如直接鍵合或-O-、-S-或-NR17-橋在式(I)、(II)或(III)內的任何取代基之間橋接，橋接的配體L1和L2、L1和L3或L3和L4有可能與相同的金屬陽離子配合或任選地與不同的金屬陽離子配合，在后一種情況中，形成了低聚物，該低聚物當然也被認為是本發明的主題。通過L1、L2、L3或L4的N原子橋接，無論是發色團或取代基上的N原子，是特別有利的。這些低聚物的形成通過以下例子(但并非排他地)說明，其中X可為，例如，-CH2-、-CH2-CH2-、-CH2-O-CH2-或-CH2-NH-CH2- 這種低聚物和類似低聚物的制備方法為本領域技術人員公知。
例如，式(I)、(II)或(III)的化合物可包括呫噸子結構陽離子，它們在US-5851621中公開并要求保護。特別優選WO-03/098617和WO-03/098618中公開和要求保護的所有呫噸陽離子，上述文獻的教導在本文作為參考。
還特別優選式(I)、(II)或(III)的化合物，其中n、o和q為1，p為0，r為2或3。
所感興趣的式(I)的化合物特別是下式的那些，
和 所感興趣的式(III)的化合物特別是下式的那些，


和 所感興趣的式(II)的化合物特別是具有式(I)和(II)的子結構的那些。它們可簡單地通過配體L1和L3同時進行金屬化的混合合成制備。式(II)的化合物可通過常規方法分離或優選以式(1)和(III)化合物的混合物的形式使用。
式(I)、(II)或(III)化合物中的某些為已知化合物。那些新型的化合物可類似地通過已知化合物的本身已知的合成方法制備。
本發明使用的金屬絡合物在固體形式具有令人驚訝的極窄的吸收帶。
基材作為對其施用各層的裁體有利地為半透明(T≥10％)或優選為透明的(T≥90％)。裁體的厚度可以為0.01-10毫米，優選0.1-5毫米。
記錄層優選設置在透明基材和反射層之間。記錄層的厚度為10到1000納米，優選30到300納米，特別為約80納米，例如為60到120納米。記錄層的吸收在最大吸收峰下通常為0.1到1.0。根據在讀出波長條件下的非寫入狀態和寫入狀態下各自的折射率，特別地選擇層厚度，使得在非寫入狀態下獲得相長干涉，而在寫入狀態下獲得相消干涉，或反之亦然。
厚度可為10到150納米的反射層優選具有高反射率((R≥45％，特別地R≥60％)，以及具有低透光度(T≤10％)。在其它實施方案中，例如在具有多個記錄層的介質中，反射層可同樣地是半透明的，也就是說可具有比較而言比較高的透光度(例如T≥50％)和比較低的反射率(例如R≤30％)。
最上層例如反射層或者記錄層，根據層結構，有利地另外具有厚度為0.1到1000微米，優選為0.1到50微米，特別為0.5到15微米的保護層。如果需要，這種保護層也可作為施用于其上的第二基材的粘合促進劑，第二基材優選厚度為0.1到5毫米，并由與裁體基材相同的材料制成。
整個記錄介質的反射率優選為至少15％，特別為至少40％本發明記錄層的主要特征在于在激光二極管的所述波長范圍內具有極高的初始反射率，其可用高靈敏度調節；高折射率；在固態下特別窄的吸收帶；在不同的脈沖持續時間下腳本寬度的良好一致性；以及良好的光穩定性和在極性溶劑中的良好溶解性。
本發明的記錄介質使用根據Orange Book Standard的規定的常規CD設備的紅外激光二極管既不可寫又不可讀。結果是，在很大程度上防止了在錯誤地試圖使用分辨率不夠高的設備寫入時的受損風險，這是有利的。使用式(I)、(II)或者(III)的染料有利地得到均一、無定形和低散射的記錄層，該記錄層具有高折射率，吸收邊沿即使在固相下也令人驚訝地尤其陡峭。另外的優點是在目光下和在小功率密度激光照射下的高的光穩定性，同時，在大功率密度激光照射下的高靈敏度，均一的腳本寬度、高反差以及良好的熱穩定性和儲藏穩定性。
在相對高的記錄速度，所得結果令人驚訝地好于先前已知的記錄介質。相對于周圍介質更精確地限定了標記，不發生熱誘導變形。出錯率(BLER)和在標記長度內的統計變化(抖動(jitter))在正常記錄速度和提高的記錄速度下也較低，使得在很寬的速度范圍內可以完成無差錯記錄和重放。事實上在較高的記錄速度下也沒有次品，并且已寫入介質的讀出不因糾錯而慢下來。在600到700納米(優選630到690納米)的全程范圍內獲得了上述優點，但在640到680納米、更優選650到670納米，特別在658±5納米特別顯著。
適當的基材為，例如，玻璃、礦物質、陶瓷和熱固性或者熱塑性塑料。優選的裁體為玻璃以及均聚物型塑料或共聚物型塑料。適當的塑料為，例如，熱塑性的聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰亞胺、熱固性的聚酯和環氧樹脂。基材可以為純的形式或也可包括常規的添加劑，例如，UV吸收劑或染料，如JP 04/167 239中建議的，以為記錄層提供光穩定性。在后一種情況下，加入到載體基材中的染料以具有最大吸收值相對于記錄層的染料藍移至少10納米，優選至少20納米是有利的。
基材在600到700納米范圍(優選上述范圍)的至少一部分內透明是有利的，使得其能透過寫入或讀出波長的入射光的至少90％。基材優選在覆層一側具有槽深為50到500納米、槽寬為0.2到0.8微米和兩條軌道之間的道間距為0.4到1.6微米的螺旋形導槽，特別是槽深為100到200納米，槽寬為0.3微米和兩條軌道之間的道間距為0.6到0.8微米。依賴于凹槽深度，記錄層在凹槽內外具有不同厚度是有利的；在凹槽內的記錄層的厚度通常比其在凹槽外厚度厚約2到20倍，通常為5-10倍。記錄層也可只位于凹槽內。
本發明的存儲介質因此特別有利地適用于具有目前常規的0.4微米最小坑長度0.4微米和0.74微米道間距的DVD介質的光學記錄。相對于已知介質增加的記錄速度使得可同步記錄或，對于特定效果，甚至可加速記錄具有優異圖像質量的視頻序列。
記錄層不僅僅只包括式(I)、(II)或者(III)的單一化合物，可替代地可包括這些化合物的混合物，例如本發明的2、3、4或者5種金屬偶氮染料。通過使用混合物，例如異構體或者同系物的混合物以及不同結構的混合物，通常可提高溶解性和/或改善非晶含量。如果需要，離子對化合物的混合物可具有不同的陰離子、不同的陽離子、或既具有不同的陰離子又具有不同的陽離子。
