嵌段共聚物的制作方法
【專利摘要】本發明可提供嵌段共聚物及其用途。本發明的嵌段共聚物具有優異的自組裝特性，并因此可有效地應用于多種用途。
【專利說明】
嵌段共聚物
技術領域
[0001] 本申請設及一種嵌段共聚物。
【背景技術】
[0002] 嵌段共聚物具有運樣的分子結構:其中具有化學上彼此不同結構的聚合物亞單元 通過共價鍵連接。嵌段共聚物能夠通過相分離形成周期性排列的結構，例如球形、柱形或層 狀。通過嵌段共聚物的自組裝而形成的結構的區域尺寸可在寬的范圍內調節，并可制備多 種形狀的結構。因此，其可用于通過光刻的圖案形成方法、多種磁記錄介質或新一代納米裝 置(例如金屬點、量子點或納米線）、高密度磁儲存介質等。
【發明內容】
[000引技術目的
[0004] 本申請提供了嵌段共聚物及其應用。
[0005] 技術方案
[0006] 除非另有定義，否則如本文中使用的術語"烷基"可指具有1至20個、1至16個、1至 12個、1至8個、或1至4個碳原子的烷基。烷基可具有線性、支化或環狀結構，并且可任選地被 至少一個取代基取代。
[0007] 除非另有定義，否則如本文中使用的術語"烷氧基"可指具有1至20個、1至16個、1 至12個、1至8個、或1至4個碳原子的烷氧基。烷氧基可具有線性、支化或環狀結構，并且可任 選地被至少一個取代基取代。
[000引除非另有定義，否則如本文中使用的術語"締基或烘基"可指具有2至20個、2至16 個、2至12個、2至8個、或2至4個碳原子的締基或烘基。締基或烘基可具有線性、支化或環狀 結構，并且可任選地被至少一個取代基取代。
[0009] 除非另有定義，否則如本文中使用的術語"亞烷基"可指具有1至20個、1至16個、1 至12個、1至8個、或1至4個碳原子的亞烷基。亞烷基可具有線性、支化或環狀結構，并且可任 選地被至少一個取代基取代。
[0010] 除非另有定義，否則如本文中使用的術語"亞締基或亞烘基"可指具有2至20個、2 至16個、2至12個、2至8個、或2至4個碳原子的亞締基或亞烘基。亞締基或亞烘基可具有線 性、支化或環狀結構，并且可任選地被至少一個取代基取代。
[0011] 除非另有定義，否則如本文中使用的術語"芳基或亞芳基"可為衍生自W下的一價 或二價取代基:包含一個苯環結構或者其中至少兩個苯環W共享一個或兩個碳原子或通過 任選的連接基團連接的結構的化合物，或此化合物的衍生物。除非另有定義，否則芳基或亞 芳基可為具有6至30個、6至25個、6至21個、6至18個、或6至13個碳原子的芳基。
[0012] 如本文中使用的術語"芳族結構"可指芳基或亞芳基。
[0013] 除非另有定義，否則如本文中使用的術語"脂環族結構"可指不為芳族環狀結構的 環狀控結構。除非另有定義，否則脂環族結構可為具有3至30個、3至25個、3至21個、3至18 個、或3至13個碳原子的結構。
[0014] 如本文中使用的術語"單鍵"可指其中在相應位置沒有原子的情況。例如，其中在 由"A-B-C"表示的結構中"B"是單鍵的情況意指在"B"位置沒有原子，并因此由"A-C'表示的 結構通過"A"直接與連接而形成。
[0015] 可任選地取代烷基、締基、烘基、亞烷基、亞締基、亞烘基、烷氧基、芳基、亞芳基、 鏈、芳族結構等的取代基可為徑基、面原子、簇基、縮水甘油基、丙締酷基、甲基丙締酷基、丙 締酷氧基、甲基丙締酷氧基、硫醇基、烷基、締基、烘基、亞烷基、亞締基、亞烘基、烷氧基或芳 基，但不限于此。
