基于疊氮化物的交聯劑的制作方法

基于疊氮化物的交聯劑的制作方法
【專利摘要】本發明提供式(1)化合物、其制備方法、包含這些化合物的溶液、使用該溶液制備器件的方法、可通過該方法獲得的器件及雙疊氮化物型化合物作為交聯劑的用途。
【專利說明】基于疊氮化物的交聯劑
[0001]本發明涉及雙疊氮化物型化合物、其制備方法、包含這些化合物的溶液、使用該溶 液制備器件的方法、可通過該方法獲得的器件及雙疊氮化物型化合物作為交聯劑的用途。 [0002 ]電子器件(例如場效晶體管(FET)器件、發光器件(LED)及光伏打(PV)器件）的制備 通常包括各層的施加及結構化(也稱為圖案化），例如電極的施加及結構化以及半導電層、 介電層及其他層(例如阻擋層)的施加及結構化。
[0003] 通常通過蒸發來施加電極材料，然后通過使用光刻來結構化電極材料層，光刻涉 及施加光致抗蝕層、將光致抗蝕層暴露于使用掩模的輻射下、移除未暴露于輻射下的光致 抗蝕劑、蝕刻所暴露的電極材料以及移除剩余光致抗蝕劑。
[0004] 施加半導電層、介電層及其他層(例如阻擋層）的最方便方式為溶液處理技術，例 如旋涂或印刷。當使用液體處理技術時，欲施加層的溶液不會溶解已存在于器件中的層至 關重要。因此，需要使用不會溶解已存在層的溶劑(所謂的正交溶劑），或使已存在于器件中 的層不可溶或較不溶于欲施加的下一層的溶劑的溶劑。使聚合物層不可溶或較不溶于欲施 加下一層的溶劑的一種方式為交聯該聚合物層。取決于所使用交聯劑，交聯可通過熱處理 或通過輻射處理來引發。輻射處理與熱處理相比的優點在于，通過使用掩模僅交聯聚合物 層的一部分，以使交聯與結構化步驟可組合于一個步驟中。未交聯聚合物可容易地通過使 用適宜溶劑洗滌來移除，而通過熱處理交聯的聚合物層的結構化通常使用光刻來實施，其 涉及如上文所概述用于電極的施加及結構化的一系列步驟。
[0005] 雙疊氮化物型化合物為可通過輻射處理來活化的交聯劑。業內已闡述了電子器件 制備中的若干雙疊氮化物型化合物及其施加。
[0006] Cai,S.X. ；Glenn,D.J. ；Kanskar,M. ；ffybourne,M.N. ；Keana, J.F.W. Chem.Mater. 1994,6,1822-1829闡述了以下雙疊氮化物型化合物
[0008] 含有上述交聯劑的聚苯乙烯混合物評估為深uv及電子束抗蝕劑。
[0009] Yan,M.；Cai,S.X.；ffybourne,M.N.；KeanaJ.F.ff.J.Mater.Chem.1996,6,1249-1252闡述了以下雙疊氮化物型化合物
[0011] 含有上述交聯劑的聚酰亞胺混合物評估為負抗蝕劑。
[0012] Touwslager,F.J.；ffillard,N.P.；Leeuw,D.M.Applied Physics Letters2002, 81,4556闡述了用于自聚（3,4-亞乙基二氧基噻吩）（PEDOT)形成層的石印方法。完全水性方 法基于使用以下雙疊氮化物型化合物的光交聯PED0T
[0014] 施加該技術以制造所有聚合物場效晶體管及集成電路。
[0015] W0 04/100282闡述了形成聚合物器件的方法，其包括以下步驟：（i)將包含聚合物 或低聚物及交聯結構部分的溶液沉積在基板上以形成層，（ii)在一定條件下固化步驟（i) 中所形成的層以形成不可溶交聯聚合物，其特征在于交聯結構部分以介于基于溶液中聚合 物或低聚物及交聯結構部分的重復單元的總摩爾數為〇. 〇5mol %至5mol %范圍內的量存在 于步驟(i)中。聚合物器件包括場效晶體管。交聯結構部分優選在深紫外的窄透射窗中具有 吸收。通常，這將介于200nm至300nm范圍內。W0 04/100282例示了以下交聯結構部分：
[0017] W0 2007/004995闡述了一類交聯化合物，該化合物包括（i)一個或多個氟化芳族 基團及（ii)一個或多個可電離基團，其中該交聯化合物可溶于至少一種極性溶劑中。該類 交聯化合物的通式通過式N3-Ar FZ(R)-N3(I)給出，其中ArFZ包含一個或多個氟化芳族基團， 且R包含一個或多個可電離基團，其中該交聯化合物可溶于至少一種極性溶劑中。W0 2007/ 004995也闡述了形成包含所提供聚合物的器件的方法，該方法包括以下步驟：（i)將來自包 含聚合物及交聯化合物的溶液的膜沉積在基板上，及（ii)在介于l〇〇°C至130°C之間的溫度 下軟烘焙膜;及（i i i)將步驟（i i)中的溶液暴露于波長介于250nm至450nm范圍內的福射下。 例示的為下式的交聯化合物
[0019] 其中X選自 I、PF6、BF4、Cl〇4及CF3C00。
[0020] WO 2009/068884闡述了經支撐聚合物異質結構及制造方法。該異質結構適用于一 系列需要包括光伏打器件及發光二極管器件在內的半導體器件的應用。例如，闡述了包括 以下步驟的方法:制備聚(9,9'_二辛基芴-共-雙-N，N'-(4-丁基苯基)-雙-N，N-苯基-1，4-苯二胺）、聚苯乙烯及以下雙疊氮化物型光交聯劑于甲苯中的溶液，
[0022]將該溶液旋涂在載體上，通過甲基乙基酮處理移除聚苯乙烯，及將剩余樣品暴露 于 UV 光（254nm)下。
[0023] Png,R.-Q.；Chia,P.-J.；Tang,J.-C.；Liu,B-；Sivaramakrishnan S.；Zhou,M.； Khong,S.-H.；Chan,H.S.O.；Burroughes,J.H.；Chua,L.-L.；Friend,R.H.；Ho, P.K.H.Nature Materials 2010,9(2) ,152-152闡述了通常可將位阻雙(氟疊氮苯)混合于 聚合物有機半導體中，以使當暴露于深紫外光(254nm波長)下時發生光交聯。位阻二(氟疊 氮苯)的實例為
[0025]例如，闡述0FET的制備，其包括以下步驟:使用p++_Si背柵極及石印圖案化AU源極-漏極電極來光交聯十八烷基三氯甲硅烷基化熱氧化物柵極介電質上的聚2,5_雙(3-十四烷 基噻吩-2-基)噻吩并[3，2-b ]噻吩)膜。
[0026] W0 2011/068482闡述了具有通式N3-ArF-W(I)的交聯結構部分，其中Ar F包含具有 至少一個比相對于疊氮化物基團的間位氟龐大的非氟取代基的氟化疊氮苯基團，且W包含 吸電子基團。W0 2011/068482也闡述了包含交聯結構部分及任選地聚合物或低聚物的溶 液。W0 2011/068482也闡述了形成聚合物器件的方法，其包括以下步驟：（a)將包含聚合物 或低聚物及交聯結構部分的溶液沉積在基板上以形成層，及(b)固化該層以形成不可溶交 聯聚合物。器件可為聚合物FET器件。例如，W0 2011/068482的實施例3闡述了以下交聯結構 部分
[0028] 上述文獻引文中所闡述的雙疊氮化物型化合物通常在254nm的波長處吸收。
[0029] 然而，在電子器件的制備中，通常將在結構化電極材料層或其他層時使用的光致 抗蝕層暴露于介于300nm至450nm范圍內的波長下，尤其暴露于365nm、405nm或436nm的波長 下，其對應于Hg燈的所謂的i線（365nm)、h線（405nm)及g線（436nm)。因此，將極方便地具有 也在介于300nm至450nm范圍內的波長處吸收、優選在365nm、405nm或436nm的波長或接近這 些波長處具有其吸收最大值的雙疊氮化物型化合物。這將允許使用同一波長制備用于光致 抗蝕層及用于交聯聚合物層的器件，而無需調節光器件的波長或甚至在制備方法期間用適 于交聯聚合物層的輻射器件來替代光器件。
[0030] 因此，本發明的目的提供在介于300nm至450nm范圍內的波長處吸收、且理想地但 不必需地在靠近或接近通常用于光刻中的波長(例如365nm、405nm或436nm)處具有其吸收 最大值的雙疊氮化物型化合物。
[0031 ]該目的通過權利要求1的化合物、權利要求8的方法、權利要求9的溶液、權利要求 12的方法及權利要求15的器件來解決。
[0032]本發明化合物具有下式
[0034] 其中
[0035] a為0、1 或2，
[0036] b為1、2、3或4，
[0037] c 為0或 1，
[0038] d為0、1、2、3或4，
[0039] e為〇、1 或2，
[0040] x為0、1 或2，
[0041] y 為〇、1 或2，
[0042] z為〇、1 或2，
[0043] w為0、1 或2，
[0044] n為0或 1，
[0045] Ar1與Ar2在每次出現時彼此獨立地為芳族或雜芳族結構部分，其可經一個或多個 選自如下的取代基R a取代：Cuo烷基、C5-8環烷基、Cm芳基、5至12員雜芳基、C00R 1' CONR10Rn、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、鹵素、OR1。、SR1。、NR 10Rn、0C0R1。及 NR10CORn，
[0046] 其中R1Q與R11在每次出現時彼此獨立地為H、烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0047] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R aa取 代：苯基、C00R12、CONR12R13、COR 12、S03R12、CN、N〇2、鹵素、OR12、SR 12、NRnR12、0C0R12 及 NR12COR13，
[0048] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R ab 取代:1()烷基、環戊基、環己基、C00R12、CONR12R 13、COR12、S03R12、CN、N02、鹵素、OR 12、SR12、 NR12R13、0C0R 12 及 NR12COR13，
[0049] 其中R12及R13在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，且
[0050] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar1、至少兩個相鄰Ar2及/或 Ar1與Ar 2可另外通過一個或多個1/連接，其中I/為連接結構部分B，
[0051 ] L1及L3在每次出現時彼此獨立地為
[0053] 其中
[0054] R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C5-8環烷基、Cs-m芳基、5至12員雜 芳基、C00R2°、CONR2°R21、C0R2°、S0 3R2°、CN、N〇2或鹵素，
[0055] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為H、烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0056] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基妒取 代：苯基、COOR 22、CONR22R23、COR22、S03R 22、CN、N〇2、鹵素、OR22、SR22、NR22R 23、OCOR22 及 NR22COR23， [0057]其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R c 取代:1()烷基、環戊基、環己基、COOR22、CONR22R 23、COR22、S03R22、CN、N02、鹵素、OR 22、SR22、 NR22R23、OCOR 22 及 NR22COR23，
[0058] 其中R22及R23在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，
[0059]或，若L1或L3為
[0061 ]則R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A，
[0062] L2為連接結構部分A，
[0063]且
[0064] R1及R2在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C 5-8環烷基、C6-M芳基、5至12員雜 芳基、C00R3°、CONR3°R31、C0R3°、S0 3R3°、CN、N〇2、鹵素、0R3°、SR3°、NR 3°R31、0C0R3° 或 NR3°COR31， [0065] 其中R3Q及R31在每次出現時彼此獨立地為H、&-20烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，
[0066] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基#取 代：苯基、COOR 32、CONR32R33、COR32、S03R 32、CN、N〇2、鹵素、OR32、SR32、NR32R 33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0067] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R e 取代:1()烷基、環戊基、環己基、COOR32、CONR32R 33、COR32、S03R32、CN、N02、鹵素、OR 32、SR32、 NR32R33、OCOR 32 及 NR32COR33，
[0068] 其中R32及R33在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基。
[0069]芳族結構部分的實例為CH4芳族結構部分，例如
[0072]雜芳族結構部分的實例為5至14員雜芳族結構部分，例如
[0075] 其中尺^為&―1Q烷基。
[0076] Cl-1Q烷基及Cl-2Q烷基可為支化或直鏈的。Cl-10烷基的實例為甲基、乙基、丁基、異丁 基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、辛基、1，1-二甲基-3,3-二甲基丁基、壬基及 癸基。Cl-20烷基的實例為Cl-l〇烷基、十一烷基、十^烷基、十二烷基、十四烷基、十五烷基、十 八烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基及^十烷基。C3-6烷基的實例為異丙基、叔丁基及異 戊基。
[0077] C5-8環烷基的實例為環戊基、環己基、環庚基及環辛基。
[0078] C6-14芳基的實例為苯基及萘基。
[0079] 5至12員雜芳基的實例為
[0082]鹵素的實例為F、Cl、Br及I。
[0083] L1及L3的實例(其中L1及L 3為
[0085]且R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A)為
