一種半導體表面清洗劑及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及清洗劑領域，尤其設及一種半導體表面清洗劑及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 無機的半導體材料在電子工業、數碼工業、太陽能產業中廣泛采用。其污物主要是 表面殘留物、助焊劑、松香、樹脂、油污、指印、灰塵，清洗劑需是易揮發有機體系、且快速、高 效、通常在較低溫度下進行清洗。
【發明內容】
[0003] 本發明所要解決的技術問題在于，提供一種成本相對較低、使用效果佳、快速、且 在較低溫度下進行清洗的半導體表面清洗劑。
[0004] 本發明所采用的技術方案為：一種半導體表面清洗劑，按重量份包括如下組分： 氣碳溶劑10-60份、氨氣酸10-60份、有機醇1-20份、表面活性劑1-20份、馨合劑1-15份 和穩定劑1-15份。
[0005] 優選的，所述半導體表面清洗劑，按重量份包括如下組分：氣碳溶劑30-50份、氨 氣酸30-50份、有機醇5-10份、表面活性劑1-10份、馨合劑2-5份和穩定劑2-7份。
[0006] 更優選的，所述半導體表面清洗劑，按重量分包括如下組分：氣碳溶劑40份、氨氣 酸50份、有機醇5份、表面活性劑1份、馨合劑2份和穩定劑2份。
[0007] 優選的，所述氣碳溶劑為含Cs~C1。的氣代控化合物或其混合物，更優選的，所述 氣碳溶劑為十六氣庚燒或其它類似物的混合物。
[000引優選的，所述氨氣酸為含Cs~C1。的氣代氨氣酸或其混合物，更優選的，所述氨氣 酸為九氣下基甲酸或其它類似物的混合物。
[0009] 優選的，所述有機醇為含C3~C7的有機醇或其混合物，更優選的所述有機醇為異 丙醇或其它類似物的混合物。
[0010] 優選的，所述表面活性劑為非離子型表面活性劑，更優選的，為非離子型氣碳表面 活性劑巧e602型）。
[0011] 優選的，所述馨合劑為含C7-C2。的含N雜環類有機馨合物或其混合物，更優選的為 2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫或其類似物的混合物。
[0012] 優選的，所述穩定劑為含C2-C7的氣代醇或其混合物，更優選的為S氣乙醇或其類 似物的混合物。
[0013] 本發明還提供了一種半導體清洗劑的制備方法，主要包括如下步驟：
[0014] (1)按化學式準確稱量氣碳溶劑、氨氣酸、有機醇、表面活性劑、馨合劑和穩定劑；
[0015] (2)將混合后的上述原料攬拌、溶解，即可制得本發明的半導體表面清洗劑。
[0016] 實施本發明實施例，具有如下有益效果：
[0017] 本發明半導體表面清洗劑含氣代化合物，因而不易燃、揮發速率快，不含破壞環 境的氣氯控類化合物，對半導體表面污垢具有較好的溶解、清洗性能。對半導體材料或產品 的表面殘留物、助焊劑、松香、樹脂、油污、指印、灰塵有優良的清洗效果，而且清洗需在較低 溫度下的有機體系中進行、具備快速、高效的特點。也可用在電子、數碼、太陽能工業產品的 表面清洗上。
【具體實施方式】
[0018] 為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將對本發明作進一步地詳細 描述。
[001引 實施例1:
[0020] 按化學式準確稱量十六氣庚燒、九氣下基甲酸、異丙醇、Ee602型非離子型氣碳表 面活性劑、2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0021] 控制各成份重量百分比如下：
[0022] 十六氣庚燒，其用量40% ;
[0023] 九氣下基甲酸，其用量50 %;
[0024] 異丙醇，其用量5%;
[00巧]非離子型氣碳表面活性劑巧e602型，上海久±城化學有限公司），其用量1% ;
[0026] 2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫，其用量2% ;
[0027]S氣乙醇，其用量2%;
[0028] 在制造過程中，包括：混料、攬拌、溶解等過程。先按上述原材料比例稱量反應原 料，機械混合、溶解，并在超級恒溫槽中恒溫50-80°C。把含污物的半導體忍片放入，攬拌 清洗4-7分鐘取出，觀察清洗效果。
