專利名稱：用于有機抗反射膜的共聚物、單體及包含該共聚物的組合物的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于有機抗反射膜的共聚物、用于該共聚物的單體，以及包含所述共聚物的組合物，更具體地，本發明涉及共聚物，其 具有增大的折射率，因此在被制成有機抗反射膜時具有優異的效果，并且其允許調節涂膜的親水性和疏水性，因此與抗蝕劑有優異的相容性，本發明還涉及用于所述共聚物的單體及包含所述共聚物的組合物。
背景技術：
近來，隨著半導體器件的高度集成，在制作超大規模集成電路(LSI)等時，需要線寬為O. 10微米或更小的超精細圖案。因此，曝光波長也已進一步縮短至常規使用的g_線或i-線區域，并且人們更加關注于利用KrF準分子激光器或ArF準分子激光器的光刻法的研究。由于需要降低有效射線在基材的漫射的影響或者在曝光過程中駐波的影響，以及在超大規模集成電路中半導體裝置中圖案尺寸的不斷減小，因此它們的反射率(reflectance)也應最小。否則，難以形成均勻的圖案，并且不能獲得足夠的加工裕度，于是難以達到期望的生產量。因此，為了盡可能降低反射率，人們采用抗反射膜，并且可采用利用鈦、二氧化鈦、鉻氧化物等制得的無機抗反射膜，以及由具有吸光性的聚合物化合物制得的有機抗反射膜。因此，更受關注的技術是，通過將包含能夠吸收光的有機分子的有機抗反射膜置于光致抗蝕劑下來調節反射率，由此防止下部膜層的反射，同時除去駐波。首先，有機抗反射膜應包含能夠在曝光源的波長區吸收光的物質，以防止下部膜層的反射，其次，在層壓抗反射膜、而后層壓光致抗蝕劑的過程中，抗反射膜不應被光致抗蝕劑的溶劑溶解和破壞。第三，抗反射膜應能夠比在上部中的光致抗蝕劑更快速地被蝕刻，從而可減少用于蝕刻下部膜層的光致抗蝕劑損失。第四，抗反射膜對上部中的光致抗蝕劑應不具有反應性，并且化合物(例如胺和酸)不應遷移至光致抗蝕劑層。因為，否則可引起表面波度(morphology),特別是光致抗蝕圖案的底腳(footing)或底切(undercut)。第五,抗反射膜應具有適合于與各種基材相符的不同曝光工藝的光學性質，即,適當的折射率和適當的消光系數，并且抗反射膜應對基材和光致抗蝕劑具有適當的粘附力。但是，在目前的情況下，滿足利用ArF光的超精細布圖方法的抗反射膜迄今尚未開發出來。因此，對特定波長吸光度大、以防止特別是在波長193nm下進行曝光時發生駐波的有機抗反射物質和借助于抗反射膜的反射的開發成為引人關注的緊迫問題
發明內容
本發明的一個目的是提供光吸收劑，其特別是在約193nm的波長范圍內具有高折射特征，并且與光致抗蝕劑的相容性增大，以及包含此光吸收劑的共聚物。本發明的另一目的是提供包含上述共聚物的用于有機抗反射膜的組合物。為了達到上述目的，根據本發明的一個實施方案，提供包含由下式(I)表示的重復單元的用于有機抗反射膜的共聚物[化學式I]
權利要求
1.用于有機抗反射膜的共聚物，其包含由下式(I)表示的重復單元
2.權利要求I的用于有機抗反射膜的共聚物，其中所述由下式(I)表示的重復單元具有0. 1-1.2的消光系數。
3.權利要求I的用于有機抗反射膜的共聚物，其中由下式(I)表示的重復單元中的R3是選自由下式(1-1)至(1-8)表示的基團中的任一種 [化學式1-1]
4.權利要求I的用于有機抗反射膜的共聚物，其中所述共聚物包含選自由下式(2-1)至(2-6)表示的重復單元中的任一種 [化學式2-1]
5.權利要求I的用于有機抗反射膜的共聚物，其中相對于聚苯乙烯標準物計算，該用于有機抗反射膜的共聚物的重均分子量為1，000g/mol-100, 000g/mol。
6.用于制備有機抗反射膜的單體，其由下式(I)表示 [化學式I]
7.用于有機抗反射膜的組合物，其包含權利要求1-5中的任一項所述的共聚物。
全文摘要
公開包含由下式(1)表示的重復單元的用于有機抗反射膜的共聚物、用于所述共聚物的單體以及包含所述共聚物的有機抗反射膜組合物[化學式1]其中在式(1)中R1、R2、R3、A、m和n分別具有與本發明詳述中所定義的相同含義。包含用于有機抗反射膜的所述共聚物的有機抗反射膜組合物具有增大的折射率，當被制成抗反射膜時其具有優異的效果，可調節由所述組合物制得的涂膜的親水性和疏水性，從而可獲得與抗蝕劑的優異的相容性。
文檔編號C08F220/34GK102757526SQ201210127500
公開日2012年10月31日 申請日期2012年4月26日 優先權日2011年4月26日
發明者李鎭翰, 洪承姬, 裵信孝, 韓恩熙 申請人:錦湖石油化學株式會社