[0088] 連接結構部分A的實例為&-1()亞烷基、C2- 1Q亞烯基、C5-8亞環烷基、&-4亞烷基-C5- 8亞 環烷基_&-4亞烷基、&-4亞烷基_亞苯基_&-4亞烷基、C2-4亞烯基-C5-8亞環烷基-C2-4亞烯基及 C2-4亞烯基_亞苯基_C2-4亞烯基，其在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基妒取 代:20 烷基、C5-8 環烷基、C6-W 芳基、5至 12 員雜芳基、C00R4Q、C0NR4QR41、C0R4Q、S0 3R4Q、CN、N〇2、 鹵素、OR4。、SR4()、NR 4()R41、OCOR4。及 NR4()C0R41，
[0089] 其中R4Q及R41在每次出現時彼此獨立地為H、Cm烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0090] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R fa取 代:苯基、C00R42、C0NR42R43、COR 42、S03R42、CN、N〇2、鹵素、OR42、SR 42、NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0091]其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 Rfb 取代:1()烷基、環戊基、環己基、C00R42、C0NR42R 43、COR42、S03R42、CN、N02、鹵素、OR 42、SR42、 NR42R43、0C0R 42 及 NR42C0R43，
[0092] 其中R42及R43在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，且
[0093] 其中&-1()亞烷基Xh亞烷基、C2- 1Q亞烯基、C2-4亞烯基及/或C5-8亞環烷基的一個或 多個CH2基團可經〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、順5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0094] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為1Q烷基。
[0095] 連接結構部分B的實例為可經一個或多個Cm烷基取代的Q-4亞烷基，其中Q-4亞 烷基的一個或多個CH2基團可經〇 = 0、（0 = 0)0、（0 = 0)冊6()、302-順6()、順6()、冊 6()1?61、0或3替 代，
[0096] 其中R6Q及R61在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基。
[0097] &-4亞烷基的實例為亞甲基、亞乙基、亞丙基及亞丁基。Cho亞烷基的實例為&-4亞 烷基以及亞戊基、亞己基、亞庚基、亞辛基、亞壬基及亞癸基。
[0098] C2-4亞烯基的實例為亞甲烯基、亞乙烯基、亞丙烯基及亞丁烯基。C2-1Q亞烯基的實 例為C 2-4亞烯基以及亞戊烯基、亞己烯基、亞庚烯基、亞辛烯基、亞壬烯基及亞癸烯基。
[0099] C5-8亞環烷基的實例為亞環戊基、亞環己基、亞環庚基及亞環辛基。
[0100] 優選地，
[0101] a與e相同且為0或1，
[0102] b為 1、2或 3，
[0103] c 為0或 1，且
[0104] d為0、1、2或 3。
[0105] 更優選地，
[0106] a與e相同且為0或1，
[0107] b為1，
[0108] c 為0或 1，且
[0109] d為0或 1。
[0110] 優選地，
[0111] x與y相同且為0、1或2,且
[0112] z與w相同且為0、1或2。
[0113] 更優選地，
[0114] x與y相同且為0或1，且
[0115] z與w相同且為1或2。
[0116] 最優選地，
[0117] x與y相同且為0，
[0118] 2與界相同且為2。
[0119] 優選地，n為0。
[0120]優選地，Ar1及Ar2在每次出現時彼此獨立地為芳族或雜芳族結構部分，其可經一個 或多個選自如下的取代基Ra取代:&-20烷基、C5-8環烷基、CH4芳基、5至12員雜芳基、C00R 1()、 CONR10Rn、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、鹵素、OR1。、SR1。、NR 10Rn、0C0R1。及 NR10CORn，
[0121 ] 其中R1Q及R11在每次出現時彼此獨立地為H、&-20烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，且
[0122]其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar1、至少兩個相鄰Ar2及/或 Ar1與Ar2可另外通過一個或多個1/連接，其中I/為連接結構部分B。
[0123]更優選地，Ar1及Ar2在每次出現時彼此獨立地為C6-14芳族或5至12員雜芳族結構部 分，其可經一個或多個選自如下的取代基Ra取代:Cho烷基、C5-8環烷基、C 6-14芳基、5至12員 雜芳基、COOR1Q、CONR1QR n、COR1Q、S03R1Q、CN、N〇2、鹵素、0R 1Q、SR1Q、NR1QRn、OCOR1Q 及 NR1QCORn，
[0124] 其中R1Q及R11在每次出現時彼此獨立地為H、Chq烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0125] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar1、至少兩個相鄰Ar2及/或 Ar1與Ar 2可另外通過一個或多個1/連接，其中I/為連接結構部分B。
[0126] 甚至更優選地，Ar1與Ar2相同且為C6-14芳族或5至12員雜芳族結構部分，其可經一 個或多個選自由&- 2〇烷基及0R1()組成的群的取代基Ra取代，
[0127] 其中R1Q在每次出現時彼此獨立地為烷基，且
[0128] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的Ar1與Ar2可另外通過一個或多個1/連接， 其中I/為連接結構部分B，其中該連接結構部分B為可經一個或多個Cho烷基取代的亞烷 基。
[0129] 最優選地，Ar1與Ar2相同且為
[0131] 其可經一個或多個選自由&-1()烷基及0R1()組成的群的取代基Ra取代，
[0132] 其中R1()在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基，且
[0133] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的Ar1與Ar2可另外通過一個或多個1/連接， 其中I/為連接結構部分B，其中該連接結構部分B為經一個或多個Cho烷基取代的亞甲基。
[0134] 優選地，L1及L3在每次出現時彼此獨立地為
[0136] 其中
[0137] R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cho烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基、5至12員雜 芳基、COOR2°、CONR 2°R21、COR2°、S03R2°、CN、N〇2或鹵素，
[0138] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為H、&-20烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，
[0139] 或，若L1或L3為
[0141] 則R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A。
[0142] 更優選地，L1與L3相同且為
[0144] 其中
[0145] R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C 5-8環烷基、Cs-m芳基、5至12員雜 芳基、C00R2°、CONR 2°R21、C0R2°、S03R2°、CN、N〇2或鹵素，
[0146] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為H、烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基。
[0147] 甚至更優選地，L1與L3相同且為
[0149] 其中
[0150] R3 及 R4 在每次出現時彼此獨立地為 H、&-2〇 烷基、C00R2Q、C0NR2QR21、C0R2Q、S0 3R2Q、CN、 N〇2或鹵素，
[0151 ] 其中R20及R21在每次出現時彼此獨立地為11或&- 2()烷基。
[0152]最優選地，L1與L3相同且為
[0154] 其中
[0155] R3 及R4為H。
[0156] 優選地，L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A選自：Cko亞烷基、C2-1Q亞烯 基、C 5-8亞環烷基、4亞烷基_C5-8亞環烷基4亞烷基、&-4亞烷基_亞苯基4亞烷基、C 2一4 亞烯基-C5-8亞環烷基-C2-4亞烯基及C2-4亞烯基_亞苯基-C2-4亞烯基，其在每次出現時可經一 個或多個選自如下的取代基R f取代Xno烷基、C5-8環烷基、C6-M芳基、5至12員雜芳基、 C00R4°、C0NR4°R41、C0R4°、S0 3R4°、CN、N〇2、鹵素、0R4°、SR4°、NR 4°R41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0157] 其中R4Q及R41在每次出現時彼此獨立地為H、Cm烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，
[0158] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R fa取 代:苯基、C00R42、C0NR42R43、COR 42、S03R42、CN、N〇2、鹵素、OR42、SR 42、NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0159] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R fb 取代:1()烷基、環戊基、環己基、C00R42、C0NR42R 43、COR42、S03R42、CN、N02、鹵素、OR 42、SR42、 NR42R43、0C0R 42 及 NR42C0R43，
[0160] 其中R42及R43在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，且
[0161] 其中&-1()亞烷基Xh亞烷基、C2- 1Q亞烯基、C2-4亞烯基及/或C5-8亞環烷基的一個或 多個CH 2基團可經〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、順5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0162] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基。
[0163] 更優選地，L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A選自亞烷基、C2-1Q亞烯 基、C 5-8亞環烷基、4亞烷基_C5-8亞環烷基4亞烷基、&-4亞烷基_亞苯基4亞烷基、C 2一4 亞烯基-C5-8亞環烷基-C2-4亞烯基及C2-4亞烯基_亞苯基-C2-4亞烯基，其在每次出現時可經一 個或多個選自如下的取代基R f取代Xno烷基、C5-8環烷基、C6-M芳基、5至12員雜芳基、 C00R4°、C0NR 4°R41、C0R4°、S03R4°、CN、N〇2、鹵素、0R 4°、SR4°、NR4°R41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0164] 其中R4Q及R41在每次出現時彼此獨立地為H、Cm烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，且
[0165] 其中Cho亞烷基Xh亞烷基、C2-1Q亞烯基、C2-4亞烯基及/或C 5-8亞環烷基的一個或 多個CH2基團可經〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、順5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0166] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為Ci-iq烷基。
[0167] 甚至更優選地，L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A選自：&-1()亞烷基、C 2-10 亞烯基、C5-8亞環烷基、Ci-4亞烷基-C5-8亞環烷基_&-4亞烷基、&-4亞烷基_亞苯基-Ci-4亞烷 基、C2-4亞烯基-C 5-8亞環烷基-C2-4亞烯基及C2-4亞烯基_亞苯基-C2-4亞烯基，
[0168] 其中&-1()亞烷基XP4亞烷基、C2- 1Q亞烯基、C2-4亞烯基及/或C5-8亞環烷基的一個或 多個CH2基團可經〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、順5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0169] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基。
[0170] 最優選地，L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A為Cho亞烷基，
[0171] 其中1()亞烷基的一個或多個 CH2 基團可經 C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NR5Q、S02-NR5<)、 nr50、nr5Qr51、o或 S 替代，