[0029] 對比：實驗條件不變，但原料中缺了馨合劑，2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫的情 況。實驗結果（實驗編號1、2、3、4)見表1。
[0030] 實施例2:
[0031] 按化學式準確稱量十六氣庚燒、九氣下基甲酸、異丙醇、Ee602型非離子型氣碳表 面活性劑、2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0032] 控制各成份重量百分比如下：
[0033] 十六氣庚燒，其用量50%;
[0034] 九氣下基甲酸，其用量30%;
[0035] 異丙醇，其用量10%;
[0036] 非離子型氣碳表面活性劑巧e602型，上海久±城化學有限公司），其用量2%;
[0037] 2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫，其用量5%;
[0038]S氣乙醇，其用量3%;
[0039] 在制造過程中，包括：混料、攬拌、溶解等過程。先按上述原材料比例稱量反應原 料，機械混合、溶解，并在超級恒溫槽中恒溫40-70°C。把含污物的半導體忍片放入，攬拌 清洗4-7分鐘取出，觀察清洗效果。
[0040] 對比：實驗條件不變，但原料中缺了馨合劑，2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫的情 況，實驗結果（實驗編號5、6、7、8)見表1。
[00川 實施例3:
[0042] 按化學式準確稱量十六氣庚燒、九氣下基甲酸、異丙醇、Ee602型非離子型氣碳表 面活性劑、2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0043] 控制各成份重量百分比如下：
[0044] 十六氣庚燒，其用量30% ;
[0045] 九氣下基甲酸，其用量50% ;
[0046] 異丙醇，其用量8%;
[0047] 非離子型氣碳表面活性劑巧e602型，上海久±城化學有限公司），其用量2% ;
[0048] 2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫，其用量3%;
[0049] S氣乙醇，其用量7%;
[0050] 在制造過程中，包括：混料、攬拌、溶解等過程。先按上述原材料比例稱量反應原 料，機械混合、溶解，并在超級恒溫槽中恒溫20-5(TC。把含污物的半導體忍片放入，攬拌 清洗4-7分鐘取出，觀察清洗效果。
[0051] 對比：實驗條件不變，但原料中缺了馨合劑，2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫的情 況，實驗結果（實驗編號9、10、11、12)見表1。
[0052] 表1實施例實驗情況表
[0053]
[0054]
[00 巧]
[0056] 表1包括了原料比例變化、清洗溫度變化及清洗時間變化的實驗結果，結果表明： 本發明的半導體表面清洗劑，是優良的半導體材料清洗劑，可W有效地清洗半導體表面的 各種污染物。由于半導體材料在電子工業、數碼工業、太陽能產業中廣泛采用，因此對運類 清洗材料的需求很大，市場化前景十分廣闊。
[0057] 實施例4 :
[0058] 按化學式準確稱量十六氣庚燒、九氣下基甲酸、異丙醇、Ee602型非離子型氣碳表 面活性劑、2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0059] 控制各成份重量百分比如下：
[0060] 十六氣庚燒，其用量80%;
[0061] 九氣下基甲酸，其用量10% ;
[0062] 異丙醇，其用量2%;
[0063] 非離子型氣碳表面活性劑巧e602型，上海久±城化學有限公司），其用量3%;
[0064] 2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫，其用量2%;
[0065] S氣乙醇，其用量3%;
[0066] 在制造過程中，包括：混料、攬拌、溶解等過程。先按上述原材料比例稱量反應原 料，機械混合、溶解，并在超級恒溫槽中恒溫50-80°C。
[0067] 實施例5:
[0068] 按化學式準確稱量十六氣庚燒、九氣下基甲酸、異丙醇、Ee602型非離子型氣碳表 面活性劑、2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0069] 控制各成份重量百分比如下：
[0070] 十六氣庚燒，其用量10%;
