防止導電結構腐蝕的方法與系統的制作方法

專利名稱：防止導電結構腐蝕的方法與系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及使用半導體技術用來防止導電結構腐蝕的方法與系統。
過去幾個世紀發展了許多用于控制腐蝕的方法，特別強調在腐蝕環境里延長金屬結構的壽命的方法。這些方法通常包括涂層，主要用于提高鐵類金屬，例如鋼，和一些非鐵類金屬，例如鋁的耐蝕性，以及避免需要使用比較昂貴的合金。由此既可以提高性能又可以降低成本。然而，這類涂層通常有某些缺陷，包括不適用于受腐蝕和污蝕的非金屬結構。
涂層可以分為兩大類。最大的一類為表面涂層，例如油漆，起到與環境的物理隔離的作用。第二類包括犧牲性涂層，例如鋅或鎘，設計成對其優先腐蝕以便保護基本金屬不受侵蝕。
陰極保護與涂層均是主要目的為減輕與防止腐蝕的工程方法。每種處理方法不同陰極保護通過從外界源引入電流抵消常態電化學腐蝕反應來防止腐蝕，而涂層則是形成阻擋層，阻止陰極陽極間或電偶間自發的腐蝕電流或電子流動。每種處理方法均獲得有限的成功。到目前為止涂層方法代表了最廣泛的普通防蝕的方法(見Leon等的美國專利No.3,562,124以及Hayashi等的美國專利No.4,219,358)。而陰極保護用于保護埋藏或浸泡條件下的百萬公里管道和大面積鋼表面。
陰極保護技術通過提供足夠的陰極電流使陽極溶解速度變到可忽略的程度來減小金屬表面的腐蝕(例如，見Pryor的美國專利No.3,574,801；Wasson的美國專利No.3,864,234；Maes的美國專利No.4,381,981；Wilson等的美國專利No.4,836,768；Webster的美國專利No.4,863,578；以及Stewart等的美國專利No.4,957,612)。陰極保護的概念是利用足夠的電流極化陰極到陽極電位從而消除局部陽極與陰極表面的電位差的原理。換句話說，施加陰極電流的效果是減小繼續參與反應的陽極的面積，而不是減小剩余的陽極的腐蝕速度。當所有的陽極反應失效后即取得了完全的保護。從電化學角度看，這表明足夠的電子提供給了被保護的金屬，使得平衡了金屬電離或溶解的趨勢。
最近的腐蝕的研究工作發現，電化學腐蝕過程明顯同電化學系統的電特性的隨機波動有關，例如電池電流和電極電位。這些隨機波動技術上稱為“噪聲”。研究人員開始應用噪聲分析技術研究電化學系統中的腐蝕過程。
Riffe的U.S.5,352,342和Riffe的U.S.5,009,757公開了一種鋅/氧化鋅為基礎的硅酸鹽涂層，結合電子學應用于防蝕系統。涂層中的鋅/氧化鋅顆粒被公開出具有半導體特性，主要是在Zn-ZnO相界的pn結。當反向偏置時，該pn結表現為二極管，阻止跨越相界的電子轉移。這種約束限制了電子從Zn氧化位置向ZnO表面氧還原位置的轉移。在局部腐蝕電池的陰極陽極之間有效地增加了抗性而減小了腐蝕。
平均地，Zn-ZnO結呈反向偏置，這是由于與Zn表面上Zn的氧化和ZnO表面上O2的還原相聯系的電位的緣故。然而，會發生相當大的電壓隨機波動。這些電壓波動時而引起結點變成正向偏置。當正向偏置時，跨越結點的電子轉移增加，加速了Zn的氧化和O2的還原。甚至局部腐蝕電池的陰極陽極之間產生短路，增強了腐蝕。
Riffe的專利公開了在防蝕系統的電化學線路中附加一個固定值的電容器。然而，沒有方法控制電容器的數值水平或建議任何方法在給定的結構中為有效的防止腐蝕確定電容器必需的數值水平。因此，為使系統有效要使用過電容器。
由此，本發明的一個目的為提供一種半導體涂層，對任何導電結構提供抗腐蝕特性。
本發明的進一步目的為提供一種用于保護導電金屬結構不受腐蝕的方法，可以微調到適合該金屬結構的獨特特征。