[0016] 本申請的示例性嵌段共聚物可包含由下式1表示的嵌段：
[0017] [式 1]
[0018
[0019] 在式1中，&可W是單鍵、氧原子、硫原子、-s(=0)2-、亞烷基、亞締基、亞烘基瓜至 Rs可各自獨立地為氨、具有1至8個碳原子的烷基、或具有9個或更多個成鏈原子的直鏈，并 且Ri至化中的至少一個可為具有9個或更多個成鏈原子的直鏈。
[0020] 在一個實施方案中，式1的X2可W是單鍵或氧原子;或者可W是單鍵，但不限于此。
[0021] 在式1中，扣至1?5可各自獨立地為氨、具有1至8個碳原子的烷基、或者包含9個或更 多個成鏈原子的直鏈。扣至化中的至少一個可為包含9個或更多個成鏈原子的直鏈。
[0022] 在一個實施方案中，在Ri至R日中，Ri、R2、R4和R日可各自獨立地為氨或具有1至8個碳 原子的烷基;或者可各自獨立地為氨或具有1至4個碳原子的烷基;或可為氨;并且R3可為具 有9個或更多個成鏈原子的直鏈。
[0023] 如本文中使用的術語"成鏈原子"是指形成某一鏈的線性結構的原子。所述鏈可具 有線性或支化結構;然而，成鏈原子的數目僅W形成最長直鏈的原子的數目計算。因此，在 其中成鏈原子是碳原子的情況下，其他原子(例如與碳原子連接的氨原子等)不計入成鏈原 子的數目。此外，在支鏈的情況下，成鏈原子的數目是形成最長鏈的原子的數目。例如，鏈為 正戊基，所有的成鏈原子是碳原子且其數目為5。如果鏈是2-甲基戊基，所有的成鏈原子也 為碳原子且其數目為5。成鏈原子可W是碳、氧、硫或氮等，并且合適的成鏈原子可W是碳、 氧或氮;或者碳或氧。成鏈原子的數目可為8或更多、9或更多、10或更多、11或更多、或者12 或更多。成鏈原子數可為30或更少、25或更少、20或更少、或者16或更少。
[0024] 式1的單元使得嵌段共聚物能夠顯示出優異的自組裝特性。
[0025] 在一個實施方案中，鏈可為線性控鏈，如線性烷基。在運種情況下，所述烷基可為 包含9個或更多個、9至30個、9至25個、9至20個、或9至16個碳原子的烷基。烷基的碳原子中 的至少一個碳原子可任選地被氧原子取代，并且烷基的至少一個氨原子可任選地被另外的 取代基取代。
[0026] 任選地，線性控鏈可包含至少一個雜原子。所述雜原子可W是氧原子或氮原子。
[0027] 鏈可為例如烷基、烷氧基或烷氧基烷基。在運種情況下，烷基、烷氧基或烷氧基燒 基中的碳原子和氧原子的數目可為9或更多、9至30、9至25、9至20、或9至16。
[0028] 可與第一嵌段一起包含在嵌段共聚物中的另一種嵌段(在下文中，可稱為"第二嵌 段"）沒有特別限制。
[0029] 例如，第二嵌段可為聚乙締化咯燒酬嵌段、聚乳酸嵌段、聚乙締化晚嵌段、聚苯乙 締嵌段(如聚苯乙締嵌段或聚=甲基甲娃烷基苯乙締）、聚環氧燒嵌段(如聚環氧乙燒嵌段） 或聚締控嵌段(如聚乙締嵌段或聚異戊二締嵌段或聚下二締嵌段）。
[0030] 在一個實施方案中，第二嵌段可由下式2表示。
[0031] 嵌段共聚物可還包含可由下式2表示的第二嵌段。
[0032] [式 2]
[0033]
[0034] 在式2中，Ri可W是氨或烷基，并且化可W是烷基。
[0035] 在一個實施方案中，式2的Ri可W是氨或具有1至4個碳原子的烷基;或者可W是氨 或甲基;或可W是甲基。
[0036] 在一個實施方案中，式2的R2可W是包含1至20個、1至16個、1至12個、1至8個、或1 至4個碳原子的烷基。
