具有四氟芴的液晶性化合物、液晶組合物及液晶顯示元件的制作方法【專利摘要】本發明提供一種充分滿足對熱、光等的穩定性高、透明點高、液晶相的下限溫度低、粘度小、光學各向異性適當、負的介電常數各向異性大、彈性常數適當、與其他液晶性化合物的相容性優異等物性的至少一個的液晶性化合物。本發明提供一種式(1)所表示的化合物。該式中，例如R1及R2為碳數1～15的烷基，環A1、環A2及環A3為1,4?亞環己基或1,4?亞環己烯基Z1、Z2及Z3為單鍵或?(CH2)2?，a、b及c為0或1，a、b及c的和為0、1或2。【專利說明】具有四氣巧的液晶性化合物、液晶組合物及液晶顯示元件
技術領域：
[0001]本發明設及一種液晶性化合物、液晶組合物及液晶顯示元件。更詳細來說，本發明設及一種具有3,4,5,6-四氣-9H-巧-2,7-二基骨架、且介電常數各向異性為負的化合物，含有所述化合物、且具有向列相的液晶組合物及含有所述組合物的液晶顯示元件。【
背景技術：
】[0002]液晶顯示元件被廣泛地用于個人計算機（Persona1computer)、電視(television)等的顯示器中。該元件利用液晶性化合物的光學各向異性、介電常數各向異性等。關于液晶顯示元件的工作模式，已知相變（phasechange，PC)模式、扭轉向列(twistednematic，TN)模式、超扭轉向列（supertwistednematic，STN)模式、雙穩態扭轉向列（bistabletwistednematic,BTN)模式、電控雙折射（electricallycontrolledbiref;ringence，ECB)模式、光學補償彎曲（opticallycompensatedbend,OCB)模式、共面切換（in-planeswitching,IPS)模式、垂直取向（verticalalignment，VA)模式、邊緣場切換（FringeFieldSwitching,FFS)模式、聚合物穩定取向（polymersustainedali即ment，PSA)模式等。[0003]運些模式中，已知IPS模式、FFS模式及VA模式可改善作為TN模式、STN模式等工作模式的缺點的視角狹窄。具有運種模式的液晶顯示元件中，主要使用具有負的介電常數各向異性的液晶組合物。為了進一步提高液晶顯示元件的特性，優選為該組合物所含的液晶性化合物具有下述(1)~(8)所示的物性。[0004](1)對熱、光等的穩定性高，[0005](2)透明點高，[0006](3)液晶相的下限溫度低，[0007](4)粘度小(η)，[000引（5)光學各向異性適當（Δη)，[0009](6)負的介電常數各向異性（Δε)大，[0010](7)彈性常數適當化33:彎曲彈性常數），[0011](8)與其他液晶性化合物的相容性優異。[0012]液晶性化合物的物性對元件的特性所帶來的效果如下。如（1)那樣具有對熱、光等的高穩定性的化合物增大元件的電壓保持率。由此，元件的壽命延長。如（2)那樣具有高透明點的化合物擴大元件的可使用的溫度范圍。如(3)那樣具有向列相、層列相等那樣的液晶相的低下限溫度、尤其是向列相的低下限溫度的化合物也擴大元件的可使用的溫度范圍。如(4)那樣粘度小的化合物縮短元件的響應時間。[0013]如（5)那樣具有適當的光學各向異性的化合物提高元件的對比度。根據元件的設計，需要具有大的光學各向異性或小的光學各向異性、即適當的光學各向異性的化合物。在通過減小元件的單元間隙（cellgap)來縮短響應時間的情況下，具有大的光學各向異性的化合物合適。如（6)那樣具有大的負介電常數各向異性的化合物降低元件的臨限電壓。由此，元件的消耗電力變小。[0014]關于(7)，具有大的彈性常數的化合物縮短元件的響應時間。具有小的彈性常數的化合物降低元件的臨限電壓。因此，根據欲提高的特性而需要適當的彈性常數。優選的是如(8)那樣具有與其他液晶性化合物的優異相容性的化合物。其原因在于:將具有不同物性的液晶性化合物混合而調節組合物的物性。已知一般來說化合物的烙點與相容性相關，從而需要烙點低的化合物。[0015]迄今為止，已合成了各種具有大的負介電常數各向異性的液晶性化合物(例如專利文獻1)。專利文獻1中，示出具有3，4，5，6-四氣-9H-巧-2，7-二基骨架與-C此0-鍵結基的化合物(S-1)及化合物(S-2)。然而，運些化合物的烙點高，與其他液晶性化合物的相容性不夠高。[0016][0017]根據此種狀況，期望開發出關于所述物性（1)~物性(8)而具有優異的物性及適當的平衡的化合物。尤其是需要具有大的負介電常數各向異性且與其他化合物的相容性優異的化合物。[0018]現有技術文獻[0019]專利文獻[0020]專利文獻1:日本專利特開平10-236992號公報【
發明內容】[0021]發明所要解決的課題[0022]本發明的第一課題在于提供一種充分滿足W下物性的至少一個的液晶性化合物：對熱、光等的穩定性高、透明點高、液晶相的下限溫度低、粘度小、光學各向異性適當、負的介電常數各向異性大、彈性常數適當、與其他液晶性化合物的相容性優異等。尤其提供一種具有大的負介電常數各向異性、且與其他化合物的相容性優異的化合物。第二課題在于提供一種含有所述化合物且充分滿足W下物性的至少一個的液晶組合物：向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、粘度小、光學各向異性適當、負的介電常數各向異性大、及彈性常數適當等。該課題提供一種關于至少兩個物性而具有適當的平衡的液晶組合物。第Ξ課題在于提供一種含有所述組合物且元件的可使用溫度范圍廣、響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大及壽命長的液晶顯示元件。[0023]解決課題的技術手段[0024]本發明設及一種式（1)所表示的液晶性化合物、含有該化合物的液晶組合物及含有該組合物的液晶顯示元件。[0025：[0026]式(1)中，[0027]Ri及R2獨立地為碳數1~15的烷基或碳數2~15的締基，該些基團中，至少一個氨可經面素取代；[002引環A\環A2及環A3獨立地為1,4-亞環己基、1,4-亞環己締基、1,4-亞苯基、至少一個氨經面素取代的1，4-亞苯基或四氨化喃-2，5-二基；[0029]Zi、Z2及Z3獨立地為單鍵、-(C此）2-、-CH=CH-、-C三C-、-CF=CF-、-(C此）廣、-CH=CH-(C出）廣或-(C出）廣CH=CH-;[0030]a、b及C獨立地為0或l，a、b及C的和為0、1或2。[0031]式（1)所表示的化合物具有3,4,5,6-四氣-9H-巧-2,7-二基骨架，由此具有大的負介電常數各向異性。進而，鍵結基中不具有-C此0-或-0C此-等含有氧原子的基團、末端基中不具有烷氧基等含有氧原子的基團，由此烙點低，與其他液晶性化合物的相容性優異。[0032]發明的效果[0033]本發明的第一優點在于提供一種充分滿足W下物性的至少一個的液晶性化合物：對熱、光等的穩定性高、透明點高、液晶相的下限溫度低、粘度小、光學各向異性適當、負的介電常數各向異性大、彈性常數適當、與其他液晶性化合物的相容性優異等。該優點尤其提供一種具有大的負介電常數各向異性、且與其他化合物的相容性優異的化合物。第二優點在于提供一種含有所述化合物、且充分滿足W下物性的至少一個的液晶組合物：向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、粘度小、光學各向異性適當、負的介電常數各向異性大及彈性常數適當等。第Ξ優點在于提供一種含有所述組合物且元件的可使用溫度范圍廣、響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大及壽命長的液晶顯示元件。【具體實施方式】[0034]本說明書中的用語的使用方法如下。液晶性化合物為具有向列相、層列相等液晶相的化合物及不具有液晶相但可用作液晶組合物的成分的化合物的總稱。有時將液晶性化合物、液晶組合物、液晶顯示元件分別簡稱為化合物、組合物、元件。液晶顯示元件為液晶顯示面板及液晶顯示模塊的總稱。透明點為液晶性化合物的液晶相-各向同相的轉變溫度。液晶相的下限溫度為液晶性化合物的固體-液晶相(層列相、向列相等）的轉變溫度。向列相的上限溫度為液晶組合物的向列相-各向同相的轉變溫度，有時簡稱為上限溫度。有時將向列相的下限溫度簡稱為下限溫度。有時將式（1)所表示的化合物簡稱為化合物（1)。有時也將該簡稱應用于式(2)等所表示的化合物。式（1)、式(2)等中，由六邊形包圍的Α?、〇ι等記號分別對應于環Α\環〇1等。將多個環Ai記載于一個式或不同的式中。運些化合物中，任意兩個環Ai所表示的兩個基團可相同，或也可不同。該規則(rule)也可應用于環A2、Z2等記號。另外，也可應用于1為2時成為兩個的環Ai。^百分率表示的化合物的量為基于組合物的總重量的重量百分率(重量％)。[00巧]"至少一個"A"可經"B"取代"的表述是指當"A"為一個時，"A"的位置為任意，當"A"的個數為兩個W上時，運些"A"的位置也可無限制地選擇。"至少一個A可經B、C或D取代"的表述是指包括任意的A經B取代的情況、任意的A經C取代的情況及任意的A經D取代的情況，進而也包括多個A經B、C、D的至少兩個取代的情況。例如至少一個-C出-可經-0-或-CH=CH-取代的烷基中，包括烷基、締基、烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基締基、締氧基烷基。此外，連續的2個-C此-經-0-取代而成為-0-0-那樣的情況不優選。烷基等中，甲基部分(-C出寸）的-C出-經-0-取代而成為-0-H的情況也不優選。[0036]2-氣-1,4-亞苯基是指下述兩個二價基。化學式中，氣可向左化），也可向右(R)。該規則也可應用于四氨化喃-2,5-二基之類的非對稱的二價的環。[0037][0038]本發明包含下述項1至項13所記載的內容。[0039]項1.一種式（1)所表示的化合物。[0040][0041]式(1)中，[0042]Ri及R2獨立地為碳數1~15的烷基或碳數2~15的締基，該些基團中，至少一個氨可經面素取代；[0043]環A\環A2及環A3獨立地為1,4-亞環己基、1,4-亞環己締基、1,4-亞苯基、至少一個氨經面素取代的1，4-亞苯基或四氨R比喃-2，5-二基；[0044]Zi、Z2及Z3獨立地為單鍵、-(C此）2-、-CH=CH-、-C三C-、-CF=CF-、-(CH2)廣、-CH=CH-(C出）廣或-(C出）廣CH=CH-;[0045]a、b及C獨立地為0或1，a、b及C的和為0、1或2。[0046]項2.根據項1所記載的化合物，其中，項1所記載的式（1)中，Ri及R2獨立地為碳數1~10的烷基、碳數2~10的締基、至少一個氨經氣取代的碳數1~10的烷基或至少一個氨經氣取代的碳數2~10的締基，z\z2及Z3獨立地為單鍵、-(C此)2-、-CH=CH-、-(C此)4-、-CH=CH-(C出）廣或-(C出）廣CH=CH-。[0047]項3.根據項1所記載的化合物，其是由式(1-1)~式(1-4)的任一個所表示。[004引[0049]式(1-1)~式(1-4)中，[0050]Ri及R2獨立地為碳數1~10的烷基、碳數2~10的締基或至少一個氨經氣取代的碳數1~10的烷基；[0化1]環Ai、環A2及環A3獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己締基、1，4-亞苯基、至少一個氨經氣取代的1，4-亞苯基或四氨化喃-2，5-二基；[0化2]Zi為單鍵、-(C出)2-或-CH=CH-;[0化3]Z2為單鍵、-(C出)2-、-(C出)4-或-CH=CH-(C出)2-;[0化4]Z3為單鍵、-(C出)2-、-(C出)4-或-(C出)2-CH=CH-。[0055]項4.根據項1所記載的化合物，其是由式(1-5)~式(1-12)的任一個所表示。[0化6][0化7]式（1-5)~式（1-12)中，[0化引r1及R2獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基；[0化9]環A\環A2及環A3獨立地為1,4-亞環己基、1,4-亞環己締基、1,4-亞苯基、至少一個氨經氣取代的1，4-亞苯基或四氨化喃-2，5-二基。[0060]項5.根據項1所記載的化合物，其是由式(1-13)~式(1-22)的任一個所表示。[0061][0062]式（1-13)~式（1-22)中，r1及R2獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基;l1及L2獨立地為氨或氣。