聚酰胺酰亞胺高分子、石墨膜及其制備方法
【專利說明】聚酰胺酰亞胺高分子、石墨膜及其制備方法 【技術領域】
[0001] 本發明關于一種聚酰胺酰亞胺高分子，特別關于一種導入二酸酐的聚酰胺酰亞胺 高分子及由該聚酰胺酰亞胺高分子所構成的石墨膜及其制備方法。 【【背景技術】】
[0002] 在電子產品不斷走向輕、薄、短、小的趨勢下，除了 3C產品的散熱需求，在電池、儲 能等產業，功率提高，散熱需求也隨之提升，由于人造石墨膜在平面方向具有很高的熱傳導 值，可作為一種散熱零件用于各種發熱元件。
[0003] 人造石墨膜的生產制作方式為使用特定的高分子膜材，分別經過1，000°C碳化 (氮氣環境）與2, 40(TC石墨化（氬氣環境）處理，再進行后續輾壓制程，即可獲得石墨膜。
[0004] 分析現有技術可發現，一般的聚酰胺酰亞胺膜（PAIfilm)，在經高溫2, 400°C熱處 理后，由于石墨化度低，無法形成人造石墨膜。 【
【發明內容】
】
[0005] 根據本發明一實施例，該聚酰胺酰亞胺高分子，具有如化學式（I)所示的化學結 構：
【主權項】
m:n= 8:2~6:4,所述高分子的重均分子量為20,OOO~60, 000。
2. 如權利要求1所述的聚酰胺酰亞胺高分子，其中m:n= 7. 5:2. 5~6. 5:3. 5,所述高 分子的重均分子量為30, 000~50, 000。
3. -種石墨膜，其通過對聚酰胺酰亞胺高分子進行熱處理制程所制備，其中該熱處理 制程的溫度為25~2, 900°C，且該聚酰胺酰亞胺高分子具有下列化學式（I):
m:n= 8:2~6:4,所述高分子的重均分子量為20,OOO~60, 000。
4.如權利要求3所述的石墨膜，其中該聚酰胺酰亞胺高分子中的X2包括
5. -種石墨膜的制備方法，包括：對聚酰胺酰亞胺高分子進行熱處理制程，以制備石 墨膜，其中該熱處理制程的溫度為25~2, 900°C，且該聚酰胺酰亞胺高分子具有下列化學 式⑴：
m:n= 8:2~6:4,所述高分子的重均分子量為20,OOO~60, 000。
6. 如權利要求5所述的石墨膜的制備方法，其中該熱處理制程包括碳化制程與石墨化 制程。
7. 如權利要求6所述的石墨膜的制備方法，其中該碳化制程的溫度為25~1，300°C。
8. 如權利要求6所述的石墨膜的制備方法，其中該石墨化制程的溫度為1，800~ 2, 900。。。
9. 如權利要求6所述的石墨膜的制備方法，還包括導入氮氣、氫氣、氦氣或氦氣于該碳 化制程中。
10. 如權利要求6所述的石墨膜的制備方法，還包括導入氦氣、氫氣或氦氣于該石墨化 制程中。
【專利摘要】本發明提供一種聚酰胺酰亞胺高分子，具有下列化學式(I)：化學式(I)中，X1包括X2包括以及m:n＝8:2～6:4，此高分子的重均分子量為20,000～60,000。
【IPC分類】C01B31-04, C08G73-14
【公開號】CN104710617
【申請號】CN201410335199
【發明人】林振隆, 劉彥群, 張惠雯, 邱國展, 胡憲霖
【申請人】財團法人工業技術研究院
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2014年7月15日
【公告號】US20150166347