專利名稱：：絕緣性膜的制作方法
技術領域：
：本發明涉及絕緣性膜。更具體地說，本發明涉及電特性和耐熱性良好、特別是具有高的絕緣擊穿電壓的絕緣性膜。
背景技術：
：含有間規聚苯乙烯的拉伸膜的耐熱性、耐化學藥品性、耐熱水性、電介質特性、電絕緣性等優異，期待適用于各種用途中。特別是該拉伸膜由于電介質特性優異、具有高的電絕緣性和耐熱性，被用作電容器的絕緣體。例如專利文獻1-4中提出了使用間規聚苯乙烯的電容器用的膜。(專利文獻l)日本特開平3-124750號/^才艮(專利文獻2)日本特開平6-80793號公報(專利文獻3)日本特開平7-156263號公報(專利文獻4)日本特開平8-283496號公寺艮
發明內容但是，近年搭載在混合動力車上的高性能電容器中，要求絕緣擊穿電壓高、耐熱性優異的膜。此外，為了提高電容器的靜電容量、使電容器小型化，有必要使成為絕緣體的膜更薄。但是，若使膜變薄，則拉伸時易產生斷裂，此外膜的巻取性等降低或膜的操作性(取0扱"性)降低，膜本身的生產性降低。此外，若膜的操作性降低則電容器的生產效率也降低。因此，本發明的目的在于，提供具有高的絕緣擊穿電壓，耐熱性、操作性優異的絕緣性膜。本發明人為了解決上述問題而進行了深入研究，結果發現，含有間規聚苯乙烯和粒子、具有特定的取向結構的雙軸拉伸膜具有高的絕緣擊穿電壓，耐熱性和操作性優異，從而完成了本發明。即，本發明的雙軸拉伸絕緣性膜，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物和(ii)粒子，厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。本發明包含雙軸拉伸絕緣性膜(以下有時稱為膜(l)),該雙軸拉伸絕緣性膜含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，和(ii)O.Ol質量％~1.5質量°/。的平均粒徑為0.5|um~3.0|Lim、粒徑比為1.0-1.3的球狀交聯高分子粒子Al,厚度方向的折射率為1.6050~1.6550。此外，本發明包含雙軸拉伸絕緣性膜(以下有時稱為膜(2)),該雙軸拉伸絕緣性膜含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii-l)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.6|um~3.0)Lim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的二氧化硅粒子A2,和(ii-2)0.05質量％~2.0質量％的平均粒徑為0.01,~0.5,、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒B2，厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。此外，本發明包含雙軸拉伸絕緣性膜(以下有時稱為膜(3))，該雙軸拉伸絕緣性膜含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii)O.Ol質量％~5.0質量％的平均粒徑為0.01|iim~3.0|Lim的孩i粒，和(iii)3質量％~48質量％的與苯乙烯系聚合物的介電常數差異為0.2以上的樹脂X,厚度方向的折射率為1.6050~1.6550。此外，本發明包含雙軸拉伸絕緣性膜(以下有時稱為膜(4)),該雙軸拉伸絕緣性膜含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii)O.Ol質量％~.5質量％的平均粒徑為0.2pm-3.Opm、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒A4,和(iii)O.l質量％~8質量％的抗氧化劑，厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。具體實施方式[共通事項]如上所述本發明存在膜(l)-(4)的方式，首先對它們共通的事項進行說明。(苯乙烯系聚合物)本發明中的苯乙烯系聚合物為間規結構的苯乙烯系聚合物。即，具有相對于由碳-碳鍵形成的主鏈，作為側鏈的苯基或取代苯基交替位于相反方向的立體結構。通常立構規整度通過利用同位素碳的核磁共振法("C-NMR法)進行定量，連續的多個結構單元的存在比率，例如2個的情況下可以用二單元組表示，3個的情況下可以用三單元組表示，5個的情況下可以用五單元組表示。間規結構的苯乙烯系聚合物具有外消旋二單元組(r)75。/o以上、優選85%以上，或外消旋五單元組(rrrr)30。/。以上、優選50%以上的間同立構規整度。苯乙烯系聚合物指的是聚苯乙烯、聚(烷基苯乙烯)、聚(卣代苯乙烯)、聚(烷氧基苯乙烯)、聚(自代烷基苯乙烯)、聚(乙烯基苯甲酸酯)、聚(乙烯基萘)、聚(危烯)，將它們的芳環的一部分氫化而得到的聚合物，它們的混合物，或含有這些結構單元的共聚物。其中，作為聚(烷基苯乙烯)，可以舉出聚(甲基苯乙烯)、聚(乙基苯乙烯)、聚(丙基苯乙烯)、聚(丁基苯乙烯)、聚(苯基苯乙烯)等。作為聚(卣代苯乙烯)，有聚(氯苯乙烯)、聚(溴苯乙烯)、聚(氟苯乙烯)等。此外，作為聚(烷氧基苯乙烯)，可以舉出聚(曱氧基苯乙烯)、聚(乙氧基苯乙烯)等。其中，作為特別優選的苯乙烯系聚合物，可以舉出聚苯乙烯、聚(對曱基苯乙烯)、聚(間曱基苯乙烯)、聚(對叔丁基苯乙烯)、聚(對氯苯乙烯)、聚(間氯苯乙烯)、聚(對氟苯乙烯)或苯乙烯與對曱基苯乙烯的共聚物。進一步地，本發明中的苯乙烯系聚合物還可以含有共聚成分以共聚物的形式使用。在該情況下，作為優選的共聚單體，除了上述苯乙烯系聚合物的單體之外，還可以舉出乙烯、丙烯、丁烯、己烯、辛烯等烯烴單體，丁二烯、異戊二烯等二烯單體，環狀二烯單體或甲基丙烯酸甲酯、馬來酸酐、丙烯腈等極性乙烯基單體。苯乙烯系聚合物的重均分子量優選為1.0x104-3.0x106,更優選為5.0xl04~1.5x106,進一步優選為I.lxl05~8.0xl05。通過使重均分子量為1.0xl(^以上，可以得到強伸度特性優異、耐熱性更高的膜。此外，若重均分子量為3.0x106以下，則拉伸張力為優選的范圍，制膜時等不易產生斷裂等。這種間規結構的苯乙烯系聚合物的制備方法例如在日本特開昭62-187708號公"^艮中有公開。即，可以通過在惰性烴溶劑中或不存在溶劑的條件下，將鈦化合物和水與有機鋁化合物、特別是三烷基鋁的縮合產物作為催化劑，將苯乙烯類單體(對應于上述苯乙烯系聚合物的單體)聚合來制備。此外，對于聚(卣代烷基苯乙烯)在日本特開平1-146912號公報中有公開，氫化聚合物在日本特開平1-178505號公報中有公開。本發明中的間規結構的苯乙烯系聚合物中，根據需要可以配合適量的公知的抗靜電劑等添加劑。它們的配合量相對于苯乙烯系聚合物100質量份，優選為IO質量份以下。若超過10質量份，則拉伸時易產生斷裂、生產穩定性不好，因此不優選。這種間規結構的苯乙烯系聚合物與以往的無規立構結構的苯乙烯系聚合物相比，耐熱性顯著優異。(粒子)本發明的膜含有粒子。粒子的平均粒徑優選為0.01nm~3.0pm。若粒子的平均粒徑在該范圍，則可以形成維持良好的電特性的同時，巻取性和加工性等操作性也良好的膜。若粒子的平均粒徑過小，則存在操作性差的趨勢。另一方面若過大，則由于膜中的空隙的尺寸增大，有電特性差的趨勢。本發明的膜在膜100質量％中，含有粒子0.01質量％~5.0質量％。通過使粒子的含量在該范圍，可以保持膜的絕緣擊穿電壓良好的同時、形成巻取性和加工性良好的膜。粒子可以為有機系粒子或無機系粒子。作為有機系粒子，優選為高分子樹脂粒子，可以舉出例如交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯硅氧烷樹脂粒子、交聯丙烯酸類樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸類樹脂粒子、交聯二乙烯基苯-丙烯酸類樹脂粒子、交聯聚酯樹脂粒子、聚酰亞胺樹脂粒子、三聚氰胺樹脂粒子等。其中，從光滑性(滑0性)和耐削性(耐削打性)優異方面考慮，特別優選為硅氧烷樹脂粒子、交聯聚苯乙烯樹脂粒子。此外，作為無機系粒子，可以舉出(l)二氧化硅(包括水合物、硅砂、石英等)，(2)各種結晶形態的氧化鋁，("含有SiO2成分30質量。/。以上的硅酸鹽(例如非晶質或晶質的粘土礦物，硅鋁酸鹽(包括燒成物(焼成物)或水合物)、溫石棉、鋯石、飛灰等)，(4)Mg、Zn、Zr和Ti的氧化物，(5)Ca和Ba的硫酸鹽，(6)Li、Ba和Ca的磷酸鹽(包括一氫鹽、二氫鹽)，(7)Li、Na和K的苯曱酸鹽，(8)Ca、Ba、Zn和Mn的對苯二曱酸鹽，(9)Mg、Ca、Ba、Zn、Cd、Pb、Sr、Mn、Fe、Co和Ni的鈥酸鹽，(10)Ba和Pb的鉻酸鹽，(ll)碳(例如炭黑、石墨等)，(12)玻璃(例如玻璃粉、玻璃珠等)，(13)Ca和Mg的碳酸鹽，(14)螢石，(15)尖晶石型氧化物等。其中，從光滑性和耐削性優異方面考慮，優選為碳酸釣粒子、二氧化硅粒子，特別優選為二氧化硅粒子。本發明中，可以為含有1種粒子的方式，但是從可以提高操作性的提高效果而不會降低絕緣擊穿電壓方面考慮，優選為含有2種以上粒子的方式。