[0037] 用于制備嵌段共聚物的具體方法沒有特別限制，只要其包括通過使用能夠形成嵌 段的單體形成嵌段共聚物的至少一個嵌段的步驟即可。
[0038] 例如，可使用單體通過活性自由基聚合反應化RP)制備嵌段共聚物。例如，存在W 下方法:例如陰離子聚合反應，其中在無機酸鹽(如堿金屬鹽或堿±金屬鹽)的存在下，通過 使用有機稀±金屬配合物或有機堿金屬化合物作為聚合引發劑合成嵌段共聚物；陰離子聚 合反應，其中在有機侶化合物的存在下，通過使用有機堿金屬化合物作為聚合引發劑合成 嵌段共聚物；使用原子轉移自由基聚合劑作為聚合控制劑的原子轉移自由基聚合反應 (ATRP);電子轉移再生活化劑(ARGET)的原子轉移自由基聚合反應ATRP，使用原子轉移自由 基聚合劑作為聚合控制劑，在產生電子的有機或無機還原劑的存在下進行聚合反應；引發 劑持續再生活化劑（ICAR)的原子轉移自由基聚合反應ATRP;使用無機還原劑作為可逆加 成-開環鏈轉移劑的可逆加成-開環鏈轉移(RAFT)聚合反應；W及使用有機蹄化合物作為引 發劑的方法，合適的方法可選自上述方法。
[0039] 在一個實施方案中，嵌段共聚物可通過包括如下的方法制備:在自由基引發劑和 活性自由基聚合試劑的存在下，通過活性自由基聚合反應使包含能夠形成嵌段的單體的材 料聚合。
[0040] 在嵌段共聚物的制備中，用于形成與由上述單體形成的嵌段一起包含在嵌段共聚 物中的其他嵌段的方法沒有特別限制，并且其他嵌段可考慮到待形成的嵌段種類通過選擇 合適的單體來形成。
[0041] 用于制備嵌段共聚物的方法還可包括使通過上述方法產生的聚合產物在非溶劑 中沉淀。
[0042] 考慮到聚合效率可適當地選擇自由基引發劑的種類而沒有特別限制，并且可使用 偶氮化合物(如偶氮二異下臘(AIBN)或2,2'-偶氮雙-(2,4-二甲基戊臘））或過氧化物化合 物(如過氧化苯甲酯(BPO)或二叔下基過氧化物(DTBP))。
[0043] LRP可在溶劑例如二氯甲燒、1,2-二氯乙燒、氯苯、二氯苯、苯、甲苯、丙酬、氯仿、四 氨巧喃、二氧六環、單甘醇二甲酸(monoglyme)、二甘醇二甲酸、二甲基甲酯胺、二甲亞諷或 二甲基乙酷胺中進行。
[0044] 作為非溶劑，例如，可W使用醇（如甲醇、乙醇、正丙醇或異丙醇）、二醇（如乙二 醇）、或酸化合物(如正己燒、環己燒、正庚燒或石油酸)而沒有限制。
[0045] 由于嵌段共聚物包含通過共價鍵彼此連接的兩個或更多個聚合物鏈，所W其可相 分離。本申請的嵌段共聚物顯示出優異的相分離特性，如果必要的話，可通過微相分離形成 納米尺寸結構。納米尺寸結構的形狀或尺寸可通過嵌段共聚物的尺寸(分子量等)或嵌段的 相對比例來控制。通過相分離形成的結構可包括球形、柱形、螺旋形、層狀和反向結構，并且 形成上述結構的能力可稱為自組裝特性。
[0046] 嵌段共聚物的數均分子量(Mn)可在例如約3，000至300,000的范圍內。如本文中使 用的術語"數均分子量"可指通過GPC(凝膠滲透色譜法)測量的相對于標準聚苯乙締的轉換 值。除非另有定義，否則如本文中使用的術語"分子量"可指數均分子量。在另一個實施方案 中，分子量(Mn)可為例如3000或更高、5000或更高、7000或更高、9000或更高、11000或更高、 13000或更高、或15000或更高。在另一個實施方案中，分子量(Mn)可為例如250000或更低、 200000或更低、180000或更低、160000或更低、140000或更低、120000或更低、100000或更 低、90000或更低、80000或更低、70000或更低、60000或更低、50000或更低、40000或更低、 30000或更低、或25000或更低。嵌段共聚物的多分散性(Mw/Mn)可在1.01至1.60的范圍內。 在另一個實施方案中，多分散性可為約1.1或更高、約1.2或更高、約1.3或更高、或約1.4或 更局。
