來自有多個環氧部分的小芯分子的減反射底涂層的制作方法

專利名稱：來自有多個環氧部分的小芯分子的減反射底涂層的制作方法
技術領域：
本發明大致涉及減反射涂層，該涂層包含代替聚合物樹脂粘合劑的低分子量芯分子。一個實施方式中，小芯分子包含連接有發色團的環氧部分。
背景技術：
集成電路制造商一直在尋求使基材晶片尺寸最大并使器件特征尺寸最小的方法，以提高產率，減小單位主體，并增加芯片上的計算能力。目前，隨著先進的遠紫外(DUV)微版印刷法的出現，硅芯片上的器件特征尺寸都在亞微米級。然而，在光致抗蝕劑曝光期間將基材的反射率較至小于1％對保持控制這樣的亞微米級特征尺寸很重要。因此，在光致抗蝕劑層的下面施用稱作減反射涂層的吸收光的有機聚合物，以降低通常在光致抗蝕劑DUV曝光期間由半導體基材造成的反射率。
現有技術的減反射層包含具有吸收光的連接在樹脂上或與樹脂摻混的發色團的聚合物樹脂。盡管高光密度能使這些聚合物達到有效控制反射率，但是這些聚合物仍存在許多缺陷。例如，這些聚合物具有高分子量，會引起聚合物摻混困難。更具體地，使用這些聚合物阻止了定制專用于特定光刻法的光致抗蝕劑上的減反射涂層。定制極其重要，因為這可以使光致抗蝕劑以整齊的外形和更好的粘合性粘合至減反射涂層，因此產生良好性能。
需要一種新的減反射涂層，其避免現有技術的聚合物減反射涂層的問題或使之最小。
發明概述本發明大致通過提供包含低分子量組分的涂層組合物，解決了現有技術存在的問題。
更詳細地，本發明組合物包含多個溶解或分散在溶劑體系中的組分，化合物，成分等。至少約95％，較好至少約98％，更好至少約100％這些組分的分子量小于約5,000g/摩爾組分，較好小于約2,000g/摩爾組分，更好小于約1,000g/摩爾組分。這些低分子量組分用于代替通常在減反射涂層中存在的聚合物樹脂，因此避免了通常與聚合物摻混物有關的問題。
一個實施方式中，減反射涂層組合物包含一種含有至少兩個環氧部分的化合物，環氧部分各自獨立連接有各光衰減部分。更好地，該化合物包含三個或更多個連接有各光衰減部分的環氧部分。包含至少兩個用于隨后連接光衰減部分的環氧部分的前體化合物的優選例子包括下列化合物 使用的光衰減部分較好包含具有與環氧連接的羧酸部分的發色團。較好的發色團包括環形化合物(最好是芳族)和脂族(較好是C1-C12，更好C1-C8)酸。按照本發明用作光衰減部分的優選前體化合物例子包括下列化學式的化合物 其中，R，X，和/或Y各自獨立地選自烷基(較好是C1-C12，更好C1-C8)，芳基(較好C4-C20，更好C6-C14)，醚，氰基，硝基，磺酰基，砜，磺酸酯，氯，氟，溴，碘，羰基，氨基和硫醚基。
本發明低分子量化合物采用下面方法形成使前體環氧化合物與前體光衰減化合物在溶劑和通常的催化劑存在下反應。一個這樣的反應式如下。
反應式A
因此，一個實施方式中，本發明化合物可具有下面通式 式中，各X是發色團，各R選自氫和C1-C8烷基，n至少為2(更好至少為3)。X較好選自苯，蒽，萘和烷基(較好C1-C12，更好C1-C8)。
此式中，由 代表的部分的結構并不嚴格，只要能與二個或多個 的基團連接。較好的(II)基包括選自下列的那些環形，非環形，脂族和芳族化合物和前述的官能部分。如在此使用的，參考特定化合物以描述結構的一部分意指參考的化合物以及結構的官能部分。術語“官能部分”指結構已經改變的化合物的一個部分，這樣該化合物和另一個化合物連接。例如，苯的官能部分可包括其中一個或多個氫原子已除去的苯環，這樣苯環上碳原子能與另一個化合物或部分連接。