本發明的進一步目的為提供一種用于保護導電金屬結構不受腐蝕的方法，通過使用半導體技術而不需要外部陽極，不需要電解液，以及不需要產生電流。
本發明的進一步目的為提供一種用于保護導電金屬結構不受腐蝕的系統，其中該系統提供長期保護而只需最小的系統維護。
凡此種種目標通過半導體涂層和相關聯的電子系統的發現而滿意取得，其中系統的運行只需過濾覆蓋著半導體涂層的導電結構中的電壓波動，其中，使用該系統的方法包括用半導體涂層涂敷導電結構，有固定的電子濾波器連接于所述被涂敷的結構，監視由所述涂層產生的噪聲，所述涂層具有連接于其上的所述固定的電子濾波器，使用連接于所述涂層的可調濾波器以確定使所述涂層產生的噪聲最小化所需的抗蝕濾波響應；以及用至少具有所述抗蝕濾波響應的有源或無源濾波器替換所述可調濾波器。
本發明的完全理解與其相伴優點通過參閱以下詳細描述并參照附圖可以容易地獲知，其中

圖1為本發明一個優選實施例中Zn/ZnO結的圖示。
圖2為描述本發明的系統的等效電路圖。
本發明提供一種防止任何易于腐蝕的導電結構被腐蝕的方法，包括用半導體涂層涂敷導電結構并將所得的涂敷結構連接到固定的電子濾波器，監視由系統產生的腐蝕噪聲，并確定最小化腐蝕噪聲所需的濾波特性(在本發明的上下文中，術語“腐蝕噪聲”用于描述由于原電池腐蝕過程而產生的電壓波動)。本發明的一個實施例包括使用可調濾波器調整濾波響應以確定最小化被覆結構產生的噪聲所需的濾波特性，然后用至少具有所確定的抗蝕濾波響應的無源電子濾波器替換該可調濾波器。在另一個實施例中，本發明將可調濾波器替換為有源電子濾波器和監視系統，監視系統持續監視噪聲并自動調整濾波響應以最小化系統中的波動。
本發明通過將半導體涂層與電子濾波器耦合來最小化這種腐蝕噪聲。電子濾波器具有一種在本發明中定義為給定頻率處的噪聲減少水平的濾波響應。如上所述，濾波器可以是無源低通RC濾波器或有源濾波器。每種情況下，濾波器使電壓波動最小化。存在于半導體涂層中的結保持反向偏置。半導體涂層中從陽極區域流向陰極區域平均時間電子流因而減小，涂層被有效鈍化。
無源低通RC濾波器實質上是電容器和電阻器。本發明系統中，半導體涂層某種程度上起到電阻器的作用，加上電容器構成RC濾波器。合適的有源濾波器包括，但不限于，巴特沃斯(Butterworth)濾波器、貝塞爾(Bessel)濾波器、以及Sallen-Key濾波器。這些有源濾波器可在市場上買到和/或易于由本領域普通技術人員所制備。這些有源濾波器基本上是運算放大器電路加電容器。本發明濾波器的主要元件優選為電容器，其中濾波響應與在給定頻率使得噪聲減小所需的電容值有關。
本發明的噪聲測量方面用于微調特殊應用的系統設計。基于測量出的噪聲，可以確定并改進所要求的濾波器特性與濾波器在系統中的安裝位置，用于結構的整個表面的一致性防蝕，即便是非常大的結構，如航空母艦或大跨度橋梁。在本發明中，監視被涂敷的表面與低噪聲、高阻抗參考電極之間的電壓波動。合適的高阻抗參考電極可以由飽和甘汞電極或飽和硫酸鹽電極制備，例如，適合這種目的的可商業獲取的高阻抗參考電極可以從各種分類設備公司得到，如Beckman Instruments或Corning。利用這些電極通過使用示波器顯示電壓波動可以監視噪聲。或者，從電極獲得的數據可以使用帶有模-數轉換器的PC機儲存和分析，可以使用時間序列分析程序如快速付里葉變換(FFT)分析或最大熵法(MEM法)來分析結果數據。這些方法根據所需既可以提供實時結果也可以提供延時結果。使用這類方法可以確定濾波器響應水平并安排所需的濾波器使得在示波器上產生幾乎平坦的線型(即最小化噪聲)。這既可以針對結構的單一局部，也可以在整個結構表面的許多位置上進行微調控制。電子濾波器特性以及濾波器安裝位置可以調整為使得將測量到的電壓波動最小化，于是最大化地鈍化涂層。最終的結果是極大地提高用于任何所需結構的防蝕系統的壽命。這種結果的產生是由于腐蝕噪聲的減小，因而極大地減小了半導體涂層的犧牲腐蝕。