這種情況下，可以為含有組成不同的2種以上粒子的方式，含有平均粒徑不同的2種以上粒子的方式，含有形狀不同的2種以上粒子的方式或將它們組合的方弍，但M別優選為含有至少平均粒1亞不同的2種以上粒子的方式。(厚度方向的折射率)本發明的膜的厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。通過使厚度方向的折射率為上述范圍，可以提高絕緣擊穿電壓。此外，降低膜制造步驟中的膜斷裂的頻率，從而可以提高生產性。厚度方向的折射率過高時，存在膜制造步驟中的膜斷裂的頻率增加的趨勢，膜的生產性降低。另一方面，過低時，存在絕緣擊穿電壓降低的趨勢，形成電特性差的膜。此外，電容器的制造步驟中的膜斷裂的頻率增加，電容器的生產性降低。進一步地，存在膜的厚度不均惡化的趨勢，不易得到品質穩定的電容器。使厚度方向的折射率為上述范圍通過采用后述制造方法來達成。即，本發明中優選的厚度方向的折射率可以如下達成，將膜的拉伸倍率設定在特定的范圍，且在拉伸步驟中，在一個軸方向的拉伸后實施的與一個軸方向垂直的方向的拉伸中，將拉伸的溫度分為多個階段，使該第一階段的溫度和最終階段的溫度具有特定的溫度差。(其它的添加劑)本發明的膜為了改善成型性、力學物性、表面性等，還可以含有其它的樹脂成分。作為可以含有的其它的樹脂成分，可以舉出例如無^見立構結構的苯乙烯系聚合物、全同立構結構的苯乙烯系聚合物、聚苯醚、苯乙烯-馬來酸酐共聚物等。它們易與間規結構的苯乙烯系聚合物相容，對制造拉伸用預成型體時的結晶化的控制是有效的。因此，由于可以得到此后的拉伸性提高、容易控制拉伸條件且力學物性優異的膜，所以優選。其中，含有無規立構結構和/或全同立構結構的苯乙烯系聚合物時，優選含有與間規結構的苯乙烯系聚合物相同的單體。此外，這些相容性樹脂成分的含有比率相對于間規結構的苯乙烯系聚合物IOO質量份，優選為40質量份以下，進一步優選為20質量份以下，特別優選為IO質量份以下。若相容性樹脂成分的含有比率超過40質量份，則作為間規結構的苯乙烯系聚合物的優點的耐熱性的提高效果降低。此外，其它的樹脂成分中，作為與間規結構的苯乙烯系聚合物不相容的樹脂，可以舉出例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚戊烯等聚烯烴。此外可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二，乙二醇酯等聚酯。此外可以舉出尼龍6^^fe6,6^Afe。可^舉出聚苯硫醚等聚硫醚、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚砜、聚醚醚酮、聚醚砜、聚酰亞胺、特氟隆(注冊商標)等卣代乙烯類聚合物、聚曱基丙烯酸曱酯等丙烯酸系聚合物、聚乙烯醇等上述相容性的樹脂以外的樹脂。進一步可以舉出含有上述相容性樹脂的交聯樹脂。這些樹脂由于與間規結構的苯乙烯系聚合物不相容，含有少量時，可以以島狀分散在間規結構的苯乙烯系聚合物中，對拉伸后賦予相當好的光澤或改善表面的光滑性是有效的。非相容性樹脂成分的含有比率相對于間規結構的苯乙烯系聚合物100質量份，優選為30質量份以下，進一步優選為20質量份以下，特別優選為IO質量份以下。此外，作為制品使用的溫度高時，優選含有比較具有耐熱性的非相容性樹脂成分。進一步地，本發明的膜中，在不阻礙其物性的范圍，可以加入抗靜電劑、著色劑、耐候劑等添加劑。本發明的絕緣性膜的優選方式的膜(1)(4)除了上述共通事項之夕卜，分別具有以下的特征。本發明的方式2的膜(2),含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii-l)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.6)iim~3.0|um、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的二氧化硅粒子A2，和(ii-2)0.05質量％~2.0質量%的平均粒徑為0.01)um~0.5|am、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒B2，厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。二氧化硅粒子A2的平均粒徑優選比惰性微粒B2的平均粒徑大0.3)Lim以上。惰性微粒B2優選為無機微粒。惰性微粒B2優選為粒徑比為1.0~1.3的球狀二氧化硅粒子。二氧化硅粒子A2優選為粒徑比為1.0-1.3的球狀二氧化硅粒子。膜的厚度優選為0.4pm以上且小于6.5)Lim。本發明包含使用膜(2)的電容器。(苯乙烯系聚合物)膜(2)中的苯乙烯系聚合物如共通事項所述。(二氧化硅粒子A2)膜(2)含有0.01質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.6|um~3.0|Lim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的二氧化^:粒子A2。二氧化石圭粒子A2的平均粒徑為0.6pm~3.0pm,優選為0.7pm2.0|iim，進一步優選為0.8|um~1.6|um,特別優選為0.9jam~1.3|um。若平均粒徑小于0.6)am則脫氣性(工7—抜^性)降低，巻取性變差。另一方面，若平均粒徑超過3.0)am則絕緣擊穿電壓降低，特別是在電容器用途中，引起空間系數的增大或絕緣缺陷的增加。其中，二氧化硅粒子A2的平均粒徑優選比后述惰性微粒B2的平均粒徑大0.3ium以上。其差進一步優選為0.5]Lim以上，特別優選為0.7|um以上。通過增大平均粒徑的差，在膜表面分散存在(散在)由二氧化硅粒子A2產生的高突起，由此膜間的脫氣性變得良好。同時，通過存在由惰性微粒B2產生的低突起，膜之間的光滑性良好，將膜巻取成巻狀時，脫氣性與光滑性的平衡良好，即使高速巻繞也可以得到巻繞形態良好的膜巻等，巻取性進一步良好。此外，本發明中的二氧化珪粒子A2優選粒徑分布窄。具體i也說，表示分布的陡峭度的相對標準偏差為0.5以下。若相對標準偏差減小、粒徑分布陡峭，則膜表面的突起的高度均一。由此，巻取性變得良好，此外存在粗大粒子或粗大突起減少的趨勢，缺陷減少，可以提高絕緣擊穿電壓。另一方面，若相對標準偏差增大，則粗大粒子或粗大突起增加，缺陷增多，絕緣擊穿電壓降低，所以不優選。從這種觀點考慮，表示二氧化硅粒子A2的粒徑分布的相對標準偏差更優選為0.4以下，進一步優選為0.3以下，特別優選為0.2以下。膜(2)中的二氧化硅粒子A2的含量為0.01質量％~1.5質量％,優選為0.05質量％~1.0質量％,更優選為0.1質量％~0.5質量％,進一步優選為0.2質量％~0.4質量％。若含量小于0.01質量％,則脫氣性降低、巻取性變差。另一方面，若含量超過1.5質量％,則膜表面過于粗糙，耐削性變差，絕緣擊穿電壓降低。此外，特別是在電容器用途下，引起空間系數的增大，所以不優選。作為二氧化硅粒子A2,優選其形狀實質上為球狀或為圓球狀的球狀二氧化硅粒子。通過形成這種形態，可以進一步提高巻取性的提高效果和絕緣擊穿電壓的提高效果。具體地說，表示粒子的球狀程度的粒徑比優選為1.0~i.3。粒徑比進一步優選為1.0~1.2,特別優選為1.0~1.1。其中，二氧化硅粒子A2的優選方式的球狀二氧化硅粒子和后述惰性微粒B2的優選方式的球狀二氧化硅粒子，例如可以由原硅酸乙酯的水解制備含水二氧化硅[Sl(OH)4]單分散球(下述[式l]),進而對該含水二氧化硅單分散球進行脫水化處理，使二氧化硅鍵[三Si-O-Si三]三維生長來制備(下述式)(日本化學會志'81、No.9、P.1503)。Si(OC2H5)4+4H20—Si(OH)4+4C2H5OH三Si-OH+HO曙Si三—=Si-〇-Si=+H20(惰性微粒B2)本發明的膜(2)除了上述二氧化硅粒子A2之外，進一步含有惰性微粒B2。通過含有惰性微粒B2，光滑性良好，由此巻取性良好，且絕緣擊穿電壓升高。惰性微粒B2的平均粒徑為0.01jum~0.5jum,優選為0.05jum~0.5jum,更優選為0.1|um~0.5|um,進一步優選為0.2jam~0.4|um。若平均粒徑小于O.Ol)iim則得不到充分的光滑性，即得不到充分的巻取性。另一方面，若平均粒徑超過0.5jum則膜表面的低突起的高度過高，由此光滑性過高，巻取時易產生端面偏移此外，耐削性變差、絕緣擊穿電壓降低，所以不優選。而且，如上所述，惰性微粒B2的平均粒徑優選比二氧化硅粒子A2的平均粒徑小，其差優選為0.3jum以上。此外，本發明中的惰性微粒B2從與上述二氧化硅粒子A2同樣的觀點考慮，粒徑分布窄是有必要的，優選表示分布的陡峭度的相對標準偏差為0.5以下。惰性微粒B2的粒徑的相對標準偏差優選為0.4以下，進一步優選為0.3以下，特別優選為0.2以下。進一步地，惰性微粒B2的含量在膜(2)中優選為0.05質量％~2.0質量％。若含量少則光滑性變差，小于0.05質量％時得不到充分的光滑性。另一方面，若含量多則可能是由于由粒子形成的空隙的頻率增大，絕緣擊穿電壓存在降低的趨勢，所以不優選。此外，存在光滑性變得過高的趨勢，巻取時易產生端面偏移。從這種觀點考慮，惰性微粒B2的含量優選為0.1質量％~1.0質量％，進一步優選為0.1質量％~0.6質量%,特別優選為0.1質量％~0.3質量％。作為惰性微粒B2，可以使用各種微粒。