對于進一步增加穩定性，如果需要，也可能加入常規量的已知的穩定劑，例如JP 04/025 493中所述的二硫醇鎳(nickel dithiolate)作為光穩定劑。
記錄層包括式(I)、(II)或者(III)的化合物或這些化合物的混合物，其量有利地為足夠對折射率施加實質性影響，例如至少10重量％，優選至少30到70重量％，特別是至少40到60重量％。記錄層可特別有益地包括式(I)、(II)或者(III)的化合物或多種這些化合物的混合物作為主要成分，或者，也可只是或者基本上由一種或多種式(I)、(II)或者(III)的化合物構成。
其它常規組分可能為，例如其它發色團(例如在300到1000納米具有最大吸收值的那些)、UV吸收劑和/或其它穩定劑，1O2-，三線態-或發光-猝滅劑、熔點降低劑、分解加速劑或者任何其它已經在光記錄介質中描述的添加劑如成膜劑。
當記錄層包括其它發色團時，這些發色團原則上可為任何可在記錄期間通過激光照射分解或者改變的染料，或者它們對于激光照射可以是惰性的。當其它的發色團通過激光照射分解或者改變時，這可通過激光照射的吸收直接發生或者可通過本發明式(I)、(II)或者(III)的化合物的分解間接誘導例如通過熱力的作用。
自然地，其它發色團或者有色穩定劑可影響記錄層的光學性質。因此優選使用其它發色團或有色穩定劑，其光學性質盡可能與式(I)、(II)或者(III)的化合物的光學性質相符，或者盡可能地與式(I)、(II)或者(III)化合物的光學性質不同，或者其它發色團保持較低的量。
當使用光學性質與式(I)、(II)或者(III)化合物的光學性質盡可能相符的其它發色團時，優選其在最長波長吸收主區的范圍內應用。優選其它發色團的轉化點的波長和式(I)、(II)或者(III)化合物的轉化點的波長相隔最大為40納米，特別為最大20納米，更特別為最大10納米。在這種情況下，其它發色團和式(I)、(II)或者(III)化合物在激光照射方面應該具有相似的性能，使得有可能將已知記錄試劑用作其它發色團，其作用被式(I)、(II)或者(III)化合物協同地增強或者提高。
當使用光學性質與式(I)、(II)或者(III)化合物的光學性質盡可能不同的其它發色團或者有色穩定劑時，它們有利地具有相對于式(I)、(II)或者(III)的染料藍移或者紅移的最大吸收值。在這種情況下，最大吸收值相隔優選為至少50納米，特別是至少100納米。其例子為相對于式(I)、(II)或者(III)的染料藍移的UV吸收劑，或是相對于式(I)、(II)或者(III)的染料紅移的有色穩定劑，并具有例如在NIR或者IR范圍內的最大吸收。其它染料也可加入用于色碼識別，色掩蓋(color-masking)(″鉆石染料″)或者增強記錄層的美學外觀。在所有情況中，其它發色團或者有色穩定劑對于光和激光照射的性能將優選是盡可能惰性的。
當加入另一種染料用于改進式(I)、(II)或者(III)化合物的光學性質時，其量根據所要到達的光學性質的不同而不同。所屬技術領域的專業人員將幾乎不費力氣地改變其它染料與式(I)、(II)或者(III)化合物的比，直到獲得所需結果。
當發色團或者有色穩定劑用于其它目的時，其量將優選較小使得它們對記錄層在600到700納米范圍內的總吸收作出的貢獻最大為20％，優選最大為10％。在這種情況下，其它染料或者穩定劑的量基于記錄層有利地為最大50重量％，優選最大10重量％。
除了式(I)、(II)或者(III)的化合物，其它可任選地用于記錄層中的發色團為例如花青和花青金屬絡合物(US-5 958 650)，苯乙烯基化合物(US-6 103 331)，oxonol染料(EP-A-833 314)，偶氮染料和偶氮金屬絡合物(JP-A-11/028865)，酞菁(EP-A-232427、EP-A-337 209、EP-A-373643、EP-A-463 550、EP-A-492 508、EP-A-509 423、EP-A-511 590、EP-A-513 370、EP-A-514 799、EP-A-518 213、EP-A-519 419、EP-A-519 423、EP-A-575 816、EP-A-600 427、EP-A-676 751、EP-A-712 904、WO-98/14520、WO-00/09522、CH-693/01)，卟啉和偶氮卟啉(EP-A-822546、US-5 998 093)，二吡咯亞甲基染料及其金屬螯合化合物(EP-A-822544、EP-A-903 733)，呫噸染料及其金屬絡合物鹽(US-5 851 621)或quadratic acid化合物(EP-A-568877)，或噁嗪、二噁嗪、二氮雜(diaza)苯乙烯基型、甲_(formazan)、蒽醌或者吩噻嗪；所列并非詳盡描述，所屬技術領域的專業人員將理解所列還包括其它已知染料。
特別優選的其它發色團具體為花青和呫噸。在花青中，優選benzoindocarbocyanine，在呫噸中，優選若丹明。
然而，特別優選不加入附加發色團，除非其是有色穩定劑。
穩定劑或熒光猝滅劑為，例如，含N或者含S的烯醇、酚、雙酚、硫醇或雙硫醇的金屬絡合物，或者為偶氮、甲亞胺(azomethine)或甲_染料的金屬絡合物，如_Irgalan Bordeaux EL(Ciba Spezial-it_tenchemie AG)，_Cibafast N3(Ciba Spezialit_tenchemie AG)或類似化合物，受阻酚及其衍生物(還任選地作為陰離子X-)，如_CibafastAO(Ciba Spezialit_tenchemie AG)，7，7′，8，8′-四氰基醌-二甲烷(TCNQ)及其化合物(還任選地作為電荷轉移絡合物的陰離子)，羥基苯基三唑或羥基苯基三嗪或其它UV吸收劑，如_Cibafast W或_Cibafast P(Ciba Spezialit_tenchemie AG)或受阻胺(TEMPO或HALS，還作為硝基氧或NOR-HALS，也任選地作為陰離子X-)。