[0063]項6.根據項1所記載的化合物，其是由式(1-23)~式(1-25)的任一個所表示。[0064][0065]式（1-23)~式（1-25)中，Ri及R2獨立地為碳數1~7的烷基或碳數2~7的締基。[0066]項7.-種液晶組合物，其含有至少一種根據項1至項6中任一項所記載的化合物。[0067]項8.根據項7所記載的液晶組合物，其還含有選自式(2)~式(4)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物。[006引[0069]式(2)~式(4)中，[0070]Rii為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基，所述烷基及締基中，至少一個氨可經氣取代，至少一個-C出-可經-0-取代；[0071]χ?ι為氣、氯、-0CF3、-0CHF2、-CF3、-CHF2、-CH2F、-OCF2CHF2或-OCF2CHFCF3;[00巧環β?、環Β2及環Β3獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞苯基、2-氣-1，4-亞苯基、2，5-二氣-1，4-亞苯基、四氨化喃-2，5-二基、1，3-二嗯燒-2，5-二基或喀晚-2，5-二基；[0073]Zii、Ζ"及Ζ?3獨立地為單鍵、-CH2C出-、-CH=CH-、-C三C-、-C00-、-CF20-、-0CF2-、-C出0-或-(C出）4-;[0074]l11及L"獨立地為氨或氣。[0075]項9.根據項7或項8所記載的液晶組合物，其還含有選自式(5)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物。[0076][0077]式(5)中，[0078]rU為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基，烷基及締基中，至少一個氨可經氣取代，至少一個-C出-可經-0-取代；[0079]χ?2為-C三N或-C三C-C三N;[0080]環cl為1,4-亞環己基、1,4-亞苯基、2-氣-1,4-亞苯基、2,5-二氣-1,4-亞苯基、四氨化喃-2，5-二基、1，3-二嗯燒-2，5-二基或喀晚-2，5-二基；[0081]zi4為單鍵、-CH2CH2-、-C三0、-〇)〇-、-〔尸2〇-、-〇〔尸廣或-(：出〇-;[0082]L"及l14獨立地為氨或氣；[0083]i為1、2、3或4。[0084]項10.根據項7至項9中任一項所記載的液晶組合物，其還含有選自式(6)~式（12)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物。[00化[0086]式(6)~式(12)中，[0087]rU及rM獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基，所述烷基及締基中，至少一個-CH2-可經-〇-取代；[0088]Ris為氨、氣、碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基，所述烷基及締基中，至少一個-C出-可經-0-取代，至少一個氨可經氣取代；[0089]S"為氨或甲基；[0090]X為-CF2-、-0-或-CHF-;[0091]環〇1、環D2、環D3及環D4獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己締基、至少一個氨可經氣取代的1，4-亞苯基，四氨化喃-2，5-二基或十氨糞-2，6-二基；[0092]環D5及環D6獨立地為1,4-亞環己基、1,4-亞環己締基、1,4-亞苯基，四氨化喃-2，5-二基或十氨糞-2,6-二基；[0093]zi5、zi6、Z"及Zi8獨立地為單鍵、-C出C出-、-C00-、-C出0-、-0CF2-或-0CF2C出C出-;[0094]Lis及Lis獨立地為氣或氯；[00巧]j、k、m、n、p、q、;r及S獨立地為0或1，k、m、n及P的和為1或2，q、;r及S的和為0、1、2或3，t為1、2或3。[0096]項11.根據項7至項10中任一項所記載的液晶組合物，其還含有選自式（13)~式(15)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物，[0097][009引式（13)~式（15)中，[0099]Ri6及rU獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基，所述烷基或締基中，至少一個-C出-可經-0-取代，至少一個氨可經氣取代；[0100]環El、環E2、環E3及環E4獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞苯基、2-氣-1，4-亞苯基、2，5-二氣-1，4-亞苯基或喀晚-2，5-二基；[0101]Z"、Z2日及Z2i獨立地為單鍵、-C出C出-、-CH=CH-、-C三C-或-C00-。[0102]項12.根據項7至項11中任一項所記載的液晶組合物，其還含有能夠聚合的化合物、光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、熱穩定劑及消泡劑中的至少一種。[0103]項13.-種液晶顯示元件，其含有根據項7至項12中任一項所記載的液晶組合物。[0104]對本發明的化合物、液晶組合物、液晶顯示元件依次進行說明。[0105]1-1.化合物(1)[0106]對本發明的化合物（1)進行說明。化合物（1)的末端基、環結構、鍵結基等的優選例及該些基團對物性所帶來的效果也可應用于化合物(1)的下位式。[0107][0108]式（1)中，Ri及R2獨立地為碳數1~15的烷基或碳數2~15的締基，該些基團中，至少一個氨可經面素取代。該些基團為直鏈或分支鏈，不包括環己基那樣的環狀基。該些基團中，直鏈優于分支鏈。[0109]締基中的-CH=CH-的優選立體構型依存于雙鍵的位置。-CH=CHCH3、-CH=CHC2曲、-CH=CHC3H7、-CH=CHC4H9、-C2H4CH=C肥曲及-C2H4CH=CHC2曲那樣的在奇數位上具有雙鍵的締基優選反式構型。-C此CH=CHC出、-C此CH=C肥抽5及-C此CH=C肥抽7那樣的在偶數位上具有雙鍵的締基優選順式構型。具有優選立體構型的締基化合物具有高透明點或液晶相的廣的溫度范圍。在《分子晶體與液晶（Mol.燈yst丄iq.燈73^)》（1985，131，109)及《分子晶體與液晶(Mol.Cryst丄iq.Cryst.)》（1985，131，327)中有詳細說明。[0110]Ri或R2的優選例為烷基、締基及至少一個氨經氣取代的烷基。Ri或R2的更優選的例子為烷基及締基。[0111]烷基的例子為-C出、-C2H5、-C3H7、-C姐9、-CsHll、-C油13、-C7Hi5、-C姐17、-C油19、-C10H2I、-CiiH23、-Cl2ifc己、-C13H27、-CmH29及-C化H31。[0112]締基的例子為-CH=C出、-CH=C肥出、-C此CH=C出、-CH=C肥抽5、-C出邸=(：肥曲、-(CH2)2-CH=C出、-CH=C肥抽7、-C出CH=C肥她、-(CH2)2-CH=C肥出及-(CH2)3-CH=CH2。[0113]至少一個氨經面素取代的烷基的例子為-C此F、-CHF2、-CF3、-(C此）2-F、-CF2C曲、-CF2CH2F、-CF2CHF2、-CH2CF3、-CF2CF3、-(師)3-F、-CF2CH2CH3、-CH2CHFCH3、-CH2CF2CH3、-(CF2)廠F、-CF2CHFCF3、-CHFCF2CF3、-(C出）4-F、-CF2(C&)2CH3、-(CF2)4-F、-(CH2)5-F、-(CF2)5-F、-CH2Cl、-CHCl2、-CCl3、-(C出）2-Cl、-CCl2C曲、-CCl2CH2Cl、-CCl2CHCl2、-CH2(Xl3、-CCl2CCl3、-(CH2)3-Cl、-CCl2CH2C出、-(CCl2)3-Cl、-CCl2CHClCCl3、-CHClCCl2CCl3、-(C出）4-Cl、-(CCl2)4-Cl、-CCl2(CH2)2C出、-(c出）5-Cl及-(CCl2)5-Cl。[0114]至少一個氨經面素取代的締基的例子為-CH=CHF、-CH=CF2、-CF=CHF、-CH=CHCH2F、-CH=CHCF3、-(C此）2-CH=CF2、-CH2CH=CHCF3、-CH=CHCF2CF3、-CH=CHC1、-CH=CCl2、-cc1=CHC1、-CH=CHCH2CI、-CH=C肥Cl3、-(CH2)2-CH=CC12、-c此CH=CHCC13及-CH=C肥CI2CCI3。[0115]式（1)中，環Ai、環A2及環A3獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己締基、1，4-亞苯基、至少一個氨經面素取代的1，4-亞苯基或四氨化喃-2，5-二基。[0116]環Ai、環A2或環A3的優選例為1，4-亞環己基、1，4-亞環己締基、1，4-亞苯基、至少一個氨經氣取代的1,4-亞苯基或四氨化喃-2,5-二基。更優選的例子為1,4-亞環己基或1,4-亞環己締基。1,4-亞環己基中，存在順式及反式的立體構型。從上限溫度高的觀點來看，優選為反式構型。[0117]至少一個氨經面素取代的1,4-亞苯基的優選例為環(A-1)~環(A-17)。為了具有大的負介電常數各向異性，更優選基(A-1)、基(A-5)、基(A-6)、基(A-7)、基(A-8)、基(A-9)、基(A-10)或基(A-11)。[011引[0119]式（1)中，Z1、Z2及Z3獨立地為單鍵、-(畑2)2-、-畑=畑-、-C三C-、-CF=CF-、-(C此）4-、-CH=CH-(C此）2-或-(C出）2-CH=CH-〇z1、Z2及Z3的優選例為單鍵、-(C此）2-、-CH=CH-、-(邸2)廣、-CH=CH-(邸2)廣或-(邸2)廣CH=CH-。[0120]式（1)中，a、b及C獨立地為0或1，a、b及C的和為0、1或2。a、b及C的優選組合為(a=b=c=0)、（b=l、a=c=0)、（b=c=l、a=0)或(a=b=l、c=0)。曰、6及c的更優選的組合為化=1、曰=〇=0)或化=〇=1、曰=0)。[0121]1-2.化合物(1)的物性[012^化合物（1)中，通過適當選擇Ri、R2、環Ai、環A2、環A3、Zi、Z2及Z3的種類、a、b及C的組合，可任意地調整透明點、光學各向異性、介電常數各向異性等物性。由于化合物的物性并無較大差異，因此化合物（1)也可較天然存在比的量而更多地含有?(気）、i3C等同位素。W下就Ri等的種類對化合物(1)的物性所帶來的主要效果加W說明。[012引當Ri或R2為直鏈時，液晶相的溫度范圍廣，而且粘度小。當Ri或R2為分支鏈時，與其他液晶性化合物的相容性良好。Ri或R2為光學活性的化合物可用作手性滲雜劑（chiraldopant)。通過將該化合物添加到組合物中，可防止液晶顯示元件中產生的反向扭轉域(reversetwisteddomain)。1?1或R2并非為光學活性的化合物可用作組合物的成分。當r1或R2為締基時，優選的立體構型依存于雙鍵的位置。具有優選的立體構型的締基化合物具有小的粘度、高的上限溫度或液晶相的廣的溫度范圍。[0124]當環Ai、環A2及環A3的至少一個為2-氣-1，4-亞苯基、2-氯-1，4-亞苯基、2，3-二氣-1，4-亞苯基、2，3-二氯-1，4-亞苯基、2-氯-3-氣-1，4-亞苯基或四氨化喃-2，5-二基時，尤其具有大的負介電常數各向異性。[01巧]當a、b及C的組合為（b=l、a=c=0)，且環A2為1,4-亞環己基或1,4-亞環己締基時，透明點高、粘度小、與其他化合物的相容性優異。當為(b=l、a=c=0)，且環A2為1,4-亞苯基或至少一個氨經面素取代的1,4-亞苯基時，光學各向異性大而且取向秩序參數(orientationalorderparameter)大。當為（b=l、a=c=0)，且環A2為四氨R比喃-2,5-二基時，與其他化合物的相容性優異。當為(b=c=l、a=0)或(a=b=l、c=0)，且環A\環A2及環A3為1,4-亞環己基、1,4-亞環己締基或該些基團的組合時，透明點極其高、粘度比較小。