[0047] 在上述范圍內，嵌段共聚物可顯示出合適的自組裝特性。考慮到目標自組裝結構， 可控制嵌段共聚物的數均分子量等。
[004引如果嵌段共聚物至少包含第一和第二嵌段，則嵌段共聚物中的第一嵌段(例如，包 含所述鏈的嵌段)的占比可在10摩爾％至90摩爾％的范圍內。
[0049] 本申請設及包含嵌段共聚物的聚合物層。所述聚合物層可用于多種應用。例如，其 可用于生物傳感器、記錄介質如閃存、磁存儲介質或圖案形成方法或電氣器件或電子器件 等。
[0050] 在一個實施方案中，聚合物層中的嵌段共聚物可通過自組裝形成周期性結構，包 括球形、柱形、螺旋形或層狀。
[0051] 例如，在嵌段共聚物中的第一嵌段或第二嵌段或者通過共價鍵與上述嵌段連接的 其他嵌段的一個鏈段中，其他鏈段可形成規則結構，如層狀形式、柱形形式等。
[0052] 本申請還設及通過使用嵌段共聚物形成聚合物層的方法。所述方法可包括在基底 上W自組裝狀態形成包含嵌段共聚物的聚合物層。例如，所述方法可包括通過涂覆等在基 底上形成嵌段共聚物或涂覆溶液(其中，嵌段共聚物在適當的溶劑中稀釋）的層，并且如果 必要的話，然后老化或熱處理所述層。
[0053] 老化或熱處理可基于例如嵌段共聚物的相轉變溫度或玻璃化轉變溫度進行，并且 例如，可在高于所述玻璃化轉變溫度或相轉變溫度的溫度下進行。熱處理的時間沒有特別 限制，并且熱處理可進行約1分鐘至72小時，但是如果必要的話可W改變。此外，聚合物層的 熱處理溫度可為例如l〇〇°C至250°C，但是考慮本文中使用的嵌段共聚物可改變。
[0054] 形成的層可在非極性溶劑和/或極性溶劑中于室溫下老化約1分鐘至72小時。
[0055] 本申請還設及圖案形成方法。所述方法可包括從層合體上選擇性地移除嵌段共聚 物的第一或第二嵌段，所述層合體包含基底和在基底表面上形成且包含自組裝嵌段共聚物 的聚合物層。所述方法可為用于在上述基底上形成圖案的方法。例如，所述方法可包括在基 底上形成聚合物層，選擇性地移除聚合物層中嵌段共聚物的一種嵌段或兩種或更多種嵌 段;然后蝕刻所述基底。通過上述方法，例如，可形成納米尺寸的微圖案。此外，根據聚合物 層中嵌段共聚物的形狀，可通過上述方法形成多種形狀的圖案（如納米棒或納米孔）。如果 必要的話，為了形成圖案，可將嵌段共聚物與另外的共聚物或均聚物混合。可選擇應用于此 方法的基底的種類而沒有特別限制，例如，可使用氧化娃等。
[0056] 例如，根據所述方法，可形成具有高縱橫比的氧化娃納米尺寸圖案。例如，通過在 氧化娃上形成聚合物層，在其中聚合物層中的嵌段共聚物W預定結構形成的狀態下選擇性 地移除嵌段共聚物的任一種嵌段，并且W多種方法(例如，反應性離子蝕刻)蝕刻氧化娃，可 形成多種類型的圖案(如納米棒或納米孔圖案）。此外，根據上述方法，可形成具有高縱橫比 的納米圖案。
[0057] 例如，可形成尺寸為數十納米的圖案，并且運樣的圖案可用于多種用途，包括新一 代信息電子磁記錄介質。
