透明聚酰亞胺基底以及制備該基底的方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種透明聚酰亞胺基底及其制備方法，所述基底可以用作柔性顯示器 基底。
【背景技術】
[0002] 近來，電子設備如柔性0LED、彩色EPD、塑料IXD、TSP和0PV等，已經作為可以容易 地扭曲和彎曲的下一代顯示器而吸引了大量注意。為了制備這種可以容易地進行扭曲和彎 曲的柔性顯示器，需要新型的基底來替代傳統的玻璃基底。這種新型基底必須具有足夠的 耐化學性、耐熱性和透光性以保護顯示器的部件。另外，這種新型基底必須耐用于在制備顯 示器過程中所進行的清洗、剝離和蝕刻等中使用的溶劑，而且需要耐高溫。
[0003] 多種塑料基底正在被考慮作為柔性顯示器基底的備選項。在這些塑料基底中，透 明聚酰亞胺膜被認為是主要的備選項。
[0004] 為了改善被考慮作為柔性顯示器基底的透明聚酰亞胺膜的耐溶劑性，通常，采用 在透明聚酰亞胺膜上形成丙烯酸類或環氧類有機固化膜的方法。然而，這種有機固化膜的 問題在于，其耐熱性在超過200°c的高溫或在300°C以上的高溫下會發生劣化。
【發明內容】
[0005] 技術問題
[0006] 因此，本發明已完成以解決上述問題，本發明的一個目的是提供一種具有優異的 耐溶劑性和高耐熱性的透明聚酰亞胺基底。
[0007] 本發明的另一個目的是提供一種制備具有優異的耐溶劑性和高耐熱性的透明聚 酰亞胺基底的方法。
[0008] 技術方案
[0009] 為了實現上述目的，本發明的一方面提供一種透明聚酰亞胺基底，包括：透明聚酰 亞胺膜；和氧化硅層，該氧化硅層形成于所述透明聚酰亞胺膜的一面或兩面上，并且該氧化 娃層包含具有由下式1表不的單兀結構的氧化娃：
[0010] [式 1]
[0011]
【主權項】
1. 一種透明聚酰亞胺基底，包括： 透明聚酰亞胺膜；和 氧化硅層，該氧化硅層形成于所述透明聚酰亞胺膜的一面或兩面上，并且該氧化硅層 包含具有由下式1表示的單元結抝的氬仆硅，
其中，m和η各自獨立地為O至10的整數。
2. 根據權利要求1所述的透明聚酰亞胺基底，其中，所述氧化硅層的厚度為0. 3? 2· 0 μ m〇
3. 根據權利要求1所述的透明聚酰亞胺基底，其中，所述氧化硅層的表面粗糙度（RMS) 為5nm以下。
4. 一種制備透明聚酰亞胺基底的方法，包括如下步驟： 將含有聚硅氮烷的溶液涂布在透明聚酰亞胺膜的一面或兩面上，然后干燥該溶液，形 成聚硅氮烷層；以及 使所述聚硅氮烷層固化。
5. 根據權利要求4所述的方法，其中，所述聚硅氮烷包含由下式2表示的單元結構：
其中，m和η各自獨立地為0至10的整數。
6. 根據權利要求5所述的方法，其中，所述聚硅氮烷的重均分子量為1，000?5, 000。
7. 根據權利要求4所述的方法，其中，所述聚硅氮烷層的厚度為0. 3?2. 0 μ m。
8. 根據權利要求4所述的方法，其中，在所述使聚硅氮烷層固化的步驟中，所述聚硅氮 烷層通過在200?300°C的溫度下進行熱處理而被熱固化。
9. 根據權利要求4所述的方法，其中，在所述涂布含有聚硅氮烷的溶液的步驟中，所述 含有聚硅氮烷的溶液還包含UV固化劑， 并且，在所述使聚硅氮烷層固化的步驟中，所述聚硅氮烷層通過用具有312nm或365nm 的短波長的UV，以1500?4000J/m2的輻射強度照射而被固化。
10. 根據權利要求9所述的方法，其中，所述UV固化劑包括選自安息香醚光引發劑、二 苯甲酮光引發劑以及它們的混合物的任一種。
【專利摘要】本發明公開了一種透明聚酰亞胺基底，包括：透明聚酰亞胺膜；和氧化硅層，該氧化硅層形成于所述透明聚酰亞胺膜的一面或兩面上，且包含氧化硅。
【IPC分類】G09F9-00, C08J7-04, C08J5-18, C08G73-10, B32B27-06
【公開號】CN104540884
【申請號】CN201280075265
【發明人】禹學龍, 鄭鶴基, 樸相胤
【申請人】可隆工業株式會社
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2012年6月25日
【公告號】EP2864402A1, WO2014003211A1