專利名稱：由包含聚合物和表面改性六方氮化硼顆粒的澆鑄組合物制得的薄膜的制作方法
技術領域：
本發明涉及適于以高濃度摻入到聚合物中的表面改性的六方氮化硼顆粒的制備以及由其制得的薄膜。所述薄膜適用作柔性印刷電路板中的基板。
背景技術：
Meneghetti等人的U. S. 2007/0041918公開了用鋯酸鹽處理的六方氮化硼，并且其以至多75重量％用于聚合物中以制備具有改善的熱導率的樣品。Sainsbury等人的WO 2008/140583公開了通過暴露于NH3等離子體而被胺(NH2) 改性的BN納米管。提及了向聚合物中的摻入。Ishida的U. S. 6，160，042公開了用1，4_苯二異氰酸酯表面處理的摻入到環氧樹脂中的氮化硼。M6vellec 等人在“Chem. Mater. ”(2007，19，6323-6330)中公開，在乙烯單體的存在下，芳基重氮鹽與鐵粉在水溶液中的氧化還原活化作用，獲得強力接枝在各種表面如 (Au、Si、Ti、不銹鋼)、玻璃、碳(納米管)或PTFE上的非常均勻的薄的聚合物膜。環氧化物和聚酰亞胺常用作印刷電路板中的組分。由于電子電路中元件密度的增加，熱量處理是不斷加劇的問題。向聚合物中摻入50體積％和更多的六方氮化硼(hBN)顆粒，賦予增大的熱導率，而不會損害電絕緣性。一般來講，需要表面處理BN顆粒，以獲得充分的分散和模壓性。然而，即使采用表面處理，改善指定聚合物熱導率所需的高負載hBN顆粒仍造成粘度大幅增加，同時可加工性下降。這在柔性印刷電路板的基底膜生產中尤其成問題。發明概述本發明提供了具有小于500 μ m厚度的薄膜，所述薄膜包含聚合物和多個分散于其中的表面改性的六方氮化硼顆粒，所述表面改性的氮化硼顆粒包括具有表面和與所述表面鍵合的取代的苯基的六方氮化硼顆粒，所述取代的苯基由以下結構表示
權利要求
1.薄膜，所述薄膜具有小于500 μ m的厚度，包含聚合物和多個分散于其中的表面改性的六方氮化硼顆粒，所述表面改性的氮化硼顆粒包括具有表面和與所述表面鍵合的取代的苯基的六方氮化硼顆粒，所述取代的苯基由以下結構表示其中 X 為基團，所述基團選自 NH2-、HO—、R2OC (0)—、R2C (0)0—、HSO3-、NH2CO-、鹵素、烷基和取代或未取代的芳基；其中R1為烷基或烷氧基，并且R2為氫、烷基或取代或未取代的芳基。
2.權利要求1的薄膜，其中R1為氧，并且X為NH2--。
3.權利要求1的薄膜，其中R1為氫，并且X為HO--。
4.權利要求1的薄膜，其中所述聚合物為聚酰胺酸。
5.權利要求1的薄膜，其中所述聚合物為聚酰亞胺。
6.權利要求1的薄膜，其中所述聚合物為固化的環氧樹脂組合物。
7.權利要求1的薄膜，其中所述聚合物為未固化的環氧樹脂組合物。
8.權利要求1的薄膜，其中所述SMhBN顆粒具有在0.5至50 μ m范圍內的尺寸。
9.權利要求8的薄膜，其中所述SMhBN的濃度為30至70重量％。
10.方法，所述方法包括將多個表面改性的六方氮化硼顆粒在溶劑中聚合物的溶液中的分散體澆鑄在剝離表面上，使如此澆鑄的所述分散體形成粘稠的液體膜，并且將所述溶劑移除以形成厚度小于500 μ m的薄膜；其中所述表面改性的六方氮化硼顆粒包括具有表面和與其鍵合的取代的苯基的六方氮化硼顆粒，所述取代的苯基由以下結構表示其中 X 為基團，所述基團選自 NH2-、HO—、R2OC (0)—、R2C (0)0—、HSO3-、NH2CO-、鹵素、烷基和取代或未取代的芳基；其中R1為烷基或烷氧基，并且R2為氫、烷基或取代或未取代的芳基。
11.權利要求10的方法，其中R1為氫，并且X為NH2--。
12.權利要求10的方法，其中R1為氫，并且X為H0-。
13.權利要求1的方法，其中所述聚合物為聚酰胺酸。
14.權利要求1的方法，其中所述聚合物為未固化的環氧樹脂組合物。
15.權利要求10的方法，其中所述SMhBN顆粒具有在0.5至50 μ m范圍內的尺寸。
全文摘要
本發明提供了厚度小于500μm的薄膜，所述薄膜包含聚合物和分散于其中的多個表面改性的六方氮化硼顆粒。所述聚合物可為聚酰亞胺或環氧化物。提供了通過澆鑄制備所述薄膜的方法。
文檔編號C08K3/38GK102421829SQ201080020671
公開日2012年4月18日 申請日期2010年5月12日 優先權日2009年5月13日
發明者G·E·扎爾, G·P·拉金德蘭, P-Y·林 申請人:納幕爾杜邦公司