均溫導熱硅膠片的制作方法
【專利摘要】本發明公開了均溫導熱硅膠片，導熱系數高，可達到15W/mK以上。其可包括依次設置的離型層、導熱硅膠層、高導熱層、導熱硅膠層和離型層，所述導熱硅膠層按質量份數包括：乙烯基硅油5?30份，含氫基硅油0.2?5份，導熱粉體65?90份，抑制劑0?0.1份，催化劑0?0.1份，顏料0.01?0.1份；其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為0.1％?0.5％，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1％?0.5％；所述高導熱層含有以下物質中的一種或多種：銅、鋁、石墨；所述導熱粉體的粒徑為0.5U?100U。上述高導熱層可以是銅層、鋁層或石墨層等。本發明可以做到超薄，也保持了原有導熱硅膠可壓縮，可自粘接，絕緣性好的特點，可廣泛應用于需求散熱的各電子元器件及設備。
【專利說明】
均溫導熱硅膠片
技術領域
[0001]本發明涉及導熱材料領域，尤其涉及均溫導熱硅膠片。
【背景技術】
[0002]目前市場上傳統的導熱硅膠片一般由硅油、導熱粉體及其它一些添加些調配而成。其導熱效果依靠配方中的導熱粉體，該導熱粉體一般是氧化鋁、氮化鋁之類。因為是粉體，顆粒之間必定不可能完全接觸，熱阻會較高，且導熱系數一般到6W/mK已經到極限，想要得到更高導熱系數的硅膠片十分困難，且成本高昂。
[0003]隨著科技的發展，對導熱硅膠片的導熱系統要求越來越高，目前的導熱過膠片已經不能滿足現有需求。因此十分有必要研發出可以大幅度提高導熱系數的均溫導熱硅膠片。
【發明內容】
[0004]本發明解決的技術問題是提供一種導熱系數高的均溫導熱硅膠片。
[0005]本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:均溫導熱硅膠片，包括依次設置的導熱硅膠層、高導熱層和導熱硅膠層，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油5-30份，含氫基硅油0.2-5份，導熱粉體65-90份，抑制劑0-0.1份，催化劑0-0.1份，顏料0.01-0.1份;其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為0.1 %-0.5%，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1%-0.5%，乙烯基硅油和含氫基硅油的黏度范圍為200cps-2000cps;所述高導熱層含有以下物質中的一種或多種:銅、鋁、石墨;所述導熱粉體的粒徑為0.5U-100U。上述高導熱層可以是銅層、鋁層或石墨層等。
[0006]進一步的是:所述導熱粉體包括以下物質中的一種或多種:氧化鋁，氮化鋁，氧化鎂，氧化鋅。
[0007]進一步的是:所述均溫導熱硅膠片的厚度至少為0.1mm。本申請的均溫導熱硅膠片可以做到超薄，也就是0.1mm，同時還能具有高的導熱系數。導熱系數平均可以達到15W/mK以上。
[0008]進一步的是:其中一個導熱硅膠層的外表面設置有離型層。
[0009]進一步的是:兩個導熱硅膠層的外表面都設置有離型層。
[0010]本發明的有益效果是:本發明的均溫導熱硅膠片的導熱系數高，導熱系統平均可以達到15W/mK以上。同時可以做到超薄，也保持了原有導熱硅膠可壓縮，可自粘接，絕緣性好的特點，擊穿電壓>500V，可廣泛應用于需求散熱的各電子元器件及設備。本發明適用溫度-40°C ?200°C。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發明的層狀結構的均溫導熱硅膠片的示意圖；
[0012]圖中標記為:離型層I，導熱硅膠層2，高導熱層3。
【具體實施方式】
[0013]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明進一步說明。
[0014]如圖1所示，本發明的均溫導熱硅膠片，包括依次設置的導熱硅膠層2、高導熱層3和導熱硅膠層2，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油5-30份，含氫基硅油0.2-5份，導熱粉體65-90份，抑制劑0-0.1份，催化劑0-0.1份，顏料0.01-0.1份;其中，在選擇乙烯基硅油和含氫基硅油時，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為0.1%-0.5%，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1%-0.5%;所述高導熱層含有以下物質中的一種或多種:銅、鋁、石墨;所述導熱粉體的粒徑為0.5U-100U。高導熱層是由高導熱材料制成。高導熱層導熱系數最高可達1500W/mK。所述導熱粉體包括以下物質中的一種或多種:氧化鋁，氮化鋁，氧化鎂，氧化鋅。本發明通過這種多層結構，解決了導熱系數低這個難題。同時，生產成本沒有顯著上升。且生產方法簡便。可制作成卷料，也可制作成片料。
[0015]其生產方法可以是:
[0016]按乙烯基硅油22份，含氫基硅油I份，導熱粉體75份，抑制劑0.05份，催化劑0.07份，顏料0.08份進行配比，在高速分散機或行星攪拌機上進行真空攪拌；
[0017]以高導熱層銅材質為基體，將攪拌好的導熱硅膠膠料均勻的涂布在基體上，并進行烘烤硫化后再轉貼離型層；
[0018]然后在基體另一面再均勻的涂布導熱硅膠膠料，并通過烘箱硫化后轉貼離層，最終形成離型層+導熱硅膠層+高導熱層+導熱硅膠層+離型層的產品結構。