本發明還涉及一種半導體涂層，可以利用各種導電基底提供一系列有趣的特性。本發明的半導體涂層可以是任何半導體層，包括但不限于具有(a)n型和p型半導體疇，(b)金屬-半導體結，(c)離子導體-半導體結，(d)金屬-半導體-離子導體結，(e)半導體-絕緣體-半導體結，以及它們的各種組合的半導體涂層。本發明的半導體涂層可以用于各種最終應用。其中主要的是導電結構的防蝕。用于導電基底的防蝕的該系統包括(a)半導體涂層，至少與部分導電結構表面導電接觸；以及(b)過濾腐蝕噪聲的裝置，其中該裝置包含電子匯點，如電池或其他電源，還有濾波器，如電容器，與被涂敷的導電基底連接。
披露的一種防蝕方法包括1)清洗導電結構的外表面；2)用本發明的半導體涂層涂敷外表面；以及3)使用電子濾波器最小化系統中的腐蝕噪聲。
本發明的方法與系統的關鍵是測量由整個系統(包括但不限于，基底、涂層與濾波器元件)產生的腐蝕噪聲并應用電子濾波器最小化噪聲。
用于防蝕與防污的實施例中，本系統包含兩個互相依賴的部件(1)半導體涂層，以及(2)用于向涂敷了涂層的導電結構傳遞凈負偏置的裝置。通常，導電表面清洗后涂敷半導體涂層，優選為對金屬表面噴砂到工業級噴砂表面或對非金屬導電結構進行類似處理。當導電表面被噴砂或類似方法清洗后，表面將有許多深度從0.1mil到幾個mil的溝槽或凹痕。本發明的半導體涂層應當涂敷到比清洗處理形成的凹坑的深度大至少2mil的厚度，優選為2-10mil厚度，最優選為7-9mil厚度。在沒有明顯凹坑的光滑表面，涂層可以施加到約0.5mil以下的厚度而不對系統性能造成有害影響。
使用本方法和系統可以保護的結構可以是任何易于腐蝕的導電材料。該結構優選為鐵類金屬結構或非鐵類導電金屬構成的金屬結構。典型金屬包括但不限于鐵、鋼以及鋁。
本發明的半導體涂層優選為金屬或金屬合金涂層，含有或不含有金屬氧化物。在一種最優選實施方案中，涂層為Zn/ZnO系統。金屬或金屬合金可以單獨使用或與適當的涂層粘合劑結合使用。涂層粘合劑包括各種硅酸鹽粘合劑，如硅酸鈉、硅酸鎂、以及硅酸鋰。涂層中的金屬或金屬合金必須比被保護的導電材料具有更高的氧化電位。大多數金屬的標準電極電位已經眾所周知，眾多不同金屬的標準電極電位抄錄如下。標準電極還原電位(相對于氫電極)(來源CRC Handbook of Chemistry and Physics,60thed.,Ed.Robert C.Weast,CRC Press,Inc,Boca Raton,FL,1979)由于本系統與方法的涂層就被保護的導電材料而言具有犧牲性(盡管腐蝕噪聲最小化時只有極小的犧牲)，當確定涂層中包含的金屬時，重要的是選擇具有比被保護的導電材料更負的標準電極電位的金屬。例如，當保護鐵時(如存在于鋼中的)，涂層可以使用Zn、Ti或任何其他具有比-0.44更負的標準電極電位的金屬。當保護具有非常負的電極電位的金屬，如鋁(-1.68)時，容許用一種具有不比其更負的電極電位的金屬(如Zn)與一種具有比其更負的電極電位的金屬(如Mg)組合的合金。該合金將提供涂層要求的犧牲特性而避免當涂層只含有高負值電極電位的金屬如Mg時所發生的極端氧化。通過向上述粘合劑摻入高負值電極電位的金屬還可以避免涂層犧牲過快。作為硅酸鹽粘合劑的平衡離子可以摻入較負的電極電位的金屬，而不用兩種金屬的合金。