[0172] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基。
[0173] 優選地，R1及R2在每次出現時彼此獨立地為H、&- 2〇烷基、C5-8環烷基、CH4芳基、5至 12 員雜芳基、C00R3Q、CONR3QR31、COR3。、S0 3R3°、CN、N〇2、鹵素、OR3。、SR3Q、NR 3QR31、OCOR30或 NR3〇c〇R3i，
[0174] 其中R3Q及R31在每次出現時彼此獨立地為H、Cho烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基。
[0175] 更優選地，R1與R2相同且為烷基或C5- 8環烷基。
[0176] 最優選地，R1與R2相同且為支化C3- 6烷基。
[0177]在式(1)的優選化合物中，n為0，且這些化合物具有下式
[0179] 其中
[0180] a為〇、1 或2，
[0181] b為1、2、3或4，
[0182] c 為0或 1，
[0183] d為0、1、2、3或4，
[0184] e為〇、1 或2，
[0185] x為0、1 或2，
[0186] y 為0、1 或2，
[0187] z為〇、1 或2，
[0188] w為0、1 或2，
[0189] Ar1及Ar2在每次出現時彼此獨立地為芳族或雜芳族結構部分，其可經一個或多個 選自如下的取代基Ra取代：Cuo烷基、C5-8環烷基、Cm芳基、5至12員雜芳基、C00R 1' CONR10Rn、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、鹵素、OR1。、SR1。、NR 10Rn、0C0R1。及 NR10CORn，
[0190] 其中R1Q及R11在每次出現時彼此獨立地為H、烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0191] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R aa取 代：苯基、C00R12、CONR12R13、COR 12、S03R12、CN、N〇2、鹵素、OR12、SR 12、NRnR12、0C0R12 及 NR12COR13，
[0192] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R ab 取代:1()烷基、環戊基、環己基、C00R12、CONR12R 13、COR12、S03R12、CN、N02、鹵素、OR 12、SR12、 NR12R13、0C0R 12 及 NR12COR13，
[0193] 其中R12及R13在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，且
[0194] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar1、至少兩個相鄰Ar2及/或 Ar1與Ar 2可另外通過一個或多個1/連接，其中I/為連接結構部分B，
[0195] L1及L3在每次出現時彼此獨立地為
[0197] 其中
[0198] R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cho烷基、C5-8環烷基、CH4芳基、5至12員雜 芳基、C00R2°、CONR2°R21、C0R2°、S0 3R2°、CN、N〇2或鹵素，
[0199] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為H、&-20烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，
[0200] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基妒取 代：苯基、COOR 22、CONR22R23、COR22、S03R 22、CN、N〇2、鹵素、OR22、SR22、NR22R 23、OCOR22 及 NR22COR23，
[0201] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 Rc 取代:1()烷基、環戊基、環己基、COOR22、CONR22R 23、COR22、S03R22、CN、N02、鹵素、OR 22、SR22、 NR22R23、OCOR22 及 NR22COR23，
[0202] 其中R22及R23在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，
[0203] 或，若L1或L3為
[0205]則R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A，
[0206] L2為連接結構部分A，
[0207]且
[0208] R1及R2在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C5-8環烷基、Cs-m芳基、5至12員雜 芳基、C00R3°、CONR3°R31、C0R3°、S0 3R3°、CN、N〇2、鹵素、0R3°、SR3°、NR 3°R31、0C0R3° 或 NR3°COR31，
[0209] 其中R3Q及R31在每次出現時彼此獨立地為H、&-20烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，
[0210] 其中d-2Q烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基#取 代：苯基、COOR32、CONR32R33、COR32、S0 3R32、CN、N〇2、鹵素、OR32、SR32、NR 32R33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0211] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 Re 取代:1()烷基、環戊基、環己基、COOR32、CONR32R 33、COR32、S03R32、CN、N02、鹵素、OR 32、SR32、 NR32R33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0212] 其中R32及R33在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基。
[0213] 在式(1)的更優選化合物中，n為0,且這些化合物具有式(1'），其中
[0214] a為0、1 或2，
[0215] b為1、2、3或4，
[0216] c 為〇或 1，
[0217] d為0、1、2、3或4，
[0218] e為〇、1 或2，
[0219] x為0、1 或2，
[0220] y 為〇、1 或2，
[0221] z為〇、1 或2，
[0222] w為〇、1 或2，
[0223] Ar1及Ar2在每次出現時彼此獨立地為芳族或雜芳族結構部分，其可經一個或多個 選自如下的取代基R a取代：Cuo烷基、C5-8環烷基、Cm芳基、5至12員雜芳基、C00R 1' CONR10Rn、COR1。、S03R 1()、CN、N〇2、鹵素、OR1。、SR1。、NR10R n、0C0R1。及 NR10CORn，
[0224] 其中R1Q及R11在每次出現時彼此獨立地為H、Cho烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，且
[0225] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar1、至少兩個相鄰Ar2及/或 Ar1與Ar2可另外通過一個或多個1/連接，其中I/為連接結構部分B，
[0226] L1及L3在每次出現時彼此獨立地為 L0228J 其中
[0229] R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cho烷基、C5-8環烷基、CH4芳基、5至12員雜 芳基、C00R 2°、CONR2°R21、C0R2°、S03R 2°、CN、N〇2或鹵素，
[0230] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為H、烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0231]或，若L1或L3為
[0233] 則R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A，
[0234] L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A選自亞烷基、C2-1Q亞烯基、C 5-8亞 環烷基XP4亞烷基-C5-8亞環烷基_&-4亞烷基、&-4亞烷基_亞苯基_&-4亞烷基、C2-4亞烯基_ C5-8亞環烷基-C2-4亞烯基及C2-4亞烯基_亞苯基-C2-4亞烯基，其在每次出現時可經一個或多 個選自如下的取代基R f取代AjO烷基、C5-8環烷基、C644芳基、5至12員雜芳基、C00R4' C0NR4°R41、C0R4°、S03R 4°、CN、N〇2、鹵素、0R4°、SR4°、NR4°R 41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0235] 其中R4Q及R41在每次出現時彼此獨立地為H、Cm烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0236] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R fa取 代:苯基、C00R42、C0NR42R43、COR 42、S03R42、CN、N〇2、鹵素、OR42、SR 42、NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0237] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 Rfb 取代:1()烷基、環戊基、環己基、C00R42、C0NR42R 43、COR42、S03R42、CN、N02、鹵素、OR 42、SR42、 NR42R43、0C0R42 及 NR42C0R43，
[0238] 其中R42及R43在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，且
[0239] 其中Cho亞烷基Xh亞烷基、C2-1Q亞烯基、C 2-4亞烯基及/或C5-8亞環烷基的一個或 多個CH2基團可經〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、順5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0240] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為1Q烷基，
[0241] 且
[0242] R1及R2在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C5-8環烷基、Cs-m芳基、5至12員雜 芳基、C00R 3°、CONR3°R31、C0R3°、S03R 3°、CN、N〇2、鹵素、0R3°、SR3°、NR3°R 31、0C0R3° 或 NR3°COR31，
[0243] 其中R3Q及R31在每次出現時彼此獨立地為H、Cho烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基。
[0244] 在式(1)的甚至更優選化合物中，n為0,且這些化合物具有式(1'），其中
[0245] a與e相同且為0或1，
[0246] b為 1、2或 3，
[0247] c 為〇或 1，且
[0248] d為0、1、2或 3，
[0249] x與y相同且為0、1或2,且
[0250] 2與《相同且為0、1或2，
[0251 ] Ar1及Ar2在每次出現時彼此獨立地為C6-14芳族或5至12員雜芳族結構部分，其可經 一個或多個選自如下的取代基1^取代4-20烷基、C5-8環烷基、C644芳基、5至12員雜芳基、 C00R1。、CONR1%11、COR1。、S0 3R1()、CN、N〇2、鹵素、OR1。、SR1。、NR 1%11、0C0R1。及 NfCOR11，
[0252] 其中R1Q及R11在每次出現時彼此獨立地為H、&-2〇烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，且
[0253] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar1、至少兩個相鄰Ar2及/或 Ar1與Ar 2可另外通過一個或多個1/連接，其中I/為連接結構部分B，
[0254] L1與L3相同且為
[0256] 其中
[0257] R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C 5-8環烷基、Cs-m芳基、5至12員雜 芳基、C00R2°、CONR 2°R21、C0R2°、S03R2°、CN、N〇2或鹵素，
[0258] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為H、&- 2〇烷基、C5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0259] L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A選自：1Q亞烷基、C 2-1Q亞烯基、C5-8亞 環烷基XP4亞烷基-C 5-8亞環烷基_&-4亞烷基、&-4亞烷基_亞苯基_&-4亞烷基、C2-4亞烯基_ C5-8亞環烷基-C2-4亞烯基及C2-4亞烯基_亞苯基-C2-4亞烯基，其在每次出現時可經一個或多 個選自如下的取代基R f取代AjO烷基、C5-8環烷基、C644芳基、5至12員雜芳基、C00R4' C0NR 4°R41、C0R4°、S03R4°、CN、N〇2、鹵素、0R 4°、SR4°、NR4°R41、0C0R4° 及 NR4°C0R41，
[0260] 其中R4Q及R41在每次出現時彼此獨立地為H、Cm烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，且