作為有機微粒，可以舉出交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯硅氧烷樹脂粒子、交聯丙烯酸類樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸類樹脂粒子、交聯二乙烯基苯-丙烯酸類樹脂粒子、交聯聚酯樹脂粒子、聚酰亞胺樹脂粒子、三聚氰胺樹脂粒子等。此外，作為無機微粒，可以舉出(l)二氧化硅(包括水合物、硅砂、石英等)，(2)各種結晶形態的氧化鋁，(3)含有SiO2成分:30質量。/。以上的硅酸鹽(例如非晶質或晶質的粘土礦物，硅鋁酸鹽(包括燒成物、水合物)、溫石棉、鋯石、飛灰等)，(4)Mg、Zn、Zr和Ti的氧化物，(5)Ca和Ba的硫酸鹽，(6)Li、Ba和Ca的磷酸鹽(包括一氫鹽、二氫鹽)，(7)Li、Na和K的苯曱酸鹽，(8)Ca、Ba、Zn和Mn的對苯二曱酸鹽，(9)Mg、Ca、Ba、Zn、Cd、Pb、Sr、Mn、Fe、Co和Ni的4太酸鹽，(10)Ba和Pb的4各酸鹽，(U)碳(例如炭黑、石墨等)，(12)玻璃(例如玻璃粉、玻璃珠等)，(13)Ca和Mg的碳酸鹽，(14)螢石，(15)尖晶石型氧化物等。從得到良好21的光滑性和耐削性方面考慮，優選為無機微粒，其中優選為碳酸釣粒子、二氧化硅粒子，特別優選為二氧化硅粒子。惰性微粒B2,其形狀優選實質上為球狀或為圓球狀。具體地說，表示粒子的球狀程度的粒徑比優選為1.0-1.3,更優選為1.0~1.2,進一步優選為1.0~1.1。通過使形狀更接近球狀，可以進一步提高絕緣擊穿電壓。因此，與上述惰性微粒B2的特別優選的種類相配合，作為惰性微粒B2,特別優選球狀二氧化硅粒子。而且，球狀二氧化珪粒子例如可以通過上述制備方法來得到。本發明中，除了在達成本發明的目的上不可欠缺的二氧化硅粒子A2和惰性微粒B2之外，只要不阻礙達成本發明的目的則還可以含有其它種類或其它粒徑的微粒、或無機填充劑等惰性粒子。含有其它的惰性粒子時，其含量優選為4.0質量％以下，更優選為2.5質量％以下，進一步優選為1.0質量％以下，特別優選小于0.5質量°/。。若其它的惰性粒子的含量增多，則由于膜表面的耐磨損性變差，因此不優選，而且絕緣擊穿電壓有可能降低。上述的本發明中使用的各種粒子若含有在最終的膜中，則對含有的方法不加以限定。可以舉出例如，在苯乙烯類單體的聚合中的任意過程中添加或析出的方法，在熔融擠出的任意過程中添加的方法。此外，為了有效地分散這些粒子，可以使用分散劑、表面活性劑等。在膜(2)中，作為二氧化硅粒子A2和惰性微粒B2的特別優選的方式，可以分別舉出使用球狀二氧化硅粒子的方式。即使在使用2種球狀二氧化硅粒子的情況下，由于各粒子的平均粒徑分別處于不重合的特定的范圍，且各粒子的粒徑的相對標準偏差分別處于特定的范圍，在粒徑分布曲線中，2種粒子表現出可以明顯地區別的2個粒徑峰。即，可以明顯地區別二氧化硅粒子A2和惰性微粒B2。而且，2個粒徑峰在各自峰底的部分重疊，形成谷部分時，以在谷部分中表現出極小值的點作為邊界，分解為2個粒徑峰。(其它的添加劑)可以添加在膜(2)中的其它的添加劑如共通事項所述。(厚度方向的折射率)本發明的膜(2)的厚度方向的折射率為1.6050-1.,優選為1.6100-1.6450,更優選為1.6150-1.6350，進一步優選為1.6200-1.6250。若厚度方向的折射率小于1.6050,則絕緣擊穿電壓降低。此外，在電容器的制造步驟中膜易斷裂，操作性差。此外，膜的厚度不均惡化，不能得到品質穩定的電容器，所以不優選。另一方面，制造厚度方向的折射率超過1.6550的膜時，在膜的制造步驟中膜斷裂多發，得到膜非常困難。為了使厚度方向的折射率在上述范圍，必需后述的特別的條件。即，本發明中的厚度方向的折射率可以如下達成，在一個軸方向的拉伸后實施的與該一個軸方向垂直的方向的拉伸中，將拉伸的溫度分為多個階段，使該第一階段的溫度和最終階段的溫度具有后述的溫度差。(膜厚)膜(2)的厚度優選為0.4|um以上且小于6.5|um,更優選為0.5jam以上且小于5.5|um,進一步優選為0.6|um以上且小于4.5|am,特別優選為l.Oum以上且小于3.5pm。若膜厚小于0.4|iim，則易產生膜斷裂，存在操作性差的趨勢。另一方面，若為6.5nm以上，則形成電容器時電極間距離延長，由此存在靜電容量降低的趨勢。作為電容器的絕緣體使用的膜的情況下，通常膜厚薄的電容器的靜電容量增高而優選。但是，實際上若膜厚繼續變薄，則膜易產生皺褶、或膜易斷裂而操作性降低。此外，添加的粒子易脫落，結果絕緣擊穿電壓降低。此外，由于膜厚變薄，產生絕緣擊穿電壓的絕對值降低等問題。因此，必須使它們平tf。本發明中，為了達成即使膜厚變薄也不會產生上述問題的目的，通過后述的特別的制造方法，得到具有特定的粒子和取向結構的新型結構的高絕緣性膜。(中心線平均表面粗糙度Ra)膜(2)，其中心線平均表面粗4造度(Ra)優選為11nm89nm。若中心線平均表面粗糙度(Ra)為llnm以上，則光滑性變得良好，操作性提高。進一步地，巻取成巻狀時粘連得到抑制，易得到巻繞形狀良好的巻。此外，若中心線平均表面粗糙度(Ra)為89nm以下，則不易產生巻繞偏移、端面偏移。從這種觀點考慮，中心線平均表面粗糙度(Ra)的下限優選為21nm,進一步優選為31nm。此外，中心線平均表面粗糙度(Ra)的上限優選為79nm,進一步優選為69nm,特別優選為59nm。(IO點平均粗糙度Rz)膜(2)優選其10點平均粗糙度(Rz)為900nm~3000nm。若10點平均，膜的橫滑得到抑制，巻取性良好。此外，通過使10點平均粗糙度(Rz)為3000nm以下，可以進一步提高絕緣擊穿電壓。從這種觀點考慮，lO點平均粗糙度(Rz)的下限優選為950nm、更優選為1050nm、進一步優選為1250nm。此外，10點平均粗糙度(Rz)的上限優選為2600nm、更優選為2250nm、進一步優選為1950nm。特別是膜厚薄的情況下，與厚的情況相比膜沒有粘度，存在巻取性更差的趨勢。因此，使lO點平均粗糙度(Rz)為上述范圍是特別有效的。(膜(2)的制造方法)本發明的膜(2)除了一部分特別的制造條件之夕卜，基本上可以通過迄今已知的或本領域積累的方法來得到。以下，對膜(2)的制造方法進行具體的說明。首先，將主要含有間規結構的苯乙烯系聚合物的樹脂組合物加熱熔融，制造未拉伸片。具體地說，在熔點(Tm、單位。C)(Tm+0。C)的溫度下加熱熔融，擠出成片狀，并進行冷卻固化，得到未拉伸片。得到的未^i伸片的特性粘度優選為0.35~0.9dl/g。然后，將該未拉伸片在雙軸方向上拉伸。拉伸可以在縱向0幾械軸方向)、4黃向(與機械軸方向垂直的方向)同時拉伸，或以任意的順序依次拉伸。例如依次拉伸的情況下，首先，在一個軸方向上于(玻璃化轉變溫度(Tg、單位。C)-10。C)(Tg+70。C)的溫度下，以2.7倍4.9倍、優選2.8倍4.6倍、進一步優選2.9倍-4.1倍、特別優選3.3倍3.8倍的倍率進行拉伸。然后，在與該一個軸方向垂直的方向上，于Tg~(Tg+80°C)的溫度下，以2.7倍5.0倍、優選2.9倍-4.7倍、進一步優選3.0倍4.3倍、特別優選3.5倍~3.9倍的倍率進行拉伸。而且，在進行與上述一個軸方向垂直的方向的拉伸時，可能是由于在前階段的拉伸中結晶而難以進行拉伸，在制膜中易產生斷裂。特別是在制造膜厚薄的膜時，此外特別是在拉伸倍率超過3.2倍的區域易產生斷裂。對其對策進行研究的結果可知，使拉伸的溫度不恒定，而分為多個階段，使該第一階段的溫度和最終階段的溫度具有溫度差是有效的。溫度差優選最終階段的溫度比第一階段的溫度高4。C以上，更優選高7。c以上，進一步優選高irc以上，特別優選高2rc以上。此外，溫度差過大則拉伸性降低、拉伸后的膜的厚度不均惡化等，因此不優選，溫度差的上限優選為49。C以下、進一步優選為39。C以下、特別優選為29。C以下。通過使第一階段與最終階段的溫度差在上述范圍，可以達成膜厚薄的膜的制膜中迄今困難的高的拉伸倍率。由此，可以得到厚度不均良好的膜，且可以達成本發明中的厚,度方向的折射率。進一步地，由于即使膜厚變薄也不易產生斷裂，可以達成本發明中的優選的膜厚。在實施與一個軸方向垂直的方向的拉伸的步驟中，要使第一階段與最終階段具有溫度差，可以使在一個拉伸區域中區域的入口(第一階段)與出口(最終階段)具有溫度差，或設置溫度不同的2個以上的連續的拉伸區域、使最初的拉伸區域(第一階段)與最后的拉伸區域(最終階段)具有溫度差。其中，區域指的是拉幅機等中用擋板(shutter)等分開的1個區域。在任意一種情況下優選將第一階段與最終階段之間進一步分割，使溫度從第一階段向著最終階段傾斜地升高，特別是可以直線升高。例如，溫度不同的2個以上的連續的拉伸區域的情況下，優選在最初的拉伸區域與最后的拉伸區域之間，進一步設置1個以上的拉伸區域，進一步優選設置1~10個拉伸區域。拉伸區域總計為13個以上從設備成本方面考慮不利。拉伸例如在寬度方向上拉伸膜時，使剛從最終階段出來的膜寬度除以要進入第一階段之前的膜寬度得到的值為目標拉伸倍率即可，優選傾斜地增加膜寬度，特別是可以直線性地增加。在同時拉伸縱向和橫向的情況下，同樣地將拉伸的溫度分為多個階段，使該第一階段的溫度與最終階段的溫度具有溫度差。接著，將膜(2)在(Tg+70。C)Tm的溫度下進行熱固定。熱固定的溫度優選為20(TC26(TC，更優選為22(TC-25(TC，進一步優選為230。