當為(b=c=l、a=0)或(a=b=l、c=0)，且環A1、環A2及環a3為1,4-亞苯基、至少一個氨經面素取代的1,4-亞苯基或該些基團的組合時，透明點高、光學各向異性極其大。[0126]當Z\Z2及Z3的至少一個為單鍵、-C此C此-或-CH=CH-時，粘度小。當Z\Z2及Z3的至少一個為-(C此）2-、-CH=CH-、-(C此）4-、-CH=CH-(C此）2-或-(C此）2-CH=CH-時，彈性常數化)大。當Zi、Z2及Z3的至少一個為-CH=CH-、-C三C-或-CF=CF-時，光學各向異性大。當z\z2及Z3均為單鍵、-C出C出-或-(C出)廣時，化學穩定性高。[0127]當a、b及C的組合為(a=b=c=0)時，負的介電常數各向異性大。當a、b及C的組合為(b=l、a=c=0)時，負的介電常數各向異性大、與其他液晶性化合物的相容性良好。當a、b及C的組合為(b=C=1、a=0)時，透明點高、與其他液晶性化合物的相容性優異。當a、b及C的組合為(a=b=l、c=0)時，透明點極其高。[01巧]1-3.優選的化合物[0129]優選的化合物(1)的例子可舉出項4所記載的化合物(1-5)~化合物(1-12)。[0130][0131]式(1-5)~式(1-12)中，[0132]Ri及R2獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基；[01削環A\環A2及環A3獨立地為1,4-亞環己基、1,4-亞環己締基、1,4-亞苯基、至少一個氨經氣取代的1，4-亞苯基或四氨化喃-2，5-二基。[0134]化合物(1)的更優選的例子可舉出項5所記載的化合物(1-13)~化合物(1-22)。[0135][0136]式（1-13)~式（1-22)中，Ri及R2獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的締基;。及L2獨立地為氨或氣。[0137]化合物(1)的最優選的例子可舉出項6所記載的化合物(1-23)~化合物(1-25)。[013引[0139]式(1-23)~式(1-25)中，Ri及R2獨立地為碳數1~7的烷基或碳數2~7的締基。[0140]1-4.化合物(1)的合成[0141]對化合物（1)的合成法進行說明。化合物（1)可通過將有機合成化學的方法適當組合而合成。在起始物質中導入目標末端基、環及鍵結基的方法是記載在《有機合成(OrganicSyntheses)》（約翰威利父子公司（JohnWiley&Sons,Inc))、《有機反應（OrganicReactions)》（約翰威利父子公司（JohnWiley&Sons,Inc))、《綜合有機化學(ComprehensiveOrganicSynthesis)》（培格曼出版社（PergamonPress))、《新實驗化學講座》(丸善)等成書中。[0142]1-4-1.鍵結基的生成[0143]生成化合物（1)中的鍵結基的方法的例子如下述流程。在該流程中，MSGi(或MSG2)為具有至少一個環的一價有機基。多個MSGi(或MSG2)所表示的一價有機基可相同，或也可不同。化合物（1A)~化合物（1G)相當于化合物（1)或化合物（1)的中間體。[0146](I)單鍵的生成[0147]使芳基棚酸(21)與化合物(22)在碳酸鹽、四（Ξ苯基麟)鈕催化劑的存在下反應，合成化合物（ΙΑ)。也可使正下基裡、然后使氯化鋒與化合物(23)反應，在二氯雙(Ξ苯基麟）鈕催化劑的存在下使化合物(22)反應，而合成所述化合物(1A)。[014引（II)-CH=CH-的生成[0149]使正下基裡、繼而N,N-二甲基甲酯胺（N,N-Dimethylfo;rmamide，DMF)與化合物(22)反應而獲得醒（24)。使鱗鹽（25)與叔下氧化鐘反應而產生憐葉立德（phosphorusylides)，使所產生的憐葉立德與醒(24)反應而合成化合物（1B)。視反應條件不同，會生成順式體，因此視需要利用眾所周知的方法將順式體異構化為反式體。[0150](III)-C出C出-的生成[0151]在鈕碳催化劑的存在下將化合物(1B)氨化，合成化合物(1C)。[0152](IV)-C三C-的生成[0153]在二氯鈕及艦化銅的催化劑存在下使2-甲基-3-下烘-2-醇與化合物(23)反應后，在堿性條件下脫保護而獲得化合物（25)。在二氯雙(Ξ苯基麟)鈕及面化銅的催化劑存在下，使化合物(25)與化合物(22)反應，合成化合物(1D)。[0154](V)-CF=CF-的生成[0155]利用正下基裡對化合物（23)進行處理后，使四氣乙締反應而獲得化合物（26)。利用正下基裡對化合物(22)進行處理后使其與化合物(26)反應，合成化合物（1E)。[0156](VI)-(CH2)2-CH=CH-及-CH=CH-(CH2)2-的生成[0157]使用鱗鹽(27)，按照項（II)的方法合成化合物（1F)。也利用該方法來合成具有-CH=CH-(C出)2-的化合物。[015引（VII)-(C出）4-的生成[0159]在鈕碳催化劑的存在下將化合物(1F)氨化，合成化合物(1G)。[0160]1-4-2.環心及環A2的生成[0161]關于1，4-亞環己基、1，4-亞環己締基、1，4-亞苯基、2-氣-1，4-亞苯基、2，3-二氣-1，4-亞苯基、四氨化喃-2，5-二基等環，起始物質已有市售，或合成法廣為人知。[0162]1-4-3.合成例[0163]合成化合物（1)的方法的例子如下。運些化合物中，Ri、R2、環A\環A2、環A3、z1、Z2、23、曰、13及(3的定義與項1所記載的式(1)的定義相同。[0164]合成化合物（1)的方法的例子如下。使儀作用于利用眾所周知的方法合成的化合物巧1)而制備格氏試劑(Grignardreagent)后，使其與化合物巧2)反應，獲得化合物(53)。接著，使Ξ乙基硅烷及Ξ氣化棚二乙酸絡合物作用于化合物巧3)，由此獲得化合物(54)。使仲下基裡、氯化銅（II)及硝基苯作用于所得的化合物（54)，由此可衍生出化合物（1)。也可通過使仲下基裡及氯化鐵(III)作用于化合物(54)來合成化合物（1)。[0167]2.組合物（1)[0168]對本發明的液晶組合物（1)加W說明。該組合物（1)含有至少一種化合物（1)作為成分A。組合物（1)也可含有兩種W上的化合物（1)。液晶性化合物的成分可僅為化合物（1)。組合物（1)為了顯現出優良的物性，優選的是重量％~99重量％的范圍而含有化合物(1)的至少一種。介電常數各向異性為正的組合物中，化合物(1)的優選含量為5重量％~60重量％的范圍。介電常數各向異性為負的組合物中，化合物（1)的優選含量為30重量％W下。組合物(1)也可含有化合物(1)、及本說明書中未記載的各種液晶性化合物。[0169]優選的組合物含有選自W下所示的成分B、成分C、成分D及成分E中的化合物。在制備組合物（1)時，例如也可考慮化合物（1)的介電常數各向異性而選擇成分。適當選擇成分而成的組合物具有向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的粘度、適當的光學各向異性、大的介電常數各向異性及適當的彈性常數。[0170]成分B為化合物(2)~化合物(4)。成分C為化合物(5)。成分D為化合物(6)~化合物(12)。成分E為化合物(13)~化合物(15)。對運些成分依次進行說明。[0171]成分B為在右末端具有面素或含氣基團的化合物。成分B的優選例可舉出化合物(2-1)~化合物(2-16)、化合物(3-1)~化合物(3-113)或化合物(4-1)~化合物(4-57)。[0172][017引運些化合物(成分B)中，Ri咬χ?ι的定義與項11中記載的式(2)~式(4)相同。[0179]成分Β的介電常數各向異性為正，且成分Β對熱、光等的穩定性非常優異，因此可用于制備TFT模式用或PSA模式用的組合物的情況。相對于組合物的總重量，成分Β的含量合適的是1重量％~99重量％的范圍，優選10重量％~97重量％的范圍，更優選40重量％~95重量％的范圍。該組合物可通過進一步添加化合物（12)~化合物（14)(成分E)而調整粘度。[0180]成分C為右末端基為-C^N或-C^C-C^N的化合物(5)。成分C的優選例可舉出化合物(5-1)~化合物(5-64)。[0183]運些化合物(成分C)中，RU及χ?2的定義與項12中記載的式巧)相同。[0184]成分C的介電常數各向異性為正，且其值大，因此主要可用于制備ST飾莫式用、TN模式用或PSA模式用的組合物的情況。通過添加該成分C，可增大組合物的介電常數各向異性。成分C具有擴大液晶相的溫度范圍、調整粘度或調整光學各向異性的效果。成分C在調整元件的電壓-透射率曲線的方面也有用。[0185]在制備STN模式用或TN模式用的組合物的情況下，相對于組合物的總重量，成分C的含量合適的是1重量％~99重量％的范圍，優選10重量％~97重量％的范圍，更優選40重量％~95重量％的范圍。該組合物通過添加成分E而可調整液晶相的溫度范圍、粘度、光學各向異性、介電常數各向異性等[0186]成分D為化合物(6)~化合物（12)。運些化合物具有如2、3-二氣-1，4-亞苯基那樣側向（lateral)位經兩個面素取代的苯環。成分D的優選例可舉出化合物(6-1)~化合物(6-8)、化合物(7-1)~化合物(7-17)、化合物(8-1)、化合物(9-1)~化合物(9-3)、化合物（ιο??)~化合物（10-11)、化合物（11-1)~化合物（11-3)或化合物（12-1)~化合物（12-3)。[0189]運些化合物(成分D)中，RU、RM及Ris的定義與項9中記載的式(6)~式(12)相同。[0190]成分D為介電常數各向異性為負的化合物。成分D主要可用于制備VA模式用或PSA模式用的組合物的情況。成分D中，化合物(6)為二環化合物，因此主要具有調整粘度、調整光學各向異性或調整介電常數各向異性的效果。化合物(7)及化合物(8)為Ξ環化合物，因此具有提高上限溫度、增大光學各向異性或增大介電常數各向異性的效果。化合物(9)~化合物(12)具有增大介電常數各向異性的效果。[0191]在制備VA模式用或PSA模式用的組合物的情況下，相對于組合物的總重量，成分D的含量優選40重量％^上，更優選50重量％~95重量％的范圍。在將成分D添加到介電常數各向異性為正的組合物中的情況下，相對于組合物的總重量，成分D的含量優選30重量％W下。通過添加成分D，可調整組合物的彈性常數，調整元件的電壓-透射率曲線。[0192]成分E為兩個末端基為烷基等的化合物。成分E的優選例可舉出化合物（13-1)~化合物(13-11)、化合物(14-1)~化合物(14-19)或化合物(15-1)~化合物(15-7)。[0194]運些化合物(成分E)中，Ri6及R"的定義與項10中記載的式(13)~式(15)相同。[01M]成分E由于介電常數各向異性的絶對值小，因此為接近中性的化合物。化合物（13)主要具有調整粘度或調整光學各向異性的效果。化合物（14)及化合物（15)具有通過提高上限溫度而擴大向列相的溫度范圍的效果、或調整光學各向異性的效果。[0196]若增加成分E的含量，則組合物的粘度變小，但介電常數各向異性變小。因此，在滿足元件的臨限電壓的要求值的范圍內，優選為含量較多。因此，在制備VA模式用或PSA模式用的組合物的情況下，相對于組合物的總重量，成分E的含量優選30重量％^上，更優選40重量上。[0197]組合物（1)的制備是通過使必要成分在高溫下溶解等方法而進行。也可根據用途而在該組合物中添加添加物。添加物的例子為光學活性化合物、可聚合的化合物、聚合引發劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、熱穩定劑、消泡劑等。運種添加物已為本領域技術人員所廣泛知悉，且已記載在文獻中。[0198]組合物（1)也可進一步含有至少一種光學活性化合物。可添加眾所周知的手性滲雜劑作為光學活性化合物。該手性滲雜劑具有W下效果:在液晶分子中誘發螺旋結構而賦予必要的扭轉角，由此防止反向扭轉。手性滲雜劑的優選例可舉出化合物(Op-1)~化合物(Op-18)。化合物(Op-18)中，環J為1,4-亞環己基或1,4-亞苯基，rM為碳數1~10的烷基。[0199][0200]組合物（1)添加運種光學活性化合物而調整螺旋節距。關于螺旋節距，若為TFT模式用及TN模式用的組合物，則優選的是調整到40WI1~200WI1的范圍內。若為STN模式用的組合物，則優選的是調整到6皿~20皿的范圍內。BT飾莫式用的組合物的情況下，優選的是調整到1.5WI1~化m的范圍內。