專利名稱：薄型射頻噪聲抑制材料及其制備方法
技術領域：
本發明涉及電磁波輻射防護的吸波材料領域，特別是涉及ー種薄型射頻噪聲抑制材料及其制備方法。
背景技術：
隨著電腦、通信、IT設備以及數碼產品所使用的頻段范圍不斷擴大，以及電子產品趨向高頻段的發展方向，電子產品普遍存在電磁波干擾。同時隨著環保要求的提高，許多的普通電子產品也對產品的電磁干擾提出了新的要求。電磁干擾可以發生在電子產品的任何部位，其結果是電子產品的品質因素下降，甚至影響其正常的工作性能，而且是不可逾期的。目前流行的EMI (Electromagnetic interference,電磁干擾)解決方案是使用導電屏蔽材料解決電子產品的射頻干擾問題，然而導電屏蔽材料會帶來電磁波的自我反射干擾問題，或者因反射干擾產生的耦合作用導致其相鄰的敏感器件被干擾。特別是在高度集成的電子PCB (Printed Circuit Board,印刷電路板)板級系統,會因為長時間工作在電磁干擾中，產生復雜的交叉串擾問題，僅靠屏蔽和接地技術難以得到徹底解決。
發明內容
本發明的目的是為了克服上述背景技術的不足，提供一種薄型射頻噪聲抑制材料及其制備方法，在O. 8GHz IOGHz頻段內的反射損耗大于_5db，能夠有效抑制目前電子產品超薄發展帶來的電磁輻射干擾；具有高阻杭，能夠應用于高度集成的電子PCB板級的系統，滿足了當前電子產品的發展要求；易于裁切，能夠適用于復雜表面的射頻噪聲抑制，應用范圍廣泛。本發明提供的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，包括以下步驟:A、以質量比為(85 90) (5 10) (O 9) (O 9)的鐵、硅、鉻、鋁為原料，組合形成鐵基合金材料，并進行球磨片狀化處理、將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和丁基橡膠按質量比(8 9) (2 I)進行混合，經塑混煉和壓延成型后，形成薄型射頻抑制材料片材。在上述技術方案中，步驟A中所述鐵、硅、鋁的質量比為88. 5 : 7. 5 : 4. 5。在上述技術方案中，步驟A中所述鐵、硅、鉻的質量比為85 : 10 : 5。在上述技術方案中，步驟A中所述鐵、硅、鉻、鋁的質量比為88 : 5 : 4 : 3。在上述技術方案中，步驟A中將氧化鋯球與鐵基合金材料按12 I的球料比球磨20小時，進行球磨片狀化處理。在上述技術方案中，步驟B中塑混煉的過程如下將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和橡I父材料按比例混合后，在開煉機中碼壓I小時后，制備成ι_厚的片材。在上述技術方案中，所述塑混煉過程中鐵基合金材料和丁基橡膠的質量比為8. 5 I. 5。在上述技術方案中，步驟B中壓延成型的過程如下將所述Imm厚的片材導入精密三輥壓延機，當輥溫控制在60°C時，壓延成O. 3mm以下厚度的片材出片，經冷卻后收卷。本發明提供的薄型射頻噪聲抑制材料，采用上述方法制備而成。在上述技術方案中，所述薄型射頻噪聲抑制材料的厚度小于O. 3mm,在O. 8GHz IOGHz頻段內的反射損耗大于_5db。與現有技術相比，本發明的優點如下(I)本發明的薄型射頻噪聲抑制材料在狹小的空間中使用時，對O. 8GHz IOGHz微波低頻段的電磁波具有良好的噪聲抑制性能，是具有較高磁導率損耗的吸收材料，在電磁波輻射到該材料上時，用弓形法測量有大于_5db(分貝)的反射損耗，可以用于手機、電腦、數碼照相機、攝像機、電視等，能夠有效抑制目前電子產品超薄發展帶來的電磁輻射干擾。 (2)本發明的薄型射頻噪聲抑制材料具有高阻抗，能夠應用于高度集成的電子PCB板級的系統，滿足了當前電子產品的發展要求。(3)本發明的薄型射頻噪聲抑制材料易于裁切，能夠適用于復雜表面的射頻噪聲抑制，應用范圍廣泛。(4)本發明的射頻噪聲抑制材料是ー種厚度小于O. 3mm的薄型連續片材，是具有高磁導率損耗的鐵基合金材料和高分子橡膠基材混合而成的組合物，不需要經過硫化過程，并且具有極佳的柔韌性。
