專利名稱：光學透明粘結劑、切割芯片接合膜和半導體器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于切割芯片接合膜的光學透明粘結劑。更具體地，本發明涉及用于切割芯片接合膜的光學透明粘結劑，所述光學透明粘結劑包括具有磷酸酯基和/或硅烷基的丙烯酸共聚物，以提高對環形框架的粘附力并實現高拾取成功率。
背景技術：
切割芯片接合膜用于半導體器件的制造過程中。這種切割芯片接合膜根據它們是否需要UV照射而分成光固化膜和非UV照射型膜。光固化膜因其在光固化前的高粘性而適用于切割工序。然而，對于切割后的拾取工序應該用UV照射光固化膜。UV照射在加工方面容易發生故障。另一問題在于，光固化膜在未提供足夠的UV能量時，可能會在拾取過程中產生缺陷。相比之下，非UV照射型膜不會遭受與UV照射相關的發生故障問題。至今為止開發的切割膜具有對環形框架的粘附力差的問題。為了試圖補償常規切割膜的低粘結強度， 高度粘結膜被粘貼到切割膜將貼附環形框架的部分，這容易發生故障。因此，需要開發非UV照射型切割芯片接合膜，消除在半導體器件的制造中對容易發生故障的UV照射的需要，且不需要粘貼其它高度粘結膜。
發明內容
本發明的一個方面提供一種光學透明粘結劑。在一個實施方式中，所述光學透明粘結劑可包括具有烷基、羥基和選自由磷酸酯基和硅烷基組成的組中的至少一個基團的丙烯酸共聚物；和固化劑。本發明的另一個方面提供一種切割芯片接合膜。在一個實施方式中，所述切割芯片接合膜可包括基膜、形成在所述基膜上的光學透明粘結劑層和形成在所述光學透明粘結劑層上的接合層，其中所述光學透明粘結劑層由光學透明粘結劑形成。本發明的又一個方面提供一種使用前述切割芯片接合膜的半導體器件。所述切割芯片接合膜的所述接合層粘貼到晶圓的一側，且所述切割芯片接合膜的所述光學透明粘結劑層固定在環形框架上。
結合以下附圖，本發明的藝術和其他方面、特征和優點將變得明顯，其中圖1示出了根據本發明示例性實施方式的切割芯片接合膜。圖2示出了根據本發明示例性實施方式的切割芯片接合膜和層壓在該切割芯片接合膜上的環形框架。
具體實施例方式本發明的各方面提供一種光學透明粘結劑，包括具有烷基、羥基和選自由磷酸酯基和硅烷基組成的組中的至少一個基團的丙烯酸共聚物；和固化劑。丙烯酸共聚物丙烯酸共聚物可具有烷基、羥基和選自由磷酸酯基和硅烷基組成的組中的至少一個基團。丙烯酸共聚物在25°C可具有4000至lOOOOOcps的粘度。烷基、羥基以及磷酸酯基或硅烷基的排列順序沒有具體限定，且可適當改變。相同的基團在丙烯酸共聚物上可連續排列。上述丙烯酸共聚物可為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。上述丙烯酸共聚物可通過將具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯與具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯共聚以制備基體接合劑，并使該基體接合劑與具有至少一個硅烷基的化合物反應來制備。上述丙烯酸共聚物可為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個硅烷基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。具有羥基的(甲基)丙烯酸酯可指具有羥基且可與具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯或具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯共聚的單體。具有羥基的(甲基)丙烯酸酯可選自由(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、 1，4_環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯、1-氯-2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇單 (甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇單(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇單(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基環己基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基(甲基)丙烯酸酯、環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯和它們的混合物組成的組，但不限于此。具有烷基的(甲基)丙烯酸酯可包括在其酯部分上具有C1 C2tl直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸的酯。具有烷基的(甲基)丙烯酸酯可選自由(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯和它們的混合物組成的組，但不限于此。具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯可指具有磷酸酯基且可與具有羥基的(甲基) 丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、或具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯共聚的單體。在本文中使用的術語“磷酸酯基”可指-O-P ( = 0) (OH) 2或-O-P ( = 0) (ORl) (0R2) (其中，Rl和R2各自獨立地為氫、C1 Cltl烷基或C6 C2tl芳基)。優選地，Rl和R2各自獨立地為氫或C1-C4烷基。具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯可具有通式1的結構CH2 = CR-C ( = 0)0-(CH2) m-0_P( = 0) (ORl) (0R2) (1)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，Rl和R2各自獨立地為氫、C1
C10烷基或C6 C2tl芳基，且m為1至10的整數。
具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯的非限制性實例可為乙二醇(甲基)丙烯酸酯磷酸酯。在本文中使用的術語“硅烷”可指-Si (Rl) (R2)(舊)(其中，R1、R2和R3各自獨立地為氫X1 Cltl烷基、C6 C2tl芳基或C1 Cltl烷氧基)。優選地，R1、R2和R3各自獨立地