許多這些結構是已知的，其中的一些也與光學記錄介質有關，例如參見US-5 219 707、JP-A-06/199045、JP-A-07/76169或JP-A-07/262604。它們可為，例如，上述公開的金屬配合物陰離子與任何所需陽離子如上述公開的陽離子的鹽。
適當地也為中性金屬絡合物，例如，在EP 0 822 544、EP 0 844243、EP 0 903 733、EP 0 996 123、EP 1 056 078、EP 1 130 584或US6 162 520中公開的那些金屬絡合物，例如下式的化合物， 和 以及其它已知的金屬絡合物，例如下式所示的化合物，
和 所屬技術領域的專業人員將從其它光學信息介質中知道，或容易地識別，哪種添加劑以哪種濃度特別適用于哪個目的。添加劑的適當濃度基于式(I)、(II)或者(III)的記錄介質為例如0.001到1000重量％，優選1到50重量％。
本發明的記錄介質除了包括式(I)、(II)或者(III)的化合物之外，可另外包括鹽，例如氯化銨，氯化十五烷基銨、氯化鈷(II)、氯化鈉、硫酸鈉、甲磺酸鈉或者甲基硫酸鈉，其中的離子可來源于例如所用組分。如果存在，其它的鹽優選存在的量基于記錄層的總重量為至多20重量％。
適合于反射層的反射材料特別地包括金屬，其提供了用于記錄和重放的激光照射的良好反射，例如化學元素周期表的第III、IV和V主族金屬和副族的金屬。Al、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其合金特別適用。由于其高反射率和易于生產，特別優選鋁、銀、銅、金或其合金的反射層。
適合于保護層的材料主要包括塑料，其以薄層形式直接地或者在粘合劑層的幫助下施用于裁體或最上層。選擇具有良好的表面性質的機械穩定和熱穩定的塑料是有利的，其可進一步改變，例如在其上寫入。塑料可是熱固性塑料或者熱塑性塑料。優選照射固化(如使用紫外照射)的保護層，其生產特別簡單并且經濟。已知各種照射可固化的材料。照射可固化的單體和低聚物的例子為二醇、三醇和四醇的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，芳香四羧酸和在氨基的至少二個鄰位具有C1-C4烷基的芳族二胺的聚酰亞胺，和具有二烷基馬來酰亞胺基如二甲基馬來酰亞胺基的低聚物。
本發明的記錄介質還可能具有附加層，例如干涉層。也可能構建成具有多個(例如二、三、四或者五個)記錄層的記錄介質。這種材料的結構和使用為本領域的技術人員公知。其中存在干涉層時，優選其布置在記錄層和反射層之間和/或布置在記錄層和基材之間并包括介電材料，例如在EP 353 393中所述的TiO2、Si3N4、ZnS或者有機硅樹脂。
本發明的記錄介質可通過已知方法生產，根據所用材料及其功能有可能使用各種涂布方法。
適當的涂布方法為，例如漫涂、傾涂、刷涂、刮涂和旋涂，以及在高真空條件下進行的蒸汽淀積方法。當例如使用傾涂方法時，通常使用在有機溶劑中的溶液。當使用溶劑時，應該注意所用裁體要對溶劑不敏感。適當的涂布法和溶劑在例如EP-A-401 791中描述。
優選通過旋涂施用染料溶液而施用記錄層，可證明令人滿意的溶劑特別為醇，如2-甲氧基乙醇、正丙醇、異丙醇、異丁醇、正丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、戊醇或者3-甲基-1-丁醇，或者優選氟化醇，例如2，2，2-三氟乙醇或者2，2，3，3-四氟-1-丙醇，及其混合物。應理解，其它溶劑或溶劑混合物也可使用，例如那些在EP-A-511 598和EP-A-833 316中描述的溶劑混合物。醚(二丁醚)、酮(2，6-二甲基-4-庚酮、5-甲基-2-己酮)、酯(如已知得自WO 03/098 617的乳酸酯)或者飽和或者不飽和烴(甲苯、二甲苯或者在WO 03/034146中公開的叔丁基苯和類似的化合物)也可使用，還任選地用混合物的形式(如二丁醚/2，6二甲基-4-庚酮)或混合組分。
旋涂技術領域的專業人員通常按照慣例嘗試所有他所熟悉的溶劑以及二元和三元的溶劑混合物，以發現帶來高質量并同時使包含這種所選固體組分的記錄層的成本低收效大的溶劑或者溶劑混合物。已知的工藝工程方法也可以在這種最優化過程使用，使得進行的實驗數目可保持在最小限度。
因此本發明還涉及光記錄介質的生產方法，其中將在有機溶劑中的式(I)、(II)或者(III)的化合物的溶液施用于具有凹陷的基材上。優選通過旋涂進行施用。
金屬反射層的施用優選通過濺射、真空蒸法鍍敷或者通過化學氣相沉積(CVD)法實現。由于與裁體的高粘合程度，濺射技術特別優選用于金屬反射層的施用。這種技術為已知的并在專業文獻(如J.L.Vossen和W.Kern，″Thin Film Processes″，Academic Press，1978)中描述。
本發明的記錄介質的結構主要受到讀出方法控制；已知的工作原理包括測量透射或者優選反射的變化，但是還已知例如測量熒光而不是透射或者反射。
當構建記錄材料用于反射變化時，可使用以下結構例如透明裁體/記錄層(任選多層)/反射層和，如果有利的話，保護層(不一定透明)；或者載體(不一定透明)/反射層/記錄層和，如果有利的話，透明保護層。在第一種情況下，光從裁體一側入射，而在后一種情況下，照射光從記錄層一側入射，或者，如果適合的話，從保護層一側入射。在兩種情況下，光探測器位于和光源相同的一側。通常優選本發明的記錄材料使用第一種情況中提及的結構。
當構建記錄材料用于光透射變化時，可考慮例如以下不同結構透明載體/記錄層(任選多層)和，如果有利，透明保護層。用于記錄和讀出的光可從載體一側或從記錄層一側入射，或者，如果適合，從保護層一側入射，在這種情況下光探測器總是位于相對一側。