與實施方式無關，這些化合物可用于制備在微版印刷法中使用的組合物(如，減反射涂層)。組合物可通過下面方法形成較好在環境條件下，將化合物簡單地分散或溶解在合適溶劑體系，長達足夠的時間，形成基本均勻的分散液。以組合物中固體總重量為100重量％計，較好組合物包含約1-50重量％化合物，好約2-20重量％化合物。
溶劑體系可包含適用于任何適用于微電子制造環境的溶劑。較好的溶劑體系包括選自下列的溶劑丙二醇單甲醚(PGME)，丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)，乳酸乙酯，丙二醇正丙醚(PnP)，環己酮，四氫呋喃(THF)，二甲基甲酰胺(DMF)，γ-丁內酯，以及它們的混合物。較好得，溶劑體系的沸點約100-200℃。
任何其他成分也可以和化合物一起分散在溶劑體系中。合適的其他成分的例子包括交聯劑，催化劑和表面活性劑。較好的交聯劑包括氨基塑料(如，POWDERLINK1174，Cymel產品)，多官能環氧樹脂(如，MY720，CY179MA，DENACOL)，酐，以及它們的混合物。以組合物中固體總重量為100重量％為基準計，組合物中交聯劑量應小于約25重量％，較好約0.05-10重量％。因此，本發明組合物應在約100-250℃，更好約150-205℃的溫度交聯。
優選的催化劑例子包括磺酸(如，對甲苯磺酸，苯乙烯磺酸)，熱酸產生劑(thermal acid generator)(如，甲苯磺酸吡啶鎓)，羧酸(如，三氯乙酸，苯四羧酸)，以及它們的混合物。以組合物中固體總重量為100重量％計，組合物中催化劑量應小于約10重量％，較好約0.01-5重量％。
將本發明減反射組合物施用到基材上(如，Si，Al，W，WSi，GaAs，SiGe，Ge，Ta，和TaN晶片)的方法簡單包括采用常規的施涂方法包括旋涂，將一定量的組合物施涂到基材表面(平面或包含其中形成的通孔或孔的平面)。然后，該層應至少加熱該組合物的交聯溫度(如，約150-205℃)，以固化或硬化該層，其厚度約100-5,000，(是用橢圓偏振儀的五個測定值的平均值)。然后在固化的材料上施涂光致抗蝕劑，隨后曝光，顯影并蝕刻該光致抗蝕劑。
本發明的減反射涂層具有高蝕刻速率。因此，使用CF4氣體作為蝕刻劑時，固化后的減反射涂層的蝕刻速率至少約10/秒，較好約11-15/秒。此外，在約193nm，由本發明組合物形成的厚320的固化層的k值(即，復折射率的虛數部分)至少約0.40，較好至少約0.50，n值(即，復折射率的實數部分)至少約1.5，較好至少約1.7。即，固化涂層在波長約157，193，248和365nm，層厚度約320下，固化涂層至少吸收約95％的光。該涂層可用于在193nm光致抗蝕劑時獲得小于約150μm，較好小于約100μm的分辨率。
當本發明減反射涂層組合物進行自旋盤適應性試驗(spin bowl compatibilitytest)時，它們能得到至少約90％，較好至少約95％的結果。如在此所用，自旋盤適應性可通過用組合物涂布晶片的方法來測定。涂布后，晶片不烘焙，而是放在晶片盒中。涂布面向上，以防止薄膜流動，樣品在潔凈室(環境條件)下干燥約24小時，制得厚約1300的薄膜。測定各晶片上的樣品厚度，并作為最初樣品厚度。
涂布的晶片然后暴露于測試溶劑如PGMEA中。方法是，將樣品晶片放在旋轉器的中心，隨后用溶劑均勻涂布在晶片的整個表面上。將該樣品浸漬3分鐘，隨后以約1500rpm旋轉干燥約1秒。旋轉干燥后，測定晶片上樣品厚度，作為最后厚度。
然后按照下式計算溶解度％溶解度％＝[(最初樣品厚度-最后樣品厚度)/(最初樣品厚度)]×100.