[0261] 其中&-1()亞烷基XP4亞烷基、C2- 1Q亞烯基、C2-4亞烯基及/或C5-8亞環烷基的一個或 多個CH2基團可經〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、順5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0262] 其中R50及R51在每次出現時彼此獨立地為1Q烷基，
[0263] 且
[0264] R1與R2相同且為H、&-2〇烷基或C 5-8環烷基。
[0265] 在式(1)的最優選化合物中，n為0，且這些化合物具有式(1'），其中
[0266] a與e相同且為0或1，
[0267] b為1，
[0268] c 為0或 1，且
[0269] d為0或 1，
[0270] x與y相同且為0或1，且
[0271] 2與界相同且為1或2，
[0272] Ar1與Ar2相同且為C6-14芳族或5至12員雜芳族結構部分，其可經一個或多個選自由 &一2〇烷基及0R1()組成的群的取代基Ra取代，
[0273] 其中R1Q在每次出現時彼此獨立地為2〇烷基，且
[0274] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的Ar1與Ar2可另外通過一個或多個1/連接， 其中I/為連接結構部分B，其中該連接結構部分B為可經一個或多個Cho烷基取代的亞烷 基，
[0275] L1與L3相同且為
[0277] 其中
[0278] R3 及 R4 在每次出現時彼此獨立地為 H、2〇 烷基、COOR2Q、CONR2QR21、COR2Q、S0 3R2Q、CN、 N〇2或鹵素，
[0279] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為HSCho烷基，
[0280] L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A選自：心―1Q亞烷基、C 2-1Q亞烯基、C5-8亞 環烷基XP4亞烷基-C 5-8亞環烷基_&-4亞烷基、&-4亞烷基_亞苯基_&-4亞烷基、C2-4亞烯基_ C 5 一 8亞環烷基_C2-4亞烯基及C2-4亞烯基_亞苯基_C2-4亞烯基，
[0281] 其中&-1()亞烷基XP4亞烷基、C2- 1Q亞烯基、C2-4亞烯基及/或C5-8亞環烷基的一個或 多個CH2基團可經〇 = 0、（〇 = 0)0、（〇 = 0)冊5°、502-冊5°、順5°、冊5°1? 51、0或3替代，
[0282] 其中R50及R51在每次出現時彼此獨立地為1Q烷基，
[0283] 且
[0284] R1與R2相同且為支化C3- 6烷基。
[0285] 在式(1)的尤其優選化合物中，n為0,且這些化合物具有式(1'），其中
[0286] a與e相同且為0或1，
[0287] b為1，
[0288] c 為〇或 1，且
[0289] d為0或 1，
[0290] x及y 為0,且
[0291] z 及，％2,
[0292] Ar1與Ar2相同且為
[0294] 其可經一個或多個選自由&-1()烷基及0R1()組成的群的取代基Ra取代，
[0295] 其中R1()在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基，且
[0296] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的Ar1與Ar2可另外通過一個或多個1/連接， 其中I/為連接結構部分B，其中該連接結構部分B為經一個或多個Cho烷基取代的亞甲基，
[0297] L1與L3相同且為
[0299] 其中
[0300] R3 及R4為H，
[0301] 且
[0302] L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分A為Cho亞烷基，
[0303]其中1()亞烷基的一個或多個 CH2 基團可經 C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NR5Q、S02-NR5<)、 NR5Q、NR5()R51、0或S替代，L2為連接結構部分A，其中該連接結構部分厶為&― 1Q亞烷基，
[0304]其中 d-1Q 亞烷基的一個或多個 CH2 基團可經 C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NR5Q、S02-NR50、 NR50、NR5QR51、O或 S 替代，
[0305] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為1Q烷基。
[0306] 其中R5Q及R51在每次出現時彼此獨立地為1Q烷基。
[0307]本發明的一部分也為制備式(T)化合物的方法。
[0308]制備下式化合物的方法
[0310] 其中
[0311] a為〇、1 或2，
[0312] b為1、2、3或4，
[0313] c 為〇或 1，
[0314] d為0、1、2、3或 4，
[0315] e為〇、1 或2，
[0316] x為0、1 或2，
[0317] y 為〇、1 或2，
[0318] z為〇、1 或2，
[0319] w為〇、1 或2，
[0320] Ar1及Ar2在每次出現時彼此獨立地為芳族或雜芳族結構部分，其可經一個或多個 選自如下的取代基Ra取代：Cuo烷基、C5-8環烷基、Cm芳基、5至12員雜芳基、COOR 1' CONR10Rn、COR1。、S03R 1()、CN、N〇2、鹵素、OR1。、SR1。、NR10R n、OCOR1。及 NR10CORn，
[0321 ] 其中R1Q及R11在每次出現時彼此獨立地為H、&- 2〇烷基、C5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0322] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R aa取 代：苯基、COOR12、CONR12R13、COR 12、S03R12、CN、N〇2、鹵素、OR12、SR 12、NRnR12、OCOR12 及 NR12COR13，
[0323] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R ab 取代:1()烷基、環戊基、環己基、C00R12、CONR12R 13、COR12、S03R12、CN、N02、鹵素、OR 12、SR12、 NR12R13、0C0R 12 及 NR12COR13，
[0324] 其中R12及R13在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，且
[0325] 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar1、至少兩個相鄰Ar2及/或 Ar1與Ar 2可另外通過一個或多個1/連接，其中I/為連接結構部分B，
[0326] L1及L3在每次出現時彼此獨立地為
[0328] 其中
[0329] R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C 5-8環烷基、Cs-m芳基、5至12員雜 芳基、C00R2°、CONR 2°R21、C0R2°、S03R2°、CN、N〇2或鹵素，
[0330] 其中R2Q及R21在每次出現時彼此獨立地為H、烷基、C 5-8環烷基、(Vm芳基或5至 12員雜芳基，
[0331] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基妒取 代：苯基、COOR 22、CONR22R23、COR22、S03R 22、CN、N〇2、鹵素、OR22、SR22、NR22R 23、OCOR22 及 NR22COR23，
[0332] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R c 取代:1()烷基、環戊基、環己基、COOR22、CONR22R 23、COR22、S03R22、CN、N02、鹵素、OR 22、SR22、 NR22R23、OCOR 22 及 NR22COR23，
[0333] 其中R22及R23在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，
[0334] 或，若L1或L3為
[0336] 則R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A，
[0337] L2為連接結構部分A，
[0338] 且
[0339] R1及R2在每次出現時彼此獨立地為H、Cuo烷基、C 5-8環烷基、Cs-m芳基、5至12員雜 芳基、C00R3°、CONR 3°R31、C0R3°、S03R3°、CN、N〇2、鹵素、0R 3°、SR3°、NR3°R31、0C0R3° 或 NR3°COR31，
[0340] 其中R3Q及R31在每次出現時彼此獨立地為H、&-20烷基、C 5-8環烷基、CH4芳基或5至 12員雜芳基，
[0341] 其中Cho烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基#取 代：苯基、COOR 32、CONR32R33、COR32、S03R 32、CN、N〇2、鹵素、OR32、SR32、NR32R 33、OCOR32 及 NR32COR33，
[0342] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R e 取代:1()烷基、環戊基、環己基、COOR32、CONR32R 33、COR32、S03R32、CN、N02、鹵素、OR 32、SR32、 NR32R33、OCOR 32 及 NR32COR33，
[0343] 其中R32及R33在每次出現時彼此獨立地為Cho烷基、環戊基、環己基或苯基，
[0344] 包括以下步驟:使下式化合物
[0346] 其中8、13、(3、(1、6、1、7、2、'\￥、厶1'1、厶1'2、11、1 3、12、1?1及1?2如針對式（1)化合物所描述，
[0347] 與，+(此-)m 反應，
[0348] 其中m為1、2或3,且M為金屬。
[0349] M可為任何金屬，例如堿金屬、堿土金屬或過渡金屬。金屬優選為堿金屬，其更優選 為鈉。
[0350] 該反應通常在溶劑或溶劑混合物中實施。優選地，該反應在水及有機溶劑(例如二 甲基甲酰胺）的混合物中實施。該反應通常在升高溫度下、例如在介于80 °C至90 °C范圍內的 溫度下實施。
[0351] 取決于式(2)化合物的類型，該式(2)化合物可通過不同方法來制備。
[0352]式(2)化合物(其中a及e為1兒1與L3相同且為
[0354] R1與R2相同，X與y相同，且Zi^W相同）
[0355]可通過使下式化合物
[0357] 其中X為鹵素、優選Br，且kc^cUAr^lAAr2如針對式（1)化合物所描述，與下式化 合物反應來制備
[0359]其中x + zjW、!?3及R4如針對式⑴化合物所描述，但x與y相同，z與w相同且R1 與R2相同。
[0360]該反應通常在適宜催化劑（例如Pd(0Ac)2/三(鄰甲苯基)膦)存在下實施。該反應 通常在適宜溶劑(例如二甲基甲酰胺）中實施。該反應通常在升高溫度下、例如在介于80°C 至110°C范圍內的溫度下實施。
[0361]式⑵化合物(其中a及e為0，!?1與R2相同，x與y相同，且2與《相同）可通過使下式化 合物
[0363] 其中X為鹵素、優選Br，且kc^cUAr^lAAr2如針對式（1)化合物所描述，與下式化 合物反應來制備
[0365] 其中x、y、z、w、Ri及R2如針對式（1)化合物所描述，但x與y相同，z與w相同且R 1與R2 相同。
[0366] 該反應通常在適宜催化劑(例如Pd (PPh3 )4及Ag20)存在下實施。該反應通常在適宜 溶劑(例如二甲基甲酰胺）中實施。該反應通常在升高溫度下、例如在介于70°C至110°C范圍 內的溫度下實施。
[0367] 式(2)化合物(其中a及e為1兒1與L3相同且為
[0369] R1與R2相同，x與y相同，且z與w相同）可通過使下式化合物
[0371]其中13、〇、(1^4、12^￥如針對式（1)化合物所描述，與下式化合物反應來制備
[0373] 其中X為鹵素、優選8!'^、7、2、'\￥、1?1及1?2如針對式（1)化合物所描述，但1與7相同，2 與w相同且R 1與R2相同。
[0374] 該反應通常在適宜催化劑(例如Pd(PPh3)2Cl 2及Cul)存在下實施。該反應通常在適 宜溶劑中實施。該反應通常在升高溫度下、例如在介于60°C至100°C范圍內的溫度下實施。
[0375] 式(6)化合物可通過用堿處理下式化合物來制備：
[0377] 其中Kc^cUAr^Ar2及L2如針對式⑴化合物所描述。
[0378] 該堿可為氫氧化鉀。該反應通常在適宜溶劑(例如四氫呋喃及甲醇）中實施。該反 應通常在環境溫度下、例如在介于15°C至30°C范圍內的溫度下實施。
[0379] 式(7)化合物可通過使下式化合物
[0381] 其中b、c、d、Ar1、Ar2及L2如針對式（1)化合物所描述
[0382] 與乙炔基三甲基硅烷反應來制備。
[0383] 該反應通常在適宜催化劑(例如Pd(PPh3)2Cl 2及Cul)存在下實施。該反應通常在適 宜溶劑中實施。該反應通常在升高溫度下、例如在介于60°C至100°C范圍內的溫度下實施。
[0384] 式⑶化合物(其中Ar1與Ar2相同，b及d為1，c為1，X為Br且L2如針對式⑴化合物所 描述)可通過使下式化合物
[0386]與下式化合物反應來制備
[0388] 其中c為1且L2如針對式（1)化合物所描述。
[0389] 本發明的一部分也為包含一或多種式（1)化合物、一或多種聚合物及一或多種溶 劑的溶液。
[0390]聚合物定義為包含至少兩個重復單元的化合物。優選地，聚合物具有10'OOODa至 30 ' 000 ' OOODa的分子量。更優選地，聚合物具有20 ' OOODa至10 ' 000 ' OOODa的分子量。
[0391] 聚合物可為適用于電子器件中的任何聚合物(例如介電聚合物、半導電聚合物)或 適于形成鈍化層、囊封層或平坦化層的聚合物。
[0392] 優選地，聚合物為介電聚合物。
[0393]介電聚合物的實例為基于苯乙烯的聚合物、聚（甲基丙烯酸Ci-6烷基酯）（例如聚 (甲基丙烯酸甲酯）及聚（甲基丙烯酸叔丁基酯））、聚（丙烯酸(^-6烷基酯）及聚酰亞胺（例如 W0 2012/059386及PCT/IB2013/052426中所闡述的聚酰亞胺）。