為了調整螺旋節距的溫度依存性，也可添加兩種W上的光學活性化合物。[0201]組合物（1)也可通過添加可聚合的化合物而用于PSA模式用。可聚合的化合物的例子為丙締酸醋、甲基丙締酸醋、乙締基化合物、乙締基氧基化合物、丙締基酸、環氧化合物(氧雜環丙烷、氧雜環下燒）、乙締基酬等，優選例可舉出下述化合物(M-1)~化合物(M-12)。可聚合的化合物通過紫外線照射等而聚合。也可在光聚合引發劑等適當的引發劑的存在下聚合。用來進行聚合的適當的條件、引發劑的適當的類型及適當的量已為本領域技術人員所知，且已記載在文獻中。[0202]化合物(M-1)~化合物(M-12)中，RW為氨或甲基;S為0或1;t及U獨立地為1~10的整數。括號內的記號F是指氨或氣。[0203][0204]為了維持大的電壓保持率，抗氧化劑有效。抗氧化劑的優選例可舉出：化合物(A0-1)或化合物(A0-2);易踰諾斯(IRGAN0X)415、易踰諾斯（IRGAN0X)565、易踰諾斯(IRGAN0X)1010、易踰諾斯(IRGAN0XH035、易踰諾斯(IRGAN0X)3114或易踰諾斯(IRGAN0X)1098(商品名：己斯夫(BASF)公司）。為了防止上限溫度的降低，紫外線吸收劑有效。紫外線吸收劑的優選例為二苯甲酬衍生物、苯甲酸醋衍生物、Ξ挫衍生物等。具體例可舉出：下述化合物(A0-3)或化合物(AO-4);地奴彬(TINUVIN)329、地奴彬(TINUVIN)P、地奴彬(TINUVIN)326、地奴彬(TINUVIN)234、地奴彬(TINUVIN)213、地奴彬(TINUVIN)400、地奴彬(TINUVIN)328及地奴彬（TINUVIN)99-2(商品名：己斯夫（BASF)公司）；或1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛燒（1，4-diazabicyclo(2.2.2)octane,DABC0)〇[0205]為了維持大的電壓保持率，優選的是具有空間位阻（stericbin化ance)的胺之類的光穩定劑。光穩定劑的優選例可舉出：下述化合物（A0-5)或化合物（A0-6);地奴彬(TINUVINH44、地奴彬(TINUVIN)765或地奴彬(TINUVIN)770DF(商品名：己斯夫(BASF)公司）。為了維持大的電壓保持率，熱穩定劑也有效，優選例可舉出易踰佛斯(IRGAF0S)168(商品名：己斯夫（BASF)公司）。為了防止起泡，消泡劑有效。消泡劑的優選例為二甲基硅油(dimethylsiliconeoil)、甲基苯基硅油等。[0206][0207]化合物（A0-1)中，r25為碳數1~20的烷基、碳數1~20的烷氧基、-C00R26或-C此C此C00R26;R26為碳數1~20的烷基。化合物(A0-2)及化合物(A0-5)中，R"為碳數1~20的烷基。化合物(A0-5)中，環K及環L為1，4-亞環己基或1，4-亞苯基，V為0、1、或2，R28為氨、甲基或0·。[0208]組合物（1)若添加部花青系、苯乙締基系、偶氮系、甲亞胺系、氧偶氮基系、哇獻酬系、蔥釀系、四嗦系等的二色性色素，則也可用于賓主(guesthost,GH)模式用。[0209]組合物（1)中，通過適當調整成分化合物的種類及比例，可將上限溫度設定為70°CW上，且將下限溫度設定為-io°cw下，因此向列相的溫度范圍廣。因此，含有該組合物的液晶顯示元件可在廣的溫度范圍內使用。[0210]組合物（1)中，通過適當調整成分化合物的種類及比例，可將光學各向異性設定為0.10~0.13的范圍或0.05~0.18的范圍。同樣地，可將介電常數各向異性調整到-5.0~-2.0的范圍內。優選的介電常數各向異性為-4.5~-2.5的范圍。具有該范圍的介電常數各向異性的組合物(1)可合適地用于WWS模式、VA模式或PSA模式而工作的液晶顯示元件。3.液晶顯示元件[0212]組合物（1)可用于有源矩陣（ActiveMatrix,AM)元件。進而也可用于無源矩陣(PassiveMatrix,PM)元件。該組合物可用于具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA、PSA、FPA等模式的AM元件及PM元件。特別優選的是用于具有TN、0CB、IPS模式或FFS模式的AM元件。具有IPS模式或FFS模式的AM元件中，未施加電壓的狀態下的液晶分子的排列相對于面板基板可平行或垂直。運些元件可為反射式、透射式或半透射式。優選的是用于透射式的元件。也可用于非晶娃-薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)元件或多晶娃-TFT元件。也使用將該組合物制成微膠囊（microcapsule)而制作的向列曲線排列相（nematiccurvilinearalignedphase，NCAP)型的元件、或在組合物中形成Ξ維網狀高分子的聚合物分散(polymerdispersed，PD)型的元件。[0213]組合物（1)具有負的介電常數各向異性，因此可合適地用于具有VA模式、IPS模式或PSA模式等工作模式且WAM方式驅動的液晶顯示元件。該組合物可特別合適地用于具有VA模式且WAM方式驅動的液晶顯示元件。[0214]WTN模式、VA模式等工作的液晶顯示元件中，電場的方向相對于液晶層而垂直。另一方面，WIPS模式等工作的液晶顯示元件中，電場的方向相對于液晶層而平行。WVA模式工作的液晶顯示元件的結構已在K.大室化.Ohmuro)、S.片岡（S.Kataoka)、Τ.佐佐木(Τ.Sasaki)及Υ.小池（Υ.Koike)的《SID97'國際會議技術論文輯要（SID'97DigestofTechnical化pers)》（28,845(1997))中有所報告。WIPS模式工作的液晶顯示元件的結構已在國際公開91/10936號手冊(同族專利:美國專利第5576867說明書）中有所報告。[0215]實施例[0216]通過實施例來更詳細地說明本發明。本發明不受運些實施例的限制。[0217]1-1.化合物(1)的實施例[0218]化合物（1)是通過下述順序而合成。所合成的化合物是通過核磁共振(NuclearMagneticResonance，NMR)分析等方法來鑒定。化合物的物性是通過下述記載的方法來測定。[0^9]NMR分析[0220]測定裝置是使用DRX-500(布魯克-拜厄斯賓（BrukerBioSpin)(股）公司制造）。在iH-NMR的測定中，使試樣溶解在CDC13等気化溶劑中，測定是在室溫下W500MHZ、累計次數16次的條件進行。使用四甲基硅烷作為內標準。"F-NMR的測定中，使用CFC13作為內標準，W累計次數24次進行測定。在核磁共振光譜的說明中，S是指單峰，d是指雙峰，t是指Ξ重峰，q是指四重峰，quin是指五重峰（quintet),sex是指六重峰（sextet)，m是指多重峰(multiplet)，b;r是指寬峰。[0扣。測定試樣[0222]在測定相結構及轉變溫度時，使用液晶性化合物本身作為試樣。在測定向列相的上限溫度、粘度、光學各向異性、介電常數各向異性等物性時，使用將化合物混合到母液晶中而制備的組合物作為試樣。[0223]在使用將化合物與母液晶混合的試樣的情況下，利用W下方法進行測定。將10重量％的化合物與90重量％的母液晶混合而制備試樣。根據該試樣的測定值，按照下式所表示的外推法來計算外推值，并記載該值。<外推值>=(l〇〇X<試樣的測定值>-<母液晶的重量％>X<母液晶的測定值>)/<化合物的重量％>[0224]在即便化合物與母液晶的比例為所述比例、也在25Γ下析出結晶（或層列相)的情況下，將化合物與母液晶的比例依次變更為5重量％:95重量％、3重量％:97重量％、1重量％:99重量％，W在25Γ下不析出結晶（或層列相）的比例來測定試樣的物性。此外，只要無特別說明，則化合物與母液晶的比例為10重量％:90重量％。[0225]母液晶是使用下述母液晶（i)。^重量％表示母液晶（i)的成分的比例。[0226][0227]測定方法[0228]物性測定是利用下述方法來進行。運些方法大多為社團法人電子信息技術產業協會（JapanElectronicsandInformationTechnologyIndustriesAssociation;從下簡稱為巧ITA)審議制定的巧ITA標準(JEITA·ED-2521A)所記載的方法、或對其加W修飾的方法。測定中所用的TN元件上，未安裝TFT。[0229](1)相結構[0230]在具備偏光顯微鏡的烙點測定裝置的加熱板(梅特勒(Mettler)公司的FP-52型熱平臺化otstage))上放置試樣，一面W3°C/分鐘的速度加熱一面利用偏光顯微鏡來觀察相狀態及其變化，確定相的種類。[0231](2)轉變溫度rC)[0232]使用巧金埃爾默（PerkinElmer)公司制造的掃描熱量計DSC-7系統或鉆石(Diamond)差示掃描量熱（Differentialscanningcalorimetry，DSC)系統，W3°C/分鐘的速度進行升降溫，通過外推來求出伴隨著試樣的相變化的吸熱峰或發熱峰的起始點，確定轉變溫度。有時將化合物由固體轉變為層列相、向列相等液晶相的溫度簡稱為"液晶相的下限溫度"。有時將化合物由液晶相轉變為液體的溫度簡稱為"透明點"。[0233]結晶是表示作C。在區分結晶種類的情況下，分別表示作Cl或C2。層列相是表示作S，向列相是表示作N。層列相中，在區分層列A相、層列B相、層列討目或層列F相的情況下，分別表示作sa、Sb、Sc或Sf。液體(各向同性)是表示作I。轉變溫度例如是如乂50.ON100.or那樣來表述。運表示由結晶轉變為向列相的轉變溫度為50.0°C，由向列相轉變為液體的轉變溫度為l〇〇.〇°C。[0234](3)低溫相容性[0235]制備W化合物的比例成為20重量％、15重量％、10重量％、5重量％、3重量％及1重量％的方式將母液晶與化合物混合而成的試樣，將試樣放入到玻璃瓶中。將該玻璃瓶在-10°C或-20°C的冷藏庫(freezer)中保管一定期間后，觀察結晶(或層列相)是否析出。[0236](4)向列相的上限溫度(Tn域NI;°C)[0237]在具備偏光顯微鏡的烙點測定裝置的加熱板上放置試樣，WrC/分鐘的速度進行加熱。對試樣的一部分由向列相變化為各向同性液體時的溫度進行測定。有時將向列相的上限溫度簡稱為"上限溫度"。當試樣為化合物與母液晶的混合物時，W記號Tni來表示。當試樣為化合物與成分B等的混合物時，W記號NI來表示。[0238](5)向列相的下限溫度(Tc;°C)[0239]將具有向列相的試樣在0°(：、-10°(：、-20°(：、-30°(：及-40°(：的冷藏庫中保管10天后，觀察液晶相。例如，當試樣在-20°C下保持向列相、且在-30°C下變化為結晶或層列相時，記載為Tc玄蘭-20°C。有時將向列相的下限溫度簡稱為"下限溫度"。[0240](6)粘度(本體粘度(bulkviscosity);η;在20°C下測定;mPa·S)[0241]使用E型旋轉粘度計來進行測定。[0242](7)粘度(旋轉粘度；丫1;在25°C下測定;mPa·S)[0243]測定是按照Μ.今井(M.Imai)等人的《分子晶體與液晶（MolecularOystalsandLiquid化ystals)》(Vol.259,37(1995))中記載的方法。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙)為20μπι的VA元件中加入試樣。對該元件在30V(伏特，V011)~50V的范圍內W1V為單位階段性地施加電壓。0.2秒未施加后，W僅一個矩形波(矩形脈沖;0.2秒)及未施加(2秒）的條件反復施加。對因所述施加而產生的暫態電流（transientcurrent)的峰電流（peakcurrent)及峰時間（peaktime)進行測定。根據運些測定值及Μ.今井等人的論文40頁的計算式(8)而獲得旋轉粘度的值。該計算所必需的介電常數各向異性是使用下述介電常數各向異性的項中測定的值。[0244](8)光學各向異性(折射率各向異性;在25°C下測定；Δη)[0245]測定是使用波長589nm的光，利用在目鏡上安裝著偏光板的阿貝折射計來進行。對主棱鏡的表面朝一個方向進行摩擦后，將試樣滴加到主棱鏡上。折射率(n^)是在偏光的方向與摩擦的方向平行時測定。折射率(nl)是在偏光的方向與摩擦的方向垂直時測定。光學各向異性（An)的值是根據An=n^-n丄的式子而計算。