為C1 C4烷氧基。具有硅烷基的化合物可與通過具有羥基的(甲基)丙烯酸酯和具有烷基的(甲基)丙烯酸酯共聚而制備的基體接合劑的羥基成鍵。具有硅烷基的化合物可包括具有硅烷基的異氰酸酯化合物、具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯或它們的混合物。具有硅烷基的異氰酸酯化合物可指包括硅烷基且具有可與具有羥基、烷基或磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯共聚的異氰酸酯基的單體。具有硅烷基的異氰酸酯化合物可選自由3-異氰酸丙基三乙氧基硅烷、3-異氰酸丙基三甲氧基硅烷和它們的混合物組成的組，但不限于此。優選地，具有硅烷基的化合物為 3-異氰酸丙基三乙氧基硅烷。具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯可指具有硅烷基且可與具有羥基的(甲基)丙烯酸酯或具有烷基的(甲基)丙烯酸酯共聚的單體。例如，具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯可具有通式2的結構CH2 = CR-C ( = 0) 0- (CH2) m_Si (Rl) (R2) (R3) (2)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，Rl、R2和R3各自獨立地為氫、
C1 Cltl烷基、C6 C2tl芳基或C1 Cltl烷氧基，且m為1至10的整數。優選地，通式2中的Rl、R2和R3各自獨立地為C1 C4烷氧基。例如，具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯可為甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷或 Y -甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有磷酸酯基的丙烯酸共聚物可包括10至50 重量份的具有羥基的(甲基)丙烯酸酯。在此范圍內，能提高丙烯酸共聚物對基膜如聚烯烴或聚氯乙烯膜的粘附力，且丙烯酸共聚物與固化劑如異氰酸酯的反應性充分。優選地，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯的含量為20至30重量份。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有磷酸酯基的丙烯酸共聚物可包括50至85 重量份的具有烷基的(甲基)丙烯酸酯。在此范圍內，能保持丙烯酸共聚物的高初始粘性， 從而確保對環形框架或粘結膜的充分粘附力。優選地，具有烷基的(甲基)丙烯酸酯的含量為60至75重量份。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有磷酸酯基的丙烯酸共聚物可包括0. 5至10 重量份的具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯。在此范圍內，能提高丙烯酸共聚物的初始粘性，并能確保高拾取成功率以及對環形框架的良好粘附力。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有硅烷基的丙烯酸共聚物可包括20至30重量份的具有羥基的(甲基)丙烯酸酯。此含量范圍能夠使丙烯酸共聚物與提高粘附力的化合物具有異氰酸酯基的硅烷加聚，并且在丙烯酸接合劑的制備中也有助于控制聚合反應。 優選地，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯的含量為25至30重量份。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有硅烷基的丙烯酸共聚物可包括60至77重量份的具有烷基的(甲基)丙烯酸酯。在此范圍內，能得到丙烯酸共聚物的充分初始粘性CN 102533173 A和高分子量。優選地，具有烷基的(甲基)丙烯酸酯的含量為60至70重量份。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有硅烷基的丙烯酸共聚物可包括3至10重量份的具有硅烷基的化合物或具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯。在此范圍內，能提高丙烯酸共聚物的初始粘性，能確保高拾取成功率以及對環形框架的良好粘附力。優選地，具有硅烷基的化合物或具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯的含量為5至10重量份。上述丙烯酸共聚物可進一步具有選自由環氧基和羧基組成的組中的至少一種基團。烷基、羥基、磷酸酯基、硅烷基、環氧基或羧基的排列順序沒有具體限定，且可適當改變。相同的基團可在丙烯酸共聚物上連續排列。在一個實施方式中，丙烯酸共聚物可為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個環氧基的不飽和環氧化合物的共聚物。上述丙烯酸共聚物可通過將具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個環氧基的不飽和環氧化合物共聚以制備基體接合劑，并使該基體接合劑與具有至少一個硅烷基的化合物反應來制備。丙烯酸共聚物可為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的 (甲基)丙烯酸酯、具有至少一個硅烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個環氧基的不飽和環氧化合物的共聚物。具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有磷酸酯基的 (甲基)丙烯酸酯、具有至少一個硅烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有硅烷基的化合物與上述定義相同。例如，具有環氧基的不飽和環氧化合物可具有通式3的結構
ο冊(3) 其中，R3、R4、R5、R8、R9和RlO各自獨立地為H、C1 C12的飽和或不飽和的烷基、