[0394] 基于苯乙烯的聚合物為聚苯乙烯或包含苯乙烯單元的共聚物。基于苯乙烯的聚合 物的實例為聚苯乙烯、聚(4-甲氧基-苯乙烯)及苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物。優選的基于苯 乙烯的聚合物為聚苯乙烯。
[0395] 優選地，一或多種聚合物為介電聚合物。更優選地，一或多種聚合物為基于苯乙烯 的聚合物。更優選地，一或多種聚合物為聚苯乙烯。
[0396] 半導電聚合物的實例為聚噻吩（例如聚3-己基噻吩(P3HT))、聚芴、聚二乙炔、聚2， 5-亞噻吩基乙烯、聚對苯乙炔(PPV)及包含具有二酮吡咯并吡咯基團的重復單元的聚合物 (DPP聚合物）。
[0397] 優選地，半導電材料為包含具有二酮吡咯并吡咯基團的單元的聚合物(DPP聚合 物)。
[0398] DPP聚合物的實例及其合成闡述于例如US 6,451，459B1、W02005/049695、W0 2008/000664、W0 2010/049321、W0 2010/049323、W0 2010/108873、W0 2010/115767、W0 2010/136353及W0 2010/136352 中。
[0399] 優選地，DPP聚合物包含選自如下的單元、優選基本上由其組成
[0400] 下式的聚合物單元
[0402]下式的共聚物單元
[0404]下式的共聚物單元
[0406]及下式的共聚物單元
[0408] 其中
[0409] n'為4至 1000，
[0410] x'為0.995至0.005，
[0411] y'為〇.〇〇5至0.995，
[0412] x'+y' =1;
[0413] r'為0.985至0.005，
[0414] s'為0.005 至0.985，
[0415] t'為0.005至0.985，
[0416] u'為0.005至0.985，
[0417] r'+s'+t'+u'=1;
[0418] A為下式的基團
[0420] 其中
[0421] a'為 1、2或 3，
[0422] a" 為0、1、2或 3，
[0423] b，為0、1、2或 3，
[0424] b" 為0、1、2或 3，
[0425] (：'為0、1、2或3，
[0426] c" 為〇、1、2或 3，
[0427] d，為0、1、2或 3，
[0428] d" 為0、1、2或 3，
[0429]條件為若a"為0，則b"不為0;
[0430] R4QQ及R41Q彼此獨立地選自：H、&-3Q烷基、C 5-8環烷基、C6-w芳基、C00R5QQ及C (0) NH2，
[0431] 其中妒°°為&-3q烷基，
[0432] 其中3〇烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的Rk取代：鹵素、OH、N0 2、CN、 c6-14芳基及C5-8環烷基;及/或被o、coo、oco或S間隔，
[0433] 其中C5-8環烷基及C6- 14芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的R1取代:&一10 烷基、0-Ckq烷基、S-&-K)烷基及鹵素，
[0434] ▲，^，^，^，^，^，^，及六一彼此獨立地為雜芳族或芳族環體系，
[0435] B、D及E彼此獨立地為下式的基團
[0437] 或式（24)的基團，
[0438] 條件為若B、D及E為式(24)的基團，則其不同于A，其中
[0439] k，為1，
[0440] 1'為0或 1，
[0441] 1~'為0或1，
[0442] 2'為0或1，且
[0443] Ar51、Ar52、Ar53及Ar54彼此獨立地為下式的基團
[0445] 其中
[0446] R42()在每次出現時為11或&-3〇烷基，其中烷基可被一個或多個0間隔。
[0447] 優選地，
[0448] n'為4至200,更優選5至100，
[0449] x'為0.2 至0.8，
[0450] y'為 0.8 至 0.2,且
[0451] x'+y'=l〇
[0452] 優選地，▲，^，^，^，^，^，^，及六^彼此獨立地為選自如下的雜芳 族或芳族環體系
[0455] 其中
[0456] R43Q在每次出現時為H、&-3q烷基、鹵素或0_&- 3q烷基，
[0457] 其中&-3〇烷基可經一個或多個C6-14芳基或C5- 8環烷基取代及/或被一個或多個0或S 間隔，
[0458] 1?431為&-3。烷基、C6-w 芳基、0_&-3。烷基或 COOR440，
[0459] 其中 1?44°為&-3〇 烷基，
[0460]其中&-3〇烷基可經苯基、鹵素或C00R441取代及/或被一個或多個〇或3間隔，
[0461 ] 其中CH4芳基可經Cho烷基、Cho全鹵代烷基或烷基取代，且
[0462] R432及R433彼此獨立地為HXho烷基、CH4芳基、5至12員雜芳基、C 2-1Q烯基、(：2-10炔 基或O-&-30烷基，
[0463] 其中3〇烷基及0_&-3〇烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基1^取 代:苯基、S-&- 1Q烷基、〇-&-1Q烷基、CN、NR441R442、C0NR 441R442及鹵素;及/或被一個或多個C0、 0)0、3、0或置443間隔，
[0464] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R n 取代:1()烷基、S-&-1()烷基、0-&-1()烷基、CN、NR 441R442、C0NR441R442及鹵素；
[0465] 其中R441、R442及R443彼此獨立地為H、&- 1Q烷基或苯基，
[0466] 或
[0467] R432 與 R433-起形成式 CR45°R451 的基團，
[0468] 其中R45Q及R451彼此獨立地為HXho烷基、CH4芳基或5至12員雜芳基，
[0469] 其中Cho烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基Rp取代：苯基、S-Cm烷基、O-Cm烷基、CN、NR 452R453、CONR452R453及鹵素;及/或被一個或多個C0、C00、S、0或 NR 454間隔，
[0470] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 R q 取代:1()烷基、S-&-1()烷基、0-&-1()烷基、CN、NR 452R453、CONR452R453及鹵素；
[0471] 其中R452、R453及R454彼此獨立地為HXu烷基或苯基，
[0472] 或
[0473] R432及R433與其所連接的C原子一起形成5或6員環，其中該5至6員環可經一個或多 個選自如下的取代基礦取代:&- 3〇烷基、C6-W芳基、5至12員雜芳基、C2-1Q烯基、C2- 1Q炔基及0-Cl-30烷基，
[0474] 其中烷基及O-Cho烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基1^取 代:苯基、S-&- 1Q烷基、0_&-1Q烷基、CN、NR46°R461、C0NR 46°R461及鹵素;及/或被一個或多個C0、 0)0、3、0或順462間隔，
[0475] 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基 Rt取代: 1()烷基、S-&-1()烷基、0-&-1()烷基、CN、NR 46QR461、C0NR46QR461及鹵素；
[0476] 其中R46Q、R461及R462彼此獨立地為H、 1()烷基或苯基。
[0477] 更優選地，DPP聚合物包含選自由下式的聚合物單元組成的群的單元、優選基本上 由其組成
[0479] 其中
[0480] n，為4至 100,且
[0481 ] A為下式的基團
[0483] 其中
[0484] a，為1，
[0485] a" 為 2
[0486] b'、b"、c'、c"、d'及d"為0，
[0487] R4QQ及R41Q彼此獨立地為&-3〇烷基，且
[0488] Ar1()及Ar11為雜芳族或芳族環體系，其為
[0490] 其中
[0491 ] R43Q在每次出現時為H。
[0492]優選地，溶液包含一或多種式（1)化合物、一或多種聚合物及一或多種溶劑，其中 該溶液包含
[0493] i)于lml組合物中的0. lmg至500mg-或多種聚合物，及
[0494] ii)基于一或多種聚合物的重量為0.1重量％至20重量％的一或多種式（1)化合 物。
[0495] 更優選地，溶液包含一或多種式（1)化合物、一或多種聚合物及一或多種溶劑，其 中該溶液包含
[0496] i)于lml組合物中的1 .Omg至250mg-或多種聚合物，及
[0497] ii )基于一或多種聚合物的重量為0.5重量％至15重量％的一或多種式（1)化合 物。
[0498] 更優選地，溶液包含一或多種式（1)化合物、一或多種聚合物及一或多種溶劑，其 中該溶液包含
[0499] i)于lml組合物中的5mg至1 OOmg-或多種聚合物，及
[0500] ii)基于一或多種聚合物的重量為1重量％至10重量％的一或多種式（1)化合物。
[0501] 具體而言，溶液包含一或多種式（1)化合物、一或多種聚合物及一或多種溶劑，其 中該溶液包含
[°502] i)于lml組合物中的5mg至60mg-或多種聚合物，及
[0503] ii)基于一或多種聚合物的重量為2重量％至8重量％的一或多種式（1)化合物。
[0504]若聚合物為聚苯乙烯，則溶劑優選為&-1()烷酸Cho烷基酯，例如乙酸丁基酯。
[0505] 若聚合物為DPP聚合物，則溶劑優選為芳族溶劑，例如甲苯。
[0506] 本發明的一部分也為制備器件的方法，該方法包括以下步驟：（i)將本發明溶液沉 積在載體上以形成層，及（ii)將步驟(i)的層暴露于輻射下以形成聚合物層。
[0507]優選地，器件為電子器件。電子器件的實例為發光二極管(LED)器件、場效晶體管 (FET)器件、光伏打(PV)器件、光檢測器件、傳感器件及調頻鑒定(RFID)標簽。
[0508]更優選地，器件為發光二極管(LED)器件、場效晶體管(FET)器件或光伏打(PV)器 件。
[0509] 更優選地，器件為場效晶體管(FET)器件。
[0510] 場效晶體管(FET)器件包含介電層、半導電層、基板、柵極電極及源極/漏極電極。
[0511] 若本發明器件為場效晶體管(FET)器件，則聚合物層可為半導電層或介電層。優選 地，其為介電層。
[0512] 若聚合物層為介電層，則聚合物場效晶體管(FET)器件的半導電層可自一或多種 上文所提及的半導電聚合物或者自小分子形成。優選地，其自一或多種DPP聚合物形成。 [0513]若聚合物層為半導電層，則場效晶體管(FET)器件的介電層可自一或多種上文所 提及的介電聚合物或者自小分子形成。優選地，其自一或多種基于苯乙烯的聚合物形成。
[0514] 介電層可具有5nm至2000nm、優選10nm至lOOOnm的厚度。
[0515] 半導電層可具有5nm至2000nm、優選10nm至lOOOnm的厚度。
[0516] 基板可為任何適宜基板，例如玻璃或塑料基板(例如聚醚砜、聚碳酸酯、聚砜、聚對 苯二甲酸乙二醇酯及聚萘二甲酸乙二醇酯）。
[0517] 柵極電極以及源極/漏極電極可自任何適宜金屬形成，例如金、銀、鉭、鋁、鎢或銦 錫氧化物。柵極電極以及源極/漏極電極可具有lnm至200nm、優選5nm至100nm的厚度。
[0518]場效晶體管(FET)器件可具有多種設計。
[0519]場效晶體管(FET)器件的一種可能的設計為底部柵極、底部觸點設計。該設計描述 于圖9中。
[0520]場效晶體管(FET)器件的另一可能設計為頂部柵極、底部觸點設計。該設計描述于 圖10中。
[0521]載體取決于及本發明溶液的一或多種聚合物。
[0522]若器件為頂部柵極、底部觸點聚合物場效晶體管(FET)器件且一或多種聚合物為 介電聚合物，則載體為FET的半導電層。
[0523]若器件為頂部柵極、底部觸點聚合物場效晶體管(FET)器件且一或多種聚合物為 半導電聚合物，則載體為FET的基板。
[0524] 可以多種方式將本發明溶液沉積在載體上。優選地，溶液借助液體處理技術(例如 旋涂、溶液澆注、噴墨、柔版印刷、凹版印刷或槽模涂覆)來沉積。
[0525] 優選在步驟（ii)之前，將步驟（i)的層加熱至介于50°C至150°C范圍內的溫度。更 優選在步驟(ii)之前，將步驟(i)的層加熱至介于80°C至130°C范圍內的溫度。
[0526]優選地，步驟（ii)的福射具有介于300nm至450nm范圍內的波長。
[0527] 例如，福射可具有365nm、405nm或436nm的波長。
[0528] 步驟（ii)中所使用福射的福射劑量可介于lmj/cm2至1000mJ/cm2范圍內。優選地， 其介于5mJ/cm 2至300mJ/cm2范圍內，最優選介于10mJ/cm2至100mJ/cm 2范圍內。
[0529] 步驟(ii)可在惰性氣體氛圍（例如氮或氬氛圍）下實施。
[0530] 可在步驟(ii)期間施加介于50°C至150°C范圍內、尤其介于80°C至130°C范圍內的 溫度。
[0531]例如，若聚合物層為介電層且器件為頂部柵極、底部觸點場效晶體管(FET)器件， 則該器件可按如下進行制備：可通過在適宜基板(例如玻璃)上石印圖案化適宜源極/漏極 材料(例如金)來形成源極電極及漏極電極。然后可用半導電層覆蓋源極/漏極電極，這通過 將半導電聚合物(例如DPP聚合物)于適宜溶劑(例如甲苯）中的溶液旋涂在基板上來實施。 可加熱濕半導電層。然后可用介電層覆蓋半導電層，這通過將適宜溶劑(例如乙酸丁基酯） 中的包含一或多種本發明的式（1)化合物、一或多種介電聚合物(例如聚苯乙烯）的溶液旋 涂在半導電層上來實施。可將濕介電層加熱至80°C至100°C，且然后通過輻射來固化。然后 可通過例如氣相沉積適宜源極/漏極材料(例如金)將柵極電極沉積在介電層上。
[0532] 本發明的一部分也為可通過本發明方法獲得的器件。
[0533] 本發明的一部分也為式(1)化合物作為交聯劑用于交聯一或多種聚合物的用途。
[0534] 本發明的式（1)化合物有利之處在于，式（1)化合物在介于300nm至450nm范圍內的 波長處吸收。具體而言，這些化合物可在365nm、405nm或436nm的波長下活化，這些波長為當 前用于制備顯示器用器件（例如控制場效晶體管(FET))的工業光刻方法中所使用的波長。 式（1)化合物允許針對光刻以及針對聚合物層的交聯使用相同波長來制備器件。因此，在器 件的制備方法期間無需調節光器件的波長或甚至用適于交聯聚合物的輻射器件來替代光 器件。
