一種耐污防靜電離型膜的制作方法
【專利摘要】本發明所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，包括基膜層，基膜層上設置有離型層，離型層由離型劑涂覆而成，離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂：10?20份；聚對苯二甲酸乙二醇酯：15?30份；納米二氧化硅：0.5?4份；納米二氧化鈦：2?6份；導電聚合物：3?8份；低表面張力助劑：0.1?0.6份；偶聯劑：1?3.5份；消泡劑：0.5?1.5份；溶劑：18?40份。所述耐污防靜電離型膜，使得到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產生粘連；同時添加有納米二氧化鈦及低表面張力助劑，能夠分解附著在離型膜表面的油污，增強離型膜的耐污性能。
【專利說明】
一種耐污防靜電離型膜
技術領域
[0001] 本發明涉及一種離型膜，特別涉及一種耐污防靜電離型膜。
【背景技術】
[0002] 離型膜又稱防粘膜，是以聚對苯二甲酸乙二醇酯塑料(簡稱PET)、雙向拉伸聚丙烯 薄膜塑料（簡稱Β0ΡΡ)、聚乙烯塑料（簡稱PE)、碳酸酯塑料（簡稱PC)、聚苯乙烯塑料（簡稱 PS)、聚丙烯塑料(簡稱CPP)為基材制作的一種表面具有低表面能的特性的材料。將緊鄰的 黏膠從離型面剝離時，可以輕易剝離或移取離型材料，而不傷害黏膠物性。離型膜的特點是 表面平整、潔凈度高，后續加工尺寸穩定，透明度及顏色可調整，薄膜的厚度與基材的種類 可選擇的范圍廣。利用離型膜這些特點可以向光學與電子領域的零部件的深加工發展，從 而適應這一領域越來越多的自動化生產工藝過程，目前，離型膜能夠廣泛應用于覆銅板、印 刷電路板、電子膠黏劑等領域。
[0003] 離型膜包含基材膜和離型層。基材膜表面至少一面設置有離型層，以提供較低的 表面能量。基材膜多采用紙、塑料薄膜作為材料，離型層主要采用硅混合物構成。一般多用 于產業用粘著帶或者膠粘帶等的，對離型膜的性能要求較低，只需要其具有高密著性和殘 留膠粘率，但是隨著工業領域的迅速發展，離型膜的使用范圍越來越廣，對其其他性能也有 了一定要求。
[0004] 然而，現有的離型膜大多耐污染性能差，進而影響離型膜的使用和存儲，導致與粘 著帶或者膠粘帶等的分離效果不佳，因此需要一種具有耐污性能的離型膜。
【發明內容】
[0005] 為解決上述存在的問題，本發明的目的在于提供一種耐污防靜電離型膜。所述耐 污防靜電離型膜，各組分相互配合，使得得到的離型層能夠均勻涂布于基膜層上，進而使得 到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產生粘連；同時添加有納米二氧化鈦及 低表面張力助劑，納米二氧化鈦具有優異的光催化性能，能夠分解附著在離型膜表面的油 污，增強離型膜的耐污性能;此外還添加有導電聚合物，賦予離型膜優良的防靜電性能，避 免灰塵及污染物靜電吸附在離型膜表面。
[0006]為達到上述目的，本發明的技術方案是：
[0007] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂：10-20份;聚 對苯二甲酸乙二醇酯：15-30份；納米二氧化硅:0.5-4份；納米二氧化鈦：2-6份；導電聚合 物:3-8份;低表面張力助劑:0.1-0.6份;偶聯劑：1-3.5份;消泡劑:0.5-1.5份;溶劑：18-40 份。
[0008] 進一步地，所述離型劑包含下述重量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：12_ 18份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：20-30份;納米二氧化硅：1.5-4份;納米二氧化鈦:3-5份；導 電聚合物:5.5-8份;低表面張力助劑:0.2-0.5份;偶聯劑：1-2份;消泡劑:0.8-1.2份;溶劑： 18-30 份。
[0009]進一步地，所述離型劑包含下述重量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：16 份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：22份;納米二氧化硅:3.2份;納米二氧化鈦:4.8份;導電聚合 物:6份;低表面張力助劑:0.4份;偶聯劑:1.5份;消泡劑:1.1份;溶劑:27份。
[0010] 再有，所述基膜層材料為PE、PET、TPX、PMMA、Β0ΡΡ或PS中的任一種。
[0011 ] 且有，所述納米二氧化娃的粒徑為40_200nm。
[0012]另，所述納米二氧化鈦的粒徑為10-100nm。
[0013] 同時，所述導電聚合物為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚苯撐中的任一種。
[0014] 且，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物;所述偶聯劑為硅烷偶聯劑;所述 消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯或聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0015] 本發明的有益效果在于：
[0016] 本發明提供的一種耐污防靜電離型膜，各組分相互配合，使得得到的離型層能夠 均勻涂布于基膜層上，進而使得到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產生粘 連;同時添加有納米二氧化鈦及低表面張力助劑，納米二氧化鈦具有優異的光催化性能，能 夠分解附著在離型膜表面的油污，增強離型膜的耐污性能;此外還添加有導電聚合物，賦予 離型膜優良的防靜電性能，避免灰塵及污染物靜電吸附在離型膜表面。
【具體實施方式】
[0017] 為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合實施例進一步詳 細說明。
[0018] 實施例1
[0019] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂：10份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯：18份;納米二氧化硅:1份;納米二氧化鈦:2份;導電聚合物:3份;低表面 張力助劑:〇. 1份;偶聯劑:1份;消泡劑:〇. 5份;溶劑:18份。
[0020]其中，所述基膜層材料為TPX，所述納米二氧化娃的粒徑為40nm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為30nm，所述導電聚合物為聚吡咯，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯劑為硅烷偶聯劑;所述消泡劑為聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0021] 實施例2
[0022] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂：12份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯：15份;納米二氧化硅:0.5份;納米二氧化鈦:3份;導電聚合物:4份;低表 面張力助劑:〇. 2份;偶聯劑:1.5份;消泡劑:0.8份;溶劑:22份。
[0023]其中，所述基膜層材料為PMMA，所述納米二氧化娃的粒徑為40nm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為l〇nm，所述導電聚合物為聚苯胺，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯劑為硅烷偶聯劑;所述消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯。
[0024] 實施例3