C24(TC。若熱固定溫度過高，則特別是制造膜厚薄的膜時，易產生斷裂，此外厚度不均惡化。在熱固定之后根據需要在比熱固定溫度低20°C-90。C的溫度下進行松弛處理由于尺寸穩定性變得良好而優選。[方式3]本發明的方式3的膜(3),含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii)O.Ol質量％~5.0質量％的平均粒徑為0.01|um~3.0|Lim的樣t粒，(iii)3質量％~48質量％的與苯乙烯系聚合物的介電常數差異為0.2以上的樹脂X,厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。樹脂X的熔點相對于苯乙烯系聚合物的熔點(Tms、單位。C)，優選在(Tms-30)°C~(Tms+3(TC)的范圍。樹脂X優選為選自聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂和聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂中的至少一種。微粒為(ii-l)O.Ol質量％1.5質量％的平均粒徑為0.6fxm~3.0|um、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒A3，進而含有(ii-2)0.05質量%~2.0質量％的平均粒徑為0.01ium0.5iim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒B3,優選惰性微粒A3的平均粒徑比惰性微粒B3的平均粒徑大0.3jum以上。惰性;徵粒A3優選為粒徑比為1.0-1.3的J求狀粒子。惰性微粒A3優選為球狀高分子粒子。惰性微粒A3優選為球狀二氧化石圭粒子。惰性纟效粒B3優選粒徑比為1.0-1.3的球狀二氧化硅粒子。方式3包含使用膜(3)的電容器。(苯乙烯系聚合物)膜(3)中的苯乙烯系聚合物如共通事項所述。(微粒)本發明的膜(3)含有平均粒徑為0.01|um~3.(Vm的微粒。若含有的微粒的平均粒徑在上述范圍，則可以維持良好的電特性的同時，使巻取性和加工性等操作性良好。若微粒的平均粒徑過小，則存在操作性差的趨勢。另一方面，若微粒的平均粒徑過大，則由于膜中的空隙的尺寸增大，存在電特性差的趨勢。從這種觀點考慮，微粒的平均粒徑優選為0.05|um~2.0nm，進一步優選為0.1|am~1.6|um,特別優選為0.2jiim~1.3,。月莫(3)在膜(3)100質量％中，含有0.01質量％~5.0質量％的微粒。通過使微粒的含量在上述范圍，可以良好地保持膜(3)的絕緣擊穿電壓的同時，使巻取性和加工性良好。從這種觀點考慮，微粒的含量優選為0.1質量％~3.5質量％，更優選為0.2質量％~2.0質量％,進一步優選為0.3質量％~0.7質量％。上述孩i粒可以為有才幾系樣i粒或無才幾系樣i粒。作為有機系微粒，優選為高分子樹脂粒子，可以舉出例如，交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯硅氧烷樹脂粒子、交聯丙烯酸類樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸類樹脂粒子、交聯二乙烯基苯-丙烯酸類樹脂粒子、交聯聚酯樹脂粒子、聚酰亞胺樹脂粒子、三聚氰胺樹脂粒子等。其中，從光滑性和耐削性優異方面考慮，特別優選為硅氧烷樹脂粒子、交聯聚苯乙烯樹脂粒子。此外，作為無機系微粒，可以舉出(l)二氧化硅(包括水合物、硅砂、石英等)，('2)各種結晶形態的氧化鋁，('3)含有Si02成分30質量％以上的硅酸鹽(例如非晶質或晶質的粘土礦物，硅鋁酸鹽(包括燒成物或水合物)、溫石棉、鋯石、飛灰等)，(4)Mg、Zn、Zr和Ti的氧化物，(5)Ca和Ba的硫酸鹽，(6)Li、Ba和Ca的磷酸鹽(包括一氫鹽、二氳鹽)，(7)Li、Na和K的苯甲酸鹽，(8)Ca、Ba、Zn和Mn的對苯二甲酸鹽，(9)Mg、Ca、Ba、Zn、Cd、Pb、Sr、Mn、Fe、Co和Ni的鈥酸鹽，(10)Ba和Pb的鉻酸鹽，(ll)碳(例如炭黑、石墨等)，(12)玻璃(例如玻璃粉、玻璃珠等)，(13)Ca和Mg的碳酸鹽，(14)螢石，(15)尖晶石型氧化物等。其中，從光滑性和耐削性優異方面考慮，優選為碳酸釣粒子、二氧化硅粒子，特別優選為二氧化硅粒子。本發明中，可以為含有1種微粒的方式，但是從可以提高操作性的提高效果而不會降低絕緣擊穿電壓方面考慮，優選為含有2種以上微粒的方式。這種情況下，可以為含有組成不同的2種以上微粒的方式，含有平均粒徑不同的2種以上微粒的方式，含有形狀不同的2種以上微粒的方式或將它們組合而成的方式，但是特別優選為含有至少平均粒徑不同的2種以上微粒的方式。含有2種以上微粒的方式中，作為特別優選的方式，可以舉出含有(ii-l)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.6|am~3.0|Lim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒A3,和(ii-2)0.05質量％~2.0質量％的平均粒徑為0.01^im~0.5|um、粒徑的標準偏差為0.5以下的惰性微粒B3的兩種惰性微粒作為構成成分，惰性微粒A3的平均粒徑比惰性微粒B3的平均粒徑大0.3^m以上的方式。通過為這種方式，可以將因微粒的添加所導致的電特性的降低抑制在最小限度，且可以進一步提高巻取性和加工性等操作性的提高效果。(惰性微粒A3)惰性樣i粒A3的平均粒徑優選為0.6|dm~3.0^mi,更優選為0.7|dm~2.0|um,進一步優選為0.8pm~1.6|um，特別優選為0.9jam~1.3nm。若的脫氣性的趨勢，即巻取性的提高效果降低。另一方面若過大，則膜中的空隙的尺寸存在增大的趨勢，即電特性的提高效果降低。此外，惰性微粒A3的粒徑的相對標準偏差優選為0.5以下，更優選為0.4以下，進一步優選為0.3以下，特別優選為0.2以下。若粒徑的相對標準偏差在上述范圍，則意味著惰性微粒A3的粒徑分布窄，膜表面的突起的高度均一，由此可以提高巻取性的提高效果。此外，粗大粒子、粗大突起減少，由此可以減少缺陷，提高絕緣擊穿電壓的提高效果。惰性微粒A3的含量在膜(3)100質量％中，優選為0.01質量°/。~1.5質量％，更優選為0.05質量％~1.0質量％,進一步優選為0.1質量％~0.5質量％,特別優選為0.2質量％~0.4質量％。通過含有上述范圍量的惰性微粒A3,可以良好地保持膜(3)的絕緣擊穿電壓的同時，提高操作性的提高效果。若惰性微粒A3的含量過少，則存在脫氣性差的趨勢，巻取性的提高效果降低。另一方面若過多，則存在膜表面變得過于粗糙的趨勢，由此存在膜表面的耐削性變差的趨勢，絕緣擊穿電壓的提高效果降低。此外，特別是在電容器用途中，存在空間系數增大的趨勢。惰性微粒A3優選為粒徑比為1.0~1.3的球狀粒子。粒徑比進一步優選為1.0-1.2,特別優選為1.0-1.1。若粒徑比在上述范圍，則可以進一步提高巻取性的提高效果和絕緣擊穿電壓的提高效果。惰性微粒A3可以使用與上述微粒同樣的有機系微粒和無機系微粒o作為有機系微粒，優選為高分子樹脂粒子，從光滑性和耐削性優異方面考慮，特別優選為硅氧烷樹脂粒子、交聯聚苯乙烯樹脂粒子。這種高分子樹脂粒子如上所述優選為球狀，即優選為球狀高分子樹脂粒子。其中，從光滑性和耐削性更優異方面考慮，特別優選為球狀硅氧烷樹脂粒子、球狀交聯聚苯乙烯樹脂粒子。此外，作為無機系粒子，從光滑性和耐削性優異方面考慮，優選為碳酸4丐粒子、二氧化硅粒子，特別優選為二氧化硅粒子。這種無機系微粒如上所述優選為球狀，從光滑性和耐削性更優異方面考慮，特別優選為球狀二氧化硅粒子。(惰性微粒B3)惰性樣i粒B3的平均粒徑為0.01|um~0.5jLim,更優選為0.05(am0.5pm,進一步優選為0.1|um~0.5^im,特別優選為0.2|um~0.4|um。若惰性微粒B3的平均粒徑在上述范圍，則可以得到適度的光滑性，可以提高巻取性的提高效果。若惰性微粒B3的平均粒徑過小，則存在得不到充分的光滑性的趨勢，即巻取性的提高效果降低。另一方面若過大，則膜表面的低突起的高度過高，由此存在光滑性變得過高的趨勢，巻取時易產生端面偏移等巻取性的提高效果降低。進一步地，存在耐削性變差的趨勢，絕緣擊穿電壓的提高效果降低。此外，惰性微粒B3從與上述惰性微粒A3同樣的觀點考慮，優選粒徑分布窄，惰性微粒B3的粒徑的相對標準偏差優選為0.5以下，更優選為0,4以下，進一步優選為0.3以下，特別優選為0.2以下。惰性微粒B3的含量在膜(3)100質量％中，優選為0.05質量％~2.0質量％,更優選為0.1質量％~1.0質量％,進一步優選為0.1質量％~0.6質量°/。，特別優選為0.1質量％~0.3質量％。通過含有上述范圍量的惰性微粒B3，可以良好地保持膜(3)的絕緣擊穿電壓的同時，提高操作性的提高效果。若惰性微粒B3的含量過少，則存在光滑性差的趨勢，巻取性的提高效果降低。另一方面若過多，則存在空隙的頻率增加的趨勢，絕緣擊穿電壓的提高效果降低。此外，存在光滑性變得過高的趨勢，巻取時易產生端面偏移等巻取性的提高效果降低。惰性微粒B3從與上述惰性微粒A3同樣的觀點考慮，優選為粒徑比為1.0~1.3的球狀粒子，進一步優選為1.0~1.2,特別優選為1.0~1.1。