適當的激光為波長為600到700納米的那些，例如市售的波長為602、612、633、635、647、650、670或者680納米的激光器，特別是半導體激光器，如GaAsAI、InGaAIP或者GaAs激光二極管，其波長特別為約635、650或658納米。例如通過根據標記長度調節激光和將其照射聚焦在記錄層上而以已知方式正確地實現記錄。從專業文獻中已知其它目前正在開發的方法也適合使用。
本發明的方法使得可以較大的可靠性和穩定性存儲信息，以極好的機械穩定性和熱穩定性、以及高的光穩定性和陡立的坑邊界區域為顯著特征。特別的益處包括高對比度、低抖動、和令人驚訝的高信/噪比，從而使得讀出優異。在視頻和多媒體領域，高存儲容量特別有益。
通過使用激光照射記錄吸收或者反射的變化，根據已知方法進行信息的讀出，例如在″CD-Player und R-DAT Recorder″中所述(ClausBiaesch-Wiepke，Vogel Buchverlag，Würzburg，1992)。
本發明包含信息的介質特別是WORM型的光學信息材料。可使用例如作為可播放的DVD(數字多用盤)、作為計算機用儲存材料或者作為身份卡和安全卡，或用于衍射光學元件例如全息照相的生產。
因此本發明還涉及信息的光記錄、存儲、和重放的方法，其中使用本發明的記錄介質。記錄和/或重放有利地在600到700納米，優選在已述波長范圍內進行。
本發明還涉及本發明使用的化合物是新型的。因此本發明還涉及式(II)或者(III)的化合物或其互變異構形式或內消旋形式，其中R2為O-、S-、N-COR11、N-COOR9、N-CONR12R13或N-CN。
以下實施例更詳細說明了本發明(除非另外說明，所有百分數為重量百分數)。
實施例1將49.8g 2-氨基-5-硝基酚加入到75.0ml的37％的鹽酸在750ml乙醇中的溶液中。冷卻到0-5℃后，在30分鐘內加入79.5ml的4M亞硝酸鈉水溶液。在0-5℃下攪拌黃色的懸浮液1小時，然后在30分鐘內滴加到33g間苯二酚在600毫升水的冷溶液(pH為9.5-10)中，通過同時滴加165毫升的5M氫氧化鈉溶液保持pH在上述值。得到黑紫色溶液，再攪拌1小時使反應完全后，用4M鹽酸中和并過濾。殘余物用水洗，并在50-55℃/2-5·103帕條件下干燥48小時，得到79.7克下式所示的褐色粉末
實施例2與實施例1相似，得到21.3g的下式所示的褐色粉末 實施例3在70℃下將實施例1的18.2g產品溶解在300毫升乙醇中。向紅色溶液中加入7.5g乙酸鈷(II)四水合物，顏色由紅色變為紫色。在70℃保持2小時后，將混合物冷卻到50℃并過濾使變澄清。在23℃下向濾液中慢慢加入1500毫升己烷，將沉淀物濾出。殘余物用丙醇洗滌，并在85℃/1帕條件下干燥12小時，得到12.6g下式所示的黑色粉末 該產品含有痕量溶劑，可通過色譜法純化(硅膠32-63，CB 09332-22/Brunschwig Chemie，洗脫液乙酸乙酯/異丙醇/乙酸/水＝12∶3∶1∶1體積/體積)。
1H-NMR8.48/8.51(d)，7.80/7.83(d)，7.61/7.64(d)，7.40(s)，6.39/6.42(d)，6.05(s)；Rf0.78紫色(硅膠，乙酸丁酯/吡啶/水＝8∶8∶3體積/體積)；
鈷12.1％(理論值12.57％)；UV/VIS(乙醇)λmax＝545納米/ε＝29100；加入NaOH后為λmax＝573納米/ε＝49400。
實施例4方法與實施例3類似，但用4.1g實施例2的產品取代實施例1的產品，得到1.3g下式所示的黑色粉末 該產品含有痕量溶劑，可通過色譜法純化(硅膠32-63，CB 09332-22/Brunschwig Chemie，洗脫液乙酸乙酯/異丙醇/乙酸/水＝12∶3∶1∶1體積/體積)。
1H-NMR9.10(s)，7.95；7.98(d)，7.79/7.82(d)，6.686.71(d)，6.31；6.34(d)，6.00(s)；Rf0.78橙色(硅膠，乙酸丁酯/吡啶/水＝8∶8∶3體積/體積)；鈷12.3％(理論值12.57％)；UV/VIS(乙醇)λmax＝479納米/ε＝29600；加入NaOH后為λmax＝525納米/ε＝44000。
實施例5方法與實施例3類似，但用12.1g實施例1的產品和乙酸鎳(II)四水合物代替乙酸鈷四水合物，得到6.6g下式所示的黑褐色粉末

UV/VIS(乙醇)λmax＝533納米/ε＝43500；加入NaOH后為λmax＝580納米/ε＝54200。
比較例1制備US-6 168 843的化合物2

實施例6-7+比較例2將1.0重量％的實施例3和4和比較例的化合物各自溶于1-丙醇中并通過旋涂施用于平坦的聚碳酸酯基材上。通過ETA光譜反射/透射試驗儀(Steag ETA-Optik GmbH)測量固體層的光學參數

使用本發明的化合物，固體層的折射率令人驚訝地顯著高于比較例的化合物。
實施例80.45g實施例3的化合物和1.35g實施例4的化合物在19.6g 2-乙氧基-乙醇和59.0g正丙醇中的溶液通過聚四氟乙烯(Teflon)過濾器過濾，過濾器的孔徑大小為0.2微米，并通過懸涂以1500轉/分鐘速率施用于0.6毫米厚、直徑為120毫米的帶凹槽的聚碳酸酯盤(槽深190納米，槽寬290納米，道間距為0.74微米)表面上，通過增加轉速將過量溶液拋出。當蒸干溶劑時，得到的染料為均一的無定形固體層形式。干燥在70℃的循環空氣烘箱中進行(10分鐘)。然后在真空涂布設備(Twister，Balzers Unaxis)中，通過霧化法將60納米厚的銀層施用于記錄層上。然后通過懸涂向其施用6微米厚的紫外可固化光敏聚合物保護層(TM650-020，DSM)。記錄載體在658納米具有良好的反射率。在市售記錄設備(Pioneer A03 DVD-R(G))上，使用激光輸出為9.8mW、波長為658納米的激光二極管以3.5m·s-1的速度寫入標記。
實施例9-10與實施例8的過程類似，但使用實施例4或5的化合物代替實施例3的化合物。