[0246](9)介電常數各向異性（Δε;在25°C下測定）[0247]介電常數各向異性的值是根據Δε=ε分-ε丄的式子而計算。介電常數(ε分及6丄）是如W下那樣測定。[0248]1)介電常數（6分）的測定：在經充分清洗的玻璃基板上涂布十八烷基Ξ乙氧基娃燒(0.16mL)的乙醇（20mL)溶液。利用旋轉器(SPinner)使玻璃基板旋轉后，在150°C下加熱1小時。在兩片玻璃基板的間隔(單元間隙）為4皿的VA元件中加入試樣，利用通過紫外線進行硬化的粘接劑將該元件密封。對該元件施加正弦波(〇.5￥、化化），2秒后測定液晶分子的長軸方向的介電常數(ε^)。[0249]2)介電常數（ε丄）的測定:在經充分清洗的玻璃基板上涂布聚酷亞胺溶液。對該玻璃基板進行般燒后，對所得的取向膜進行摩擦處理。在兩片玻璃基板的間隔(單元間隙)為9μπι、扭轉角為80度的ΤΝ元件中加入試樣。對該元件施加正弦波(0.5￥、化化），2秒后測定液晶分子的短軸方向的介電常數(ε丄）。[0250](10)彈性常數(Κι成拉3;在化。C下測定;ρΝ)[0251]測定時使用東陽技術(ToyoTechnics)股份有限公司制造的EC-1型彈性常數測定器。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為20WI1的垂直取向元件中加入試樣。對該元件施加20V~0V電荷，測定靜電電容及施加電壓。使用《液晶元件手冊》（日刊工業報社)75頁中的式(2.98)、式(2.101)對靜電電容(C)及施加電壓(V)的值進行擬合(fitting),由式(2.100)而獲得彈性常數的值。[0252](11)臨限電壓(Vth;在25°C下測定;V)[0253]測定時使用大塚電子股份有限公司制造的液晶顯示器化iquidCrystalDisplay，LCD)5100型亮度計。光源為面素燈。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為4μπι、摩擦方向為反平行(anti-parallel)的正常顯黑模式(normallyblackmode)的VA元件中加入試樣，使用通過紫外線進行硬化的粘接劑將該元件密封。對該元件施加的電壓(60Hz、矩形波)是自0V起W0.02V為單位階段性地增加至20V為止。此時，對元件自垂直方向照射光，測定透射元件的光量。制作該光量達到最大時為透射率100%、該光量達到最小時為透射率0%的電壓-透射率曲線。臨限電壓為透射率成為10%時的電壓。[0254](12)電壓保持率(VHR-1;在25°C下測定；％)[0255]測定時所用的TN元件具有聚酷亞胺取向膜，而且兩片玻璃基板的間隔(單元間隙）為扣m。該元件是在加入試樣后利用通過紫外線進行硬化的粘接劑而密封。對該TN元件施加脈沖電壓(5V、60微秒)而充電。利用高速電壓計W16.7毫秒的期間來測定衰減的電壓，求出單位周期的電壓曲線與橫軸之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率為面積A相對于面積B的百分率。[0256](13)電壓保持率(VHR-2;在8(TC下測定；％)[0257]除了在80°C下進行測定W外，利用與VHR-1相同的方法求出電壓保持率(VHR-2)。[0巧引原料[0259]索米克斯(Solmix)A-ll(商品名）為乙醇(85.5重量％)、甲醇（13.4重量％)及異丙醇（1.1重量％)的混合物，是從日本醇銷售(股)獲得。[0260][實施例。[0%1]化合物(No.1-2-5)的合成[0%2][0%3]第1工序[0264]在氮氣環境下，將儀（20.8g)及四氨巧喃（Tetr址ydrofuranJHF)(30.0ml)放入到反應器中，加熱到45°C。在45°C至55°C的溫度范圍下，向其中緩慢添加化合物(T-l)(150g)的THF(150ml)溶液并攬拌2小時。接著，冷卻到0°C，并緩慢添加化合物(T-2)(127g)的THF(200ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌2小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（silicagelchromatography)(體積比，甲苯:乙酸乙醋=10:1)將殘渣純化，獲得化合物(T-3)(188g;95%)。[02化]第2工序[0266]在氮氣環境下，將化合物(T-3)(188g)及二氯甲燒(750ml)放入到反應器中，冷卻到-50°C。向其中緩慢添加Ξ乙基硅烷（140ml)及Ξ氣化棚二乙酸絡合物(205ml)，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到冰水中，利用二氯甲燒來萃取水層。利用水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(庚燒)將殘渣純化，獲得化合物(T-4)(145g;82%)。[0267]第3工序[0268]在氮氣環境下，將化合物(T-4)(120g)及THF(1200ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加仲下基裡（1.01M;環己燒、正己燒溶液;500ml)并攬拌1小時。接著，緩慢添加DMF(77.4ml)，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用甲苯來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(體積比，庚燒：甲苯=1:1)將殘渣純化，獲得化合物(T-5)(57.2g;43%)。[0269]第4工序[0270]在氮氣環境下，將乙基Ξ苯基漠化麟(286g)及THF(850ml)放入到反應器中，冷卻到-3(TC。向其中緩慢添加叔下氧化鐘(82.8g)并攬拌30分鐘。接著，緩慢添加化合物(T-5)(165g)的THF(800ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌2小時。將反應混合物注入到水中，利用甲苯來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（庚燒）將殘渣純化，獲得化合物（T-6)(172g;100%)。[0271]第5工序[0272]將化合物(T-6)(172g)、鈕碳催化劑(5%Pd/C的NX型（50%濕潤品）；N.E.化學制品(N.E.CHEMCAT)制造;8.62g)、甲苯(500ml)及索米克斯(Solmix)(注冊商標)A-ll(500ml)放入到反應器中，在氨氣環境下攬拌12小時。通過過濾去除催化劑后，在減壓下進行濃縮，利用硅膠色譜法(庚燒)將殘渣純化，獲得化合物(T-7)(170g;98%)。[0273]第6工序[0274]在氮氣環境下，將化合物(T-7)(135g)及THF(lOOOml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加仲下基裡（1.01M;環己燒、正己燒溶液;500ml)并攬拌1小時。接著，緩慢添加化合物(T-8)(96.6g)的THF(350ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌3小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，獲得化合物(T-9)(215g;100%)。[02巧]第7工序[0276]在氮氣環境下，將化合物（T-9)(215g)、對甲苯橫酸一水合物（p-toluenesulfonicacidmonohy化ate，PTSA)(6.47g)及甲苯（1000ml)放入到反應器中，一邊將饋出的水去除一邊進行1小時加熱回流。利用水對反應混合物進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(庚燒)將殘渣純化，獲得化合物(T-10)(244g;87%)。[0277]第8工序[027引將化合物(T-10)(244g)、雷尼儀(RaneyNickel)(24.4g)、甲苯（200ml)及異丙醇(isopropanol，IPA)(200ml)放入到反應器中，在氨氣環境下攬拌24小時。通過過濾去除催化劑后，在減壓下進行濃縮，利用硅膠色譜法(庚燒)將殘渣純化，獲得化合物(T-ll)(236g;96%)。[02巧]第9工序[0280]在氮氣環境下，將化合物(T-llK50.0g)及THF(2500ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加仲下基裡（1.07M;環己燒、正己燒溶液;237ml)并攬拌2小時。接著，添加氯化銅（II)(35.6g)并攬拌1小時。接著，緩慢添加硝基苯(28.6ml)，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(庚燒)將殘渣純化。進而，通過自庚燒與IPA的混合溶劑(體積比，1:1)的再結晶進行純化，獲得化合物(1-2-5)(7.83g;16%)。[0281]化學位移δ(卵m;CDCl3):7.10(d，J=5.4Hz，lH)、7.05(d，J=5.細z，lH)、3.85(s，2H)、2.89(ttJ=12.2HzJ=3.0Hz,1H)、2.69(tj=7.細z，2H)、1.95-1.85(m，4H)、1.73-1.63(m,2H)、1.55-1.44(m,2H)、1.38-1.20(m，9H)、1.17-1.05(m，2H)、0.98(t，J=7.3Hz,3H)、0.91(t，J=7.3Hz，3H).[0282]化合物(No.1-2-5)的物性如下。[0283]轉變溫度:C110(Sa100)1.[0284]上限溫度(Tni)=84.6°C;光學各向異性（An)=0.145;介電常數各向異性（Δε)=-10.4;粘度(11)=117111?曰《3.[0285][實施例2][02化]化合物(No.1-2-6)的合成[0287][028引第1工序[0289]在氮氣環境下，將利用與實施例1的第7工序相同的方法合成的化合物（T-12)(196g)及THF巧000ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加仲下基裡（1.01M;環己燒、正己燒溶液；1000ml)并攬拌3小時。接著，添加氯化鐵(111)(92.Ig)，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到1N鹽酸中，利用甲苯來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(庚燒)將殘渣純化。進而，通過自庚燒的再結晶進行純化，獲得化合物（1-2-6)(25.2g;13%)。[0巧0]化學位移δ(卵m;CDCl3):7.09(d，J=5.4Hz，lH)、7.05(d，J=5.細z，lH)、3.83(s，2H)、2.89(ttJ=12.2HzJ=3.0Hz，lH)、2.70(tJ=7.7Hz，2H)、1.95-1.85(m，4H)、1.68-1.58(m,2H)、1.55-1.44(m，2H)、l.44-1.20(m，llH)、l.16-1.05(m，2H)、0.98(t，J=7.3Hz，3H)、0.91(t，J=7.3Hz，3H).[0291]化合物(No.1-2-6)的物性如下。[0巧2]轉變溫度：C108(Sa102)1.[0293]上限溫度(Tni)=80.6°C;光學各向異性（Δη)=0.141;介電常數各向異性（Δε)=-9.79;粘度(η)=120m化·S.[0294][實施例3][02巧]化合物(No.1-2-15)的合成[0296][0巧7]第1工序[029引在氮氣環境下，將化合物(T-4)(50.0g)及THF(900ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加仲下基裡(0.97M;環己燒、正己燒溶液;215ml)并攬拌1小時。接著，緩慢添加化合物(T-8)(42.Og)的THF(100ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(體積比，甲苯:乙酸乙醋=10:1)將殘渣純化，獲得化合物(T-13)(48.0g;56%)。[0299]第2工序[0300]使用化合物(T-13)(48.0g)作為原料，利用與實施例1的第7工序相同的方法獲得化合物(T-14)(42.4g;93%)。