偶氮苯類聚合物、其制備方法及用途
【專利摘要】本發明名稱為偶氮苯類聚合物、其制備方法及用途，涉及一種新型主鏈為芳環和偶氮共軛的聚合物半導體材料及制備方法，屬于新材料和化學合成領域，其包含通式（I）的化合物，其中x可以為NH2，OH，OR等基團。本發明亦提出此聚合物半導體材料進一步改型的方法。該類聚合物半導體材料具有吸光性好，合成工藝簡單得優點，可用作可用于光電轉換，導電及吸波材料等用途。
【專利說明】偶氮苯類聚合物、其制備方法及用途
【技術領域】
[0001]本發明涉及偶氮苯聚合物，其制備方法及用途，所述化合物為一種主鏈為偶氮苯的共軛聚合物，是一種新型聚合物半導體材料，可用于光電轉換，導電及吸波材料等用途。
【背景技術】
[0002]聚合物是由單體聚合而成具有鏈狀結構的大分子所構成的材料，聚合物半導體指具有半導體性質的聚合物，電導率在IO-8~IO3(Ω.cm-1)范圍內。聚合物半導體發展十分迅速，并已開始步入實用階段。但由于其穩定性較差，目前應用還受到，一定限制。聚合物半導體的禁帶寬度與無機半導體的禁帶寬度相當，例如，反式聚乙炔的禁帶寬度為1.5eV。摻雜和光照可以使聚合物半導體的電導率提高幾個量級。聚合物半導體可用來制作發光二極管、場效應管等器件，其制備工藝簡單、價格低廉、易成大面結，且便于分子設計，因而越來越受到重視。
[0003]最早的聚合物半導體是1974年白川英樹發現的反式聚乙炔，新結構的聚合物被不斷發現。目前的聚合物半導體類型有聚乙炔、聚苯胺、聚對苯乙烯撐、聚芴、聚噻吩、聚吡咯、聚苯硫醚、聚苯并二噻吩以及各種共軛結構的復合體，每種類型的聚合物又有很多衍生物。其結構如下:
[00〇4]聚乙炔
【權利要求】
1.新型聚合物半導體材料，其具有通式(I)的結構，其中其中X可以為NH2,OH, OR等基團。
2.制備該聚合物半導體材料，通式中X為NH2的方法，包括以下多步反應過程:
3.制備該聚合物半導體材料，通式中X為OR(OH)的方法，包括以下多步反應過程:
4.如權利要求2所述的方法，其中亞硝酸鈉與鄰苯二胺的摩爾比為1:1，鹽酸與鄰苯二胺的摩爾比為2.5:1，重氮化溫度為0°C -4°C，聚合溫度為25°C。
5.如權利要求3所述的方法，其中亞硝酸鈉與鄰氨基苯酚的摩爾比為1:1，鹽酸與鄰苯二胺的摩爾比為2.5:1，重氮化溫度為0°C -4°C，聚合溫度為25°C。
6.聚合物半導體材料，用乙醇溶解，過濾析出的鹽，真空烘箱中去除乙醇。再重復兩遍此鹽析過程，即得純凈的聚合物半導體材料。
【文檔編號】C08G73/00GK103554489SQ201310491388
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年10月18日 優先權日:2013年10月18日
【發明者】胡洪超, 崔英德, 舒緒剛, 劉展眉, 尹國強 申請人:仲愷農業工程學院