[0535] 式（1)化合物有利之處在于，其在介于300nm至450nm范圍內的波長下、甚至在使用 低福射劑量(例如介于5mJ/cm 2至300mJ/cm2范圍內或介于10mJ/cm2至100mJ/cm2范圍內的福 射劑量)時為有效的交聯劑。式（1)化合物為用于介電層(例如基于聚苯乙烯的聚合物層)的 尤其有效的交聯劑。交聯后，聚合物層幾乎不再溶于用于施加該層的溶劑中。因此，可在不 溶解聚合物層的情況下施加下一層，例如電極材料層或阻擋層。式(1)化合物的有效交聯也 允許使用光掩模來結構化(圖案化)聚合物層。
[0536]此外，式（1)化合物可溶于有機溶劑中，且有機溶劑通常用于制備器件。取決于欲 施加的聚合物層，式（1)化合物可經選擇以溶解于用于欲施加的聚合物層的溶劑中。例如， 若溶劑為極性更強的有機溶劑（例如乙酸丁基酯），則理想地選擇式（1)化合物（其中Ar 1及 Ar2經一個或多個取代基Cl_2Q烷基取代），以增加于極性更強的有機溶劑中的溶解度。
[0537]圖1顯示分別在_3V(三角形）、_30V(方形)源極電壓Vds下，實施例6的包括自配制劑 B形成的介電層的頂部柵極、底部觸點(TGBC)場效晶體管的漏極電流Ids與柵極電壓Vgs的關 系(轉移曲線）。
[0538] 圖2顯示在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的柵極電壓￥明下，實施例6的 包括自配制劑B形成的介電層的頂部柵極、底部觸點（TGBC)場效晶體管的漏極電流Ids與漏 極電壓Vds的關系(輸出曲線）。
[0539]圖3顯示分別在_3V(三角形）、_30V(方形）的源極電壓Vds下，實施例7的包括自配制 劑C形成的介電層的頂部柵極、底部觸點(TGBC)場效晶體管的漏極電流Ids與柵極電壓Vgs的 關系(轉移曲線）。
[0540] 圖4顯示在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的柵極電壓￥明下，實施例7的 包括自配制劑C形成的介電層的頂部柵極、底部觸點（TGBC)場效晶體管的漏極電流Ids與漏 極電壓Vds的關系(輸出曲線）。
[0541] 圖5顯示分別在-3V(三角形）、-30V(方形）的源極電壓Vds下，實施例8的包括自配制 劑E形成的半導電層的頂部柵極、底部觸點(TGBC)場效晶體管的漏極電流Ids與柵極電壓V gs 的關系(轉移曲線）。
[0542] 圖6顯示在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的柵極電壓￥明下，實施例8的 包括自配制劑E形成的半導電層的頂部柵極、底部觸點（TGBC)場效晶體管的漏極電流Ids與 漏極電壓Vds的關系(輸出曲線）。
[0543]圖7顯示使用Axio Imager顯微鏡獲取的實施例9的自配制劑C形成的光圖案化介 電層的顯微鏡圖像。
[0544]圖8顯示使用Axio Imager顯微鏡獲取的實施例10的自配制劑D形成的光圖案化半 導體層的顯微鏡圖像。
[0545]圖9顯示場效晶體管(FET)器件的底部柵極、底部觸點設計。
[0546]圖10顯示場效晶體管(FET)器件的頂部柵極、底部觸點設計。
[0547]圖11顯示自配制劑C形成的聚合物介電層的膜保留比（dl/d2)與輻射施加劑量的 關聯性。
[0548] 實施例1
[0549] 化合物la的制備
[0551 ]化合物2a的制備
[0552] 在90 °C 下在N2下，將2，7-二溴-9，9-二己基-9H-芴（3a) (492mg，1 ? OOmmo 1)、2，3，4， 5，6_五氣苯乙稀（4Aa/4Ba) (524mg，2 ? 7mmol)、P(鄰甲苯基）3( 12mg，0 ? 04mmol)及Pd(0Ac)2 (4.511^，0.021111]1〇1)于三乙胺(0.871]1〇中的混合物加熱1天。將反應混合物冷卻至室溫，且用 二氯甲烷(3 X 15mL)萃取。最后用水(3 X 30mL)洗滌有機層。然后經MgSCk干燥有機相并在減 壓下蒸發。通過柱層析使用己烷作為洗脫劑純化粗產物，以獲得淡黃色固體狀化合物2a (370mg,64%)〇
[0553] 化合物la的制備
[0554] 在90 °C 下加熱NaN3 (73mg, 1 ? lmmo 1)及化合物 2a (367mg, 0 ? 5mmo 1)于DMF (9 ? OmL)及 水（1.4mL)中的混合物，直至通過TLC不再監測到起始材料。將反應混合物冷卻至室溫，用水 稀釋，用乙酸乙酯萃取且用水(3X30mL)洗滌。經MgS0 4干燥有機層并在減壓下移除溶劑。通 過柱層析(二氯甲烷：己烷5:95)純化固體，以獲得橙色固體狀化合物la(115mg，35 % )。入max =386nm及408nm。
[0555] 實施例2
[0556] 化合物lb的制備
[0558] 化合物2b的制備
[0559] 在85°C 下，將2，5-二溴噻吩（3b) (1 ? 0g，4 ? lmmol)、2，3，4，5，6-五氟苯基硼酸（5Aa/ 5Ba) (2? lg，10 ? 3mmol)、Pd(PPh3)4(763mg，0 ? 7mmo1)、Ag2〇( 1 ? 9g，8? 2mmol)及K3PO4三水合物 (7.025g)于DMF (30mL)中的混合物攪拌過夜。然后經由硅藻土過濾混合物，傾倒至水中并用 二氯甲烷（3X25mL)萃取。用水（3次）洗滌合并的有機層，經MgS0 4干燥且在減壓下移除溶 劑。通過柱層析使用己烷作為洗脫劑純化粗產物，以獲得白色粉末狀化合物2b(767mg， 45%)〇
[0560]化合物lb的制備
[0561 ]在90 °C 下加熱NaN3 (17 lmg，2 ? 6mmo 1)及化合物 2b (500mg，1 ? 2mmo 1)于DMF (20mL)及 水(3mL)中的混合物。通過TLC監測反應。將混合物冷卻至室溫，用水稀釋，用乙酸乙酯萃取 且用水(3X25mL)洗滌。經MgS0 4干燥萃取物且在減壓下移除溶劑。通過柱層析使用梯度洗 脫（己烷至己烷/二氯甲烷75 : 25)來純化粗產物，以獲得褐橙色固體狀化合物lb(382mg， 69 % )。Xmax = 386nm。
[0562] 實施例3
[0563] 化合物lc的制備
[0565] 化合物3〇的制備
[0566] 將 2-溴-3-己基噻吩（94&/983)(3.〇11^，14.8111111〇1)及琥珀酰氯（83)(0.7311^， 6 ? 4mmol)于無水DCM(5mL)中的混合物逐滴添加至AlCl3(2 ? lg，15 ? 5mmol)于無水DCM(5mL) 中的冷卻(0 °C)懸浮液中。然后在室溫下將反應混合物攪拌2.5h，且最后回流30min。將反應 混合物傾倒至冰中，然后添加濃H C1并攪拌1 h。用D C M (3 X 3 0 m L)萃取水層，用H C1溶液 (10 % )、水及飽和NaHC03溶液洗滌。最后，經Na2S〇4干燥有機層且在減壓下移除溶劑。通過用 熱乙醇洗滌來純化粗固體，獲得橙色固體狀化合物3c(0.87g，產率:30 % )。
[0567] 化合物2c的制備
[0568] 在90 °C 下，將化合物3c (0 ? 6g，1 ? Ommol)、2，3，4，5，6-五氟苯乙烯（4Aa/4Ba) (0.4mL, 2.7mmol)、Pd(0Ac)2(6mg ,0 ? 02mmol)及三（鄰甲苯基）勝（0 ? 015g ,0 ? 05mmol)于三乙 胺（1.18mL，8.50mmol)及DMF( 3mL)中的混合物加熱過夜。通過TLC及LC/MS監測反應且加熱， 直至不再觀察到起始材料。在減壓下移除三乙胺，且用DCM(3X30mL)萃取反應混合物。用水 (100mL)及鹽水（100mL)洗滌有機層，經MgS0 4干燥，且在減壓下移除溶劑。通過柱層析使用 己烷/DCM(1:1)作為洗脫劑純化粗制物，獲得橙色固體狀化合物2c(0.17g，產率26% )。
[0569] 化合物lc的制備
[0570] 將化合物2c( 150mg，0.2mmol)溶解于DMF(3.50mL)中，且隨后添加水(0.50mL)中的 疊氮化鈉(90mg，1.5mmol)。在90°C下將反應混合物加熱3h，且通過TLC監測。將水添加至反 應混合物中，用乙酸乙酯(3X25mL)萃取且經MgS0 4干燥。在減壓下移除溶劑后，通過柱層析 DCM/甲醇（10:1)作為洗脫劑純化粗產物。最后，于己烷中沉淀化合物lc，獲得紅色沉淀。在 Buchner過濾器上過濾固體，以獲得20%產率的化合物1(3。人_ = 405]11]1
[0571 ] 實施例4 [0572]化合物Id的制備
[0574] 化合物7a的制備
[0575] 將乙炔基三甲基硅烷(0.60mL，4.25mmol)于三乙胺（8mL)中的溶液緩慢添加至化 合物3d( 1 ? Og，1 ? 93mmol)、（PPh3)2PdCl2(0 ? 068g，0 ? lOmmol)及鵬化銅（0 ? 02g，0 ? lOmmol)于 三乙胺(20mL)中的溶液中。在70°C下將所得混合物加熱過夜。通過TLC監測反應，使用己烷 作為洗脫劑。后處理:在減壓下蒸發三乙胺且通過硅膠上的柱層析純化殘余物，獲得95%產 率的黃色固體狀化合物7a(0.97g，1.8mmol)。
[0576] 化合物6a的制備
[0577] 用甲醇（10mL)稀釋20 %K0H水溶液（2 ? 50mL)且添加至化合物7a(0 ? 97g，1 ? 75mmol) 于THF(18mL)中的溶液中。然后在室溫下攪拌反應混合物，直至通過TLC(洗脫劑己烷)不再 觀察到起始材料。用己烷(3X15mL)萃取粗反應混合物，且用水（lX25mL)洗滌有機相，并經 Na 2S04干燥。在減壓下移除溶劑后，然后通過柱層析使用己烷作為洗脫劑純化殘余物，獲得 定量產率的黃色油狀化合物6a(0.7g，1.8mmol)，其未經任何進一步純化即直接用于下一步 驟中。
[0578] 化合物2d的制備
[0579] 將化合物6a(0.20g，0.50mmo 1)于三乙胺（lmL)中的溶液緩慢添加至溴-五氟苯 (4Aa/4Ba)(0.14mL，l .09111111〇1)、（？？113)2?(1(：12(0.0178,0.02111111〇1)及碘化銅（0.0058， 0.02mmol)于三乙胺（llmL)中的溶液中。然后在70°C下將反應混合物加熱過夜，且通過TLC 監測。后處理:在減壓下移除三乙胺且通過硅膠上的柱層析(洗脫劑己烷)純化殘余物，獲得 59%產率的白色固體狀化合物2d(0.21g，0.29mmol)。
[0580]化合物Id的制備
[0581 ] 將水（lmL)中的疊氮化鈉(0.158,2.30臟〇1)添加至化合物2(1(0.218,0.29111111〇1)的 DMF溶液(5mL)中，且在90 °C下將混合物加熱3hr。后處理:將水添加至反應混合物中，隨后用 乙酸乙酯（3X10mL)萃取。將有機相集合在一起且經MgS04干燥。在減壓下移除溶劑后，通過 硅膠上的柱層析(洗脫劑己烷)純化殘余物，獲得50%產率的黃色固體狀化合物ld(0.11g， 0.15mm〇 1) 〇Amax = 365nm〇
[0582] 實施例5
[0583] 配制劑A、B、C、D及E的制備
[0584] 配制劑A為40mg/ml聚苯乙稀(Mw約 2，000，000，由Pres sure Chemicals供應）于乙 酸丁基酯/甲苯(23/2以體積計）中的溶液，其另外含有基于聚苯乙烯的重量為2重量％的化 合物lb。化合物lb如實施例2中所闡述來制備。
[0585] 配制劑B為40mg/ml聚苯乙稀(Mw約 2，000，000，由Pres sure Chemicals供應）于乙 酸丁基酯中的溶液，其另外含有基于聚苯乙烯的重量為4重量％的化合物la。化合物la如實 施例1中所闡述來制備。
[0586] 配制劑C為40mg/ml聚苯乙稀(Mw約 2，000，000，由Pres sure Chemicals供應）于乙 酸丁基酯中的溶液，其另外含有基于聚苯乙烯的重量為4重量％的化合物Id。化合物Id如實 施例4中所闡述來制備。
[0587] 配制劑D為W0 2010/049321的實施例1的20mg/ml二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合 物于甲苯中的溶液，其另外含有基于二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物的重量為4重量％ 的化合物lb。化合物lb如實施例2中所闡述來制備。
[0588] 配制劑E為W0 2010/049321的實施例1的0.75重量％的二酮吡咯并吡咯（DPP)-噻 吩聚合物于甲苯中的溶液，其另外含有基于二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物的重量為4 重量％的化合物lb。化合物lb如實施例2中所闡述來制備。
[0589] 配制劑A至E通過在室溫下分別將聚苯乙烯及二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物 與交聯劑混合于溶劑中來制備。
[0590] 實施例6
[0591] 包括自配制劑B形成的介電層的頂部柵極、底部觸點場效晶體管(FET)器件的制備
[0592] 通過陰影掩模的熱蒸發將金沉積至玻璃基板上，以形成約60nm厚的源極/漏極電 極膜(通道長度：50圓，通道寬度：500mi)。經由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)過濾器過濾W0 2010/049321的實施例1的二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物于甲苯中的0.75重量％溶液， 且然后通過旋涂（lOOOrpm，30秒)來施加。在90°C下在熱板上將濕半導電層干燥30秒。經由 0.45微米過濾器過濾實施例5中所闡述的配制劑B，且然后通過旋涂（3000rpm，30秒）來施 加。在90°C下在熱板上將濕介電層預烘焙2分鐘，以獲得520nm厚的層。在90°C下使用365nm (輻射劑量為960mJ/cm 2)對聚合物介電層實施UV固化。在介電層上經由陰影掩模蒸發金柵 極電極(厚度約80nm) 〇
[0593]使用Keithley 4200-SCS半導體表征系統來量測頂部柵極、底部觸點場效晶體管 (FET)器件的特征。包括自配制劑B形成的介電層的器件的分別在-3V(三角形）、-30V(方形） 的源極電壓Vds下的漏極電流Ids與柵極電壓V gs的關系(轉移曲線)顯示于圖1中。包括自配制 劑B形成的介電層的器件的在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的柵極電壓￥明下的 漏極電流Ids與漏極電壓V ds的關系(輸出曲線)顯示于圖2中。
[0594] 結果描述于表1中。
[0596] 表1 ?