[0025] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂：16份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯:22份;納米二氧化硅:3.2份;納米二氧化鈦:4.8份;導電聚合物:6份;低 表面張力助劑:0.4份;偶聯劑:1.5份;消泡劑:1.1份;溶劑:27份。
[0026]其中，所述基膜層材料為PE，所述納米二氧化娃的粒徑為lOOnm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為50nm，所述導電聚合物為聚吡咯，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯劑為硅烷偶聯劑;所述消泡劑為聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0027] 實施例4
[0028] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂：18份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯:26份;納米二氧化硅:3.8份;納米二氧化鈦:5份;導電聚合物:8份;低表 面張力助劑:〇. 6份;偶聯劑:2份;消泡劑:1.5份;溶劑:33份。
[0029]其中，所述基膜層材料為B0PP，所述納米二氧化娃的粒徑為150nm，所述納米二氧 化鈦的粒徑為l〇〇nm，所述導電聚合物為聚苯胺，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚 物;所述偶聯劑為硅烷偶聯劑;所述消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯。
[0030] 實施例5
[0031] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂:20份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯:30份;納米二氧化硅:4份;納米二氧化鈦:6份;導電聚合物:5份;低表面 張力助劑:〇. 4份;偶聯劑:3.5份;消泡劑:1.2份;溶劑:40份。
[0032]其中，所述基膜層材料為PS，所述納米二氧化娃的粒徑為200nm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為80nm，所述導電聚合物為聚噻吩，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯劑為硅烷偶聯劑;所述消泡劑為聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0033]為了對實施例1-5中一種耐污防靜電離型膜的離型力進行測試，使用FINAT-10,在 各實施例離型膜上附著寬50mm X長175mm的標準帶（TESA7475-丙烯酰氯類）。接著，利用 FINAT-10試驗輥(2Kg載荷），以lOmm/sec的速度往返兩次把標準帶壓緊，用兩塊平整的金屬 板夾住離型膜，一邊加上70g/cm 2的壓力，在大約25°C的溫度下保持20h。之后，卸掉壓力，4h 后把離型膜固定到治具，將標準帶從180°的方向按照300mm/min的速度剝離、測試，反復測 試5次取平均值，結果見表1。
[0034] 利用表面阻抗測試儀器對實施例1-5中一種耐污防靜電離型膜的表面阻抗性能進 行測試，測量標準方法為ASTM-D257，結果見表1。
[0035] 表1實施例1-5中離型膜的性能測試結果
[0036]
[0037] 從上表可知，實施例1-5中耐污防靜電離型膜的表面阻抗皆在105-109 Ω范圍內，表 明該離型膜具備優良的抗靜電能力；同時，各組分相互配合，使得得到的離型層能夠均勻涂 布于基膜層上，進而使得到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產生粘連;此 外添加有納米二氧化鈦及低表面張力助劑，納米二氧化鈦具有優異的光催化性能，能夠分 解附著在離型膜表面的油污，增強離型膜的耐污性能。
[0038]需要說明的是，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制。盡管參照較 佳實施例對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對發明的技術 方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的范圍，其均應涵蓋在本發明的權 利要求范圍中。
【主權項】
1. 一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，包括基膜層，所述基膜層上設置有離型層，所 述離型層由離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質量份數的各組分：乙烯基有機硅樹脂： 10-20份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：15-30份;納米二氧化硅:0.5-4份;納米二氧化鈦:2-6份； 導電聚合物:3-8份;低表面張力助劑:0.1-0.6份;偶聯劑：1-3.5份;消泡劑:0.5-1.5份;溶 劑：18-40 份。2. 根據權利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述離型劑包含下述重 量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：12-18份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：20-30份;納米 二氧化硅：1.5-4份;納米二氧化鈦:3-5份;導電聚合物:5.5-8份;低表面張力助劑:0.2-0.5 份;偶聯劑：1-2份;消泡劑:0.8-1.2份;溶劑：18-30份。3. 根據權利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述離型劑包含下述重 量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：16份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：22份;納米二氧化 硅:3.2份;納米二氧化鈦:4.8份;導電聚合物:6份;低表面張力助劑:0.4份;偶聯劑:1.5份； 消泡劑:1.1份;溶劑:27份。4. 根據權利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述基膜層材料為PE、 PET、TPX、PMMA、BOPP 或 PS 中的任一種。5. 根據權利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述納米二氧化硅的粒 徑為40-200nm。6. 根據權利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述納米二氧化鈦的粒 徑為 10-1 OOnm。7. 根據權利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述導電聚合物為聚乙 炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚苯撐中的任一種。8. 根據權利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述低表面張力助劑為 聚硅氧烷聚醚共聚物;所述偶聯劑為硅烷偶聯劑;所述消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯或聚氧 丙烯聚氧乙烯甘油醚。
【文檔編號】C09D7/12GK105906829SQ201610300864
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月9日
【發明人】於險峰
【申請人】吉翔寶（太倉）離型材料科技發展有限公司