[0301]第3工序[0302]使用化合物(T-14)(42.4g)作為原料，利用與實施例1的第8工序相同的方法獲得化合物(T-15)(42.0g;99%)。[0303]第4工序[0304]使用化合物(T-15)(42.0g)作為原料，利用與實施例1的第3工序相同的方法獲得化合物(T-16)(40.5g;90%)。[03化]第5工序[0306]在氮氣環境下，將化合物(T-17)(19.1g)及THF(150ml)放入到反應器中，冷卻到-3(TC。向其中緩慢添加叔下氧化鐘（4.80g)并攬拌30分鐘。接著，緩慢添加化合物(Τ-16)(15.Og)的THF(150ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到水中，利用甲苯來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（甲苯）將殘渣純化，獲得化合物（T-18)(17.5g；100%)〇[0307]第6工序[0308]使用化合物(T-18)(17.5g)作為原料，利用與實施例1的第5工序相同的方法獲得化合物(T-19)(17.1g;97%)。[0309]第7工序[0310]在氮氣環境下，將化合物（Τ-19)(17.Ig)、甲酸（85.5ml)、四下基漠化錠(tetrabutylammoniumbromideJBAB)(3.36g)及甲苯（170ml)放入到反應器中并攬拌12小時。將反應混合物注入到水中，利用甲苯來萃取水層。利用飽和碳酸氨鋼水溶液、繼而利用食鹽水依次對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（甲苯)將殘渣純化，獲得化合物(T-20)(14.7g;94%)。[0311]第8工序[0312]在氮氣環境下，將甲基Ξ苯基漠化麟（14.6g)及THF(llOml)放入到反應器中，冷卻到-3(TC。向其中緩慢添加叔下氧化鐘(4.41g)并攬拌30分鐘。接著，緩慢添加化合物(T-20)(14.7g)的THF(110ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到水中，利用甲苯來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（庚燒）將殘渣純化，獲得化合物（T-21)(11.0g；75%)〇[0313]第9工序[0314]使用化合物(T-21)(8.89g)作為原料，利用與實施例1的第9工序相同的方法獲得化合物(No.1-2-15)(l.llg;13%)。[0315]化學位移δ(wm;CDCl3):7.10(d，J=5.4Hz，lH)、7.06(d，J=5.5Hz，lH)、5.92-5.80(m，lH)、5.09-4.98(m，2H)、3.85(s，2H)、2.89(tt，J=12.3Hz，J=3.0Hz，lH)、2.81(t，J=7.7Hz，2H)、2.45-2.36(m,2H)、1.95-1.85(m，4H)、l.55-1.44(m，2H)、l.38-1.20(m，9H)、1.17-1.06(m，2H)、0.90(tJ=7.2Hz，3H).[0316]化合物(No.1-2-15)的物性如下。[0317]轉變溫度：C111(Sa102N103)1.[0318]上限溫度(Tni)=90.6°C;光學各向異性（Δη)=0.150;介電常數各向異性（Δε)=-8.76;粘度(11)=1051]1化《8.[0319][實施例4][0320]化合物(No.1-2-41)的合成[0321][0322]第1工序[0323]在氮氣環境下，將下醒(9.45g)及甲苯(200ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中添加二甲基氯化侶（1.00M;正己燒溶液；19.7ml)并攬拌30分鐘。接著，緩慢添加化合物(T-22)(25.0ml)并攬拌3小時。接著，升溫到-4(rC后，添加N-漠代下二酷亞胺（N-b;romosuccinimide，NBS)(46.6g)及DMF(150ml)，一邊恢復到室溫一邊攬拌1小時。將反應混合物注入到飽和碳酸氨鋼水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(體積比，庚燒：甲苯=1:9)將殘渣純化，獲得化合物(T-23)(9.40g;33%)。[0324]第2工序[0325]在氮氣環境下，將利用與實施例1的第5工序相同的方法合成的化合物（T-24)(6.25g)及THF(100ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加仲下基裡（1.01M;環己燒、正己燒溶液；21.8ml)并攬拌1小時。接著，緩慢添加化合物（T-23)(4.90g)的THF(50.0ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌3小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（甲苯)將殘渣純化，獲得化合物(T-25)(7.43g；69%)〇[0326]第3工序[0327]在氮氣環境下，將化合物(1'-25)(7.43旨）、二乙基鋒（1.001;正己燒溶液;9.791111)及甲苯（110ml)放入到反應器中，在75°C下攬拌3小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(體積比，庚燒：乙酸乙醋=8:1)將殘渣純化，獲得化合物(T-26)(4.45g;71%)。[032引第4工序[0329]在氮氣環境下，將化合物(T-26)(4.45g)、對甲苯橫酷阱(2.21g)及乙醇（110ml)放入到反應器中，在60°C下攬拌3小時。將反應混合物在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(體積比，甲苯:乙酸乙醋=20:1)將殘渣純化，獲得化合物(T-27)(4.33g;71%)。[0330]第5工序[0331]在氮氣環境下，將化合物(1'-27)(4.12邑）、棚氨化鋼(2.52邑）、甲醇(40.〇1111)及乙醇(80.0ml)放入到反應器中，在75°C下攬拌6小時。將反應混合物注入到水中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(體積比，庚燒：乙酸乙醋=10:1)將殘渣純化，獲得化合物(T-28)(1.25g;43%)。[0332]第6工序[0333]使用化合物(T-28)(1.25g)作為原料，利用與實施例1的第9工序相同的方法獲得化合物(No.1-2-41)(0.36g;29%)。[0334]化學位移δ(卵m;CDCl3):7.09-7.04(m，2H)、4.08-4.02(m，lH)、3.86(s，2H)、3.47(t，J=ll.lHz，lH)、3.40-3.33(m，lH)、3.26-3.18(m，lH)、2.70(t，J=7.5Hz，2H)、2.07-2.00(m,IH)、1.88-1.76(m,2H)、1.68-1.55(m，3H)、l.55-1.30(m，8H)、0.98-0.87(m，6H).[0335]化合物(No.1-2-41)的物性如下。此外，上限溫度、光學各向異性、介電常數各向異性及粘度的測定中，使用化合物與母液晶的比例為5重量％:95重量％的試樣。[0336]轉變溫度:C117I.[0337]上限溫度(Tni)=54.6°C;光學各向異性（Δη)=0.129;介電常數各向異性（Δε)=-11.4;粘度(11)=142111?3?3.[033引[實施例引[0339]化合物(No.1-2-22)的合成[0340][0：341]第1工序[0342]使用化合物(T-lO)aO.Og)作為原料，利用與實施例2的第1工序相同的方法獲得化合物(No.1-2-22)(4.43g;40%)。[0；343]化學位移δ(郵m;CDCl3):7.11(d，J=5.細z，lH)、7.05(d，J=5.細z，lH)、6.04-5.98(m，lH)、3.85(s，2H)、2.69(t，J=8.3Hz，2H)、2.54-2.29(m，3H)、1.94-1.80(m，2H)、1.73-1.58(m,3Η)、1.43-1.25(m，9H)、0.98(t，J=7.4Hz，3H)、0.91(t，J=7.1Hz，3H).[0344]化合物(No.1-2-22)的物性如下。[0345]轉變溫度：C111Sa127I.[0346]上限溫度(Tni)=99.6°C;光學各向異性（An)=0.187;介電常數各向異性（Δε)=-10.0;粘度(ri)=98.1mPa·S.[0347][實施例6][0348]化合物(No.1-2-52)的合成[0349][0350]第1工序[0351]使用化合物(T-7)(20.7g)作為原料，利用與實施例1的第3工序相同的方法獲得化合物(T-29)(19.4g;85%)。[0352]第2工序[0353]在氮氣環境下，將化合物(T-30)(20.5g)及THF(lOOml)放入到反應器中，冷卻到-30°C。向其中緩慢添加叔下氧化鐘（4.34g)并攬拌30分鐘。接著，緩慢添加化合物(T-29)(10.0g)的THF(100ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌12小時。將反應混合物注入到水中，利用甲苯來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（庚燒）將殘渣純化，獲得化合物（T-31)(9.23g；62%)〇[0354]第3工序[0355]使用化合物(T-31)(9.23g)作為原料，利用與實施例1的第5工序相同的方法獲得化合物(T-32)(8.61g;93%)。[0356]第4工序[0357]使用化合物(T-32)(8.61g)作為原料，利用與實施例2的第1工序相同的方法獲得化合物(No.l-2-52)(3.16g;37%)。[0；35引化學位移δ(卵m;CDCl3):7.05(d，J=5.Wz，2H)、3.84(s，2H)、2.76-2.65(m，4H)、1.85-1.62(m，6H)、1.56-1.47(m，2H)、1.35-1.10(m，10H)、1.02-0.82(m，10H).[0359]化合物(No.1-2-52)的物性如下。此外，上限溫度、光學各向異性、介電常數各向異性及粘度的測定中，使用化合物與母液晶的比例為3重量％:97重量％的試樣。[0360]轉變溫度：C121(Sa105N108)1.[0361]上限溫度(Tni)=97.9°C;光學各向異性（Δη)=0.187;介電常數各向異性（Δε)=-11.1;粘度(11)=98.8111?曰《3.[0362][實施例7][0363]化合物(No.1-2-31)的合成[0364][03化]第1工序[0366]在氮氣環境下，將化合物(T-7)(17.7g)及THF(255ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加仲下基裡（1.03M;環己燒、正己燒溶液;63.9ml)并攬拌1小時。接著，緩慢添加艦（19.Ig)的THF(100ml)溶液，一邊恢復到室溫一邊攬拌3小時。將反應混合物注入到冰水中，利用甲苯來萃取水層。利用硫代硫酸鋼水溶液、繼而利用水依次對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(庚燒）將殘渣純化，獲得化合物(T-33)(25.3g;99%)。[0367]第2工序[036引在氮氣環境下，將化合物(T-33)(6.OOg)、化合物(T-34)(3.53g)、四（Ξ苯基麟)鈕(0.170邑）、碳酸鐘（4.06邑）、了848(0.948邑）、甲苯（35.01111)、1?4(35.01111)及水（35.01111)放入到反應器中，進行3小時加熱回流。將反應混合物注入到水中，利用甲苯來萃取水層。利用水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用娃膠色譜法(庚燒)將殘渣純化，獲得化合物(T-35)(4.70g;75%)。[0369]第3工序[0370]使用化合物(T-35)(4.70g)作為原料，利用與實施例2的第1工序相同的方法獲得化合物(No.1-2-31)(1.84g;39%)。