[0019]本發明通過簡單的結構大幅提高了導熱硅膠片的導熱系數，同時還可以根據需求改變整體厚度，所述均溫導熱硅膠片的厚度至少為0.1mm。本發明可以將整體做到0.1_，實現超薄化。
[0020]在上述基礎上，為了便于固定，其中一個導熱硅膠層的外表面設置有離型層I。當然，也可以兩個導熱硅膠層的外表面都設置有離型層I。
[0021]以下通過更加詳細的實施例對本發明進行介紹。
[0022]實施例1:
[0023]本發明的均溫導熱硅膠片，包括依次設置的導熱硅膠層2、高導熱層3和導熱硅膠層2，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油15份，含氫基硅油2份，導熱粉體65份，抑制劑0.1份，催化劑0.1份，顏料0.1份;其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為
0.1%-0.5%，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為O A0A-0.5% ;所述高導熱層為銅層;所述導熱粉體的粒徑為0.5U。
[0024]實施例2:
[0025]本發明的均溫導熱硅膠片，包括依次設置的導熱硅膠層2、高導熱層3和導熱硅膠層2，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油25份，含氫基硅油3份，導熱粉體80份，抑制劑0.1份，催化劑0.1份，顏料0.01份;其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為
0.1 %-0.5%，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1 %-0.5%;所述高導熱層為石墨層;所述導熱粉體的粒徑為50U。
[0026]實施例3:
[0027]本發明的均溫導熱硅膠片，包括依次設置的離型層1、導熱硅膠層2、高導熱層3和導熱硅膠層2，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油8份，含氫基硅油0.2份，導熱粉體65份，抑制劑0.1份，催化劑0.1份，顏料0.1份;其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為0.1 %-0.5%，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1 %-0.5%;所述高導熱層為鋁層;所述導熱粉體的粒徑為5U。
[0028]實施例4:
[0029]本發明的均溫導熱硅膠片，包括依次設置的離型層1、導熱硅膠層2、高導熱層3、導熱硅膠層2和離型層I，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油28份，含氫基硅油5份，導熱粉體90份，抑制劑0.1份，催化劑0.1份，顏料0.01份;其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為0.1 % -0.5 %，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1 % -0.5 % ;所述高導熱層含有以下物質中的一種或多種:銅、鋁、石墨;所述導熱粉體的粒徑為90U。
[0030]實施例5:
[0031]本發明的均溫導熱硅膠片，包括依次設置的導熱硅膠層2、高導熱層3和導熱硅膠層2，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油30份，含氫基硅油5份，導熱粉體78份，抑制劑0.1份，催化劑0.1份，顏料0.01份;其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為
0.1 %-0.5%，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1 %-0.5%;所述高導熱層為鋁層;所述導熱粉體的粒徑為5U。
[0032]以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而已，并不用于限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.均溫導熱硅膠片，其特征在于:包括依次設置的導熱硅膠層、高導熱層和導熱硅膠層，所述導熱硅膠層按質量份數包括:乙烯基硅油5-30份，含氫基硅油0.2-5份，導熱粉體65-90份，抑制劑0-0.1份，催化劑0-0.1份，顏料0.01-0.1份； 其中，乙烯基硅油的乙烯基含量按照質量百分比為0.1 %-0.5%，含氫基硅油的氫基含量按照質量百分比為0.1%-0.5%，乙烯基硅油和含氫基硅油的黏度范圍為200cps-2000cps； 所述高導熱層含有以下物質中的一種或多種:銅、鋁、石墨； 所述導熱粉體的粒徑為0.5U-100U。2.如權利要求1所述的均溫導熱硅膠片，其特征在于:所述導熱粉體包括以下物質中的一種或多種:氧化鋁，氮化鋁，氧化鎂，氧化鋅。3.如權利要求1所述的均溫導熱硅膠片，其特征在于:所述均溫導熱硅膠片的厚度至少為0.1mnin4.如權利要求1所述的均溫導熱硅膠片，其特征在于:其中一個導熱硅膠層的外表面設置有離型層。5.如權利要求1所述的均溫導熱硅膠片，其特征在于:兩個導熱硅膠層的外表面都設置有離型層。
【文檔編號】C09K5/14GK106046798SQ201610532082
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月7日
【發明人】吳娜娜, 鄧聯文, 徐麗梅
【申請人】昆山漢品電子有限公司