最后，本發明的固化的減反射層還甲基本上不溶解于隨后施涂在減反射層上的光致抗蝕劑層常用的溶劑(如，乳酸乙酯，PGMEA)。即，在與光致抗蝕劑的溶劑接觸(約20秒)后，該層厚度的變化％小于約10％，較好小于約1％。如在此所用的，變化％定義為100×[|與溶劑接觸前的厚度-與溶劑接觸后的厚度|/(與溶劑接觸前的厚度)]附圖簡述

圖1是一掃描電子顯微鏡(SEM)照片，所示是通過雙鑲嵌工藝方法并使用本發明減反射涂層組合物制備的晶片的截面圖；圖2是一SEM照片，所示是使用本發明減反射涂層組合物制備的晶片的截面圖。
較好實施方式的詳細描述實施例下面實施例給出本發明的較好方法。但是，應理解，這些實施例用于說明，不構成對本發明所有范圍的限制。芳族羧酸接枝到有多個環氧部分的芯分子上。這種物質然后與交聯劑(如，PowderlinO，Cymel，環氧化物)和酸催化劑(如，甲苯磺酸，甲苯磺酸吡啶鎓等)混合，配制減反射涂層。
實施例1接枝到三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯的4-羥基苯甲酸1.制備母液將三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯(17.84g)，4-羥基苯甲酸(24.86g)，氯化芐基三乙基銨(1.03g)和丙二醇正丙醚(384.3g)加到一圓底燒瓶中。建立氮氣氣氛，然后反應在120℃加熱16小時。溶液冷卻并裝瓶。
2.制備減反射涂層此實施例第1部分制備的母液(20g)與Powderlink1174(0.50g，交聯劑，從Cytec Industries獲得)，對甲苯磺酸(0.06g)，丙二醇正丙醚(10.84g)和乳酸乙酯(28.84g)摻混。該溶液通過0.1-1μm PTFE濾器過濾后使用。
實施例2接枝到三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯的3-氯苯甲酸1.制備母液將三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯(2.97g)，3-氯苯甲酸(4.70g)，氯化芐基三乙基銨(0.17g)和丙二醇正丙醚(69.03g)加到一圓底燒瓶中。建立氮氣氣氛，然后反應在120℃加熱16小時。溶液冷卻并裝瓶。
2.制備減反射涂層此實施例第1部分制備的母液(20g)與Powderlink1174(0.50g)，對甲苯磺酸(0.06g)，丙二醇正丙醚(10.84g)和乳酸乙酯(28.84g)和/或。該溶液通過0.1-1μmPTFE濾器過濾后使用。
實施例3接枝到三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯的苯甲酸和4-羥基苯甲酸1.制備母液三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯(2.97g)，苯甲酸(1.83g)，4-羥基苯甲酸(2.07g)，氯化芐基三乙基銨(0.17g)和丙二醇正丙醚(61.83g)加到一圓底燒瓶中。建立氮氣氛，然后反應在120℃加熱16小時。溶液冷卻并裝瓶。
2.制備減反射涂層此實施例第1部分制備的母液(20g)與Powderlink1174(0.50g)，對甲苯磺酸(0.06g)，丙二醇正丙醚(10.84g)和乳酸乙酯(28.84g)和/或。該溶液通過0.1-1μm PTFE濾器過濾后使用。
實施例4接枝到三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯的3，7-二羥基萘甲酸1.制備母液三(2，3-環氧丙基)異氰脲酸酯(5.95g)，3，7-二羥基萘甲酸(12.25g)，氯化芐基三乙基銨(0.34g)和丙二醇正丙醚(163.8g)加入到一圓底燒瓶中。建立氮氣氣氛，然后反應在120℃加熱16小時。溶液冷卻并裝瓶。