或可選地被至少一種飽和或不飽和的C1 C12烷基取代的C6 C14芳基，Y為醚基(-0-)、 羧基(-o(c = 0)-或-(C = 0)0-)、C1 C12亞烷基、或可選地被至少一種飽和或不飽和的 C1 C12烷基取代的C6 C14亞芳基，前提是當Y為醚基(-0-)或羧基(-O(C = O)-或-(C =0)0")時，R6和R7各自獨立地為單鍵、C1 C12亞烷基、或可選地被至少一種飽和或不飽和的C1 C12烷基取代的C6-C14亞芳基，前提是當Y為C1 C12亞烷基、或可選地被至少一種飽和或不飽和的C1 C12烷基取代的C6 C14亞芳基時，省略R6和R7。
在通式3中，烷基優選C1 C6烷基，更優選C1 C4烷基，且亞烷基優選C1 C6亞烷基，更優選C1-C4亞烷基。在通式3中，芳基優選C6 Cltl芳基，且亞芳基優選C6 Cltl亞芳基。例如，具有環氧基的不飽和環氧化合物可選自由(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、環氧烷基丙烯酸酯、烯丙基縮水甘油醚、芳基縮水甘油醚、乙烯基縮水甘油醚、衣康酸縮水甘油酯和它們的混合物組成的組。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯和具有環氧基的不飽和環氧化合物的含量分別可為20至30重量份、60至75重量份、0. 5至3重量份和4. 5至7重量份。在這些范圍內，可防止丙烯酸共聚物在鋸割過程中從環形框架分離，并能在拾取過程中保持令人滿意的拾取性能。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有環氧基的不飽和環氧化合物的含量分別可為20至30重量份、50至76重量份、3至10重量份和1至10重量份。在這些范圍內，可增強丙烯酸共聚物對包括作為主組分的環氧基的粘結膜層的粘附力，從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。在可選的實施方式中，丙烯酸共聚物可為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、 具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個羧基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。上述丙烯酸共聚物可通過將具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個羧基的(甲基)丙烯酸酯共聚以制備基體接合劑，并使該基體接合劑與具有硅烷基的化合物反應來制備。具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有磷酸酯基的 (甲基)丙烯酸酯和具有硅烷基的化合物與上述定義相同。具有羧基的(甲基)丙烯酸酯可具有通式4或5的結構CH2 = CR-C ( = 0) 0- (CH2) r_C00H (4)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，且r為1至10的整數；CH2 = CR-C ( = 0) OH (5)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3,且η為0至5的整數。例如，具有羧基的(甲基)丙烯酸酯可選自由(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸和它們的混合物組成的組。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯的含量分別可為20至30重量份、60至75重量份、0. 5至3重量份和0. 5至7重量份。在這些范圍內，可防止丙烯酸共聚物在鋸割過程中從環形框架分離，并能在拾取過程中保持令人滿意的拾取性能。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯或化合物和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯的含量分別可為20至30重量份、50至76重量份、3至10重量份和1至10重量份。引入在上述限定范圍內的具有羧基的單體提高了與包括有機材料作為主組分的粘結膜層的粘附力，從而有效地控制芯片在鋸割過程中飛出。在另一個實施方式中，丙烯酸共聚物可為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、 具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個環氧基的不飽和環氧化合物和具有至少一個羧基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
上述丙烯酸共聚物可通過將具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個環氧基的不飽和環氧化合物和具有至少一個羧基的(甲基)丙烯酸酯共聚以制備基體接合劑，并使該基體接合劑與至少一個硅烷基的化合物反應來制備。具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有磷酸酯基的 (甲基)丙烯酸酯、具有硅烷基的化合物、具有環氧基的不飽和環氧化合物和具有羧基的 (甲基)丙烯酸酯與上述定義的那些相同。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯、具有環氧基的不飽和環氧化合物和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯的含量分別可為20至30重量份、60至75重量份、0. 5至3重量份、4至7重量份和0. 5至3重量份。在這些范圍內，可防止丙烯酸共聚物在鋸割過程中從環形框架分離，并能在拾取過程中保持令人滿意的拾取性能。同時引入羧基和環氧基有助于進一步改善粘結強度。基于100重量份的丙烯酸共聚物，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有環氧基的不飽和環氧化合物和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯的含量分別可為20至30重量份、50至75重量份、3至10重量份、 1至5重量份和1至5重量份。在這些范圍內，能增強丙烯酸共聚物與粘結膜層的粘附力， 從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。