[0597] 實施例7
[0598] 包括自配制劑C形成的介電層的頂部柵極、底部觸點場效晶體管(FET)器件的制備
[0599] 通過陰影掩模的熱蒸發將金沉積至玻璃基板上，以形成約60nm厚的源極/漏極電 極膜(通道長度：50圓，通道寬度：500mi)。經由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)過濾器過濾W0 2010/049321的實施例1的二酮吡咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物于甲苯中的0.75重量％溶液， 且然后通過旋涂（lOOOrpm，30秒)來施加。在90°C下在熱板上將濕半導電層干燥30秒。經由 0.45微米過濾器過濾實施例5中所闡述的配制劑C，且然后通過旋涂（3500rpm，30秒）來施 加。在90°C下在熱板上將濕介電層預烘焙2分鐘，以獲得520nm厚的層。在100°C與氮流下使 用365nm(輻射劑量為1120mJ/cm 2)對介電層實施UV固化。在介電層上經由陰影掩模蒸發金 柵極電極(厚度約80nm) 〇
[0600] 使用Keithley 4200-SCS半導體表征系統來量測頂部柵極、底部觸點場效晶體管 (FET)器件的特征。包括自配制劑C形成的介電層的器件的分別在-3V(三角形）、-30V(方形） 的源極電壓V ds下的漏極電流Ids與柵極電壓Vgs的關系(轉移曲線)顯示于圖3中。包括自配制 劑C形成的介電層的器件的在5￥、〇￥、-5￥、-1〇￥、-15￥、-2〇￥、-25￥及-3〇￥的柵極電壓￥0下的 漏極電流Ids與漏極電壓Vds的關系(輸出曲線)顯示于圖4中。
[0601] 結果描述于表2中。
[0603] 表2.
[0604] 實施例8
[0605]包括自配制劑E形成的聚合物半導電層的頂部柵極、底部觸點聚合物場效晶體管 (FET)器件的制備
[0606]通過陰影掩模的熱蒸發將金沉積至玻璃基板上，以形成約60nm厚的源極/漏極電 極膜(通道長度:50mi，通道寬度:500mi)。通過旋涂（1000rpm，30秒)來施加配制劑E。在90°C 下在熱板上將濕聚合物半導電層干燥30秒，且然后在90°C下使用365nm(輻射劑量為 2400mJ/cm 2)實施UV固化。通過旋涂(3000rpm,30秒)來施加由Pressure Chemicals供應的 聚苯乙烯于乙酸丁基酯中的4.0重量％溶液，并在90°C下干燥30秒。在介電層上經由陰影掩 模蒸發金柵極電極(厚度約80nm) 〇
[0607]使用Keithley 4200-SCS半導體表征系統來量測頂部柵極、底部觸點場效晶體管 (FET)器件的特征。包括自配制劑E形成的半導電層的器件的分別在-3 V (三角形）、-30 V (方 形）的源極電壓Vds下的漏極電流Ids與柵極電壓Vgs的關系(轉移曲線）顯示于圖5中。包括自 配制劑E形成的半導電層的聚合物器件的在5￥、0￥、-5￥、-10￥、-15￥、-20￥、-25￥及-30￥的柵 極電壓V gs下的漏極電流Ids與漏極電壓Vds的關系(輸出曲線)顯示于圖6中。
[0608] 結果描述于表3中。
[0610] 表3.
[0611] 實施例9
[0612] 在聚合物半導電層頂部的自配制劑C形成的聚合物介電層的光圖案化
[0613] 經由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)過濾器過濾W0 2010/049321的實施例1的二酮吡 咯并吡咯(DPP)-噻吩聚合物于甲苯中的0.75重量％溶液，且通過旋涂（1，500rpm，30秒)施 加至潔凈二氧化硅基板。在90 °C下在熱板上將濕聚合物半導電層干燥30秒。經由0.45微米 過濾器過濾實施例5中所闡述的配制劑C，且然后通過旋涂（3,500rpm，30秒)施加在聚合物 半導電層的頂部。在90°C下在熱板上將濕聚合物介電層預烘焙2分鐘，以獲得520nm厚的層。 使陰影掩模在介電層的頂部上對準，然后使用365nm(輻射劑量為60mJ/cm 2)在氮流下進行 固化。通過將膜于乙酸丁基酯中浸沒1分鐘、然后用氮鼓泡且在90°C下加熱5分鐘使固化膜 顯影。
[0614]使用Axio Imager顯微鏡獲取的自配制劑C開$成的光圖案化聚合物介電層的顯微 鏡圖像顯示于圖7中。
[0615] 實施例1〇
[0616] 自配制劑D形成的半導體層的光圖案化
[0617] 經由0.45微米過濾器過濾實施例5中所闡述的配制劑D，且然后通過旋涂（1， 500rpm，30秒)施加在二氧化硅基板的頂部上。使陰影掩模在半導電層的頂部上對準，然后 在90°C下使用365nm(輻射劑量為2400mJ/cm 2)進行固化。通過將膜于甲苯中浸沒1分鐘使固 化膜顯影，然后用氮鼓泡且在90°C熱板上加熱5分鐘。
[0618]使用Axio Imager顯微鏡獲取的自配制劑D形成的光圖案化半導體層的顯微鏡圖 像顯示于圖8中。
[0619] 實施例11
[0620]分別自配制劑A、配制劑C形成的固化介電層對溶劑溶解的穩定性
[0621]經由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)過濾器分別過濾實施例5中所闡述的配制劑A、配 制劑C二者，且通過旋涂(3500rpm，30s)涂覆在潔凈二氧化硅基板上。在90 °C下在熱板上將 濕介電層加熱2分鐘，以獲得550nm厚的膜。在90°C下使用365nm(輻射劑量為960mJ/cm2)對 自配制劑A形成的介電層實施UV固化。在100°C下使用365nm(輻射劑量為1120mJ/cm2)在氮 流下對自配制劑C形成的介電層實施UV固化。通過將介電層于乙酸丁基酯中浸沒1分鐘、然 后在90°C下加熱5分鐘來使介電層顯影。使用Veeco Dektak 150量測固化后顯影(dl)前及 顯影(d2)后介電層的厚度，以獲得膜保留比（d2/dl)。
[0622] 結果描述于表4中。
[0624] 表4.
[0625] 實施例12
[0626] 自配制劑D形成的固化半導電層對溶劑溶解的穩定性
[0627] 經由0.45微米聚四氟乙烯(PTFE)過濾器過濾實施例5中所闡述的配制劑D，且通過 旋涂（1500rpm, 30s)涂覆在潔凈二氧化娃基板上。在90 °C下在熱板上將濕聚合物半導電層 加熱2分鐘，冷卻至60°C，且然后在90°C下使用365nm(輻射劑量為約2400mJ/cm 2)對聚合物 半導電層實施UV固化。通過將層于甲苯中浸沒1分鐘、然后在90°C下加熱5分鐘使聚合物半 導電層顯影。使用Veeco Dektak 150量測固化后顯影(dl)前及顯影(d2)后聚合物半導電層 的厚度，以獲得膜保留比（d2/dl)。
[0628] 結果描述于表5中。
[0630] 表5.
[0631] 實施例13
[0632] 包括自配制劑C形成的介電層的電容器的制備
[0633] 經由0.45微米過濾器過濾實施例5中所闡述的配制劑C，且通過旋涂（3500rpm，30 秒)施加在經銦錫氧化物（IT0)電極預涂覆的潔凈玻璃基板上。在90°C下在熱板上將濕介電 層預烘焙2分鐘，以獲得500nm厚的層。在100°C與氮流下使用365nm(輻射劑量為1120mJ/ cm2)對介電層實施UV固化。然后在<1X1(T6托（1.3Xl(T4Pa)下經由陰影掩模將金電極(面積 =0.785mm 2)氣相沉積在介電層上。
[0634] 因此以下列方式表征所獲得的電容器：自使用Agilent E4980A Precision LCR計 (信號振幅為1V)量測的復合物電容推斷相對電容率。
[0635] 結果描述于表6中。
[0637] 表6.
