專利名稱：發磷光性組合物及使用該組合物而成的發光元件的制作方法
技術領域：
本發明涉及發磷光性組合物及使用該組合物而成的發光元件。
背景技術：
已知將顯示來自三重激發態的發光的化合物(以下有時稱作“發磷光性化合 物”。)作為發光元件的發光層中所用的發光材料而用于發光層的元件，發光效率高。在將 發磷光性化合物用于發光層的情況下，通常將向基質中添加該化合物而成的組合物作為發 光材料使用。作為基質，由于可以利用涂布形成薄膜，因此使用聚乙烯咔唑(專利文獻1)。但是，由于該化合物的最低未占分子軌道(以下稱作“LUM0”。)的能級高，因此難 以注入電子。另一方面，由于聚芴等共軛系高分子化合物的LUMO低，因此如果將其用作基 質，則可以比較容易地實現低驅動電壓。但是，由于此種共軛系高分子化合物的最低三重態 激發能量小，因此特別不適于用作用于波長比綠色短的發光的基質(專利文獻2)。例如，包 含作為共軛系高分子化合物的聚芴和三重態發光化合物的發光材料(非專利文獻1)由于 來自三重態發光化合物的發光弱，因此發光效率低。專利文獻1 日本特開2002-50483號公報專利文獻2 日本特開2002-241455號公報非專利文獻1 APPLIED PHYSICS LETTERS,80,13,2308(2002)在此，本發明的目的在于，提供一種在用于發光元件等中時發光效率優異的發光 材料。本發明的第一方面提供一種組合物，其含有下述的化合物和發磷光性化合物，所 述化合物具有選自以下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮化合物中的一種以上的 含氮化合物的殘基和選自以下式(2-1)、(2-2)、(2-3)及(2-4)所示的含氮稠環式化合物中 的一種以上的含氮稠環式化合物的殘基，
發明內容
權利要求
1. 一種組合物，其含有下述的化合物和發磷光性化合物，所述化合物具有選自以下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮化合物中的一種 以上的含氮化合物的殘基和選自以下式(2-1)、(2-2)、(2-3)及(2-4)所示的含氮稠環式化 合物中的一種以上的含氮稠環式化合物的殘基，
2.根據權利要求1所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物是具有選自以所述 式(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮化合物中的一種以上的含氮化合物的殘基和選自以所 述式“2-2)及(2- 所示的含氮稠環式化合物中的一種以上的含氮稠環式化合物的 殘基的化合物。
3.根據權利要求1或2所述的組合物，其中，所述R中的至少一個是烷基、烷氧基、可具有取代基的芳基或可具有取代基的雜芳基。
4.根據權利要求3所述的組合物，其中，所述R中的至少一個是氫原子以外的原子的總數為3以上的取代基。
5.根據權利要求4所述的組合物，其中，所述R中的至少一個是碳數為3 10的烷基或碳數為3 10的烷氧基。
6.根據權利要求1 5中任一項所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物是以下式(A-I)或 (A-2)所示的化合物或具有其殘基的化合物，Z1 Z1(Y1)r (Y2),-Zz -Z2(A-I) (A-2)式中，Z1及Z2中的一方表示以所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)所示的含氮化合 物的殘基，另一方表示以所述式、0-2)、或(2-4)所示的含氮稠環式化合物的 殘基，Y1 表示-C (Ra) (Rb) -、-N (Rc) -、-0-、-Si (Rd) (Re) -、-P (Rf)-或-S-, Ra Rf 分別獨立地 表示氫原子或取代基，m是 5的整數，在存在多個Y1的情況下，它們可以相同或不同，Y2 表示可具有取代基的亞芳基，η是1 5的整數，在存在多個Y2的情況下，它們可以相同或不同。
7.根據權利要求1 6中任一項所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物是高分子。
8.根據權利要求7所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物是具有含有以所述 式(A-I)或(A-幻所示的化合物的殘基的重復單元的高分子。
9.根據權利要求1 8中任一項所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物的利用計算科學的 方法算出的最低三重態激發能量的值為3. OeV以上。
10.根據權利要求1 8中任一項所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物的利用計算科學的 方法算出的最低未占分子軌道的能級的絕對值為1. 5eV以上。
11.根據權利要求1 8中任一項所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物的利用計算科學的 方法算出的最高占有分子軌道的能級的絕對值為6. 2eV以下。
12.根據權利要求1 8中任一項所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物的最低三重態激發 能量的值ETH與所述發磷光性化合物的最低三重態激發能量的值ETG滿足下式ETH > ETG (eV)。
13.根據權利要求7 12中任一項所述的組合物，其中，所述具有含氮化合物的殘基和含氮稠環式化合物的殘基的化合物具有構成所述含氮 化合物和所述含氮稠環式化合物的雜環結構以及與該雜環結構鄰接的部分結構，所述部分結構具有至少2個π共軛電子，并且所述雜環結構與所述部分結構之間的2 面角為40°以上。
14.根據權利要求1 13中任一項所述的組合物，其中，所述發磷光性化合物是銥絡合物或鉬絡合物。
15.根據權利要求14所述的組合物，其中，所述發磷光性化合物是以銥或鉬為中心金屬，并以8-羥基喹啉或其衍生物、苯并羥基 喹啉或其衍生物或者2-苯基吡啶或其衍生物為配體的金屬絡合物。
16.一種高分子，其含有選自以下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮化合物中的一種以上的含氮化合 物的殘基；選自以下式(2-1)、(2-2)、(2-3)及(2-4)所示的含氮稠環式化合物中的一種以上的含 氮稠環式化合物的殘基；和發磷光性化合物的殘基，
17.一種使用權利要求1 15中任一項所述的組合物或權利要求16所述的高分子而 成的薄膜。
18.一種使用權利要求1 15中任一項所述的組合物或權利要求16所述的高分子而 成的發光元件。
19.一種具備權利要求18所述的發光元件的面狀光源。
20.一種具備權利要求18所述的發光元件的顯示裝置。
21.一種具備權利要求18所述的發光元件的照明裝置。
全文摘要
本發明提供一種組合物，其含有如下的化合物及發磷光性化合物，所述化合物具有選自以下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮化合物中的一種以上的含氮化合物的殘基和選自以下式(2-1)、(2-2)、(2-3)及(2-4)所示的含氮稠環式化合物中的一種以上的含氮稠環式化合物的殘基。(式中，R表示氫原子或取代基。存在的多個R可以相同或不同。)(式中，R具有與上述相同的含義。)
文檔編號C08G73/06GK102124589SQ20098013231
公開日2011年7月13日 申請日期2009年6月23日 優先權日2008年6月23日
發明者秋野喜彥 申請人:住友化學株式會社, 薩美甚株式會社