高頻信號線路的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及高頻信號線路，更具體而言，涉及高頻信號傳輸所使用的高頻信號線路。
【背景技術】
[0002]作為現有的高頻信號線路，已知有例如專利文獻I所記載的信號線路。圖10是專利文獻I所記載的信號線路500的分解圖。
[0003]圖10所示信號線路500包括主體512、接地導體530a、530b、534及信號線532。主體512通過將絕緣片522a?522d依次層疊來構成。
[0004]信號線532設置在絕緣片材522c上。將接地導體530a、530b設置在絕緣片522b上。接地導體530a、530b隔著狹縫S相對。從層疊方向俯視時，狹縫S與信號線532重疊。因而，接地導體530a、530b不與信號線532相對。
[0005]將接地導體534設置在絕緣片522d上，且接地導體534隔著絕緣片522c與信號線532相對。
[0006]在如上所述那樣構成的信號線路500中，接地導體530a、530b不與信號線532相對，因此，難以在接地導體530a、530b與信號線532之間形成電容。因此，即使減小接地導體530a、530b與信號線532之間的層疊方向上的間隔，也能抑制它們之間形成的電容變得過大、且能抑制信號線532的特性阻抗從希望的特性阻抗偏離。其結果是，在信號線路500中能力圖使主體512變薄。
[0007]然而，在專利文獻I所記載的信號線路500中容易產生如以下說明那樣的較低頻率的噪聲。下面，設信號線路500的兩端為端部540a、540b，設信號線路500的端部540a、540b之間的部分為線路部542。
[0008]如圖10所示，信號線路500的線路部542具有均勻的截面結構。因此，線路部542中的信號線532的特性阻抗均勻。另一方面，例如，將端部540a、540b插入到電路基板的插孔中。此時，插孔內的端子與信號線532的兩端相連接，因此，在這些連接部分中產生寄生阻抗。而且，端部540a、540b中的信號線532與電路基板插孔內的導體相對，因此，在端部540a, 540b中的信號線532與電路基板插孔內的導體之間形成寄生電容。其結果是，端部540a、540b中的信號線532的特性阻抗與線路部542中的信號線532的特性阻抗變得不同。
[0009]此處，若端部540a、540b中的信號線532的特性阻抗與線路部542中的信號線532的特性阻抗變得不同，則在端部540a、540b中產生高頻信號反射。由此，產生以端部540a、540b之間的距離為1/2波長的低頻駐波。其結果是，從信號線路500輻射出低頻噪聲。
[0010]現有技術文獻
[0011]專利文獻
[0012]專利文獻1:國際專利申請公開2011/018934號公報
【發明內容】
[0013]發明所要解決的技術問題
[0014]由此，本發明的目的在于提供能抑制低頻噪聲的產生的高頻信號線路。
[0015]解決技術問題所采用的技術方案
[0016]本發明的一個方式所涉及的高頻信號線路的特征在于包括:主體，該主體具有第一層以及第二層；信號線路，該信號線路包括設置于所述第一層的第一線路部、設置于所述第二層的第二線路部、以及將該第一線路部與該第二線路部相連的第一層間連接部；第一接地導體，該第一接地導體包括第一接地部，該第一接地部在所述第一層中沿所述第一線路部延伸，且兩端比該兩端以外的中間部分更靠近該第一線路部；第二接地導體，該第二接地導體包括第二接地部，該第二接地部在所述第二層中沿所述第二線路部延伸，且兩端比該兩端以外的中間部分更靠近該第二線路部；以及第二層間連接部，該第二層間連接部將所述第一接地部的端部與所述第二接地部的端部相連，所述第一層間連接部與所述第二層間連接部的距離比所述第一線路部與所述第一接地部的中間部分的距離要小，且比所述第二線路部與所述第二接地部的中間部分的距離要小。
[0017]發明效果
[0018]根據本發明，能抑制低頻噪聲的產生。
【附圖說明】
[0019]圖1是一實施方式所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
[0020]圖2是一實施方式所涉及的高頻信號線路的電介質主體的分解圖。
[0021]圖3是一實施方式所涉及的高頻信號線路的信號線路及接地導體的俯視圖。
[0022]圖4A是高頻信號線路的連接器的外觀立體圖，圖4B是高頻信號線路的連接器的剖面結構圖。
[0023]圖5A是從y軸方向俯視使用高頻信號線路的電子設備時的圖，圖5B是從z軸方向俯視使用高頻信號線路的電子設備時的圖。
[0024]圖6是變形例I所涉及的高頻信號線路的信號線路及接地導體的俯視圖。
[0025]圖7是變形例2所涉及的高頻信號線路的信號線路及接地導體的俯視圖。
[0026]圖8是變形例3所涉及的高頻信號線路的信號線路及接地導體的俯視圖。
[0027]圖9是變形例4所涉及的高頻信號線路的信號線路及接地導體的俯視圖。
[0028]圖10是專利文獻I所記載的信號線路的分解圖。
【具體實施方式】
[0029]以下，參照附圖對本實用新型的實施方式所涉及的高頻信號線路進行說明。
[0030](高頻信號線路的結構)