具體實施例方式下面結合具體實施例對本發明作進ー步的詳細描述。本發明實施例提供的薄型射頻噪聲抑制材料的制造方法，包括以下步驟以質量比為(85 90) (5 10) (O 9) (O 9)的鐵、硅、鉻、鋁為原料，組合形成鐵基合金材料，將氧化鋯球與鐵基合金材料按12 I的球料比球磨20小時，進行球磨片狀化處理；將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和丁基橡膠按質量比(8 9) (2 I)進行混合，進行塑混煉處理將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和橡膠材料按比例混合后，在開煉機中碾壓I小時后，制備成Imm厚的片材；再進行壓延成型處理將Imm厚的片材導入精密三輥壓延機，當輥溫控制在60°C時，壓延成O. 3mm以下厚度的片材出片，經冷卻后收卷，形成薄型射頻抑制材料片材。下面通過6個具體實施例進行說明。實施例I :選擇合金材料Fe88Si7.5A14.5按照上述制造方法制備出O. 3mm厚的柔性片材。以質量比為88 7. 5 4. 5的鐵、硅、鋁為原料，組合形成鐵基合金材料，將氧化鋯球與鐵基合金材料按12 I的球料比球磨20小時，進行球磨片狀化處理；將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和丁基橡膠按質量比9 I混合，其中鐵基合金材料質量分數為90%，丁基橡膠和配合劑的質量分數為10%，進行塑混煉處理將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和橡膠材料按比例混合后，在開煉機中碾壓I小時后，制備成1_厚的片材；再進行壓延成型處理將Imm厚的片材導入精密三輥壓延機，當輥溫控制在60°C時，壓延成O. 3mm以下厚度的片材出片，經冷卻后收卷，形成薄型射頻抑制材料片材。實施例2 :選擇合金材料Fe85SiltlCr5按照上述方法制備出O. 3mm厚的柔性片材。
以質量比為85 10 5的鐵、硅、鉻為原料，組合形成鐵基合金材料，將氧化鋯球與鐵基合金材料按12 I的球料比球磨20小時，進行球磨片狀化處理；將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和丁基橡膠按質量比8 2混合，其中鐵基合金材料質量分數為80%，丁基橡膠和配合劑的質量分數為20%，進行塑混煉處理將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和橡膠材料按比例混合后，在開煉機中碾壓I小時后，制備成Imm厚的片材；再進行壓延成型處理將Imm厚的片材導入精密三棍壓延機，當棍溫控制在60°C時,壓延成O. 3mm以下厚度的片材出片，經冷卻后收卷，形成薄型射頻抑制材料片材。實施例3 :選擇合金材料Fe88Si5Al3Cr4按照上述方法制備出O. 3mm厚的柔性片材。以質量比為88 5 4 3的鐵、硅、鉻、鋁為原料，組合形成鐵基合金材料，將氧化鋯球與鐵基合金材料按12 I的球料比球磨20小時，進行球磨片狀化處理；將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和丁基橡膠按質量比8. 5 I. 5混合，其中鐵基合金材料質量分數為85%，丁基橡膠和配合劑的質量分數為15%，進行塑混煉處理將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和橡I父材料按比例混合后，在開煉機中碼壓I小時后，制備成1_厚的片材；再進行壓延成型處理將Imm厚的片材導入精密三輥壓延機，當輥溫控制在60°C吋，壓延成O. 3mm以下厚度的片材出片，經冷卻后收卷，形成薄型射頻抑制材料片材。實施例4 :選擇合金材料Fe85Si6Cr9按照上述方法制備出O. 3mm厚的柔性片材。實施例4中除以質量比為85 6 9的鐵、硅、鉻為原料組合形成鐵基合金材料以外，其余內容與實施例3相同。實施例5 :選擇合金材料Fe85Si6Al9按照上述方法制備出O. 3mm厚的柔性片材。實施例5中除以質量比為85 6 9的鐵、硅、鋁為原料組合形成鐵基合金材料以外，其余內容與實施例3相同。實施例6 :選擇合金材料Fe9tlSi5Al3按照上述方法制備出O. 3mm厚的柔性片材。實施例6中除以質量比為90 5 3的鐵、硅、鋁為原料組合形成鐵基合金材料以外，其余內容與實施例3相同。本發明實施例提供的薄型射頻噪聲抑制材料，采用上述方法制備而成，制備出的薄型射頻噪聲抑制材料的厚度小于O. 3mm,電磁波輻射到該材料上時，用弓形法測得的反射率系數參見表I，可知在O. 8GHz IOGHz頻段內的反射損耗大于_5db，即對O. 8GHz-10GHz的電磁波具有良好的噪聲抑制性能。表I、本發明實施例的噪聲抑制材料組成及其反射率性能