在一個實施方式中，丙烯酸共聚物可為通式1、6和7的各單體的共聚物CH2 = CR-C ( = 0)0-(CH2) m-0_P( = 0) (ORl) (0R2) (1)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，Rl和R2各自獨立地為氫、C1 C10烷基或C6 C2tl芳基，且m為1至10的整數；CH2 = CR-C ( = 0) 0- (CH2) p_CH3 (6)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，ρ為0至10的整數；CH2 = CR-C ( = 0) 0- (CH2) q-0H (7)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，且q為1至10的整數例如，通式1、6和7的各單體可以0. 5 2 70 75 24. 5 沘的摩爾比共聚。在此范圍內，可防止丙烯酸共聚物在鋸割過程中從環形框架分離，并能在拾取過程中保持令人滿意的拾取性能。在可選的實施方式中，丙烯酸共聚物可通過共聚通式6和7的各單體以制備基體接合劑，并使該基體接合劑與具有至少一個硅烷基的化合物反應來制備。作為反應的結果， 具有硅烷基的化合物與通式7的單體的羥基成鍵。在另一個實施方式中，丙烯酸共聚物可為通式2、6和7的單體中的一種或多種的共聚物。例如，通式2、6和7的各單體可以3 5. 5 65. 5 73 對 四的摩爾比共聚。此摩爾比能夠使丙烯酸共聚物與提高粘附力的化合物具有異氰酸酯基的硅烷加聚，并且在丙烯酸接合劑的制備中也有助于控制聚合反應。上述丙烯酸共聚物可進一步與選自由通式3、4和5的單體組成的組中的一種或多種單體共聚。例如，丙烯酸共聚物可通過以0. 5 2 4 7 64 73. 5 22 27的摩爾比共聚通式1、3、6和7的單體來制備。在此范圍內，可防止丙烯酸共聚物在鋸割過程中從環形框架分離，并能在拾取過程中保持令人滿意的拾取性能。例如，丙烯酸共聚物可通過以0. 5 2. 5 5 8. 5 82 93. 5 1 7的摩爾比共聚通式1的單體、通式6的單體、通式7的單體和通式4或5的單體來制備。在此范圍內，可防止丙烯酸共聚物在鋸割過程中從環形框架分離，并能在拾取過程中保持令人滿意的拾取性能。例如，丙烯酸共聚物可通過以0. 5 2 4 6. 5 59 73. 5 21 27 1 5.5的摩爾比共聚通式1、3、6、7和4的單體來制備。在此范圍內，可防止丙烯酸共聚物在鋸割過程中從環形框架分離，并能在拾取過程中保持令人滿意的拾取性能。例如，通式6的單體、通式7的單體、具有硅烷基的化合物和通式3的單體的摩爾比可為62. 5 72 20 23 3 5. 5 5 9。在此范圍內，能增強丙烯酸共聚物與粘結膜層的粘附力，從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。例如，通式6的單體、通式7的單體、具有硅烷基的化合物和通式4或5的單體的摩爾比可為59. 4 76 19 27 3 4. 5 2 9。在此范圍內，能增強丙烯酸共聚物與粘結膜層的粘附力，從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。例如，通式6的單體、通式7的單體、具有硅烷基的化合物、通式3的單體和通式4 的單體的摩爾比可為53. 5 67 18 28 2 5. 5 1 4. 5 2 8. 5。在此范圍內，能增強丙烯酸共聚物與粘結膜層的粘附力，從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。例如，通式6的單體、通式7的單體、通式2的單體和通式3的單體的摩爾比可為 62. 5 72 20 23 3 5. 5 5 9。在此范圍內，能增強丙烯酸共聚物與粘結膜層的粘附力，從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。例如，通式6的單體、通式7的單體、通式2的單體和通式4或5的單體的摩爾比可為59. 4 76 9 27 3 4. 5 2 9。在此范圍內，能增強丙烯酸共聚物與粘結膜層的粘附力，從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。例如，通式6的單體、通式7的單體、通式2的單體、通式3的單體和通式4的單體的摩爾比可為53. 5 67 18 沘2 5. 5 1 4. 5 2 8. 5。在此范圍內，能增強丙烯酸共聚物與粘結膜層的粘附力，從而有效地防止芯片在鋸割過程中飛出。在根據前述實施方式的各丙烯酸共聚物中的單體的排列順序沒有具體限定，且可適當改變。相同的單體也可在丙烯酸共聚物上連續排列。上述丙烯酸共聚物可具有500000至1000000g/mol、優選600000至800000g/mol
的重均分子量。此范圍在拾取性能和成膜能力方面有利。上述丙烯酸共聚物在25°C可具有4000至6000cps的粘度。在此范圍內，丙烯酸共聚物能容易地涂布以形成光學透明粘結膜。丙烯酸共聚物的粘度用適宜的粘度計測定。具體地，將400g丙烯酸共聚物放入 500ml 的Nalgene 瓶(73. 8mm(外徑)X 169. 8mm(高度))后，用 Brookfield粘度計(DV-II+) 在25°C下以IOOrpm的轉速(轉子#7)測定丙烯酸共聚物的粘度。上述丙烯酸共聚物或用于制備該丙烯酸共聚物的基體粘結劑可用本領域已知的適宜共聚方法制備，包括乳液聚合、懸浮聚合和本體聚合。在聚合過程中也可使用聚合引發劑，如偶氮二異丁腈。
固化劑固化劑可為任意類型，例如熱固化劑。適用于光學透明粘結劑的固化劑實例包括但不限于異氰酸酯、環氧、氮雜環丙烷、三聚氰胺、胺、酰亞胺、碳二亞胺和酰胺固化劑。這些固化劑可單獨使用，或以它們的兩種或更多種的混合物使用。優選異氰酸酯固化劑。異氰酸酯固化劑可為本領域技術人員已知的任意一種。例如，異氰酸酯固化劑可選自由三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(TMP加合物)、2，4_三氯乙烯二異氰酸酯、2，6_三氯乙烯二異氰酸酯、氫化三氯乙烯二異氰酸酯、1，3_ 二甲苯二異氰酸酯、1，4_ 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4，4-二異氰酸酯、1，3_ 二異氰酸甲基環己烷、四甲基二甲苯二異氰酸酯、1，5_萘二異氰酸酯、2，2，4_三甲基六亞甲基二異氰酸酯、2，4，4_三甲基六亞甲基二異氰酸酯、三羥甲基丙烷的三氯乙烯二異氰酸酯加合物、三羥甲基丙烷的二甲苯二異氰酸酯加合物、三苯基甲烷三異氰酸酯、亞甲基雙異氰酸酯和它們的混合物組成的組。基于100重量份的丙烯酸共聚物，光學透明粘結劑可包括3至10重量份的固化劑。在此范圍內，光學透明粘結劑具有足以提高拾取成功率的合適的粘結強度，并具有高初始粘性以防止通過鋸割切開的芯片飛出或鋸割過程中與環形框架分離。