[0371]化學位移δ(郵m;CDCl3):7.50(d，J=8.0Hz，2H)、7.33-7.26(m，3H)、7.08(d，J=5.4Hz，1H)、3.92(s，2H)、2.74-2.61(m，4H)、1.75-1.61(m，4H)、1.43-1.30(m，4H)、0.99(t，J=7.2Hz，3H)、0.91(tJ=6.7Hz，3H).[0372]化合物(No.1-2-31)的物性如下。[0373]轉變溫度：C97.1Sa132I.[0374]上限溫度(Tni)=89.6°C;光學各向異性（Δη)=0.227;介電常數各向異性（Δε)=-9.89;粘度(η)=103m化·S.[0375][實施例8][0376]化合物(No.1-1-3)的合成[0377][037引第1工序[0379]在氮氣環境下，使用化合物(T-29)(3.28g)及正己基Ξ苯基漠化憐(4.55g)作為原料，利用與實施例6的第2工序相同的方法獲得化合物(T-36)(3.71g;88%)。[0380]第2工序[0381]使用化合物(T-36)(3.71g)作為原料，利用與實施例6的第3工序相同的方法獲得化合物(T-37)(3.20g;84%)。[0382]第3工序[0383]使用化合物(T-37)(3.20g)作為原料，利用與實施例2的第1工序相同的方法獲得化合物(No.1-1-3)(0.93g;29%)。[0384]化學位移δ(卵m;CDCl3):7.05(d，J=5.6Hz，2H)、3.84(s，2H)、2.75-2.65(m，4H)、1.73-1.59(m，4H)、1.40-1.23(m,細）、0.98(tJ=7.3Hz，3H)、0.88(tJ=7.0Hz，3H).[03化]化合物(No.1-1-3)的物性如下。[0386]轉變溫度:C90.9I.[0387]上限溫度(Tni)=-15.7°C;光學各向異性（Δη)=0.147;介電常數各向異性（Δε)二-10.0;粘度(n)=73.2mPa·S.[0388]可按照已記載的化合物（1)的合成法及實施例1~實施例6中記載的合成順序來合成W下所示的化合物（1-1-1)~化合物（1-1-15)、化合物（1-2-1)~化合物（1-2-80)、化合物(1-3-1)~化合物(1-3-40)或化合物(1-4-1)~化合物(1-4-76)。[0400][比較例1][0401]為了表明本申請化合物在鍵結基中不具有氧原子的效果，合成具有-CH20-鍵結基的化合物(S-1-1)作為比較化合物。原因在于，該化合物已在日本專利特開平10-236992號公報中有所記載。此外，日本專利特開平10-236992號公報中雖記載了兩烷基末端均為-C3出的對稱形的化合物，但此處W烙點等的比較為目的，合成烷基末端為-C出11及-C3出的非對稱形的化合物。[0402]比較化合物(S-1-1)的合成[0404]第1工序[040引在氮氣環境下，將化合物（T-33)(10.0g)、碳酸鐘（19.8g)、TBAB(3.09g)及DMF(150ml)放入到反應器中，在80°C下攬拌30分鐘。接著，緩慢添加化合物(T-34)(14.2g)的DMF(50.0ml)溶液并攬拌2小時。將反應混合物注入到水中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法（甲苯)將殘渣純化，獲得化合物(T-35)(17.8g;99%)。[0406]第2工序[0407]在氮氣環境下，將化合物(T-35)(17.8g)及二乙酸(300ml)放入到反應器中，冷卻到-70°C。向其中緩慢添加正下基裡（1.57M;正己燒溶液;27.61111)并攬拌1小時。接著，緩慢添加化合物(T-2)(5.62g)的二乙酸(50.0ml)溶液，一邊恢復至室溫一邊攬拌1小時。將反應混合物注入到飽和氯化錠水溶液中，利用乙酸乙醋來萃取水層。利用食鹽水對一起產生的有機層進行清洗，利用無水硫酸儀進行干燥。將該溶液在減壓下濃縮，利用硅膠色譜法(體積比，甲苯:乙酸乙醋=10:1)將殘渣純化，獲得化合物(T-36)(16.1g;93%)。[040引第3工序[0409]使用化合物(T-36)(16.1g)作為原料，利用與實施例1的第2工序相同的方法獲得化合物(T-37)(13.7g;88%)。[0410]第4工序[0411]使用化合物(T-37)(13.7g)作為原料，利用與實施例1的第3工序相同的方法獲得化合物(T-38)(11.0g;75%)。[0412]第5工序[0413]使用化合物(T-38)(6.00g)作為原料，利用與實施例1的第4工序相同的方法獲得化合物(T-39)(6.09g;99%)。[0414]第6工序[0415]使用化合物(Τ-39)(6.09g)作為原料，利用與實施例1的第5工序相同的方法獲得化合物(T-40)(5.48g;90%)。[0416]第7工序[0417]使用化合物(T-40)(5.48g)作為原料，利用與實施例1的第9工序相同的方法獲得化合物(S-1-l)(1.03g;19%)。[041引化學位移δ(ppm;CDCl3):7.03(d，J=5.細z，lH)、6.89(d，J=6.2Hz，lH)、3.87(d，J=6.4Hz，2H)、3.84(s，2H)、2.67(t，J=7.3Hz，2H)、1.97-1.90(m，2H)、1.88-1.77(m，3H)、1.72-1.63(m,2H)、1.36-1.16(m，9H)、l.15-1.02(m，2H)、l.01-0.86(m，8H).[0419]化合物(No.S-1-1)的物性如下。此外，上限溫度、光學各向異性、介電常數各向異性及粘度的測定中，使用化合物與母液晶的比例為3重量％:97重量％的試樣。[0420]轉變溫度:C157I.[0421]上限溫度(Tni)=97.9°C;光學各向異性（Δη)=0.147;介電常數各向異性（Δε)=-13.1;粘度(11)=98.9111?曰《3.[0422]若將實施例1~實施例6中獲得的化合物（1-2-5)、化合物（1-2-6)、化合物（1-2-15)、化合物（1-2-41)、化合物（1-2-22)及化合物（1-2-52)與比較化合物(S-1-1)的相轉變溫度加W比較，則化合物（1-2-5)、化合物（1-2-6)、化合物（1-2-15)、化合物（1-2-41)、化合物（1-2-22)及化合物（1-2-52)的烙點較低。另外，化合物（1-2-5)、化合物（1-2-6)、化合物(1-2-15)、化合物（1-2-22)及化合物（1-2-52)在降溫過程中顯現出液晶相，相對于此，比較化合物(S-1-1)因高結晶性的影響未顯現出液晶相。[0423]進而，若將化合物（1-2-5)、化合物（1-2-6)、化合物（1-2-15)、化合物（1-2-41)、化合物（1-2-22)及化合物（1-2-52)與比較化合物（S-1-1)的和其他化合物的相容性加W比較，則化合物（1-2-5)、化合物（1-2-6)、化合物（1-2-15)及化合物（1-2-22)可相對于母液晶增加10%，相對于此，比較化合物（S-1-1)僅可增加3%。根據W上結果得知，化合物（1-2-5)、化合物（1-2-6)、化合物（1-2-15)、化合物（1-2-41)、化合物（1-2-22)及化合物（1-2-52)為具有較低的烙點與較高的相容性，且可在更廣的溫度范圍下使用的優異的化合物。[0424]1-2.組合物(1)的實施例[0425]通過實施例對本發明的液晶組合物（1)進行詳細說明。實施例中的化合物是根據下述表2的定義由記號來表示。表1中，關于1,4-亞環己基的立體構型為反式。實施例中，記號后的括號內的編號與化合物的編號相對應。（-)記號是指其他液晶性化合物。液晶性化合物的比例（百分率)為基于液晶組合物的總重量的重量百分率(重量％)。最后，將組合物的物性值匯總。物性是按照上文記載的方法來測定，且不將測定值外推而直接記載。[04%]表1.使用記號的化合物的表述方法R-(Al)-Ζ廣.....-Zn-(An)-R'[0427][042引[實施例7]5-H化F4-3Π-2-5)3%3-ΗΒ-02(13-5)10%5-HB-CL(2-2)13%3-HBB(F，F)-F(3-24)7%3-PyB(F)-F(2-15)10%[0429]5-PyB(F)-F(2-15)10%3-PyBB-F(3-HO)10%4-PyBB-Ff3-80)10%5-PyBB-F(3-80)10%5-HBB(F)B-2(15-5)10%5-HBB(F)B-3(15-5)7%[0430]NI=94.9°C；Δη=0.188；Δε=7.6；n=41.ImPa·s.[0431][實施例引5-H化F4-4(1-2-6)3%2-HB-C(5-1)5%3-HB-C(5-1)12%3-HB-02(13-5)15%2-BTB-i(13-10)3%3-HHB-F(3-1)4%3-HHB-l(14-1)8%[0432]3-HHB-Ol(14-1)5%3-HHB-3(14-1)14%3-HHEB-F(3-10)4%5-HHEB-FC3-10)4%2-HHB(F)-F(3-2)4%3-HHB(F)-F(3-2)7%5-HHB(F)-F(3-2)7%3-HHB(F,F)-F(3-3)5%[0433]NI=100.6°C；Δη=0.102；Δε=4.1；n=20.6mPa·s.[0434][實施例9]5-HFLF4-2V(1-2-15)3%5-HB-CL(2-2)16%3-HH-4i13-1)12%[0435]3-HH-5(13-1)4%3-HHB-F(3-1)4%3-HH巨-CL(3-1)3%4-HHB-CL(3-1)4%3-HHB(巧-F(3-2)10%4-HHB(F)-F(3-2)9%5-HHB(F)-F(3-2)9%7-HHB(F)-F(3-2)8%5-HBB(F)-F(3-23)4%[04；36]lOl-HBBH-5(15-1)3%3-HHBB(F，F)-F(4-6)2%5-HHBB(F,F)-F(4-6)3%3-HH2BB(F,F)-F(4-15)3%4-HH2BB(F,F)-F(4-15)3%[0437]NI=112.rC；Δη=0.091；Δε=3.2；n=20.OmPa·s.[043引[實施例10]3-DhFLF4-5(1-2-41)3%3-HHB(F，F)-F(3-3)9%3-H2HB{F.F)-F(3-15)8%4-H2HB(F,F)-F(3-15)8%5-H2HB{F,F)-F(3-15)8%「13-HBB(F.FVF(3-24)21%[0439]'5-HBB(F,F)-F(3-24)20%3-H2BB(F.F)-F(3-27)10%5-HHE區B-F(4-17)2%3-HH2BB(F，F)-F(4-15)3%lOI-HBBH-4()5-))4%lOl-HBBH-5(15-1)4%[0440]NI=93.8°C；Δη=0.115；Δε=8.3；n=36.7mPa·s.[0441]在所述組合物100重量份中添加了0.25重量份的化合物(Op-05)時的節距為64.3μΓΠ〇[04創[實施例11]5-CWLF4-3Cl-2-22)3%5-HB-F(2-2)12%6-HB-F(2-2)9%7-HB-F(2-2)7%2-HHB-OCF3(3-1)7%3-HHB-OCF3(3-1)7%[0443]4-HHB-OCF3(3-1)7%5-HHB-OCF3(3-1)5%3-HH2B-OCF3(3-4)4%5-HH2B-OCF3(3-4)4%3-HHB(F.F)-OCF2H(3-3)4%3-HHB(F，F)-OCF3(3-3)5%3-HH2B(F)-F(3-5)3%3-HBB(F)-F(3-23)8%[0444]5-HBB(F)-F(3-23)9%5-HBBH-3(15-1)3%3-HB(F)BH-3(15-2)3%[0445]NI=85.7°C；Δη=0.094；Δε=3.9；n=16.9mPa·s.[0446][實施例12]5-H2FLF4-3(1-2-巧>五％5-HB-CL(2-2)11%3-HH-4(13-1)8%3-HHB-!(14-1)5%3-HHB(F,F)-F(3-3)8%3-HBB(F,F)-F(3-24)20%5-HBB(F.FVF(3-24)15%[0447]3-HHEB(F,F)-F(3-12)10%4-HHnB(F.F)-F(3-12)3%5-HHEB(F,F)-F(3-12)3%2-HBCB(F,F)-F(3-39)3%3-HBEB(F,F)-F(3-39)5%5-H區CB(F.F)-F(3-39)3%3-HHBB{F,F)-F(4-6)3%[0448]NI=77.4°C；Δη=0.104；Δε=8.0；n=23.3mPa·s.