[0031]以下，參照附圖對本實用新型的一實施方式所涉及的高頻信號線路的結構進行說明。圖1是一實施方式所涉及的高頻信號線路10的外觀立體圖。圖2是一實施方式所涉及的高頻信號線路10的電介質主體12的分解圖。圖3是一實施方式所涉及的高頻信號線路10的信號線路SI及接地導體22、24的俯視圖。在圖1至圖3中，將高頻信號線路10的層疊方向定義為z軸方向。此外，將高頻信號線路10的長邊方向定義為X軸方向，將與X軸方向及z軸方向正交的方向定義為I軸方向。
[0032]如圖1至圖3所示，高頻信號線路10包括電介質主體(主體)12、信號線路S1、接地導體22、24、連接器100a、100b及通孔導體b3?b6。
[0033]如圖1所示，從z軸方向俯視時，電介質主體12沿X軸方向延伸，且包含線路部12a及連接部12b、12c。如圖2所示，電介質主體12是從z軸方向的正方向側到負方向側將保護層14及電介質片(片材構件)18及保護層15依次層疊來構成的撓性層疊體。以下，將電介質主體12的z軸方向的正方向側的主面稱為表面，將電介質主體12的z軸方向的負方向側的主面稱為背面。
[0034]線路部12a在x軸方向上延伸。連接部12b連接至線路部12a的x軸方向的負方向側的端部，且呈矩形。連接部12c連接至線路部12a的X軸方向的正方向側的端部，且呈矩形。連接部12b、12c的y軸方向寬度與線路部12a的y軸方向的寬度相等。S卩，從z軸方向俯視時，電介質主體12呈長方形。
[0035]從z軸方向俯視時，電介質片18沿X軸方向延伸，且其形狀與電介質主體12相同。電介質片18由聚酰亞胺、液晶聚合物等具有撓性的熱可塑性樹脂構成。電介質片18的厚度例如為200 μπι。以下，將電介質片18的ζ軸方向的正方向側的主面稱為表面，將電介質片18的ζ軸方向的負方向側的主面稱為背面。
[0036]電介質片18由線路部18a和連接部18b、18c構成。線路部18a構成線路部12a。連接部18b構成連接部12b。連接部18c構成連接部12c。
[0037]如圖2所示，信號線路SI是設置在電介質主體12內的線狀導體，且沿X軸方向延伸。信號線路SI由線路部20、21及通孔導體(層間連接部)bl、b2構成。
[0038]線路部20 (第一線路部)設置于電介質主體12的電介質片18的表面(第一層)。線路部21 (第二線路部)設置于電介質主體12的電介質片18的背面(第二層)。
[0039]如圖2及圖3所示，線路部20是設置在電介質片18的線路部18a的表面、且在x軸方向上以等間隔排列的長方形導體。線路部21是設置在電介質片18的線路部18a的背面、且在X軸方向上以等間隔排列的長方形導體。但是，線路部20和線路部21在X軸方向上配置成彼此偏離。而且，從ζ軸方向俯視時，線路部20的X軸方向的正方向側端部與線路部21的X軸方向的負方向側端部相重疊。從ζ軸方向俯視時，線路部20的X軸方向的負方向側端部與線路部21的X軸方向的正方向側端部相重疊。由此，線路部20、21在X軸方向上交替排列。
[0040]此外，位于X軸方向的最負方向側的線路部20的X軸方向的負方向側端部位于連接部18b的表面中央。同樣，位于X軸方向的最正方向側的線路部20的X軸方向的正方向側端部位于連接部18c表面中央。位于X軸方向的最負方向側的線路部20的X軸方向的負方向側端部、及位于X軸方向的最正方向側的線路部20的X軸方向的正方向側端部分別被用作外部端子。下面，將位于X軸方向的最負方向側的線路部20的X軸方向的負方向側端部、及位于X軸方向的最正方向側的線路部20的X軸方向的正方向側端部稱作外部端子16a、16b。在外部端子16a、16b的表面實施了鍍金。
[0041]線路部20的長度LI (參照圖3)及線路部21的長度L2 (參照圖3)比在線號線路SI中傳輸的高頻信號波長的1/2要短。如上所述的線路部20、21由以銀、銅、鋁等為主成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0042]通孔導體bl (第一層間連接部)沿ζ軸方向貫穿電介質片18，從而將電介質片18的表面和電介質片18的背面相連。而且，通孔導體bl的ζ軸方向的正方向側端部與線路部20的X軸方向的正方向側端部相連接。通孔導體bl的ζ軸方向的負方向側端部與線路部21的X軸方向的負方向側端部相連接。
[0043]通孔導體b2(第一線路部)沿ζ軸方向貫穿電介質片18，從而將電介質片18的表面和電介質片18的背面相連。而且，通孔導體b2的ζ軸方向的正方向側端部與線路部20的X軸方向的負方向側端部相連接。通孔導體b2的ζ軸方向的負方向側端部與線路部21的X軸方向的正方向側端部相連接。通孔導體bl、b2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。另外，可使用在貫穿孔的內周面形成有鍍敷等導體層的貫穿孔來替代通孔導體bl、b2。
[0044]如上所述，信號線路SI中，線路部20、21利用通孔導體bl、b2交替連接。由此，如圖2所示，從y軸方向俯視時，信號線路SI呈一邊沿ζ軸方向振動一邊沿X軸方向前進的
[0045]如圖2及圖3所示，接地導體22 (第一接地導體)設置在設有線路部20的電介質片18的表面，從ζ軸方向(電介質片18的表面的法線方向)俯視時，接地導體22與多個線路部21相重疊，并且不