2.制備減反射涂層此實施例第1部分制備的母液(20g)與Powderlink1174(0.50g)，對甲苯磺酸(0.03g)和丙二醇正丙醚(21.72g)混合。該溶液通過0.1-1μm PTFE濾器過濾后使用。
實施例5接枝到三羥甲基丙烷三縮水甘油醚的α-氰基-4-羥基肉桂酸1.制備母液三羥甲基丙烷三縮水甘油醚(6.05g)，α-氰基-4-羥基肉桂酸(11.35g)，氯化芐基三乙基銨(0.34g)和丙二醇正丙醚(156.6g)加到一圓底燒瓶中。建立氮氣氣氛，然后反應在120℃加熱16小時。溶液冷卻并裝瓶。
2.制備減反射涂層此實施例第1部分制備的母液(20g)與Powderlinke1174(0.50g)，對甲苯磺酸(0.06g)，丙二醇正丙醚(10.84g)和乳酸乙酯(28.84g)混合。該溶液通過0.1-1μmPTFE濾器過濾后使用。
實施例6測定減反射膜性能對實施例1-5制備的各制劑進行下面所述的試驗。
1.膜剝離試驗將各制劑施涂到4-英寸硅晶片上并于205℃烘焙數秒。用橢圓偏振儀測定膜厚度后，薄膜用乳酸乙酯或PGMEA噴涂。使形成的小坑靜置20秒，隨后以2000rpm旋轉干燥30秒。然后測定膜厚度。該膜剝離試驗的結果列于表1。膜厚度損失很小，表明膜具有良好的抗剝離性。
表1
2.中間層試驗將各制劑施涂到4-英寸硅晶片上并于205℃烘焙60秒。用橢圓偏振儀測定厚度。將購得的光致抗蝕劑施涂在薄膜上，并進行施涂后烘焙(130℃90秒)。將該抗蝕劑曝光，隨后進行后曝光烘焙(130℃90秒)。用0.26N氫氧化四甲基銨(TMAH)顯影劑除去光致抗蝕劑后，測定薄膜厚度。薄膜最后和最初厚度之差決定了中間層量。該試驗的結果列于表2。
表2中間層試驗結果
a從Sumitomo獲得b從Fuji Film Arch獲得3.自旋盤適應性試驗該試驗方法為，將各制劑施涂到6個4-英寸硅晶片上，隨后在環境條件下空氣干燥24小時。用橢圓偏振儀測定膜厚度。各晶片用不同溶劑(丙酮，PGMEA，PGME，2-庚酮，環己酮和乳酸乙酯)溢流180秒，然后旋轉干燥。測定最后膜厚度。如果大于90％的膜被除去，則該樣品定為自旋盤適應于溶劑。
4.可變角分光光度橢圓偏振儀(V.A.S.E.)測定各制劑施涂到4-英寸硅晶片上，并用V.A.S.E.測定折射率。這些測定結果(實折射率n和虛折射率k)列于表3。由這些結果可以知，可以改變該光學性能，該系統可用于不同波長的平版印刷。
表3折射率
5.蝕刻此試驗方法為，將各制劑施涂到4-英寸硅晶片上，然后用橢圓偏振儀測定各膜厚度。將各涂布晶片放入Trion Etcher，并用CF4氣體以40sccm流速，50瓦功率和50毫乇壓力進行蝕刻。蝕刻后，再測定膜厚度。蝕刻速率為最初和最后厚度差除以蝕刻時間。結果列于表4。
表4用CF4氣體的蝕刻速率
6.雙鑲嵌將實施例1制備的制劑旋涂在6-英寸通孔(via)晶片上并于205℃烘焙。該樣品晶片的截面圖示于圖1。
7.光刻將實施例1制備的制劑旋涂在8-英寸硅晶片并于205℃烘焙60秒，制得35nm厚的薄膜。將購得的光致抗蝕劑(TArF-P6071，從TOK購得)施涂在該薄膜上，隨后于120℃烘焙90秒。光致抗蝕劑形成有線條并用ASML PA5500/900隔開的圖形，曝光后于120℃烘焙90秒，并對光致抗蝕劑顯影。樣品晶片的截面圖示于圖2。
權利要求
1.一種用于平版印刷法期間衰減光的減反射組合物，所述組合物包含多個溶解或分散在溶劑體系中的組分，其改進在于所述減反射組合物中至少約95％的所述組分的分子量小于約5,000g/摩爾組分。
2.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，至少約98％的所述組分的分子量小于約5,000g/摩爾組分。
3.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，至少約95％的所述組分的分子量小于約2,000g/摩爾組分。
4.如權利要求1所述的組合物，所述組合物包含一種含有至少兩個環氧部分的化合物，所述環氧部分各自獨立地與各光衰減部分連接。
5.如權利要求4所述組合物，其特征在于，所述光衰減部分包含與各發色團連接的各羧酸基。