上述惰性微粒B3可以使用與上述微粒同樣的有機系微粒和無機系微粒。其中，優選為無機系微粒，從光滑性和耐削性優異方面考慮，優選為碳酸釣粒子、二氧化硅粒子，特別優選為二氧化硅粒子。這種無機系微粒如上所述優選為球狀，從光滑性和耐削性更優異方面考慮，特別優選為球狀二氧化硅粒子。惰性微粒A3與惰性微粒B3,優選惰性微粒A3的平均粒徑比惰性微粒B3的平均粒徑大0.3pm以上。該差進一步優選為0.5pm以上，特別優選為0.7pm以上。通過增大惰性微粒A3的平均粒徑與惰性微粒B3的平均粒徑的差，形成在膜表面分散存在由惰性微粒A3形成的高突起的方式，由此膜間的脫氣性變得良好。同時形成存在由惰性微粒B3形成的低突起的方式，膜之間的光滑性良好。由此，將膜巻取成巻狀時，脫氣性與光滑性的平衡良好，即使高速巻繞也可以得到巻繞形態良好的膜巻等，巻取性的提高效果升高。本發明中使用的微粒若含有在最終的膜中，則對含有的方法不加以限定。可以舉出例如，在苯乙烯類單體的聚合中的任意過程中添加或析出的方法，在熔融擠出的任意過程中添加的方法。此外，為了有效地分散這些微粒，可以使用分散劑、表面活性劑等。(樹脂X)膜(3)含有樹脂X。樹脂X為具有與上述苯乙烯系聚合物的介電常數差異為0.2以上的介電常數的樹脂。若在苯乙烯系聚合物中配合這種樹脂X,則可能是由于苯乙烯系聚合物和樹脂X的各自區域分擔施加電壓，絕緣擊穿電壓升高。苯乙烯系聚合物的介電常數與樹脂X的介電常數的差優選為0.4以上，進一步優選為0.5以上。通過形成這種方式，可以進一步提高絕緣擊穿電壓。此外，本發明中的樹脂X，相對于苯乙烯系聚合物的熔點(Tms、單位。C),優選在(Tms-30)°C(Tms+3(TC)的范圍具有熔點。若樹脂X的熔點在上述范圍，則將苯乙烯系聚合物與樹脂X混合時，其混合狀態良好，即樹脂X的分散狀態良好，絕緣擊穿電壓的提高效果升高。從這種觀點考慮，樹脂X的熔點優選在(Tms-20)°C~(Tms+20。C)的范圍，進一步優選在(Tms-15)°C(Tms+15。C)的范圍，特別優選在(Tms-5)°C(Tms+5。C)的范圍。進一步地，若樹脂x的熔點與苯乙烯系聚合物的熔點的差為rc以上，則可能是由于樹脂X的分散狀態更良好，可以進一步提高絕緣擊穿電壓的提高效果，因此優選。從這種觀點考慮，樹脂X的熔點與苯乙烯系聚合物的熔點的差進一步優選為2。C以上，特別優選為3。C以上。作為上述樹脂X,優選為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)樹脂、聚對苯二曱酸丁二醇酯(PBT)樹脂等聚酯，聚丙烯等聚烯烴，尼龍6或尼龍6,6等聚酰胺，聚苯硫醚等聚硫醚，聚碳酸酯，聚丙烯酸酯，聚砜，聚醚醚酮，聚醚砜，聚酰亞胺，卣代乙烯基類聚合物，聚曱基丙烯酸甲酯等丙烯酸類聚合物，聚乙烯醇。其中，從可以進一步提高絕緣擊穿電壓方面考慮，優選為聚酯，進一步優選為聚對苯二曱酸乙二醇酯(PET)樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂。其中，特別優選為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂。本發明的膜(3)為包含配合有3質量％~48質量％的樹脂X的樹脂組合物的雙軸拉伸膜。通過配合上述范圍量的樹脂X,可以使得到的膜的電特性良好。具體地說，可以提高絕緣擊穿電壓。從這種觀點考慮，樹脂X的配合量在樹脂組合物100質量％中，優選為4質量％~40質量％,進一步優選為6質量％~35質量％,特別優選為9質量％~24質量％。(其它的添加劑)可以添加在膜(3)中的其它的添加劑如共通事項所述。(厚度方向的折射率)本發明的膜(3)的厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。厚度方向的折射率優選為1.6100~1.6400,進一步優選為1.6130-1.6380，特別優選為1.6150~1.6360。通過使厚度方向的折射率在上述范圍，可以使絕緣擊穿電壓良好。此外，膜制造步驟中的膜斷裂的頻率降低，可以使生產性良好。若厚度方向的折射率過高，則膜制造步驟中的膜斷裂的頻率存在增加的趨勢，膜的生產性降低。另一方面若過低，則絕緣擊穿電壓存在降低的趨勢，電特性差。此外，電容器的制造步驟中的膜斷裂的頻率增加。進一步地，存在膜的厚度不均惡化的趨勢，不能得到品質穩定的電容器。為了使厚度方向的折射率在上述范圍，例如采用后述的制造方法。即，本發明中的厚度方向的折射率可以如下達成，在一個軸方向的拉伸后或與一個軸方向的4M申同時實施的與該一個軸方向垂直的方向的4立伸中，將拉伸的溫度分為多個階段，使該第一階段的溫度和最終階段的溫度具有特定的溫度差。(膜厚)本發明的膜(3)的厚度優選為0.3|um以上且小于12pm,更優選為0.4|um以上且小于6.0|um，進一步優選為0.5)um以上且小于3.5|um。通過使膜厚在上述范圍，可以制造靜電容量高的電容器。作為電容器的絕緣體使用的膜，通常膜厚薄的電容器的靜電容量增高而優選。但是，實際上若膜厚繼續變薄，則膜易產生皺褶，膜易斷裂。此外，添加的粒子易脫落，結果絕緣擊穿電壓降低。此外，由于膜厚變薄，產生絕緣擊穿電壓的絕對值降低等問題。因此，必須使它們平衡。本發明中，為了達成即使膜厚變薄也不會產生上述問題的目的，通過采用后述的制造方法，得到具有特定的微粒和取向結構的新型結構的膜(3)。(中心線平均表面粗糙度Ra)31本發明的膜(3),其至少一面的中心線平均表面粗糙度(Ra)優選為llnm~89nm。通過使表面粗4造度(Ra)在上述范圍，可以提高巻取性的提高效果。此外，耐粘連性提高，可以使巻的外觀良好。若表面粗糙度(Ra)過低，則存在光滑性過低的趨勢，巻取性的提高效果降低。另一方面若過高則存在光滑性過高的趨勢，巻取時易產生端面偏移等巻取性的提高效果降低。從這種觀點考慮，表面粗糙度(Ra)的下限優選為21nm，進一步優選為31nm。此外，表面粗糙度(Ra)的上限優選為79nm,進一步優選為69nm，特別優選為59nm。(IO點平均粗糙度Rz)本發明的膜(3)優選其至少一面的10點平均粗糙度(Rz)為900nm~3000nm。通過使10點平均粗糙度(Rz)在上述范圍，可以提高巻取性的提高效果。若10點平均粗糙度(Rz)過低，則巻繞成巻時存在脫氣性降低的趨勢，膜易橫滑等巻取性的提高效果降低。膜厚薄時，由于膜無粘度，存在脫氣性進一步降低的趨勢，巻取性的提高效果進一步降低。另一方面，若10點平均粗糙度(Rz)過高則存在粗大突起增多的趨勢，絕緣擊穿電壓的提高效果降低。從這種觀點考慮，10點平均粗糙度(Rz)的下限更優選為950nm、進一步優選為1050nm、特別優選為1250nm。此外，10點平均粗糙度(Rz)的上限更優選為2600nm、進一步優選為2250nm、特別優選為1950nm。(膜(3)的制造方法)本發明的膜(3)除了一部分特別的制造條件之外，基本上可以通過迄今已知的或本領域積累的方法來得到。以下，對膜(3)的制造方法進行具體的說明。首先，將在主要為間規結構的苯乙烯系聚合物中配合規定量的樹脂X而成的樹脂組合物加熱熔融，制造未拉伸片。具體地說，在樹脂組合物熔點(Tm、單位t:)(Tm+(TC)的溫度下加熱熔融，擠出成片狀，并進行冷卻固化，得到未拉伸片。然后，將該未4i伸片在雙軸方向上4立伸。4立伸可以在縱向(才幾才成軸方向)、橫向(與機械軸方向垂直的方向)同時拉伸，或以任意的順序依次拉伸。例如依次拉伸的情況下，首先，在一個軸方向上于(樹脂組合物的玻璃化轉變溫度(Tg、單位。C)-10。C)(Tg+70。C)的溫度下，以2.7倍~4.8倍、優選2.9倍~4.4倍、進一步優選3.1倍~4.0倍的倍率進行拉伸。然后，在與該一個軸方向垂直的方向上，于Tg(Tg+8(TC)的溫度下，以2.8倍-4.9倍、優選3.0倍~4.5倍、進一步優選3.2倍~4.1倍的倍率進行拉伸。在進行與上述一個軸方向垂直的方向的拉伸時，可能是由于在前階段的拉伸中結晶而難以進行拉伸，在制膜中易產生斷裂。特別是在制造膜厚薄的膜時，此外特別是在拉伸倍率超過3.2倍的區域易產生斷裂。對其對策進行研究后可知，在與上述一個軸方向垂直的方向的拉伸中，使該拉伸速度在特定的范圍是有效的。即，若拉伸速度過快，則因拉伸產生的分子的高級結構變化不能追隨因拉伸產生的膜的形狀變化的速度，該高級結構易產生變形，易產生膜斷裂。另一方面若過慢，則在拉伸中途先進行膜的結晶，可能是由于拉伸應力產生不均，易產生拉伸不均或厚度不均，由此易產生斷裂。從這種觀點考慮，拉伸速度優選為500%/分鐘以上，更優選為1000%/分鐘以上，進一步優選為2000%/分鐘以上，特別優選為4000%/分鐘以上。此外，拉伸速度優選為30000%/分鐘以下，更優選為15000%/分鐘以下，進一步優選為9000%/分鐘以下，特別優選為6000%/分鐘以下。進一步地，在與上述一個軸方向垂直的方向的拉伸中，使拉伸的溫度不恒定，而分為多個階段，使該第一階段的溫度和最終階段的溫度具有溫度差是有效的。溫度差優選最終階段的溫度比第一階段的溫度高4。C以上，更優選高7。C以上，進一步優選高irC以上，特別優選高15。C以上。此外，溫度差優選為49。C以下，更優選為39。C以下，進一步優選為29。C以下，特別優選為2CTC以下。若溫度差過大，則存在易產生膜斷裂，或拉伸后的膜的厚度不均惡化的趨勢。