[0化引例如，可通過上述方法形成其中寬度為約3nm至40nm的納米結構(例如，納米線）W 約6nm至SOnm的間距設置的圖案。在另一個實施方案中，可實現其中寬度例如直徑為約3nm 至40nm的納米孔W約6nm至SOnm的間距設置的結構。
[0059] 此外，在此結構中，可形成具有高縱橫比的納米線或納米孔。
[0060] 在此方法中，選擇性地移除嵌段共聚物的任一種嵌段的方法沒有特別限制，并且 例如，可W使用通過對聚合物層照射合適的電磁波(例如，紫外線）W移除相對軟的嵌段的 方法。在運種情況下，紫外照射的條件可根據嵌段共聚物的嵌段的類型確定，并且波長為約 254nm的紫外線可照射1分鐘至60分鐘。
[0061] 此外，紫外照射之后，可用酸處理聚合物層W進一步移除被紫外線降解的鏈段。
[0062] 此外，使用聚合物層(從其中選擇性地移除嵌段)的基底的蝕刻可通過使用CF4/Ar 離子的反應性離子蝕刻并且隨后通過上述方法進行，并且可進一步通過氧等離子體處理從 基底上移除聚合物層。
[0063] 效果
[0064] 本申請可提供嵌段共聚物及其應用。所述嵌段共聚物具有優異的自組裝特性和相 分離，并且必要時可自由地賦予其多種所需的功能。
【附圖說明】
[0065] 圖1至2為聚合物層的AFM圖。
【具體實施方式】
[0066] 在下文中，將參照實施例和比較例對本申請進行詳細說明，但本申請的范圍不限 于W下實施例。
[0067] 1. NM 吩析
[0068] 通過使用包括具有S重共振5mm探針的Varian Unity Inova(SOOMHz)波譜儀的 NMR波譜儀，在室溫下進行醒R分析。將待分析的樣品在用于醒R分析的溶劑(CDCl3)中稀釋 至約1 Omg/ml的濃度后使用，并且化學位移(S) Wppm表示。
[0069] < 縮寫〉
[0070] br=寬信號，S =單峰，d =二重峰，dd =雙二重峰，t = S重峰，dt =雙S重峰，q = 四重峰，P =五重峰，m =多重峰。
[0071] 2. GPC(凝膠滲透色譜）
[0072] 數均分子量和多分散性通過GPC(凝膠滲透色譜)測量并且測量條件如下。
[0073] <GPC測量條件〉
[0074] 裝置：來自Agilent technologies,Co.的 1200系列
[0075] 柱：使用兩根來自化Iymer laboratories,Co.,的化gel mixed B
[0076] 溶劑:THF
[0077] 柱溫:35°C
[007引樣品濃度：lmg/mL，注射200L
[00 巧]標準樣品：聚苯乙締(Mp:3900000、723000、316500、52200、31400、7200、3940、485)
[0080] 將實施例或比較例的待測量的嵌段共聚物或大分子引發劑置于5mL小瓶中，然后 用THF稀釋至約Img/血的濃度。然后，將用于校正的標準樣品和待分析的樣品通過注射器過 濾器（孔徑：〇.45叫1)過濾并且然后進行分析。使用來自Agi lent technologies ,Co.的 化emStation作為分析程序。通過將樣品的洗脫時間與校正曲線進行比較獲得了數均分子 量(Mn)和重均分子量(Mw),并且然后由其比(Mw/Mn)獲得了多分散性(PDI)。
[0081] 制備例1.對十二烷基苯乙締(A)的合成