6.如權利要求5所述的組合物，其特征在于，所述發色團包含環形基團。
7.如權利要求6所述的組合物，其特征在于，所述發色團包含芳族基團。
8.如權利要求4所述的組合物，其特征在于，所述化合物具有下面化學式 式中各X是發色團；各R選自氫和C1-C8烷基；n至少為2。
9.如權利要求8所述的組合物，其特征在于， 選自環形，非環形，脂族和芳族化合物，前述的官能部分。
10.如權利要求8所述的組合物，其特征在于，所述化合物具有下面化學式
11.如權利要求8所述的組合物，其特征在于，X選自苯，蒽，萘和烷基。
12.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，所述的組合物還包含選自下列的成分表面活性劑，交聯劑，催化劑，以及它們的混合物。
13.如權利要求12所述的組合物，其特征在于，所述成分是選自下列的交聯劑氨基塑料，環氧樹脂，酐，以及它們的混合物。
14.如權利要求12所述的組合物，其特征在于，所述成分是選自下列的催化劑磺酸，熱酸產生劑，羧酸，以及它們的混合物。
15.如權利要求1所述的組合物，其特征在于，所述溶劑體系包括選自下列的溶劑丙二醇單甲醚，丙二醇單甲醚乙酸酯，乳酸乙酯，丙二醇正丙醚，環己酮，四氫呋喃，二甲基甲酰胺，γ-丁內酯，以及它們的混合物。
16.一種用于平版印刷法期間衰減光的減反射組合物，所述的組合物包含多個溶解或分散在溶劑體系的組分，其改進在于所述的組合物包含一種下面化學式的化合物 式中各X是發色團；各R選自氫和C1-C8烷基；n至少為2。
17.如權利要求16所述的組合物，其特征在于，所述組分的至少約98％的分子量小于約5,000g/摩爾組分。
18.如權利要求16所述的組合物，其特征在于，所述化合物的分子量小于約5,000g/摩爾。
19.如權利要求16所述的組合物，其特征在于， 選自環形，非環形，脂族和芳族化合物，前述的官能部分。
20.如權利要求16所述的組合物，其特征在于，所述化合物具有下面化學式
21.如權利要求16所述的組合物，其特征在于，X選自苯，蒽，萘和烷基。
22.如權利要求16所述的組合物，其特征在于，所述的組合物還包含選自下列的成分交聯劑，催化劑，以及它們的混合物。
23.如權利要求16所述的組合物，其特征在于，所述溶劑體系包括選自下列的溶劑丙二醇單甲醚，丙二醇單甲醚乙酸酯，乳酸乙酯，丙二醇正丙醚，環己酮，四氫呋喃，二甲基甲酰胺，γ-丁內酯，以及它們的混合物。
24.一種在平版印刷方法中使用一種組合物的方法，所述方法包括將一定量組合物施用到基材上，在其上形成一層的步驟，所述的組合物包含溶劑體系；多個溶解或分散在所述溶劑體系的組分，其改進在于組合物中至少約95％的所述組分的分子量小于約5,000g/摩爾組分。
25.如權利要求24所述的方法，其特征在于，所述基材中有形成的孔，所述孔由底壁和側壁限定，所述施用步驟包括將所述的組合物施用到所述底壁和側壁的至少一部分上。
26.如權利要求24所述的方法，所述方法還包括在約100-250℃烘焙所述層形成固化或硬化層的步驟。
27.如權利要求26所述的方法，所述方法還包括將光致抗蝕劑施用到所述固化或硬化層上的步驟。
28.如權利要求27所述的方法，所述方法還包括將至少部分所述光致抗蝕劑曝光；使所述曝光的光致抗蝕劑顯影。
29.如權利要求24所述的方法，其特征在于，所述基材選自硅，鋁，鎢，硅化鎢，砷化鎵，鍺，鉭，SiGe，氮化鉭晶片。
30.如權利要求24所述的方法，其特征在于，所述的組合物包含一種含有至少兩個環氧部分的化合物，所述環氧部分各自獨立地連接各光衰減部分。
31.如權利要求30所述的方法，其特征在于，所述化合物具有下面化學式 式中各X是發色團；各R選自氫和C1-C8烷基；n至少為2。
32.一種在平版印刷方法中使用一種組合物的方法，所述方法包括將一定量組合物施用到基材上，在其上形成一層的步驟，所述的組合物包含溶劑體系；溶解或分散在溶劑體系的化合物，所述化合物具有下面化學式 式中各X是發色團；各R選自氫和C1-C8烷基；n至少為2。