如此，通過使第一階段與最終階段的溫度差在上述范圍，可以達成膜厚薄的膜的制膜中迄今困難的高的拉伸倍率，由此，可以得到厚度不均良好的膜，且可以達成本發明中的厚度方向的折射率。進一步地，由于即使膜厚變薄也不易產生斷裂，可以達成本發明中的優選的膜厚。在實施與一個軸方向垂直的方向的拉伸的步驟中，要使第一階段與最終階段具有溫度差，可以使在一個拉伸區域中區域的入口(第一階段)與出口(最終階段)具有溫度差，或設置溫度不同的2個以上的連續的拉伸區域、并使最初的拉伸區域(第一階段)與最后的拉伸區域(最終階段)具有溫度差。其中，區域指的是拉幅機等中用擋板(shutter)等分開的1個區域。在任意一種情況下優選將第一階段與最終階段之間進一步分割，使溫度從第一階段向著最終階段傾斜地升高，特別優選直線升高。例如，溫度不同的2個以上的連續的拉伸區域的情況下，優選在最初的拉伸區域與最后的拉伸區域之間，進一步設置1個以上的拉伸區域，進一步優選設置1~10個拉伸區域。拉伸區域總計為13個以上從設備成本方面考慮不利。拉伸例如在寬度方向上拉伸膜時，使剛從最終階段出來的膜寬度除以要進入第一階段之前的膜寬度得到的值為目標的拉伸倍率即可，優選傾斜地增加膜寬度，特別優選直線性地增加。在同時拉伸縱向和橫向的情況下，同樣地將拉伸的溫度分為多個階段，使該第一階段的溫度與最終階段的溫度具有溫度差。本發明中，采用上述拉伸速度的方式和拉伸溫度的方式中至少任意一種方式，但是更優選采用兩種方式，使拉伸步驟穩定化，易達成本發明中的折射率和優選的膜厚。接著，在(Tg+70。C)-Tm的溫度下進行熱固定。熱固定的溫度優選為200°C~26CTC,優選為220°C~250°C,進一步優選為230°C~240°C。若熱固定溫度過高，則特別是制造膜厚薄的膜時，易產生膜斷裂，此外厚度不均惡化。若在熱固定之后根據需要在比熱固定溫度低20°C~90°C的溫度下進行松弛處理則尺寸穩定性良好。本發明的方式4的膜(4)，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.2|iim~3.0|Lim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒A4,和(iii)O.l質量％~8質量％的抗氧化劑，厚度方向的折射率為1.6050~1.6550。膜(4)優選含有0.05質量％~2.0質量％的平均粒徑為0.01|Lim~0.5pm、平均粒徑比惰性微粒A4的平均粒徑小0.2pm以上、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒B4。惰性微粒A4優選為粒徑比為1.0~1.3的球狀粒子。惰性微粒A4優選為球狀高分子粒子。惰性微粒A4優選為球狀二氧化硅粒子。惰性樣支粒B4優選為粒徑比為1.0~1.3的球狀二氧化珪粒子。抗氧化劑的熱分解溫度優選為250。C以上。膜(4)的厚度優選為0.4pm以上且小于346.5jam。本發明包括使用膜(4)的電容器。(苯乙烯系聚合物)膜(4)中的苯乙烯系聚合物如共通事項所述。(抗氧化劑)本發明的膜(4)由于含有抗氧化劑，可以提高絕緣擊穿電壓。作為上述抗氧化劑，可以為捕獲生成的自由基防止氧化的一次抗氧化劑、或分解生成的過氧化物防止氧化的二次抗氧化劑中的任意一種。作為一次抗氧化劑，可以舉出酚類抗氧化劑、胺類抗氧化劑。作為二次抗氧化劑，可以舉出磷類抗氧化劑、硫類抗氧化劑。作為紛類抗氧化劑，可以舉出2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、2,6-二叔丁基-4-乙基苯盼、2-叔丁基-4-曱氧基苯酴、3-叔丁基-4-甲氧基苯酚、2,6-二叔丁基-4-[4,6-二(辛硫基)-l,3,5-三溱-2-基氨基]苯酚、正十八烷基-3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯等單酚類抗氧化劑。此外，可以舉出2,2，-亞甲基雙(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2，-亞甲基雙(4-乙基-6-叔丁基苯酚)、4,4，-硫代雙(3-曱基-6-叔丁基苯酚)、4,4，-亞丁基雙(3-曱基-6-叔丁基苯酚)、N，N，-雙[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰基]肼、N,N，-己烷-l，6-二基雙[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰胺]、3,9-雙[l,l-二甲基-2-[P-(3-叔丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酰氧基]乙基]2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]十一烷等雙酚類抗氧化劑。此外，可以舉出1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-叔丁基苯基)丁烷、1,3,5-三曱基-2,4，6-三(3,5-二叔丁基-4-羥基千基)苯、季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基_4-羥基苯基)丙酸酯]、雙[3,3-雙-(4-羥基-3-叔丁基苯基)丁酸]乙二醇酯、1,3,5-三(3，,5，-二叔丁基-4，-羥基千基)-sec-三嗪-2,4,6-(lH,3H,5H)三酮、d-a-生育酚等酚類抗氧化劑。作為胺類抗氧化劑，可以舉出烷基取代二苯胺等。作為磷類抗氧化劑，可以舉出三苯基亞磷酸酯、二苯基異癸基亞磷酸酯、苯基二異癸基亞磷酸酯、4,4，-亞丁基-雙(3-曱基-6-叔丁基苯基二(十三烷基))亞磷酸酯、十八烷基亞磷酸酯、三(壬基苯基)亞磷酸酯、二異癸基季戊四醇二亞磷酸酯、9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、10-(3,5-二叔丁基-4-羥基千基)-9,10-二氪-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、10-癸氧基-9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲、三(2,4-二叔丁基苯基)亞磷酸酯、環新戊烷四基雙(2,4-二叔丁基苯基)亞磷酸酯、環新戊烷四基雙(2,6-二叔35丁基_4-甲基苯基)亞磷酸酯、2,2，-亞曱基雙(4,6-二叔丁基苯基)辛基亞磷酸酯等。作為硫類抗氧化劑，可以舉出二月桂基-3,3，-硫代二丙酸酯、二肉豆蔻基-3，3，-硫代二丙酸酯、二硬脂基-3,3，-硫代丙酸酯、季戊四醇四(3-月桂基硫代丙酸酯)、2-巰基苯并咪唑等。抗氧化劑特別是從耐腐蝕性更優異、可以進一步提高絕緣擊穿電壓的提高效果方面考慮，優選為一次抗氧化劑，特別優選為盼類抗氧化劑。抗氧化劑優選其熱分解溫度為25(TC以上。熱分解溫度過低的情況下，熔融擠出時抗氧化劑本身熱分解，污染步驟，存在易產生聚合物著色為黃色等問題的趨勢，所以不優選。從這種觀點考慮，抗氧化劑的熱分解溫度更優選為28(TC以上，進一步優選為30(TC以上，特別優選為320。C以上。本發明中的抗氧化劑優選為不易熱分解的抗氧化劑，雖然優選熱分解溫度高的抗氧化劑，但是現實中其上限為50(TC以下左右。此外，抗氧化劑的熔點優選為90。C以上。熔點過低的情況下，在熔融擠出時抗氧化劑比聚合物早熔解，存在聚合物在擠出機的螺桿供給部分滑落的趨勢。由此，聚合物的供給變得不穩定，產生膜的厚度不均惡化等問題。從這種觀點考慮，抗氧化劑的熔點的下限更優選為120°C，進一步優選為150°C,特別優選為200°C。另一方面，抗氧化劑的熔點過高時，熔融擠出時抗氧化劑不易熔解，存在聚合物內的分散變差的趨勢。由此，產生僅局部表現出抗氧化劑的添加效果等問題。從這種觀點考慮，抗氧化劑的熔點的上限優選為300°C,更優選為250°C,進一步優選為220。C,特別優選為170°C。作為上述的抗氧化劑，還可以直接使用市售品。作為市售品，可以舉出例如季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](千W.只、少弋乂kr「少(力乂kX社制商品名IRGANOXIOIO)、N,N，-雙[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰基]肼(fA.久、〉\^亍4.少；力^乂社制商品名IRGANOX1024)、N，N，-己烷-l,6-二基雙[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰胺](fZ.7、、:>\Ar.少；、力乂L乂社制商品名IRGANOX1098)等。本發明的膜(4)以膜(4)的質量為基準，含有0.1質量％~8質量％的上述抗氧化劑。通過使抗氧化劑的含量在上述范圍，絕緣擊穿電壓優異。抗氧化劑的含量過少的情況下，抗氧化劑的添加效果不充分，存在絕緣擊穿電壓降低的趨勢，電特性差。從這種觀點考慮，抗氧化劑的含量的下限優選為0.2質量％,更優選為0.5質量％,進一步優選為1質量％。另一方面，含量過多的情況下，存在抗氧化劑在膜中易凝聚的趨勢，存在抗氧化劑引起的缺點增加的趨勢，絕緣擊穿電壓降低。從這種觀點考慮，抗氧化劑的含量的上限優選為7質量％,更優選為5質量％,進一步優選為3質量％。