優選地，基于100 重量份的丙烯酸共聚物，固化劑的含量可為5至7重量份。上述光學透明粘結劑可通過包括以下步驟的方法制備使具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯以及具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯和/或具有至少一個硅烷基的(甲基) 丙烯酸酯共聚以制備丙烯酸共聚物(第一步)；和向丙烯酸共聚物加入固化劑(第二步)。第一步在此步驟中，制備丙烯酸共聚物。具體地，丙烯酸共聚物可通過混合具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯以及具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯和/或具有至少一個硅烷基的(甲基)丙烯酸酯，并使該混合物在引發劑的存在下共聚來制備。引發劑可選自由偶氮二異丁腈、2，2'-偶氮雙(2，4_ 二甲基戊腈)、過氧化苯甲酰、過氧化二月桂酰、叔丁基-(2-乙基己基)單過氧化碳酸酯、叔戊基-(2-乙基己基)單過氧化碳酸酯、1，1_ 二(過氧化叔丁基)環己烷、1，1_ 二(過氧化叔戊基)環己烷、過氧化叔丁基-3，5，5-三甲基己酸酯、1，1 - 二(過氧化叔丁基)-3，3，5-三甲基環己烷、過硫酸鉀、 過硫酸鈉、過硫酸銨、水溶性偶氮引發劑和它們的混合物組成的組，但不限于此。優選偶氮二異丁月青。基于100重量份的具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，引發劑的用量可為0. 001至2
重量份。可使用能夠溶解具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯的溶劑。該溶劑可為本領域技術人員已知的任意一種。 例如，可使用乙酸乙酯作為上述溶劑。可進一步使用選自由具有環氧基的不飽和環氧化合物和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯組成的組中的至少一種單體以制備丙烯酸共聚物。聚合溫度和時間條件可適當控制。例如，聚合可在65至90°C的溫度下進行6至10小時。第二步在此步驟中，將固化劑加入到丙烯酸共聚物中以制備光學透明粘結劑。光學透明粘結劑可用本領域已知的任何適宜方法制備。例如，光學透明粘結劑可通過將丙烯酸共聚物和固化劑加入到甲乙酮溶劑中，并在25至30°C下攪拌該混合物30至60分鐘來制備。或者，光學透明粘結劑用包括以下步驟的方法制備共聚具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯以制備基體接合劑，并使該基體接合劑與具有硅烷基的化合物反應以制備丙烯酸共聚物(第一步)；和丙烯酸共聚物加入固化劑(第二步)。第一步在此步驟中，制備丙烯酸共聚物。具體地，丙烯酸共聚物通過共聚具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯以制備基體接合劑，并使該基體接合劑與具有硅烷基的化合物反應來制備。引發劑可用在基體接合劑的制備中，且與上述相同。基于100重量份的丙烯酸共聚物，引發劑的用量可為0. 001至2重量份。基體接合劑與具有硅烷基的化合物之間的反應可在存在或不存在催化劑下進行。 對于催化劑的類型沒有限制。催化劑優選二月桂酸二丁錫(DBTDL)。基于100重量份的基體接合劑，催化劑的用量可為0. 001至0. 1重量份。可進一步使用能夠溶解具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有硅烷基的化合物的溶劑。該溶劑可為本領域技術人員已知的任意一種。例如， 可將乙酸乙酯用作上述溶劑。可進一步使用選自由具有環氧基的不飽和環氧化合物和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯組成的組中的至少一種單體以制備基體接合劑。用于制備基體接合劑的聚合溫度和時間條件可適當調節。例如，聚合可在65至 90°C的溫度下進行6至10小時。基體接合劑與具有硅烷基的化合物之間的反應可在30至50°C進行6至8小時。第二步在此步驟中，將固化劑加入到丙烯酸共聚物以制備光學透明粘結劑。此步驟與上述相同。該光學透明粘結劑不包含光引發劑。光學透明導電膜用于形成非UV照射型切割芯片接合膜的光學透明粘結劑層。常規的UV照射型切割芯片接合膜包括光學透明粘結劑層和接合層。為了分離光學透明粘結劑層和接合層，光學透明粘結劑層用光引發劑固化。相比之下，光學透明導電膜用于形成非UV照射型切割芯片接合膜的光學透明粘結劑層，從而免去對光引發劑的需要。本發明的各方面提供一種使用上述光學透明粘結劑制造的切割芯片接合膜。光學透明粘結劑形成切割芯片接合膜的光學透明粘結劑層。切割芯片接合膜可包括基膜、形成在基膜上的光學透明粘結劑層和形成在光學透明粘結劑層上的接合層，其中光學透明粘結劑層由光學透明粘結劑形成。
圖1示出了根據本發明示例性實施方式的切割芯片接合膜。該切割芯片接合膜可包括基膜(1)、形成在基膜⑴上的光學透明粘結劑層⑵和形成在光學透明粘合劑層⑵ 上的接合層(3)。光學透明粘結劑層粘著晶圓以防止晶圓在切割過程中移動。基膜用于支撐光學透明粘結劑層。為了有助于拾取芯片，優選基膜為在室溫下可拉伸以增加切割后單個芯片之間的間隔(“擴展工藝”)。多種聚合材料可用作基膜。適用于基膜的聚合材料實例包括諸如聚乙烯、聚丙烯的聚烯烴類、乙烯/丙烯共聚物類、聚-ι- 丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物類、聚乙烯/苯乙烯丁二烯橡膠共混物類和聚氯乙烯。還可使用諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和聚 (甲基丙烯酸甲酯)的聚合物類、諸如聚氨酯和聚酰胺-多醇共聚物類的熱塑性彈性體類以及它們的混合物。考慮到延伸性和加工性，基膜具有30至300 μ m、優選50至200 μ m的厚度。光學透明粘結劑層可通過多種技術形成在基膜上。例如，可將光學透明粘結劑直接涂布在基膜上以形成光學透明粘結劑層。或者，光學透明粘結劑可涂布在離型膜上，干燥并轉移到基膜。可使用任何適用于形成均勻涂層的涂布技術以形成光學透明粘結劑層。主要使用棒涂、凹版涂布、逗號刮涂、逆轉輥涂布、涂敷器涂布、噴涂和浸涂。光學透明粘結劑層具有3至40 μ m、優選5至30 μ m的厚度。光學透明粘結劑層與環形框架之間的粘結強度可為1至3N/25mm。圖2示出了根據本發明示例性實施方式的切割芯片接合膜和層壓在該切割芯片接合膜上的環形框架。在切割工藝中，環形框架(4)層壓在切割芯片接合膜的光學透明粘合劑層⑵上。