[0082] 如下合成對十二烷基苯乙締。通過如下制備格氏試劑:將4-漠苯乙締（5.Og,27.3 毫摩爾）和Mg屑（0.664g，27.31毫摩爾)置于1 OOmL燒瓶中；將其溶解在30mL除去水的四氨巧 喃中；添加少量艦作為催化劑;并且然后通過在氮氣下于室溫下攬拌約6小時使其反應。將 1-漠十二燒放入另一個IOOmL燒瓶中，并且然后在(TC下緩慢添加上述合成的格氏試劑。然 后，向其中添加四氯合銅（II)酸二裡溶液(8.2mL，0.82毫摩爾），將燒瓶加熱至室溫并通過 攬拌3小時使混合物反應。反應之后，除去四氨巧喃，并使用己燒作為流動相將目標化合物 在柱色譜中純化，并由此獲得了透明液態目標化合物(2.54g，9.32毫摩爾）。
[0083] <NMR分析結果〉
[0084] ^-NMR(CDCl3):d7.33(dd,2H)；d7.14(dd,2H)；56.70(dd,lH)；d5.71(d,lH)；d5.18 (d,lH)；d2.59(t,2H)；dl.60(p,2H)；dl.31-1.26(m,18H)；d0.89(t,3H)
[0085] 制備例2.對十二烷氧基甲基苯乙締(B)的合成
[0086] 如下合成對十二烷氧基甲基苯乙締（B)。在SOOmL燒瓶中，將4-氯甲基苯乙締 (22. Ig，144.8毫摩爾）和1-十二燒醇(30.0 g，160.1毫摩爾）溶解在300mL四氨巧喃中，并且 然后冷卻至〇°C。向其中添加氨化鋼(化《(7.7旨，320.8毫摩爾）；通過攬拌1小時使混合物反 應;將混合物加熱至70°C并且然后反應24小時。反應之后，使反應產物冷卻至室溫，通過使 其與少量水在冰水中反應來除去剩余的氨化鋼，并且然后通過過濾除去固體。除去作為反 應溶劑的四氨巧喃;使用二氯甲燒/二次純化水通過分級萃取收集有機層，并且然后使用己 燒/二氯甲燒作為流動相，通過柱色譜法獲得了透明液態目標化合物(23.9g，79.0毫摩爾）。
[0087] <NMR分析結果〉
[008引 IH-NMR(CDCb):d7.39(dd，2H);d7.30(dd，2H);S6.71(dd，lH);d5.74(d，lH);d5.23 (d，lH);d4.49(s，2H);d3.46(t，2H);dl.61(p，2H);dl.37-1.26(m，l細）；d0.89(t，3H).
[0089] 制備例2.對十二烷氧基甲基苯乙締(B)的合成
[0090] 如下合成對十二烷氧基甲基苯乙締（B)。在SOOmL燒瓶中，將4-氯甲基苯乙締 (22. Ig，144.8毫摩爾）和1-十二燒醇(30.0 g，160.1毫摩爾）溶解在300mL四氨巧喃中，并且 然后冷卻至〇°C。向其中添加氨化鋼(化《(7.7旨，320.8毫摩爾）；通過攬拌1小時使混合物反 應;將混合物加熱至70°C并且然后反應24小時。反應之后，使反應產物冷卻至室溫，通過使 其與少量水在冰水中反應來除去剩余的氨化鋼，并且然后通過過濾除去固體。除去作為反 應溶劑的四氨巧喃;使用二氯甲燒/二次純化水通過分級萃取收集有機層，并且然后使用己 燒/二氯甲燒作為流動相，通過柱色譜法獲得了透明液態目標化合物(23.9g，79.0毫摩爾）。
[0091] <NMR分析結果〉
[0092] ^-NMR(CDCl3):d7.39(dd,2H)；d7.30(dd,2H)；56.71(dd,lH)；d5.74(d,lH)；d5.23 (d，lH);d4.49(s，2H);d3.46(t，2H);dl.61(p，2H);dl.37-1.26(m，l細）；d0.89(t，3H).