實施例11將4.13g實施例2的產品在200毫升水中攪拌并在50℃下用27.0ml的20％的蘇打溶液、然后用1.8毫升的15％氫氧化鈉溶液溶解。然后，在50-60℃下，在1小時內，用7.0毫升的1M乙酸鈷溶液(從黃/橙色變成紅色)滴定，用0.4ml的15％的氫氧化鈉溶液保持pH值為8.5-9.然后加入40g NaCl，冷卻到23℃后，用6.0毫升的2N HCI調整pH值為8.5，然后攪拌2小時，濾出沉淀物，用500毫升的10％NaCl溶液洗滌，并在70℃/1帕條件下干燥12小時，得到8.3g下式所示粗品
如果需要，該粗品可從正丙醇重結晶。
實施例12與前面實施例類似，得到下式所示化合物 實施例13與前面實施例類似，得到下式所示化合物 實施例14將2g下式的化合物
在94克的1-甲氧基-2-丙醇和3克環戊醇中的溶液通過聚四氟乙烯過濾器過濾，該過濾器的孔徑大小為0.2微米，并通過懸涂以1800轉/分鐘的轉速施用于0.6毫米厚、直徑為120毫米的帶凹槽的聚碳酸酯盤(槽深170納米，槽寬330納米，道間距0.74微米)的表面上。過量溶液通過增加轉速被拋出。當蒸除溶劑時，染料保留為均一的無定形固體層的形式。干燥在70℃的循環空氣烘箱中進行(20分鐘)。光學值良好(n658＝2.47/k658＝0.056)。然后在真空涂布設備(Twister，BalzersUnaxis)中，通過霧化法將80納米厚的銀層施用于記錄層上。然后通過懸涂向其施用紫外可固化光敏聚合物保護層(TM650-020，DSM)。記錄載體在658納米的反射率為46％。在市售測試設備(DDU-1000，Pulstee Japan)上，使用輸出為8.7mW、波長為658納米的激光二極管以3.5m·s-1的速度將標記寫入活性層。然后，在市售測試設備(DVDPro，Audio Dev)上，測量以下的動力學參數DTC抖動7.5％，R14H46％，114/114H 0.57；不對稱性7.8％。該介質表現出特別高的敏感性。
實施例15與實施例14的過程類似，但是使用下式的化合物得到可媲美的良好結果。

實施例16-17與實施例14-15的過程類似，使用實施例12和13的陰離子代替實施例3和4的陰離子。
實施例18將2.0g下式的化合物 在93.0g的1-甲氧基-2-丙醇和5.0g的2-乙氧基乙醇中的溶液通過聚四氟乙烯過濾器過濾，該過濾器的孔徑大小為0.2微米，并通過懸涂以1500轉/分鐘的轉速施用于0.6毫米厚、直徑為120毫米的帶凹槽的聚碳酸酯盤(槽深170納米，槽寬330納米，道間距0.74微米)表面上。過量溶液通過增加轉速拋出。當蒸除溶劑時，染料保留為均一的無定形固體層的形式。干燥在70℃的循環空氣烘箱中進行(20分鐘)。然后在真空涂布設備(Twister，Balzers Unaxis)中，通過霧化法將80納米厚的銀層施用于記錄層上。然后通過懸涂向其施用紫外可固化光敏聚合物保護層(TM650-020，DSM)。記錄裁體在658納米具有良好的反射率。在市售記錄設備(Pioneer A03 DVD-R(G))上，使用激光輸出為11.2mW、波長為658納米的激光二極管以3.5m·s-1的速度將標記寫入活性層。然后在市售測試設備(DVD Pro，Audio Dev)上，測量以下動力學參數DTC抖動，R14H，114/114H。
實施例19-24與實施例8、14、15、16、17和18的過程類似，但是使用7.0m·s-1(2×)的寫入速度代替了3.5m·s-1(1×)的寫入速度，結果令人滿意地好。
實施例25-29與實施例14、15、16、17和18的過程類似，但是使用14.0m·s-1(4×)的寫入速度代替了3.5m·s-1(1×)的寫入速度。結果優異，特別是在符合DVD-R技術要求的介質中。
實施例30方法與前面實施例類似，但是用了下式的化合物，

以3.5m·s-1(1×)到14.0m·s-1(4×)的寫入速度獲得極好的試驗結果。通過ETA光譜反射/透射試驗儀(Steag ETA-Optik GmbH)測量了固體層的光學參數

在市售測試設備(DDU-1000，Pulstec Japan)上，使用波長為658納米的激光二極管以3.5m·s-1的速度(1×)和14m·s-1的速度(4×)將標記寫入活性層。然后，在市售測試設備(DVD Pro，Audio Dev)上，測量以下動力學參數數據對時鐘的抖動，R14H，114/114H，不對稱性。

實施例31在攪拌下，在23℃將60.0g的97％的2-氨基-5-硝基噻唑溶于880毫升的50(體積)％的硫酸中。將淺褐色溶液冷卻到-10℃。在40分鐘內，加入100毫升的4N亞硝酸鈉水溶液。在-10到-8℃繼續攪拌目前變為深藍-綠色的溶液15分鐘。在此時間內，將48g的間苯二酚溶于400毫升乙醇中并冷卻到-10到-15℃。然后將得到的溶液慢慢地加入到重氮溶液中，立即形成濃稠的深紅色沉淀物，溫度升高到約0℃。然后在0-5℃進一步攪拌反應混合物2小時，用500毫升水稀釋并抽濾。抽濾物質用4升水洗滌，并在60℃/103帕條件下干燥24小時，得到78g下式所示的紅褐色產品 1H-NMR[ppm]8.87(s，Ha)；6.46(s，Hb)；6.49/6.52(d，Hc)；7.71/7.74(d，Hd)。
實施例32將25g實施例31的化合物引入到100毫升二甲基乙酰胺中并在23℃下攪拌，然后加入12.7g的乙酸鈷(II)四水合物。兩種起始原料慢慢地溶解并形成幾乎呈黑色的溶液，該溶液在室溫下攪拌3小時。之后，形成深紅色沉淀物，通過Büchner過濾器抽濾該沉淀物并用20毫升二甲基乙酰胺洗滌。攪拌下將抽濾物質懸浮在1.2升甲醇中。加入10g乙酸鈉(無水)后，將反應混合物加熱到60-65℃并在該溫度過濾使變澄清。使用旋轉蒸發器將濾液濃縮到200毫升，并冷卻到5-10℃，開始結晶。沉淀物經過抽濾并用50毫升0-5℃甲醇洗滌，在50-55℃/103帕條件下干燥，得到15g幾乎呈黑色的下式所示的產品
1H-NMR[ppm]7.99(s，Ha)；5.32(s，Hb)；6.22/6.25(d，Hc)；7.81/7.85(d，Hd)。