[0071] 九氣下基甲酸，其用量60% ;
[0072] 異丙醇，其用量10%;
[0073] 非離子型氣碳表面活性劑巧e602型，上海久±城化學有限公司），其用量10%;
[0074] 2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫，其用量5%;
[0075] S氣乙醇，其用量5%;
[0076] 在制造過程中，包括：混料、攬拌、溶解等過程。先按上述原材料比例稱量反應原 料，機械混合、溶解，并在超級恒溫槽中恒溫50-80°C。
[0077] 實施例6 :
[0078] 按化學式準確稱量十六氣庚燒、九氣下基甲酸、異丙醇、Ee602型非離子型氣碳表 面活性劑、2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0079] 控制各成份重量百分比如下：
[0080] 十六氣庚燒，其用量30%;
[0081] 九氣下基甲酸，其用量30% ;
[0082] 異丙醇，其用量15%;
[0083] 非離子型氣碳表面活性劑巧e602型，上海久±城化學有限公司），其用量15%;
[0084] 2-(2'-徑基苯基）苯并咪挫，其用量5% ;
[0085] S氣乙醇，其用量5%;
[0086] 在制造過程中，包括：混料、攬拌、溶解等過程。先按上述原材料比例稱量反應原 料，機械混合、溶解，并在超級恒溫槽中恒溫50-80°C。
[0087] W上所掲露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能W此來限定本發明之權 利范圍，因此依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的范圍。
【主權項】
1. 一種半導體表面清洗劑，其特征在于，按重量份包括如下組分：氟碳溶劑10-60份、 氫氟醚10-60份、有機醇1-20份、表面活性劑1-20份、螯合劑1-15份和穩定劑1-15份。2. 根據權利要求1所述的一種半導體表面清洗劑，其特征在于，按重量份包括如下組 分：氟碳溶劑30-50份、氫氟醚30-50份、有機醇5-10份、表面活性劑1-10份、螯合劑2-5 份和穩定劑2-7份。3. 根據權利要求2所述的一種半導體表面清洗劑，其特征在于，按重量份包括如下組 分：氟碳溶劑40份、氫氟醚50份、有機醇5份、表面活性劑1份、螯合劑2份和穩定劑2份。4. 根據權利要求1~3任一項所述的半導體表面清洗劑，其特征在于：所述氟碳溶劑 為十六氟庚烷或其它類似物的混合物。5. 根據權利要求1~3任一項所述的半導體表面清洗劑，其特征在于：所述氫氟醚為 九氟丁基甲醚或其它類似物的混合物。6. 根據權利要求1~3任一項所述的半導體表面清洗劑，其特征在于：所述有機醇為 異丙醇或其它類似物的混合物。7. 根據權利要求1~3任一項所述的半導體表面清洗劑，其特征在于：所述表面活性 劑為非離子型氟碳表面活性劑。8. 根據權利要求1~3任一項所述的半導體表面清洗劑，其特征在于：所述螯合劑為 2- (2'-羥基苯基）苯并咪唑或其類似物的混合物。9. 根據權利要求1~3任一項所述的半導體表面清洗劑，其特征在于：所述穩定劑為 三氟乙醇或其類似物的混合物。10. -種制備如權利要求1~9任意一項所述的半導體表面清洗劑的制備方法，其特征 在于，包括以下步驟： (1) 按化學式準確稱量氟碳溶劑、氫氟醚、有機醇、表面活性劑、螯合劑和穩定劑； (2) 將混合后的上述原料攪拌、溶解。
【專利摘要】本發明實施例公開了一種半導體表面清洗劑，按重量份包括如下組份：氟碳溶劑10-60份、氫氟醚10-60份、有機醇1-20份、表面活性劑1-20份、螯合劑1-15份和穩定劑1-15份。本發明半導體表面清洗劑含氟代化合物,因而不易燃、揮發速率快，不含破壞環境的氟氯烴類化合物，對半導體表面污垢具有較好的溶解、清洗性能，適用于半導體表面殘留物、助焊劑、松香、樹脂、油污、指印、灰塵的清洗，清洗效果良好。也可用在電子、數碼、太陽能工業產品的表面清洗上。
【IPC分類】C11D1/66, C11D3/20, C11D3/24, C11D3/60, C11D3/28
【公開號】CN105199859
【申請號】CN201510593289
【發明人】童義平
【申請人】惠州學院
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年9月17日