在一個優選實施例中，本發明的半導體涂層可以是與在Schutt的U.S.3,620,784、Riffe的U.S.5,352,342或Riffe的U.S.5,009,757中所公開的相同的涂層，以上文獻在此引為參考。無機鋅涂層的基本組成元素是二氧化硅、氧、以及鋅。在液態下，它們是相對較小的金屬硅酸鹽分子如硅酸鈉，或有機硅酸鹽分子如硅酸乙酯。這些基本上單分子的材料交叉連接成硅-氧-鋅結構，形成基本的成膜劑或用于所有無機鋅涂層的粘合劑。用于本發明的適合的無機鋅涂層是各種商業上可獲取的硅酸烷基酯或堿性水解硅酸鹽類。一種商業上可獲取的該類涂層是由Carboline公司制造的Carbozinc D7 WBTM。
本發明的涂層還可以包含摻入涂層的額外的n型半導體，例如Sn/SnO。此外，涂層可以摻加諸如Al或Ga金屬以增加涂層的導電性或者1-5％的Li以減小涂層的導電性。本發明涂層中的金屬/金屬氧化物界面(Zn/ZnO)在電化學系統中起二極管的作用。由此，涂層包含了許多起二極管作用的小疇區。由于涂層產生腐蝕噪聲，二極管因涂層中小疇區的導通電勢的波動間歇地導通和截止。這種導通電勢的波動和二極管的開關轉換導致涂層犧牲性腐蝕。通過用例如Li摻雜而減小涂層的導電性，可以將二極管的導通電勢降低到低于噪聲波動曲線的最低點。這將使涂層的犧牲腐蝕最小，同時仍然保護被保護結構的導電材料。
應當補充說明，通過適當選擇用于導電表面的半導體涂層材料，既可以實現常規的無源阻擋層也可以實現創新的有源阻擋層。
在一個優選實施例中，本發明的涂層中的鋅粉形成一個鋅金屬與氧化鋅交界的金屬-半導體結，氧化鋅為n型半導體。
所完成的涂層的一種優選實施方案示意于圖1中。圖1顯示了本發明優選的鋅/氧化鋅/硅酸鹽涂層(4)的多孔特性。鋅顆粒(1)由氧化鋅層(2)覆蓋，許多涂敷氧化物的顆粒被不溶性金屬硅酸鹽粘合劑(3)所包圍。涂層與結構金屬之間的界面(5)是不溶性金屬硅酸鹽層，在鋼結構的情形下，是不溶性硅酸鐵層。
本發明的導電結構可以是任何需要保護免受腐蝕的導電結構，既包括金屬結構也包括非金屬結構。金屬結構的例子，除較小的結構如生物醫學設備外，還包括金屬交通工具，如船、汽車、飛機、軍用坦克或運輸工具，金屬交通部件、橋梁、鐵路耦合機械、容器、管道以及金屬塔吊。金屬交通部件的例子包括交通工具如汽車、飛機、火車、軍用陸地運輸工具如坦克、以及艦船、以及其他海上交通工具的金屬部件。容器的例子如煉油罐、儲存筒倉、以及儲料倉。非金屬導電結構的例子包括導電性混凝土以及導電性聚合結構。腐蝕過程同樣影響這些非金屬導電結構而通過本發明同樣可以減至最小。導電性混凝土已被建議為制備浮動機場跑道的可選材料。本發明的系統將幫助防止混凝土的腐蝕，從而延長混凝土結構的壽命和結構的完整性。
本發明取得的顯著優點為通過將半導體涂層的犧牲腐蝕減至最小，涂層的壽命將比常規涂層保護系統延長許多倍。雖然在水里通過施加陰極電流也可以取得這種效果，但這需要相當大的電流并且非常難于控制。本發明的方法作用于涂層的內部，由此阻止環境腐蝕，其中腐蝕介質不過是空氣中凝結的水份。這在保護諸如現代輪船的內表面和保護交通部件、橋梁、飛機、以及火車時變得極其重要，其中現代輪船提供越來越堅固的設計而伴隨著越來越大的易于腐蝕的面積。
另一個優選實施例為在現代輪船的內表面上應用本方法和系統。其中內表面上的凝結因其很高的含鹽物而特別具腐蝕性，同時，沒有充足的水份用于陰極保護系統起作用。沒有本發明的噪聲濾波器的話，涂層中的鋅將很快析出并被流到船底的凝結物沖蝕掉。然而，根據本發明對金屬基底應用噪聲濾波器，這種析出即被有效中止。
此外，在船的基底鋼材上使用噪聲濾波器不會比在船內打開一只燈炮更對船上的電子設備產生大的干擾，也不會給敵方探測設備產生察覺信號，因為噪聲濾波器即使使用電池或其他電子源，也不會在涂層以外產生可察覺輻射的場。鋅的吸收特性是眾所周知的且經常用于EM屏蔽以及電子外殼。因此，應用本發明的海岸結構不會有可測量的EM輻射。