接合層為膜的形式，且由熱固化組合物形成。粘結劑層應對晶片的接地背側具有良好的粘附力。粘結劑層由熱固化樹脂和固化劑構成。熱固化樹脂包括丙烯酸共聚物和具有高分子量的環氧樹脂，并具有成膜能力。作為丙烯酸共聚物，可示例為丙烯酸橡膠，其為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯與丙烯腈的共聚物。環氧樹脂沒有特別限定，只要它在固化后表現出高粘結強度。環氧樹脂應具有兩個或更多個用于固化的官能團。這種環氧樹脂的實例包括雙酚A環氧樹脂類、酚醛清漆環氧樹脂類或甲酚醛清漆環氧樹脂類。固化劑可為那些常用于形成粘結劑層的任何固化劑。可使用固化促進劑以固化環氧樹脂。固化促進劑可為咪唑或胺型。可使用一種或多種硅烷偶聯劑以提高對晶圓的粘附力。可使用任何適用于得到均勻涂層厚度的涂布技術以形成接合層。可使用形成光學透明粘結劑層的涂布技術形成接合層。粘結劑層具有5至100 μ m、優選10至80 μ m的涂層厚度。光學透明粘結劑層與接合層之間的粘結強度為0. 05至0. 5N/25mm,優選0. 1至 0. 25N/25mm0切割芯片接合層可進一步包括離型膜以保護粘結劑層不受外部材料影響并促進以輥形式卷繞。切割芯片接合膜具有光學透明粘結劑層形成在基膜上且接合層層壓在該光學透明粘結劑層上的結構。半導體芯片粘貼到接合層并切割成小尺寸。芯片在拾取時易于從下面的光學透明粘結劑層剝離。拾取的芯片在接合層粘貼到芯片背側的狀態下粘合到支撐元件如PCB或引線框的表面(芯片粘合)。本發明的另一個方面提供一種使用上述切割芯片接合膜的半導體器件。切割芯片接合膜的接合層粘貼到晶片的一側，且切割芯片接合膜的光學透明粘結劑層固定在環形框
1 ο下文中，將參照以下實施例更詳細地解釋本發明的結構和功能。提供這些實施例僅用于說明目的，且不應以任何方式解釋成限制本發明。本領域技術人員將很容易地認識并理解在此未包含的公開內容，因而省略其解釋。實施例制備例1 丙烯酸共聚物的制備在將M5g乙酸乙酯放入2L四口燒瓶反應器后，將回流冷凝器、溫度計和滴液漏斗與燒瓶連接。加熱溶劑至在74°C下回流。制備由丙烯酸-2-乙基己酯(372. 6g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)、丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)和乙二醇磷酸酯甲基丙烯酸酯(10. Sg) 組成的單體混合物。將513g的該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。以 250rpm攪拌3小時內，在74°C下將該混合物通過液滴漏斗逐滴加入到燒瓶中。完成逐滴加入后，將反應混合物在85°C下老化4小時。20分鐘內加入120g乙酸乙酯和0. 2g偶氮二異丁腈，并將所得混合物在85°C下放置4小時。測量反應混合物的粘度和固含量。停止反應以產出在25°C具有4000cps粘度的丙烯酸共聚物。制備例2 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(372. 6g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64.8g)、丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(27g)和乙二醇磷酸酯(10. Sg)組成的單體混合物。將MOg的該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例1中使用的相同燒瓶中。之后，重復制備例1的程序，產出在25°C具有4500cps粘度的丙烯酸共聚物。制備例3 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(383. 4g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64. 8g)和丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)組成的單體混合物。將該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例1中使用的相同燒瓶中。之后， 重復制備例1的程序，產出在25°C具有3，OOOcps粘度的丙烯酸共聚物。制備例4 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(383. 4g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64.8g)、丙烯酸-2-羥乙酯(64. 8g)和甲基丙烯酸縮水甘油酯(27g)組成的單體混合物。將該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例1中使用的相同燒瓶中。之后，重復制備例1的程序，產出在25°C具有3，500cps粘度的丙烯酸共聚物。制備例5 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(383. 4g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64.8g)、丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)、甲基丙烯酸縮水甘油酯Q7g)、乙二醇磷酸酯(10. 8g)和丙烯酸(10. Sg)組成的單體混合物。將該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例1中使用的相同燒瓶中。之后，重復制備例1 的程序，產出在25°c具有4，SOOcps粘度的丙烯酸共聚物。制備例6 丙烯酸共聚物的制備在將M5g乙酸乙酯放入2L四口燒瓶反應器后，將回流冷凝器、溫度計和滴液漏斗與燒瓶連接。加熱溶劑至在74°C下回流。制備由丙烯酸-2-乙基己酯(345. 6g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)和丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)組成的單體混合物。將475. 2g的該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。以250rpm攪拌3小時內，在74°C下將該混合物通過液滴漏斗逐滴加入到燒瓶。完成逐滴加入后，將反應混合物在85°C下老化4 小時。在20分鐘內加入120g乙酸乙酯和0. 2g偶氮二異丁腈，并將所得混合物在85°C下放置4小時。