抗氧化劑可以單獨使用1種或并用2種以上。并用2種以上時，可以為4吏用2種以上一次抗氧^f匕劑的方式，也可以為〗吏用2種以上二次抗氧化劑的方式，不可以并用1種以上一次抗氧化劑和1種以上二次抗氧化劑。例如，通過并用一次抗氧化劑和二次抗氧化劑兩種抗氧化劑，可以期待防止一次氧化和二次氧化兩種氧化。本發明中，其中單獨使用一次抗氧化劑的方式或使用2種以上一次抗氧化劑的方式從可以進一步提高絕緣擊穿電壓的提高效果方面考慮優選，特別優選為單獨使用酚類抗氧化劑的方式或使用2種以上酚類抗氧化劑的方式。(惰性微粒A4)本發明的膜(4)含有惰性微粒A4。惰性微粒A4的平均粒徑為0.2^im~3.0|um。通過使惰性微粒A4的平均粒徑在上述范圍，可以保持高的絕緣擊穿電壓的同時，使膜的脫氣性良好，可以得到巻取性優異的膜(4)。惰性微粒A4的平均粒徑過小的情況下，存在得不到充分的脫氣性的趨勢，巻取性差。另一方面過大的情況下，存在膜中的空隙的尺寸增大的趨勢，絕緣擊穿電壓降低。從這種觀點考慮，惰性微粒A4的平均粒徑優選為0.25|um~2.0|Lim,進一步優選為0.4jum~1.6pm，特別優選為1.0拜~1.2,。此外，惰性微粒A4的粒徑的相對標準偏差為0.5以下。通過使粒徑的相對標準偏差在上述范圍，膜表面的突起的高度變得均一，可以得到巻取性優異的膜(4)。此外，粗大粒子或粗大突起減少，可以得到絕緣擊穿電壓優異的膜(4)。從這種觀點考慮，惰性微粒A4的粒徑的相對標準偏差優選為0.4以下，進一步優選為0.3以下，特別優選為0.2以下。進一步地，惰性微粒A4優選為粒徑比為1.0~1.3的球狀粒子。粒徑比進一步優選為1.0~1.2，特別優選為1.0-1.1。若粒徑比在上述范圍，則可以進一步提高巻取性的提高效果和絕緣擊穿電壓的提高效果。惰性微粒A4的含量相對于膜(4)100質量％,為0.01質量％~1.5質量％。通過使惰性微粒A4的含量在上述范圍，可以保持高的絕緣擊穿電壓的同時，使膜的操作性良好。惰性微粒A4的含量過少時，存在脫氣性差的趨勢，巻取性差。另一方面過多時，存在膜表面變得過于粗糙的趨勢，由此存在膜表面的耐削性變差的趨勢，絕緣擊穿電壓差。此外，特別是在電容器用途中，存在空間系數增大的趨勢。從這種觀點考慮，惰性微粒A4的含量優選為0.05質量％~1.0質量°/。，進一步優選為0.1質量％~0.5質量％，特別優選為0.2質量％~0.4質量％。上述惰性微粒A4可以為有機系微粒或無機系微粒。作為有機系微粒，可以舉出例如，聚苯乙烯樹脂粒子、硅氧烷樹脂粒子、丙烯酸類樹脂粒子、苯乙烯-丙烯酸類樹脂粒子、二乙烯基苯-丙烯酸類樹脂粒子、聚酯樹脂粒子、聚酰亞胺樹脂粒子、三聚氰胺樹脂粒子等高分子樹脂粒子。其中，從光滑性和耐削性優異方面考慮，特別優選為硅氧烷樹脂粒子、聚苯乙烯樹脂粒子。這種高分子樹脂粒子，如上所述優選為球狀，即優選為球狀高分子樹脂粒子。其中，從光滑性和耐削性更優異方面考慮，特別優選為球狀硅氧烷樹脂粒子、球狀聚苯乙烯樹脂粒子。此外，作為無機系微粒，可以舉出(l)二氧化硅(包括水合物、硅砂、石英等)，(2)各種結晶形態的氧化鋁，(3)含有Si02成分30質量。/o以上的硅酸鹽(例如非晶質或晶質的粘土礦物，硅鋁酸鹽(包括燒成物、水合物)、溫石棉、鋯石、飛灰等)，(4)Mg、Zn、Zr和Ti的氧化物，(5)Ca和Ba的石克酸鹽，(6)Li、Ba和Ca的磷酸鹽(包括一氬鹽、二氫鹽)，(7)Li、Na和K的苯曱酸鹽，(8)Ca、Ba、Zn和Mn的對苯二甲酸鹽，(9)Mg、Ca、Ba、Zn、Cd、Pb、Sr、Mn、Fe、Co和Ni的鈥酸鹽，(10)Ba和Pb的鉻酸鹽，(ll)碳(例如炭黑、石墨等)，(12)玻璃(例如玻璃粉、玻璃珠等)，(13)Ca和Mg的碳酸鹽，(14)營石，(15)尖晶石型氧化物等。其中，從光滑性和耐削性優異方面考慮，優選為碳酸釣粒子、二氧化硅粒子，特別優選為二氧化硅粒子。這種無機系微粒，如上所述優選為球狀，從光滑性和耐削性更優異方面考慮，特別優選為球狀二氧化硅粒子。(惰性微粒B4)膜(4)除了惰性微粒A4之外，優選含有平均粒徑和粒徑的相對標準偏差處于特定的范圍的惰性微粒B4。惰性微粒B4的平均粒徑為0.01|Lim~0.5|dm。通過使惰性微粒B4的38平均粒徑在上述范圍，可以得到適度的光滑性，可以提高巻取性的提高效果。惰性微粒B4的平均粒徑過小的情況下，存在光滑性降低的趨勢，巻取性的提高效果降低。另一方面過大的情況下，存在膜表面的低突起的高度變得過高的趨勢，由此光滑性變得過高，巻取時易產生端面偏移等巻取性的提高效果降低。進一步地，存在耐削性變差的趨勢，絕緣擊穿電壓的提高效果降低。從這種觀點考慮，惰性微粒B4的平均粒徑優選為0.05|um~0.5|Lim,更優選為0.08|um~0.4|um,進一步優選為0.1|um~0.3jum。優選惰性微粒B4的平均粒徑比惰性微粒A4的平均粒徑小0.2jum以上。通過使惰性微粒A4的平均粒徑與惰性微粒B4的平均粒徑的差在這種范圍，形成在膜表面分散存在由惰性微粒A4形成的高突起的方式，由此膜間的脫氣性變得良好。同時，形成存在由惰性微粒B4形成的低突起的方式，膜之間的光滑性良好。由此，將膜巻取成巻狀時，脫氣性與光滑性的平衡良好，即使高速巻繞也可以得到巻繞形態良好的膜巻等可以提高巻取性的提高效果。從這種觀點考慮，惰性微粒B4的平均粒徑更優選為比惰性微粒A4的平均粒徑小0.4pm以上的方式，進一步優選為小0.6|um以上的方式，特別優選為小0.8|um以上的方式。此外，惰性微粒B4從與上述惰性微粒A4同樣的觀點考慮，該粒徑的相對標準偏差為0.5以下。惰性微粒B4的粒徑的相對標準偏差優選為0.4以下，進一步優選為0.3以下，特別優選為0.2以下。點考慮，優選為粒徑比為1.0~1.3的球狀粒子，進一步優選為1.0~1.2,特別優選為1.0~1.1。本發明的膜(4)優選在膜(4)100質量％中，含有0.05質量％~2.0質量。/。的惰性微粒B4。通過使惰性微粒B4的含量在上述范圍，可以保持高的絕緣擊穿電壓的同時，提高膜的操作性的提高效果。惰性微粒B4的含量過少的情況下，存在光滑性差的趨勢，巻取性的提高效果降低。另一方面過多的情況下，存在膜中的空隙的頻率增加的趨勢，絕緣擊穿電壓的提高效果降低。此外，存在光滑性變得過高的趨勢，巻取時易產生端面偏移等巻取性的提高效果降低。從這種觀點考慮，惰性微粒B4的含量更優選為0.1質量％~1.0質量％,進一步優選為0.1質量％~0.5質量％,特別優選為0.1質量％~0.3質量％。作為惰性微粒B4,可以使用與上迷惰性微粒A4同樣的有機系微粒和無機系微粒。其中，優選為無機系微粒，從光滑性和耐削性優異方面考慮，優選為碳酸鈣粒子、二氧化硅粒子，特別優選為二氧化硅粒子。這種無機系微粒如上所述優選為球狀，從光滑性和耐削性更優異方面考慮，特別優選為球狀二氧化硅粒子。惰性微粒A4和惰性微粒B4若含有在最終的膜中，則對含有的方法不加以限定。可以舉出例如，在苯乙烯類單體的聚合中的任意過程中添加或析出的方法，在熔融擠出的任意過程中添加的方法。此外，為了有效地分散這些微粒，可以使用分散劑、表面活性劑等。本發明中，作為惰性微粒A4和惰性微粒B4的特別優選的方式，可以分別舉出使用球狀二氧化硅粒子的方式。即使在這種情況下，由于各粒子的平均粒徑分別處于不重合的特定的范圍，且各粒子的粒徑的相對標準偏差小，在粒徑分布曲線中，上述2種粒子表現出可以明顯地區別的2個粒徑峰，即，可以明顯地區別惰性樣i粒A4和惰性樣i粒B4。而且，2個粒徑峰在各自峰底的部分重疊，形成谷部分時，以在谷部分中表現出極小值的點作為邊界，分解為2個粒徑峰。(其它的添加劑)可以添加在膜(4)中的其它的添加劑如共通事項所述。(厚度方向的折射率)本發明的膜(4)的厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。厚度方向的折射率優選為1.6100~1.640G，更優選為1.6130-1.6380,進一步優選為1.6150-1.6360。通過使厚度方向的折射率在上述范圍，可以提高絕緣擊穿電壓。此外，膜制造步驟中的膜斷裂的頻率降低，可以提高生產ulrsdt二入/一厶J,一A丄、左《古i厶丄i、tj,n試/t,l'At止n奴r+丄A口gi士ti$'J丄Ajts'li。/子乂夂力l口JW、J《1力M干A向WV'|月</U「,/J天—巾'J近乂々NTH"力天取"V"乂于"子在增加的趨勢，膜的生產性降低。另一方面過低的情況下，絕緣擊穿電壓存在降低的趨勢，電特性差。此外，電容器的制造步驟中的膜斷裂的頻率增加，電容器的生產性降低。進一步地，存在膜的厚度不均惡化的趨勢，難以得到品質穩定的電容器。為了使厚度方向的折射率在上述范圍，通過采用后述的制造方法來達成。即，本發明中優選的厚度方向的折射率可以如下達成使膜的拉伸倍率在后述特定的范圍，且在該拉伸步驟中，在一個軸方向的拉伸后實施的與該一個軸方向垂直的方向的拉伸中，將拉伸的溫度分為多個階(膜厚)本發明的膜(4)的厚度優選為0.4|iim以上且小于6.5jam。進一步優選為0.4fim以上且小于6.0jum,特別優選為0.5fam以上且小于3.5|um。通過使膜厚在上述范圍，可以得到靜電容量高的電容器。作為電容器的絕緣體使用的膜，通常熟知膜厚薄的電容器的靜電容量增高而優選。但是，實際上若膜厚繼續變薄(薄膜化)，則膜易產生皺褶、或膜易斷裂而操作性降低。此外，添加的粒子易脫落，結果絕緣擊穿電壓降低。