[0093] 實施例1
[0094] 通過使甲基丙締酸甲醋與RAFT(可逆加成斷裂鏈轉移）試劑和作為熱引發劑的 AIBN(偶氮二異下臘）反應合成大分子引發劑（數均分子量(Mn) :7000,多分散性（PDI): 1.16)。將合成的大分子引發劑、制備例1中制備的化合物(A)和偶氮二異下臘(AIBN) W重量 比1:70:0.5化分子引發劑:化合物(A) :AIBN)溶解在甲苯(溶劑:20重量％ )中，并且然后在 氮氣下于8(TC下反應16小時，并由此制備了嵌段共聚物。所述嵌段共聚物的數均分子量為 19200且多分散性為1.17。
[00巧]實施例2
[0096] 通過如實施例1中描述的相同的方法合成大分子引發劑(數均分子量(Mn) :8400， 多分散性(PDI): 1.15)，并且然后通過如實施例1中描述的相同的方法制備嵌段共聚物，不 同之處在于使用制備例2中的化合物(B)代替制備例1中的化合物(A)。所述嵌段共聚物的數 均分子量為21900且多分散性為1.19。
[0097] 測試例1
[0098] 通過如下形成聚合物層:通過使用旋涂機，W3000巧m的速度將涂覆溶液(其是通 過將實施例1或2的嵌段共聚物W約1.0重量％的濃度溶解在甲苯中制備的）在娃晶片基底 上涂覆60秒。使所述聚合物層在160°C下經受熱處理1小時，并由此在其表面上獲得納米結 構。通過AFM(原子力顯微鏡)觀察所獲得的納米結構。圖1為實施例1的結果，并且圖2為實施 例2的結果。
【主權項】
1. 一種嵌段共聚物，包含由下式1表示的第一嵌段： [式1]在式1中，Χ2是單鍵、氧原子、硫原子、-s( =0)2-、亞烷基、亞烯基、亞炔基，R^R5各自獨 立地為氫、具有1至8個碳原子的烷基或者具有9個或更多個成鏈原子的直鏈，并且辦至抱中 的至少一個為所述具有9個或更多個成鏈原子的直鏈。2. 根據權利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述X是單鍵或氧原子。3. 根據權利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述直鏈包含9至20個成鏈原子。4. 根據權利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述成鏈原子是碳、氧、氮或硫。5. 根據權利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述成鏈原子是碳或氧。6. 根據權利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述直鏈包含至少一個雜原子。7. 根據權利要求6所述的嵌段共聚物，其中所述雜原子是氧原子。8. 根據權利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述直鏈是烷基、烷氧基或烷氧基烷基。9. 根據權利要求1所述的嵌段共聚物，還包含由下式2表示的第二嵌段： [式2]在式2中，辦是氫或烷基并且R2是烷基。10. 根據權利要求9所述的嵌段共聚物，其中所述式2的辦為具有1至4個碳原子的烷基。11. 根據權利要求9所述的嵌段共聚物，其中所述式2的此為具有1至4個碳原子的烷基。12. -種聚合物層，包含根據權利要求1所述的嵌段共聚物的自組裝產物。13. -種用于形成聚合物層的方法，包括形成包含根據權利要求1所述的嵌段共聚物的 自組裝產物的聚合物層。14. 一種圖案形成方法，包括從層合體上選擇性地移除嵌段共聚物的第一嵌段或不同 于所述第一嵌段的第二嵌段，所述層合體包含基底和在所述基底上形成且包含根據權利要 求1所述的嵌段共聚物的自組裝產物的聚合物層。
【文檔編號】C08F220/10GK105873968SQ201480071864
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年12月8日
【發明人】樸魯振, 金廷根, 李濟權, 尹圣琇
【申請人】株式會社Lg化學