實施例33將1.5g實施例32的化合物溶于98.5g的1-甲氧基-2-丙醇中并用0.2微米孔徑的聚四氟乙烯過濾器過濾，然后以250轉/分鐘的速率將染料溶液施用于1.2mm厚的平坦聚碳酸酯盤(直徑為120mm)上，將轉速增加到1200轉/分鐘以將過量溶液拋出，形成均一的固體層。干燥后，固體層的光學密度在547納米為0.64。使用光學測量系統(ETA-RT，STEAG ETA-Optik)測量層厚度和復合折射率。在658納米染料層的厚度為47.7納米，折射率n為2.49，消光系數k為0.072。

圖1表示折射率n作為波長的函數。圖2表示消光系數k作為波長的函數。
實施例35與實施例34的過程類似，但使用了下式所示的著色劑，
實施例36與實施例34的過程類似，但使用了下式所示的著色劑，

實施例37-42與實施例34的過程類似，但使用了實施例34、35、36的化合物的混合物

實施例43將2.2g實施例32的化合物溶于100毫升的1-甲氧基-2-丙醇中并用孔徑為0.2微米的聚四氟乙烯過濾器過濾，然后以250轉/分鐘的速率將染料溶液施用于0.6mm厚、直徑為120mm的帶凹槽的聚碳酸酯盤(槽深164納米，槽寬380納米，道間距0.74毫米)表面上。過量溶液通過增加轉速拋出。當蒸除溶劑時，染料保留為均一的無定形固體層的形式。干燥在70℃的循環空氣烘箱中進行(20分鐘)。固體層在534nm波長的光學密度為0.57。然后在真空涂布設備(Twister，Balzers Unaxis)中，通過霧化法將120納米厚的銀層施用于記錄層上。然后通過懸涂向其施用紫外可固化光敏聚合物(LMD2277TM，Vantico/Huntsman)粘合層，并對其粘附第二聚碳酸酯盤。記錄裁體的反射率在658納米為46％。在市售測試設備(DDU-1000，Pulstec Japan)上，使用波長為658納米的激光二極管以3.5m·s-1的速度(1×)和14m·s-1的速度(4×)將標記寫入活性層。然后在市售測試設備(DVD Pro，Audio Dev)上，測量以下動力學參數數據對時鐘的抖動，R14H，114/114H，不對稱性。在常規優化寫入策略后，獲得特別低的DC抖動值。

實施例44與實施例6到10類似，通過懸涂將約50-100納米厚的記錄層施用于平玻璃盤基材上并干燥。然后通過濺射向其施用約100-150納米厚的銀反射層。以反射層向下的方式將盤放置到具有拋光鉻鋼表面的調整后的加熱臺上，并且該臺的表面溫度為30℃。使用纖維分光光度計，在整個玻璃基材的上方測量該盤的反射光譜相對于僅含有銀層的參比盤的反射光譜。然后以5℃/分鐘的速率持續增加加熱臺的溫度到300℃并以1分鐘為間隔測量反射光譜。在閾溫T0以上，T0表征為所考察的記錄層的特征，觀察到在λ≈600納米的最小反射值反射區域內的反射持續增加，即相應吸收帶的吸收減小。在特征溫度T1/2，吸收帶減小了50％，在T1的情況中，減小了100％，在T0到和T1之間測量的吸收光譜通常與在T0和T1處的吸收光譜的線性組合符合得很好。各試驗已經表明了盤的記錄和重放性的最佳溫度范圍為T0≥200℃，T1/2≈250℃，T1＜300℃。測量了以下數據

實施例45-91與實施例6-10類似，測量了記錄層的n值和k值(使用Steag ETA-Optik)和光穩定性(在用校準氙燈/Hanau照射90小時后吸收-D90的相對降低，和在照射24小時后吸收-D24的相對降低)，使用了以下化合物










實施例92-95與實施例75的過程類似，但使用了下列陽離子K+、Li+、Cs+和 代替了鈉陽離子。
實施例96與實施例18的過程類似，但是用了下式所示化合物， 實施例97與實施例96的過程類似，使用了比例為50∶50的下式的混合物，
和 實施例98與實施例97的過程類似，但各組分的比例為30∶70。
實施例99與實施例97的過程類似，但各組分的比例為70∶30。
實施例100與實施例96的過程類似，但使用了另外包括30％的下式化合物的混合物，
權利要求
1.包括基材、反射層和記錄層的光學記錄介質，其中記錄層包括式[L1Mr-4L2]o[Am-]p[Zn+]q(I)、[L1Mr-3L3]o[Am-]p[Zn+]q(II)或[L3Mr- 2L4]o[Am-]p[Zn+]q(III)的化合物，式(I)、(II)或(III)的化合物也可為內消旋形式或者互變異構形式，其中L1和L2各自獨立地為 和L3和L4各自獨立地為 M分別是指式(I)、(II)或(III)中Mr-4、Mr-3或Mr-3的位置； 是 或 Q1為CR1或N，Q2為O、S、NR10或Q5＝Q8，Q3是CR3或N，Q4是O、S、NR10或Q7＝Q8，Q5是CR5或N，Q6是CR6或N、Q7是CR7或N，Q8是CR8或N，并且Q9是O、S、NR10或Q6＝Q8，優選要么Q1是CR1且Q3是CR3，要么Q1和Q3都是N，和/或Q8在Q5＝Q8、Q6＝Q8或Q7＝Q8中相對于 的氮原子位于β位，并且在互變異構體的情況下，Q1也可是NR1和/或Q3也可是NR3；R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自獨立地為H、鹵素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)；C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13和/或SO3R9；或C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9雜芳基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代R10、鹵素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；R2是OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN；R9各自獨立地為R15、COR15、COOR15、CONR12R13、CN或負電荷，優選為H或負電荷；R10、R11和R14各自獨立地為氫、C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