33.如權利要求32所述的方法，其特征在于，所述基材中有形成的孔，所述孔由底壁和側壁限定，所述施用步驟包括將所述的組合物施用到所述底壁和側壁非的少一部分上。
34.如權利要求32所述的方法，所述方法還包括在約100-250℃烘焙所述層形成固化或硬化層的步驟。
35.如權利要求34所述的方法，所述方法還包括將光致抗蝕劑施用到所述固化或硬化層上的步驟。
36.如權利要求35所述的方法，所述方法還包括將至少部分所述光致抗蝕劑曝光；使所述曝光的光致抗蝕劑顯影。
37.如權利要求32所述的方法，其特征在于，所述基材選自硅，鋁，鎢，硅化鎢，砷化鎵，鍺，鉭，SiGe，氮化鉭的晶片。
38.如權利要求32所述的方法，其特征在于，所述的組合物包含多個溶解或分散于所述溶劑體系的組分，至少約98％的所述組分的分子量小于約5,000g/摩爾組分。
39.如權利要求32所述的方法，其特征在于，所述化合物的分子量小于約5,000g/mol。
40.如權利要求32所述的方法，其特征在于， 選自環形，非環形，脂族和芳族化合物，以及上述的官能部分。
41.如權利要求32所述的方法，其特征在于，所述化合物具有下面化學式
42.如權利要求32所述的方法，其特征在于，X選自苯，蒽，萘和烷基。
43.如權利要求32所述的方法，其特征在于，所述的組合物還包含選自下列的成分交聯劑，催化劑，以及它們的混合物。
44.一種在光刻過程中形成的前體結構，所述結構包括有表面的基材；在所述基材表面上的減反射層，所述層由一組合物形成，該組合物包含溶劑體系；和多個溶解或分散在所述溶劑體系的組分，其改進在于組合物中至少約95％的所述組分的分子量小于約5,000g/摩爾組分。
45.如權利要求44所述的結構，還包括與所述減反射層相鄰的光致抗蝕劑。
46.如權利要求44所述的結構，其特征在于，如果在波長為約193nm，層厚約320下，所述層至少吸收約95％的光。
47.如權利要求44所述的結構，其特征在于，所述基材選自硅，鋁，鎢，硅化鎢，砷化鎵，鍺，鉭，SiGe，氮化鉭的晶片。
48.一種在光刻過程中形成的前體結構，所述結構包括有表面的基材；在所述基材表面上的減反射層，所述層由一組合物形成，該組合物包含溶劑體系；溶解或分散在所述溶劑體系的化合物，所述化合物具有下面化學式 式中各X是發色團；各R選自氫和C1-C8烷基；n至少為2。
49.如權利要求48所述的結構，還包括與所述減反射層相鄰的光致抗蝕劑。
50.如權利要求48所述的結構，其特征在于，在波長約193nm，層厚約320下，所述層至少吸收約95％的光。
51.如權利要求48所述的結構，其特征在于，所述基材選自硅，鋁，鎢，硅化鎢，砷化鎵，鍺，鉭，SiGe，氮化鉭的晶片。
52.一種具有下面化學式的化合物 各X是發色團；各R選自氫和C1-C8烷基；n至少為2。
53.如權利要求52所述的化合物，其特征在于，所述化合物的分子量小于約5,000g/mole。
54.如權利要求52所述的化合物，其特征在于， 選自環形，非環形，脂族和芳族化合物，以及上述的官能部分。
55.如權利要求52所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有下面化學式
56.如權利要求52所述的化合物，其特征在于，X選自苯，蒽，萘和烷基。
全文摘要
提供一種新穎的減反射涂層，其包含替代高分子量的聚合物的小分子(如小于約5000g/mol)，以及使用這些涂層的方法。在一個實施方式中，使用芳族羧酸作為發色團，形成的化合物與交聯劑和酸混合。本發明方法制備的減反射涂層膜與高分子量聚合物減反射涂層膜相比改善了性能。小分子減反射涂層具有高蝕刻速率和良好的通孔填充性能。用本發明材料進行光刻工藝可形成獨立的110nm的外形。
文檔編號C09B69/00GK1739063SQ200380104562
公開日2006年2月22日 申請日期2003年10月7日 優先權日2002年10月8日
發明者C·J·奈夫, M·巴維, M·福勒, M·溫莎 申請人:部魯爾科學公司