本發明的固定電子濾波器起電容器的作用，電容器具有附加的電子匯點以保持電容器反偏。固定電子濾波器優選為常規電源，例如，直流(DC)電源裝置如電池，優選為12Volt電池，以及太陽能電池和交流(AC)電源裝置的結合。應當注意，盡管該元件在本說明書中稱為“電源”，但在本系統中并沒有電流和電壓。因此電源的命名僅為方便起見而并非意指電子流。如果應用完整的電路，優選使用的電源裝置將傳遞足夠的0.5-30V電壓，最優選為10-20V。可以將固定電子濾波器(即電源和電容器)連接于鍍膜導電基底，可以直接連接于基底或連接于涂層。在優選的實施例中，本發明的電源裝置具有一個直接耦合于被保護導電結構的負端。電源裝置的正端則經由濾波器/電容器耦合于導電結構，耦合在遠離負端連接處的一部分結構上。由于本發明不依賴于產生電流，而這種電流當兩個端子之間的距離增加時是要下降的，因此端子之間的距離并不重要，只要正端與負端互相不接觸即可。正端優選為在結構上連接在與負端的連接位置相差0.01-30米的位置，最優選為與負端的連接位置相差5-10米的位置。
本發明的方法是自我維護系統壽命。不象常規陰極保護系統中那樣，本發明沒有對電流或電位的進行周期性監視和控制。進而，本發明不可能失去控制和嚴重損壞支持結構，而外加陰極保護系統則可以發生這種情況。唯一可以降低涂層壽命的是來自風和來自水的磨損。由于涂層的耐磨性多少要好于電鍍，涂層的預期壽命可延長至幾十年范圍。
此外，使用有源濾波器和監視系統持續監視噪聲波動并調整濾波器特性如濾波響應和截止頻率，通過防止隨時間而增加的腐蝕導致的犧牲損耗速度的增加可以延長涂層壽命。
圖2顯示一個描述本發明的系統的等效電路圖。電路中，10為溶液電阻器(Rs)，11與12分別為在陽極(Ea)和陰極(Ec)的電極電位。噪聲源(En)在電路中用13表示。陽極(Ra)與陰極(Rc)的法拉第阻抗分別示為14和15。Zn/ZnO相界的金屬-半導體結示意為二極管(D)16。噪聲濾波器(F)，不論有源濾波器或無源濾波器，用17表示。
顯然，本發明的許多調整與變形均可在上述講述范圍之內。因此應當理解，在權利要求范圍內，本發明可以采取除在此特別說明以外的其他作法。
權利要求
1．一種用于防止與腐蝕環境接觸的導電結構被腐蝕的方法，所述方法包括(a)用半導體涂層涂敷導電結構并提供連接于被涂敷的導電結構的電子濾波器；(b)監視由被涂敷的導電結構產生的腐蝕噪聲并調整所述電子濾波器的濾波器特性使腐蝕噪聲最小化。
2．權利要求1中的方法，其中所述電子濾波器包含電源與電容器。
3．權利要求1中的方法，其中所述監視與調整步驟(b)使用有源濾波器與監視裝置連續執行。
4．權利要求1中的方法，其中所述電子濾波器包含多個電容器而所述步驟(b)進一步包含確定多個電容器中的每一個在導電結構上的安排。
5．權利要求1中的方法，其中所述導電結構為金屬導電結構。
6．權利要求5中的方法，其中所述金屬導電結構包括選自鐵類金屬和非鐵類導電金屬中的一種金屬。
7．權利要求6中的方法，其中所述金屬為鋼。
8．權利要求6中的方法，其中所述金屬為鋁。
9．權利要求1中的方法，其中所述導電結構選自橋梁組件、鐵路耦合機械、煉油設備、容器、金屬塔吊、以及導電性混凝土結構構成的組。
10．權利要求1中的方法，其中所述半導體涂層包含p型和n型半導體疇。
11．權利要求1中的方法，其中所述半導體涂層包含金屬-半導體結。
12．權利要求1中的方法，其中所述半導體涂層包含離子導體-半導體結。
13．權利要求1中的方法，其中所述半導體涂層包含金屬-半導體-離子導體結。
14．權利要求1中的方法，其中所述半導體涂層包含半導體-絕緣體-半導體結。