[0449][實施例1引5-dhFLF4-3(1-2-4紛3%3-HB-C'L(2-2)6%5-HB-CLi2-2)4%3-HHB-OCF3(3-1)5%3-H2HB-OCF3(3-13)5%5-H4HB-OCF3(3-19)15%V-HHB(F)-F(3-2)5%3-HHB{F)-Ff3-2)5%[0450],、5-HHB(巧-F(3-2)5%3-H4HB{F,F)-CF3(3-21)5%5-H4HB(F,F)-CF3i3-21)10%5-H2HB(F,F)-F(3-15)5%5-H4HB{F,F)-F(3-21)7%2-H2BB(F)-F(3-26)5%3-H2Bf3(F)-F(3J6)10%3-HBEB(F.F)-Ff3-39)5%[045U[實施例14]5-B(F)FLF4-3(1-2-37)3%5-HB-CL.(2-2)3%7-HB(F)-F(2-3)7%3-HH-4(13-1)9%3-HH-CMef13-2)20%3-HHEB-F(3-10)8%5-HHEB-F(3-10)8%[0452]3-HHEB(F,F)-F(3-12)10%4-HHEB(F，F)-F(3-12)5%4-HGB(F,F)-F(3-103)5%5-HGB(F.F)-F(3-103)6%2-H2GB(F，F)-F(3-106)4%3-H2GB{F,F)-Ff3-106)5%5-GHB(F.F)-F(3-109)7%[0做][實施例1引4-FLF4-3(1-1-D3%1V2-B1ZB(F.F)-CC5-15)6%3-HB-C(5-1)1S%2-BTB-l(13-10)!()%5-HH-VFF(13-1)30%[0454]3-HHB-l(14-1)4%VFF-HHB-1(14-1)S%VFF2-HHB-1(14-1)S%3-H2BTB-2(14-1巧5%3-Η2Β?Β-3C14-17)4%3-H2BTB-4(14-17)4%[045引[實施例16]5-H化F4H-3f1-3-1)3%5-HB(F)B(F，F：iXB(F，F)-F(4-41)5%3-BB(F)B(F，F)XB(F，F)-F(4-47)3%4-BB(F)B(F,F)XB(F.F)-F(4-47)7%5-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F(4-47)3%[0456]3-HH-V()3-))41%3-HH-Vl(13-1)7%3-HHB-!(14-1)4%V-HHB-I(14-1)5%V2-BB(F)B-i(14-6)5%1V2-BB-F(2-J)3%3-BB(F.F)XB(F，F)-F(3-97)11%[0457]、3-HHBB(F，F)-F(4-6)3%[045引[實施例17]5-HHFLF4-3(1-4-1)3%3-GB(F)B(F,F)XB(F.,F)-F(4-57)5%3-BB(F)B(F:F)XB(F.F)-F(4-47)3%4-區B(F)B(F，F)XB(F，F)-F(4-47)7%5-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F(4-47)3%3-HH-V(13-1)41%3-HH-Vl(13-1)7%[0459]3-HH區-i(14-1)4%V-HH區-I(14-1)5%V2-BB(F)B-1(14-6)5%IV2-區B-F(2-1)3%3-BB(F,F)XB(F.F)-F(3-97)6%3-GB(F,F)XB(F,F)-F(3-113)5%3-HHBB(F,F)-F(4-6)3%[0460]工業上的可利用性[0461]本發明的液晶性化合物對熱、光等的穩定性高、透明點高、液晶相的下限溫度低、粘度小、光學各向異性適當、負的介電常數各向異性大、彈性常數適當、與其他液晶化合物的相容性優異。本發明的液晶組合物含有所述化合物，且向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、粘度小、光學各向異性適當、負的介電常數各向異性大及彈性常數適當。該組合物關于至少兩個物性而具有適當的平衡。本發明的液晶顯示元件含有所述組合物，且元件的可使用溫度范圍廣、響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大及壽命長。因此，該元件可廣泛地用于個人計算機、電視等的顯示器。【主權項】1.一種式(1)所表示的化合物，式⑴4,R1及R2獨立地為碳數1~15的烷基或碳數2~15的烯基，該些基團中，至少一個氫可經鹵素取代；環A1、環A2及環A3獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己烯基、1，4-亞苯基、至少一個氫經鹵素取代的1，4-亞苯基或四氫吡喃-2，5-二基；21、22及23獨立地為單鍵、-(012)2-、-01=01-、-(：=(：-、-〇卩=〇卩-、-(012)4-、-01=01-(CH2)2-或-(CH2)2-CH=CH-;a、b及c獨立地為O或l，a、b及c的和為0、1或2。2.根據權利要求1所述的化合物，其中，式（1)中，R1及R2獨立地為碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基、至少一個氫經氟取代的碳數1~10的烷基或至少一個氫經氟取代的碳數2~10的烯基，Z1、Z2及Z3獨立地為單鍵、-(CH2)2-、-CH=CH-、-(CH2)4_、-CH=CH-(CH2)2-或-(CH2)2-CH=CH-O3.根據權利要求1所述的化合物，其是由式（1-1)~式（1-4)的任一個所表示，式(1-1)~式(1-4)中，R1及R2獨立地為碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基或至少一個氫經氟取代的碳數1~10的烷基；環A1、環A2及環A3獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己烯基、1，4-亞苯基、至少一個氫經氟取代的1，4-亞苯基或四氫吡喃-2，5-二基；Z1為單鍵、-(CH2)2-或-CH=CH-;Z2為單鍵、-(Qfe)2_、_(Qfe)4_或-CH=CH-(Qfe)2_;Z3為單鍵、-(CH2)2_、_(CH2)4_或_(CH2)2_CH=CH-。4.根據權利要求1所述的化合物，其是由式(1-5)~式(1-12)的任一個所表示，式(1-5)~式(1-12)中，R1及R2獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的烯基；環A1、環A2及環A3獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己烯基、1，4-亞苯基、至少一個氫經氟取代的1，4-亞苯基或四氫吡喃-2，5-二基。5.根據權利要求1所述的化合物，其是由式(1-13)~式(1-22)的任一個所表示，式（1-13)~式（1-22)中，R1及R2獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的烯基;L1及L2獨立地為氫或氟。6.根據權利要求1所述的化合物，其是由式(1-23)~式(1-25)的任一個所表示，式(1-23)~式(1-25)中，R1及R2獨立地為碳數1~7的烷基或碳數2~7的烯基。7.-種液晶組合物，其含有至少一種根據權利要求1至6中任一項所述的化合物。8.根據權利要求7所述的液晶組合物，其還含有選自式（2)~式(4)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物，式(2)~式(4)中，R11為碳數1~10的烷基或碳數2~10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一個氫可經氟取代，至少一個-CH2-可經-O-取代；X11為氟、氯、-OCF3、-OCHF2、-CF3、-CHF2、-CH2F、-OCF2CHF2或-OCF2CHFCf3;環B1、環B2及環B3獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞苯基、2-氟-1，4-亞苯基、2,5-二氟-1，4-亞苯基、四氫吡喃-2，5-二基、1，3-二噁烷-2，5-二基或嘧啶-2，5-二基；Z11、Z12及Z13獨立地為單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CEC-、-COO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-或_(CH2)4-;L11及L12獨立地為氫或氟。9.根據權利要求7或8所述的液晶組合物，其還含有選自式(5)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物，式(5)中，R12為碳數1~10的烷基或碳數2~10的烯基，烷基及烯基中，至少一個氫可經氟取代，至少一個-CH2-可經-O-取代；X12為-CeN或-CeC-CeN;環C1為1，4_亞環己基、I，4_亞苯基、2-氟-I，4_亞苯基、2,5_二氟-1，4_亞苯基、四氫吡喃-2，5-二基、1，3-二噁烷-2，5-二基或嘧啶-2，5-二基；Z14為單鍵、-CH2CH2-、-C=C-、-COO-、-CF2O-、-OCF2-或-CH2O-;L13及L14獨立地為氫或氟；i為1、2、3或4。10.根據權利要求7至9中任一項所述的液晶組合物，其還含有選自式(6)~式（12)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物，式(6)~式(12)中，R13及R14獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一個-CH2-可經-O-取代；R15為氫、氟、碳數1~10的烷基或碳數2~10的烯基，所述烷基及烯基中，至少一個-CH2-可經-0-取代，至少一個氫可經氟取代；S11為氫或甲基；X為-CF2-、-O-S-CHF-;環D1、環D2、環D3及環D4獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己烯基、至少一個氫可經氟取代的1，4-亞苯基，四氫吡喃-2，5-二基或十氫萘-2，6-二基；環D5及環D6獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞環己烯基、1，4-亞苯基，四氫吡喃-2，5-二基或十氛蔡_2，6_二基；Z15、Z16、Z17及Z18獨立地為單鍵、-CH2CH2-、-COO-、-CH2O-、-OCF2-或-OCF2CH2CH2-;L15及L16獨立地為氟或氯；」_、讓、111、114、9、1'及8獨立地為0或1，1^、111、11及。的和為1或2,9、1'及8的和為0、1、2或3,1:為1、2或3。11.根據權利要求7至10中任一項所述的液晶組合物，其還含有選自式（13)~式（15)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物，式(13)~式(15)中，R16及R17獨立地為碳數1~10的烷基或碳數2~10的烯基，所述烷基或烯基中，至少一個-CH2-可經-0-取代，至少一個氫可經氟取代；環E1、環E2、環E3及環E4獨立地為1，4-亞環己基、1，4-亞苯基、2-氟-1，4-亞苯基、2，5-二氟-1，4-亞苯基或嘧啶-2，5-二基；Z19、Z2°及Z21獨立地為單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CeC或-C00-〇12.根據權利要求7至11中任一項所述的液晶組合物，其還含有能夠聚合的化合物、光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、熱穩定劑及消泡劑中的至少一種。13.-種液晶顯示元件，其含有根據權利要求7至12中任一項所述的液晶組合物。【文檔編號】C09K19/34GK106029616SQ201580009980【公開日】2016年10月12日【申請日】2015年2月4日【發明人】田中裕之,平田健治,矢野匡,矢野匡一【申請人】捷恩智株式會社,捷恩智石油化學株式會社