測量反應混合物的粘度和固含量。停止反應以提供基體接合劑。冷卻該基體接合劑至40°C，然后對其加入37. Sg的3-異氰酸丙基三乙氧基硅烷和IOOppm的DBTDL。使該混合物在40°C反應8小時，產出在25°C具有4，OOOcps粘度的丙烯酸共聚物。將400g丙烯酸共聚物放入 500ml 的 Nalgene 瓶(73. 8mm(外徑)X 169. 8mm(高度))后，用 Brookfield 粘度計(DV-II+)在25°C下以IOOrpm的轉速(轉子#7)測定丙烯酸共聚物的粘度。制備例7 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(345. 6g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64.8g)、丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)和甲基丙烯酸縮水甘油酯(27g)組成的單體混合物。將MOg的該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。以250rpm攪拌，將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例6中使用的相同燒瓶中。完成逐滴加入后，將反應混合物在85°C下老化4小時。20分鐘內加入120g乙酸乙酯和0. 2g偶氮二異丁腈，并將所得混合物在85°C 下放置4小時。測量反應混合物的粘度和固含量。停止反應以提供基體接合劑。冷卻該基體接合劑至40°C，然后對其加入37. Sg的3-異氰酸丙基三乙氧基硅烷和IOOppm的DBTDL。 使該混合物在40°C反應8小時，產出在25°C具有4，500cps粘度的丙烯酸共聚物。制備例8 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(383. 4g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64. 8g)和丙烯酸-2-羥乙酯(64. Sg)組成的單體混合物。將該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例6中使用的相同燒瓶中。之后， 重復制備例1的程序，產出在25°C具有3，OOOcps粘度的丙烯酸共聚物。制備例9 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(345. 6g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64.8g)、丙烯酸-2-羥乙酯(64. 8g)和甲基丙烯酸縮水甘油酯(27g)組成的單體混合物。將該單體混合物與120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合。將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例6中使用的相同燒瓶中。之后，重復制備例1的程序，產出在25°C具有3，500cps粘度的丙烯酸共聚物。制備例10 丙烯酸共聚物的制備制備由丙烯酸-2-乙基己酯(383. 4g)、甲基丙烯酸-2-羥乙酯(64.8g)、丙烯酸-2-羥乙酯(64. 8g)和丙烯酸(27g)組成的單體混合物。用120g甲苯和0. 18g偶氮二異丁腈混合該單體混合物。以250rpm攪拌，將所得混合物通過液滴漏斗逐滴加入到制備例6中使用的相同燒瓶中。完成逐滴加入后，將反應混合物在85°C下老化4小時。20分鐘內加入120g乙酸乙酯和0. 2g偶氮二異丁腈，并將所得混合物在85°C下放置4小時。測量反應混合物的粘度和固含量。停止反應以提供基體接合劑。冷卻該基體接合劑至40°C，然后對其加入37. Sg的3-異氰酸丙基三乙氧基硅烷和IOOppm的DBTDL。使該混合物在40°C反應8小時，產出在25°C具有4，SOOcps粘度的丙烯酸共聚物。實施例1 6和對比例1 4所用的組分詳情如下1.丙烯酸共聚物在制備例1 10中所制備的丙烯酸共聚物。2.固化劑三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(TMP加合物型，AK-75， AekyungChemical (韓國))作為異氰酸酯固化劑。實施例1 6和對比例1 4各組分以表1和表2所示的量加入到25重量份的甲乙酮中。在25°C下攪拌該混合物1小時以制備用于切割芯片接合膜的組合物。表權利要求
1.一種光學透明粘結劑，包括具有烷基、羥基和選自由磷酸酯基和硅烷基組成的組中的至少一個基團的丙烯酸共聚物；和固化劑。
2.根據權利要求1所述的光學透明粘結劑，其中，所述丙烯酸共聚物為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
3.根據權利要求2所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯具有通式1的結構CH2 = CR-C ( = 0)0-(CH2) m-0-P( = 0) (ORl) (0R2) (1)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，Rl和R2各自獨立地為氫、C1 Cltl烷基或C6 C2tl芳基，且m為1至10的整數。
4.根據權利要求3所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯為乙二醇(甲基)丙烯酸酯磷酸酯。
5.根據權利要求2所述的光學透明粘結劑，其中，基于100重量份的所述丙烯酸共聚物，所述具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯的含量為0. 1至10重量份。
6.根據權利要求1所述的光學透明粘結劑，其中，所述丙烯酸共聚物通過將具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯與具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯共聚以制備基體接合劑，并使所述基體接合劑與具有至少一個硅烷基的化合物反應來制備。
7.根據權利要求1所述的光學透明粘結劑，其中，所述丙烯酸共聚物為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有至少一個硅烷基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