[0638] 如可自表6導出，介電常數未受添加化合物Id的影響。
[0639] 實施例14
[0640] 輻射劑量對固化聚合物層的效應的評估
[0641 ] 經由0.45微米過濾器過濾實施例5中所闡述的配制劑C，且通過旋涂（3500rpm，30 秒)施加在二氧化硅基板上。在90°C下在熱板上將濕介電層預烘焙2分鐘，以獲得550nm厚的 層。使用具有不同福射劑量的365nm使用氮流對介電層實施UV固化。通過將介電層于乙酸丁 基酯中浸沒1分鐘、然后在90°C下加熱5分鐘來使介電層顯影。使用Veeco Dektak 150量測 固化后顯影(dl)前及顯影(d2)后介電層的厚度，以獲得膜保留比（d2/dl)。
[0642] 自配制劑C形成的介電層的膜保留比（dl/d2)與所施加輻射劑量的關聯性描述于 圖11中。
[0643] 圖11顯示所施加輻射劑量可降低至20mJ/cm2,且膜保留比仍保持在90%以上。
【主權項】
1.下式化合物其中 a為0、1或2， b為1、2、3或4， C為0或1， d為0、1、2、3或4， e為0、1或2， X為0、1或2， y為0、1或2， Z為0、1或2， W為0、1或2， η為0或1， Ari及Ar2在每次出現時彼此獨立地為芳族或雜芳族結構部分，其可經一個或多個選自 如下的取代基R3取代:Ci-20烷基、Cs-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、COOR"、CONRWrIi、 CORio、SO3R10、CN、N02、面素、ORio、SR …、NR …Rii、0C0R …及 NR …CORii， 其中Ri化Rii在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基或5至12員 雜芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R33取代： 苯基、C00R12、CONR12r13、C0R12、S03R12、CN、N02、面素、0R12、SR12、NR11r12、0C0R12 及 NR12c〇r13， 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R3b取 代：Ci-10 烷基、環戊基、環己基、C00Rl2、C0NRl2Rl3、C0Rl2、S03Rl2、CN、N02、面素、0Rl2、SRl2、 nr12r13、0C0R12 及 nr12cor13， 其中ru及RI3在每次出現時彼此獨立地為C1-10烷基、環戊基、環己基或苯基，且 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰Ar\至少兩個相鄰Ar2及/或Ari與 Ar2可另外通過一個或多個L3連接，其中L3為連接結構部分B， 。及L3在每次出現時彼此獨立地為其中 R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-20烷基、C日-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、 COOr2〇、CONR2〇r2i、COr2〇、S〇3R2〇、CN、N02或面素， 其中rW及rU在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、Cs-8環烷基、C6-M芳基或5至12員 雜芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基Rb取代:苯 基、COOR22、CONR22r23、COR22、S03R22、CN、N02、面素、0R22、SR22、NR22r23、OCOR22及NR22c〇R23， 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基r取 代：Ci-10烷基、環戊基、環己基、COOR22、C0NR22R23、COR 22、S03R22、CN、N02、面素、OR22、SR22、 NR22r23、0C0R22及NR22c〇R23， 其中R22及R23在每次出現時彼此獨立地為Ci-10烷基、環戊基、環己基或苯基， 或，若Li或L3為則R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A， L2為連接結構部分A， 且 R1及R2在每次出現時彼此獨立地為H、Cl-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、 COOr3°、C0NR3 VI、COr3°、S03R3°、CN、N02、面素、0R3°、SR3°、NR3 VI、OCOr3° 或 NR3°C0R3i， 其中rW及R"在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、Cs-8環烷基、C6-M芳基或5至12員 雜芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基Rd取代:苯 基、COOR32、CONR32r33、COR32、S03R32、CN、N02、面素、0R32、SR32、NR32r33、OCOR32及NR32c〇R33， 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基R6取 代：Ci-10烷基、環戊基、環己基、COOR32、C0NR32R33、COR 32、S03R32、CN、N02、面素、OR32、SR32、 NR32r33、0C0R32及NR32c〇R33， 其中R32及R33在每次出現時彼此獨立地為Ci-10烷基、環戊基、環己基或苯基。2. 根據權利要求1的化合物，其中n = 0,且式(1)化合物具有下式其中Rl、R2、x、y、z、w、Ll、A;rl、L2、Ar2、L3、a、b、c、d及e如權利要求l中所描述。3. 根據權利要求1或2的化合物，其中 Ari及Ar2在每次出現時彼此獨立地為芳族或雜芳族結構部分，其可經一個或多個選自 如下的取代基R3取代:Cl-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、COOR"、CONRi VI、 CORio、S〇3R1〇、CN、N02、面素、ORio、SR …、NR …r1i、OCOR …及 NR …CORii， 其中rW及Rii在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、Cs-8環烷基、C6-14芳基或5至12員 雜芳基，且 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰ΑΛ至少兩個相鄰Ar2及/或Ari與 Ar2可另外通過一個或多個L3連接，其中L3為連接結構部分B，且 Li及L3在每次出現時彼此獨立地為其中 R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cl-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、 COOR20、CONR2〇r2i、COR20、S〇3R2〇、CN、N02或面素， 其中rW及R"在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、Cs-8環烷基、C6-M芳基或5至12員 雜芳基， 或，若Li或L3為則R3及R4與其所連接的C原子一起形成5至7員非芳族環體系A。4.根據權利要求1-3中任一項的化合物，其中 L2為連接結構部分A，其中連接結構部分A選自：Ci-io亞烷基、C2-10亞締基、C5-8亞環烷基、 Cl-4亞柄基-C日-8亞環柄基-Cl-4亞柄基、Cl-4亞柄基-亞苯基-Cl-4亞柄基、〔2-4亞締基-C日-8亞環 烷基-C2-4亞締基及C2-4亞締基-亞苯基-C2-4亞締基，其在每次出現時可經一個或多個選自如 下的取代基Rf取代：Cl-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、C00R4\C0NR 4Vi、 COr4〇、S〇3R4〇、CN、N02、面素、Or4〇、SR40、NR4〇r4i、OCOR40 及 NR4〇COr4i， 其中R4化R"在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-io烷基、Cs-8環烷基、C6-M芳基或5至12員 雜芳基， 其中Cl-20烷基及C5-8環烷基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基Rfa取代： 苯基、C00R42、C0NR42r43、C0R42、S03R42、CN、N02、面素、0R42、SR42、NR42r43、0C0R42及NR42c〇R43， 其中C6-14芳基及5至12員雜芳基在每次出現時可經一個或多個選自如下的取代基Rfb取 代：Ci-10烷基、環戊基、環己基、C00R42、C0NR"R"、C0R"、S03R42、CN、N02、面素、OR 42、SR42、 NR42r43、0C0R42及NR42c〇R43， 其中R42及R43在每次出現時彼此獨立地為Ci-10烷基、環戊基、環己基或苯基，且 其中Cl-10亞烷基、Cl-4亞烷基、C2-10亞締基、C2-4亞締基及/或C5-8亞環烷基的一個或多個 C 出基團可經C = O、（C = O)O、（C = O)NR50、SO2-NR50、NR50、NR50R5l、O或S替代， 其中RW及R5唯每次出現時彼此獨立地為。-1〇烷基，且 R1及R2在每次出現時彼此獨立地為H、Cl-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、 coor3°、C0NR3 VI、cor3°、s〇3r3°、CN、n〇2、面素、or3°、sr3°、nr3 VI、ocor3° 或 nr3°cor3i， 其中rW及R"在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、Cs-8環烷基、C6-M芳基或5至12員 雜芳基。5. 根據權利要求1-4中任一項的化合物，其中 a與e相同且為0或1， b為1、2或3， C為0或1，且 d為0、1、2或3， X與y相同且為〇、1或2,且 Z與W相同且為0、1或2， Ar咳Ar咱每次出現時彼此獨立地為C6-14芳族或5至12員雜芳族結構部分，其可經一個 或多個選自如下的取代基R3取代:Ci-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、COOR"、 coNRi VI、corw、s〇3rw、CN、n〇2、面素、orw、srw、NRi VI、ocorw 及 nri°corii， 其中rW及Rii在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、Cs-8環烷基、C6-14芳基或5至12員 雜芳基， 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的至少兩個相鄰ΑΛ至少兩個相鄰Ar2及/或Ari與 Ar2可另外通過一個或多個L3連接，其中L3為連接結構部分B， Li與L3相同且為其中 R3及R4在每次出現時彼此獨立地為H、Cl-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、 COOR20、CONR2〇r2i、COR20、S〇3R2〇、CN、N02或面素， 其中rW及R"在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-2〇烷基、Cs-8環烷基、C6-M芳基或5至12員 雜芳基， L2為連接結構部分A，其中連接結構部分A選自：Ci-io亞烷基、C2-10亞締基、C5-8亞環烷基、 Cl-4亞柄基-C日-8亞環柄基-Cl-4亞柄基、Cl-4亞柄基-亞苯基-Cl-4亞柄基、〔2-4亞締基-C日-8亞環 烷基-C2-4亞締基及C2-4亞締基-亞苯基-C2-4亞締基，其在每次出現時可經一個或多個選自如 下的取代基Rf取代：Cl-20烷基、C5-8環烷基、C6-14芳基、5至12員雜芳基、C00R4\C0NR 4Vi、 COr4〇、S〇3R4〇、CN、N02、面素、Or4〇、SR40、NR4〇r4i、OCOR40 及 NR4〇COr4i， 其中R4化R"在每次出現時彼此獨立地為H、Ci-io烷基、Cs-8環烷基、C6-M芳基或5至12員 雜芳基，且 其中Cl-lO亞烷基、Cl-4亞烷基、C2-10亞締基、C2-4亞締基及/或C5-8亞環烷基的一個或多個 C 出基團可經C = O、（C = O)O、（C = O)NR50、SO2-NR50、NR50、NR50R5l、O或S替代， 其中RW及R5唯每次出現時彼此獨立地為。-1〇烷基，且 Ri與R2相同且為H、。-2日烷基或C日-巧烷基。6. 根據權利要求5的化合物，其中 a與e相同且為0或1， b為1， c為Ο或1，且 d為Ο或1， X與y相同且為Ο或1，且 Ζ與W相同且為1或2， Ari與Ar2相同且為C6-14芳族或5至12員雜芳族結構部分，其可經一個或多個選自由Ci-20 烷基及ORId組成的群的取代基R3取代， 其中Rl嘴每次出現時彼此獨立地為。-20烷基，且 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的Ari與Ar可另外通過一個或多個L3連接，其中L3 為連接結構部分B，其中連接結構部分B為可經一個或多個Ci-io烷基取代的Ci-4亞烷基， Li與L3相同且為其中 R3及R4在每次出現時彼此獨立地為Η、Ci-20烷基、COORW、C0NR2 VI、CORW、SO濁W、CN、N02 或面素， 其中rW及R2唯每次出現時彼此獨立地為呢的-20烷基， L2為連接結構部分A，其中連接結構部分A選自：Ci-io亞烷基、C2-10亞締基、C5-8亞環烷基、 Cl-4亞柄基-C日-8亞環柄基-Cl-4亞柄基、Cl-4亞柄基-亞苯基-Cl-4亞柄基、〔2-4亞締基-C日-8亞環 烷基-C2-4亞締基及C2-4亞締基-亞苯基-C2-4亞締基， 其中Cl-10亞烷基、Cl-4亞烷基、C2-10亞締基、C2-4亞締基及/或C5-8亞環烷基的一個或多個 C 出基團可經C = O、（C = O)O、（C = O)NR50、SO2-NR50、NR50、NR50R5l、O或S替代， 其中RW及R5唯每次出現時彼此獨立地為。-1〇烷基，且 Rl與R2相同且為支化C3-6烷基。7.根據權利要求6的化合物，其中 X與y相同且為0， Z與W相同且為2， Ari與Ar2相同且為其可經一個或多個選自由Cl-10烷基及ORW組成的群的取代基R3取代， 其中Rl嘴每次出現時彼此獨立地為。-10烷基，且 其中皆連接至L2或若c = 0則彼此連接的Ari與Ar可另外通過一個或多個L3連接，其中L3 為連接結構部分B，其中連接結構部分B為經一個或多個Cl-10烷基取代的亞甲基， Li與L3相同且為其中 R3及R4為H，且 L2為連接結構部分A,其中連接結構部分A為Ci-io亞烷基， 其中Ci-io亞烷基的一個或多個C此基團可經C = 0、（C = 0)0、（C = 0)NRW、S〇2-NRW、NR5d、 ^5噸51、0或8替代， 其中RW及R5唯每次出現時彼此獨立地為Ci-io烷基。8. -種制備根據權利要求2的下式化合物的方法，其中a、b、c、d、e、x、y、z、w、A;rl、Ar2、Ll、L3、L2、Rl及R2如針對式（l)化合物所描述， 與 Μ"+(Ν3-)m 反應， 其中m為1、2或3，且Μ為金屬。9. 一種溶液，其包含一或多種根據權利要求1-7中任一項的式（1)化合物、一或多種聚 合物及一或多種溶劑。10. 根據權利要求9的溶液，其中一或多種聚合物為介電聚合物。11. 根據權利要求10的溶液，其中一或多種聚合物為基于苯乙締的聚合物。12. -種制備器件的方法，所述方法包括W下步驟：（i)將根據權利要求9-11中任一項 的溶液沉積在載體上W形成層，及(ii)將步驟(i)的層暴露于福射下W形成聚合物層。13. 根據權利要求12的方法，其中器件為電子器件。14. 根據權利要求12或13的方法，其中步驟（ii)的福射具有介于300nm至450nm范圍內 的波長。15. -種器件，其可通過根據權利要求12-14中任一項的方法獲得。16. 根據權利要求1-7中任一項的式（1)化合物的用途，其作為用于交聯一或多種聚合 物的交聯劑。
【文檔編號】C08K5/28GK105849170SQ201480038716
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年6月30日
【發明人】M·周, F·G·布魯內提, E·馬丁, S·貝克爾, 堂依伊織, R·N·桑托索, M·S·拉姆
【申請人】巴斯夫歐洲公司