、[C2-C8亞烷基-O-]k-R16、[C2-C8亞烷基-NR17-]k-R16或C7-C12芳烷基，對于NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN中的R10可能另外為可離域的負電荷；R12、R13和R15各自獨立地為H；C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、OR10、SR10、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR10、SO3-、CONR11R14、SO2NR11R14、SO2R10、NR11R14和/或SO3R10；或C7-C12芳烷基、C6-C12芳基或C5-C9雜芳基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代R10、鹵素、OR10、SR10、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR14、SO3-、CONR11R14、SO2R10、SO2NR11R14、SO3R10、PO3-、PO(OR10)(OR11)、NR11R14、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；或NR12R13、NR11R14或NR10R15是5元或6元雜環，其可含有另外的N或O原子，并且其可以被C1-C8烷基單取代或多取代；R16和R17各自獨立地為單取代或多取代的C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、C3-C12環烷基、C3-C12環烯基、C3-C12雜環烷基、C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9雜芳基；Mr是具有r個正電荷的過渡金屬陽離子；Am-是無機、有機或有機金屬陰離子，或其混合物；Zm+是質子、金屬、銨或鏻陽離子、帶正電的有機或有機金屬發色團、或其混合物；相同或不同配體L1、L2、L3和/或L4的基團，所述基團各自選自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R14、R15和R16，可能一次或多次地成對地彼此以直接鍵合或-O-、-S-或-N(R17)-橋的方式連接，和/或對于0到p個陰離子Am-和/或O到q個陽離子Zn+，各自將與相同或不同配體L1、L2、L3和/或L4的任何基團R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16或R17或與Mr以直接鍵合或-O-、-S-或-N(R17)-橋的方式連接；k是1-6的整數；m、n和r各自獨立地為1-4的整數；優選m和n為1或2，且r是2或3；和o、p和q各自為0-4的數字，o、p和q彼此之間的比，根據有關子結構的電荷，使得在式(I)、(II)或(III)中沒有過量的正電荷或負電荷；并且進一步的前提條件是當R1、R3、R4、R5、R7和R8全部為H，R2是OH，R6是NO2，M是Co且r是3時，[Zn+]q不能為下式， 或 其中R18和R28各自獨立地為氫；C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR35CONR35R36、OR35、SR35、COO-、COOH、COOR35、CHO、CR37OR35OR36、COR35、SO2R35、SO3-、SO3H、SO3R35或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C4-C12雜芳基，它們各自未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR37CONR35R36、R35、OR35、SR35、CHO、CR37OR35OR36、COR35、SO2R35、SO3-、SO3R35、SO2NR35R36、COO-、COOR35、CONR35R36、PO3-、PO(OR35)(OR36)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；但是R18和R28不同時為氫；R19、R20、R26和R27各自獨立地為C1-C12烷基，其未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、OR37、SR37、NO2、CN、NR40R41、COO-、COOH、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R37，R19和R20和/或R26和R27和/或R31和R32和/或R33和R34有可能彼此成對地以直接鍵合或-O-、-S-或-NR42-橋的方式連接在一起形成5-12元環；R21和R25各自獨立地為C1-C3亞烷基或C1-C3亞烯基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、R42、OR42、SR42、NO2、CN、NR43R44、COO-、COOH、COOR42、SO3-、SO3H或SO3R42；R22、R24、R29和R30各自獨立地為氫、鹵素、OR45、SR45、NO2、NR45R46；或C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基、C3-C12雜環烷基或C7-C18芳烷基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、OR45、SR45、NO2、CN或NR45R46；R23是氫；(CH2)kCOO-、(CH2)kCOOR47、C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基或C3-C24環烯基