8.根據權利要求7所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯具有通式2的結構CH2 = CR-C ( = 0)0-(CH2)m-Si (Rl) (R2) (R3) (2)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3,η為0至5的整數，Rl、R2和R3各自獨立地為氫、C1 C10 烷基、C6 C2tl芳基或C1 Cltl烷氧基，且m為1至10的整數。
9.根據權利要求7所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有羥基的(甲基)丙烯酸酯的摩爾比為3 5. 5 65. 5 73 24 29。
10.根據權利要求7所述的光學透明粘結劑，其中，基于100重量份的所述丙烯酸共聚物，所述具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯的含量為3至10重量份。
11.根據權利要求1所述的光學透明粘結劑，其中，所述丙烯酸共聚物進一步具有選自由環氧基和羧基組成的組中的至少一種基團。
12.根據權利要求11所述的光學透明粘結劑，其中，所述丙烯酸共聚物為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯和選自由具有至少一個環氧基的不飽和環氧化合物和具有至少一個羧基的(甲基)丙烯酸酯組成的組中的至少一種單體的共聚物。
13.根據權利要求11所述的光學透明粘結劑，其中，所述丙烯酸共聚物為具有至少一個羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有至少一個硅烷基的(甲基)丙烯酸酯和選自由具有至少一個環氧基的不飽和環氧化合物和具有至少一個羧基的(甲基)丙烯酸酯組成的組中的至少一種單體的共聚物。
14.根據權利要求11所述的光學透明粘結劑，其中，所述環氧基來源于具有通式3的結構的不飽和環氧化合物
15.根據權利要求12或13所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有羧基的(甲基)丙烯酸酯具有通式4或5的結構CH2 = CR-C ( = 0) 0- (CH2)r-COOH (4)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數，且r為1至10的整數；CH2 = CR-C ( = 0) OH (5)其中，R為-H或-(CH2)n-CH3, η為0至5的整數。
16.根據權利要求1所述的光學透明粘結劑，其中，所述光學透明粘結劑不包括光引發劑。
17.根據權利要求1所述的光學透明粘結劑，其中，所述丙烯酸共聚物在25°C具有4000 至6000cps的粘度。
18.根據權利要求2所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有羥基的(甲基)丙烯酸酯的摩爾比為0.5 2 70 75 24. 5 28。
19.根據權利要求12所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯、具有環氧基的不飽和環氧化合物、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯的摩爾比為0. 5 2 4 7 64 73. 5 22 27。
20.根據權利要求12所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有羥基的(甲基)丙烯酸酯和具有羧基的(甲基) 丙烯酸酯的摩爾比為0. 5 2. 5 5 8. 5 82 93. 5 1 7。
21.根據權利要求12所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有磷酸酯基的(甲基)丙烯酸酯、具有環氧基的不飽和環氧化合物、具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有羥基的(甲基)丙烯酸酯和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯的摩爾比為0.5 2 4 6. 5 59 73. 5 21 27 1 5. 5。
22.根據權利要求13所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有環氧基的不飽和環氧化合物的摩爾比為62. 5 72 20 23 3 5. 5 5 9。
23.根據權利要求13所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯和具有羧基的(甲基) 丙烯酸酯的摩爾比為59. 4 76 9 27 3 4. 5 2 9。
24.根據權利要求13所述的光學透明粘結劑，其中，所述具有烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有硅烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有環氧基的不飽和環氧化合物和具有羧基的(甲基)丙烯酸酯的摩爾比為53. 5 67 18 觀2 5. 5 1 4. 5 2 8. 5。
25.一種切割芯片接合膜，包括 基膜；形成在所述基膜上的光學透明粘結劑層；和形成在所述光學透明粘結劑層上的接合層，其中所述光學透明粘結劑層由權利要求1至M中任意一項所述的光學透明粘結劑形成。
26.根據權利要求25所述的切割芯片接合膜，其中，在所述光學透明粘結劑層和環形框架之間的粘結強度為1至3N/25mm。
27.根據權利要求25所述的切割芯片接合膜，其中，在所述光學透明粘結劑層和所述接合層之間的粘結強度為0. 05至0. 5N/25mm。
28.一種半導體器件，使用權利要求25至27中任意一項所述的切割芯片接合膜，其中所述切割芯片接合膜的接合層粘貼到晶圓的一側，且所述切割芯片接合膜的光學透明粘結劑層固定在環形框架上。
全文摘要
本發明公開了一種用于切割芯片接合膜的光學透明粘結劑。所述光學透明粘結劑包括具有磷酸酯基和/或硅烷基的丙烯酸共聚物。所述光學透明粘結劑具有對環形框架提高的粘附力，并展示出高拾取成功率。本發明還提供了一種包括所述光學透明粘結劑的切割芯片接合膜和半導體器件。
文檔編號C08F220/10GK102533173SQ201110347640
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月7日 優先權日2010年12月30日
發明者樸白晟, 李吉成, 河京珍, 金志浩, 黃珉珪 申請人:第一毛織株式會社