15．權利要求1中的方法，其中所述半導體涂層為金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層。
16．權利要求15中的方法，其中所述金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層為鋅/氧化鋅/硅酸鹽涂層。
17．權利要求16中的方法，其中所述鋅/氧化鋅/硅酸鹽涂層包含的鋅含量占干涂層重量的80-92％。
18．權利要求17中的方法，其中所述鋅/氧化鋅/硅酸鹽涂層包含的鋅含量占干涂層重量的85-89％。
19．權利要求15中的方法，其中所述金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層包含選自Zn、Ti、Al、Ga、Ce、Mg、Ba和Cs之一的金屬以及相對應的金屬氧化物。
20．權利要求19中的方法，其中所述金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層包含選自Zn、Ti、Al、Ga、Ce、Mg、Ba和Cs的一種或幾種金屬的混合物以及由它們獲得的一種或幾種金屬氧化物。
21．權利要求19中的方法，其中所述半導體涂層進一步包括一種或幾種摻雜物。
22．一種用于防止導電結構被腐蝕的系統，包括(a)半導體涂層；(b)固定的電子濾波器；(c)腐蝕噪聲監視系統；以及(d)可調濾波器。
23．權利要求22中的系統，其中所述腐蝕噪聲監視系統進一步包括高阻抗參考電極和示波器。
24．權利要求22中的系統，其中所述可調濾波器選自手動可調濾波器與有源濾波器構成的組。
25．權利要求22中的方法，其中所述半導體涂層包含p型和n型半導體疇。
26．權利要求22中的方法，其中所述半導體涂層包含金屬-半導體結。
27．權利要求22中的方法，其中所述半導體涂層包含離子導體-半導體結。
28．權利要求22中的方法，其中所述半導體涂層包含金屬-半導體-離子導體結。
29．權利要求22中的方法，其中所述半導體涂層包含半導體-絕緣體-半導體結。
30．權利要求22中的系統，其中所述半導體涂層為金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層。
31．權利要求30中的方法，其中所述金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層為鋅/氧化鋅/硅酸鹽涂層。
32．權利要求31中的方法，其中所述鋅/氧化鋅/硅酸鹽涂層包含的鋅含量占干涂層重量的80-92％。
33．權利要求32中的方法，其中所述鋅/氧化鋅/硅酸鹽涂層包含的鋅含量占干涂層重量的85-89％。
34．權利要求30中的方法，其中所述金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層包含選自Zn、Ti、Al、Ga、Ce、Mg、Ba和Cs之一的金屬以及相對應的金屬氧化物。
35．權利要求34中的方法，其中所述金屬/金屬氧化物/硅酸鹽涂層包含選自Zn、Ti、Al、Ga、Ce、Mg、Ba和Cs的一種或幾種金屬的混合物以及由它們獲得的一種或幾種金屬氧化物。
36．權利要求34中的方法，其中所述半導體涂層進一步包括一種或幾種摻雜物。
全文摘要
一種用于防止與腐蝕環境接觸的導電結構的表面被腐蝕的方法包括:(a)與表面的至少一部分導電接觸的半導體涂層;以及(b)用于過濾腐蝕噪聲的電子濾波器以及使用該系統防止腐蝕的方法。
文檔編號C09D5/08GK1298770SQ0012277
公開日2001年6月13日 申請日期2000年8月14日 優先權日1999年12月9日
發明者阿瑟·J·斯皮瓦克, 戴維·B·道林 申請人:應用半導體公司