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NR47R48或OR48；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13雜芳基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR47R48、SO3-、SO3R47、SO2NR47R48、COO-、(CH2)kOR47、(CH2)kOCOR47、COOR47、CONR47R48、OR47、SR47、PO3-、PO(OR47)(OR48)或SiR37R38R39；R31、R32、R33和R34各自獨立地為C1-C12烷基，其未被取代或被以下的基團單取代或多取代鹵素、OR35、SR35、NO2、CN、NR40R41、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R35；R35、R36、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48各自獨立地為氫；C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基或C3-C12雜環烷基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、OR37、SR37、COO-、COOH、COOR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO3H、SO3R37或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13雜芳基，它們各自未被取代或為以下的基團單取代或多取代鹵素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、R37、OR37、SR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO2NR37R38、COO-、COOR39、CONR37R38、PO3-、PO(OR37)(OR38)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；或NR35R36、NR40R41、NR43R44、NR45R46或NR47R48為5或6元雜環，其可含有另外的N或O原子并且其可被C1-C8烷基單取代或多取代；R37、R38和R39各自獨立地為氫、C1-C20烷基、C2-C20鏈烯基、C2-C20炔基或C7-C18芳烷基，R37和R38有可能彼此以直接鍵合或-O-、-S-或-NC1-C8烷基-橋的方式連接在一起形成5或6元環；選自R18、R19、R21、R22、R22、R24、R25、R26、R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48的1-4個基團有可能彼此成對地以直接鍵合或-O-、-S-或-N(G)-橋的方式連接或只與Am-和/或Zn+連接，其中G是單取代或多取代的C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C2-C24炔基、C3-C24環烷基、C3-C24環烯基、C3-C12雜環烷基、C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13雜芳基。
2.權利要求1的光學記錄介質，其中R2和R4為羥基、O-、巰基或S-，R6或R7為硝基或氰基；Zn+為呫噸；和/或R10為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、2-丁基、異丁基、叔丁基、3-戊基、正戊基、叔戊基、新戊基、2，2-二甲基-丁-4-基、2，2，4-三甲基-戊-5-基、環丙基、環丙基甲基、環丁基、環丁基甲基、環戊基、環戊基甲基、環己基、環己基甲基、環己-4-烯基-甲基、5-甲基-環己-4-烯基-甲基或2-乙基己基，它們各自未被取代或被氟單取代或多取代。
3.權利要求1或2的光學記錄介質，其中Mr+為Co2+、Co3+、Cu+、Cu2+、Zn2+、Cr3+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Al3+、Ce2+、Ce3+、Mn2+、Mn3+、Si4+、Ti4+、V3+、V5+或Zr4+.
4.權利要求1、2或3的光學記錄介質，另外包括花青或呫噸陽離子，優選benzoindocarbocyanine或若丹明陽離子。
5.信息的光學記錄、存儲或重放的方法，其中使用了權利要求1、2、3或4的記錄介質。
6.權利要求5的方法，其中記錄和/或重放在600-700納米，優選630-690納米，更特別在640-680納米，最特別在650-670納米，尤其是在658±5nm的波長范圍下進行。
7.光學記錄介質的生產方法，其中將權利要求1、2或3的式(I)、(II)或(III)的化合物在有機溶劑中的溶液施用到具有凹陷的基材上。
8.信息的光學記錄、存儲或重放的方法，其中使用了權利要求1、2或3的記錄介質。
9.權利要求8的方法，其中記錄和/或重放在600-700納米的波長范圍下進行。
10.權利要求1、2或3的式(II)或(III)的化合物或其互變異構形式或內消旋形式，其中R2為O-、S-、N-COR11、N-COOR9、N-CONR12R13或N-CN。
全文摘要
本發明涉及了包括基材、反射層和記錄層的光學記錄介質，其中記錄層包括式[L
文檔編號C09B45/00GK1771546SQ200480009400
公開日2006年5月10日 申請日期2004年2月25日 優先權日2003年4月4日
發明者J·-M·亞當, P·埃施利曼, J·－P·巴赫爾, J·-L·布德里, U·萊曼, C·莫爾頓, B·施密德哈爾特, H·施帕尼 申請人:西巴特殊化學品控股有限公司