權利要求
1.一種薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟 A、以質量比為(85 90) (5 10) (O 9) (O 9)的鐵、硅、鉻、鋁為原料，組合形成鐵基合金材料，并進行球磨片狀化處理； B、將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和丁基橡膠按質量比(8 9) (2 I)進行混合,經塑混煉和壓延成型后,形成薄型射頻抑制材料片材。
2.如權利要求I所述的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于步驟A中所述鐵、硅、鋁的質量比為88. 5 : 7. 5 : 4. 5。
3.如權利要求I所述的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于步驟A中所述鐵、硅、鉻的質量比為85 : 10 : 5。
4.如權利要求I所述的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于步驟A中所述鐵、娃、鉻、招的質量比為88 : 5 : 4 : 3。
5.如權利要求I至4中任一項所述的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于步驟A中將氧化鋯球與鐵基合金材料按12 I的球料比球磨20小時，進行球磨片狀化處理。
6.如權利要求5所述的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于步驟B中塑混煉的過程如下將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和橡膠材料按比例混合后，在開煉機中碾壓I小時后，制備成Imm厚的片材。
7.如權利要求6所述的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于所述塑混煉過程中鐵基合金材料和丁基橡膠的質量比為8. 5 1.5。
8.如權利要求6所述的薄型射頻噪聲抑制材料的制備方法，其特征在于步驟B中壓延成型的過程如下將所述Imm厚的片材導入精密三輥壓延機，當輥溫控制在60°C時，壓延成O. 3mm以下厚度的片材出片，經冷卻后收卷。
9.一種薄型射頻噪聲抑制材料，其特征在于采用權利要求I至8中任一項所述的方法制備而成。
10.如權利要求9所述的薄型射頻噪聲抑制材料，其特征在于所述薄型射頻噪聲抑制材料的厚度小于O. 3mm，在O. 8GHz IOGHz頻段內的反射損耗大于_5db。
全文摘要
本發明公開了一種薄型射頻噪聲抑制材料及其制備方法，涉及電磁波輻射防護的吸波材料領域，制備方法的步驟如下以質量比為(85～90)∶(5～10)∶(0～9)∶(0～9)的鐵、硅、鉻、鋁為原料，組合形成鐵基合金材料，并進行球磨片狀化處理；將球磨片狀化處理后的鐵基合金材料和丁基橡膠按質量比(8～9)∶(2～1)進行混合，經塑混煉和壓延成型后，形成薄型射頻抑制材料片材。本發明在0.8GHz～10GHz頻段內的反射損耗大于-5db，能夠有效抑制電磁輻射干擾；具有高阻抗，能夠應用于高度集成的電子PCB板級系統，滿足當前電子產品的發展要求；易于裁切，能夠適用于復雜表面的射頻噪聲抑制，應用范圍廣泛。
文檔編號C08J5/18GK102690468SQ20121016057
公開日2012年9月26日 申請日期2012年5月23日 優先權日2012年5月23日
發明者朱時霖, 蔡亞夫 申請人:航天科工武漢磁電有限責任公司