此外，由于膜厚變薄，產生絕緣擊穿電壓的絕對值降低等問題。因此，必須使它們平衡。本發明中，為了達成即使膜厚變薄也不會產生上述問題的目的，通過后述的制造方法，得到具有抗氧化劑和特定的粒子的新型結構的膜(4)。(中心線平均表面粗糙度Ra)本發明的膜(4)優選其至少一面的中心線平均表面粗糙度(Ra)為7nm89nm。通過使中心線平均表面粗糙度(Ra)在上述范圍，可以提高巻取性的提高效果。此外，可以提高抗粘連性、使巻的外觀良好。中心線平均表面粗糙度(Ra)過低的情況下，存在光滑性變得過低的趨勢，巻取性的提高效果降低。另一方面過高的情況下，存在光滑性變得過高的趨勢，巻取時易產生端面偏移等巻取性的提高效果降低。從這種觀點考慮，中心線平均表面粗糙度(Ra)的下限優選為llnm，更優選為21nm,進一步優選為31nm。此外，中心線平均表面粗糙度(Ra)的上限優選為79nm，更優選為69nm,進一步優選為59nm。(10點平均相Jf造度Rz)此外，本發明的膜(4)優選其至少一面的10點平均粗糙度(Rz)為200nm3000nm。通過使10點平均粗糙度(Rz)在上述范圍，可以提高巻取性的提高效果。10點平均粗糙度(Rz)過低的情況下，作為巻巻繞時，存在脫氣性降低的趨勢，膜易橫滑等巻取性的提高效果降低。特別是膜厚薄時，由于沒有膜的粘度，存在脫氣性進一步降低的趨勢，巻取性的提高效果進一步降低。另一方面，10點平均粗糙度(Rz)過高的情況下，存在粗大突起增多的趨勢，絕緣擊穿電壓的提高效果降低。從這種觀點考慮，10點平均粗糙度(Rz)的下限更優選為600nm以上、進一步優選為1000nm以上、特別優選為1250nm以上。此外，10點平均粗糙度(Rz)41f厶i-trF7/l=、J"、i_n,Arv,、i，+kit/u、A>丄^勺，_____,、i~r~。iiAl;'A日'、j工r卜尺i7u迅T^zouunm「、azt一—，^匕;izii7Vzzounmy力「、^pr刀'j'i/L3^ii為1950nm以下。(膜(4)的制造方法)本發明的膜(4)除了一部分特別的制造方法之外，基本上可以通過迄今已知的或本領域中積累的方法來得到。以下，對本發明的膜(4)的制造方法進行具體的說明。首先，將在間規結構的苯乙歸系聚合物中配合規定量的抗氧化劑而成的樹脂組合物加熱熔融，制造未拉伸片。具體地說，在樹脂組合物的熔點(Tm、單位。C)(Tm+0。C)的溫度下加熱熔融，擠出成片狀，進行冷卻固化，得到未拉伸片。然后，將該未拉伸片在雙軸方向上拉伸。拉伸可以同時4立伸縱向(才幾械軸方向)和;f黃向(與才幾械軸方向垂直的方向)，或以任意的順序依次4立伸。例如依次拉伸的情況下，首先，在一個軸方向上于(樹脂組合物的玻璃化轉變溫度(Tg、單位。C)-10。C)(Tg+7(TC)的溫度下，以2.7倍~4.8倍、優選2.9倍~4.4倍、進一步優選3.1倍~4.0倍的倍率進行拉伸。然后，在與該一個軸方向垂直的方向上，于Tg(Tg+80。C)的溫度下，以2.8倍-4.9倍、優選3.0倍4.5倍、進一步優選3.2倍~4.1倍的倍率進行拉伸。而且，在與上迷一個軸方向垂直的方向的^f立伸時，可能是由于在前階段的拉伸中結晶，而難以進行拉伸，在制膜中易產生斷裂。特別是在制造膜厚為3pm左右的薄的膜時，此外特別是在拉伸倍率超過3.2倍的區域易產生斷裂。對其對策進行研究后可知，在與上述一個軸方向垂直的方向的拉伸中，使該拉伸速度在特定的范圍是有效的。即，拉伸速度過快的情況下，可能是由于因拉伸產生的分子的高級結構變化不能追隨因拉伸產生的膜的形狀變化的速度，該高級結構易產生變形，因此易產生膜斷裂。另一方面過慢的情況下，可能是由于在拉伸中途先進行膜的結晶，拉伸應力產生不均，因此易產生拉伸不均或厚度不均，由此易產生斷裂。從這種觀點考慮，拉伸速度的下限優選為500%/分鐘以上，更優選為1000%/分鐘以上，進一步優選為2000%/分鐘以上，特別優選為4000%/分鐘以上。此外，拉伸速度的上限優選為30000%/分鐘以下，更優選為15000%/分鐘以下，進一步優選為9000%/分鐘以下，特別優選為6000%/分鐘以42下。此外可知，作為其它的有效的技術方案，在與上述一個軸方向垂直的方向的拉伸中，使拉伸的溫度不恒定，而分為多個階段，使該笫一階段的溫度和最終階段的溫度具有溫度差是有效的。溫度差的下限優選最終階段的溫度比第一階段的溫度高4。C以上，更優選高7。C以上，進一步優選高12。C以上，特別優選高15。C以上。此外，溫度差的上限優選為49。C以下，更優選為39。C以下，進一步優選為29。C以下，特別優選為20。C以下。若溫度差過大，則易產生膜斷裂。此外，存在拉伸后的膜的厚度不均惡化的趨勢。如此，通過使第一階段與最終階段的溫度差在上述范圍，可以達成膜厚薄的膜的制膜中以往困難的高的拉伸倍率，由此，可以得到厚度不均良好的膜。在實施與一個軸方向垂直的方向的拉伸的步驟中，要使第一階段與最終階段具有溫度差，可以使在一個拉伸區域中區域的入口(第一階段)與出口(最終階段)具有溫度差，或設置溫度不同的2個以上的連續的拉伸區域、并使最初的拉伸區域(第一階段)與最后的拉伸區域(最終階段)具有溫度差。其中，區域指的是拉幅機等中用擋板(shutter)等分開的1個區域。在任意一種情況下優選將第一階段與最終階段之間進一步分割，使溫度從第一階段向著最終階段傾斜地升高，特別優選直線升高。例如，溫度不同的2個以上的連續的拉伸區域的情況下，優選在最初的拉伸區域與最后的拉伸區域之間，進一步設置1個以上的拉伸區域，進一步優選設置1-1—0個拉伸區域。拉伸區域總計為13個以上從設備成本方面考慮不利。拉伸例如在寬度方向上拉伸膜時，使剛從最終階段出來的膜寬度除以要進入第一階段之前的膜寬度得到的值為目標拉伸倍率即可，優選傾斜地增加膜寬度，特別優選直線性地增加。在同時拉伸縱向和橫向的情況下，同樣地將拉伸的溫度分為多個階段，使該笫一階段的溫度與最終階段的溫度具有溫度差。本發明中，作為用于達成本發明中的優選的厚度方向的折射率的技術方案，優選為這些方案。進一步地，通過這些方案，即使膜厚變薄也不易產生斷裂，因此作為用于達成本發明中的優選的膜厚的技術方案，優選這些方案。此外，本發明中，優選采用上述拉伸速度的方式和拉伸溫度的方式中的至少任意一種方式，但是更優選采用兩種方式，從而拉伸步驟穩定化，易達成本發明中的優選的折射率和優選的膜厚。接著，在(Tg+70。C)Tm的溫度下進行熱固定。熱固定的溫度優選為200°C~260°C,更優選為220°C~250°C，進一步優選為230°C~240°C。熱固定溫度過高的情況下，特別是制造膜厚薄的膜時，易產生斷裂，此外厚度不均惡化。若在熱固定之后根據需要在比熱固定溫度低20。C~9(TC的溫度下進行松弛處理，則尺寸穩定性良好。實施例接著通過實施例和比較例對本發明進行更具體的說明。實施例1~7、比4支例1~3實施例1~7、比較例1~3的各種特性值用下述方法測定、評價。(1)粒子的平均粒徑和粒徑比(1-1)粉體的平均粒徑和粒徑比在樣品臺上散布粉體使各粒子盡可能不重疊，通過金濺射裝置在該表面上形成厚度200-300A的金薄膜蒸鍍層，使用掃描型電子顯微鏡，在1萬~3萬倍下進行觀察，用日本X'-k—夕一(抹)制A—七、少夕只500求得至少100個粒子的面積相當粒徑(Di)、長徑(Dli)和短徑(Dsi)。(1-2)膜中的粒子的平均粒徑和粒徑比將樣品膜小片固定在掃描型電子顯微鏡用樣品臺上，使用日本電子(抹)制濺射裝置(JIS-llOO型離子濺射裝置)，對膜表面在0.13Pa的真空下，于0.25kV、1.25mA的條件下實施10分鐘離子蝕刻處理。進一步地，用相同的裝置實施金濺射，使用掃描型電子顯微鏡在1萬-3萬倍下進行觀測，用日本X工k—夕一(抹)制A—七、夕X500求得至少100個粒子的面積相當粒徑(Di)、長徑(Dli)和短徑(Dsi)。對于粉體的平均粒徑和粒徑比使用由上述(l-l)項得到的值、對于膜中的粒子的平均粒徑和粒徑比使用由上述(l-2)項得到的值，使用下述式，將粒子的個數設為n,將面積相當粒徑(Di)的數平均值作為平均粒徑(D)。D=(殳Di)/n44此外，通過由下述式得到的長徑的平均值(D1)和短徑的平均值(Ds)算出粒徑比Dl/Ds。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>(2)粒子的粒徑的相對標準偏差對于粉體的相對標準偏差使用由上述(l-l)項求得的各粒子的面積相當粒徑(Di)和平均粒徑(D)、對于膜中的粒子的相對標準偏差使用由上述(1-2)項求得的各粒子的面積相當粒徑(Di)和平均粒徑(D),用下述式求付。相對標準偏差-<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>(3)膜的表面粗糙度(3_1)中心線平均表面粗糙度(Ra)使用非接觸式三維粗糙度計(小坂研究所制、ET-30HK)，用波長為780nm的半導體激光、光束直徑為1.6|am的光觸針，在測定長度(Lx)lmm、采樣間隔2ium、截止長度(cutoff)0.25mm、厚度方向力文大倍率1萬倍、寬度方向放大倍率200倍、掃描線數100根(因此，Y方向的測定長度Ly^.2mm)的條件下，對膜表面的突起輪廓進行測定。該粗糙度曲面用Z二f(x，y)表示時，將用下式得到的值定義為膜的中心線平均表面粗糙度(Ra、單位nm)。(3_2)10點平均粗糙度(Rz)從峰(Hp)的高處取5點、從谷(Hv)的低處取5點，通過下式求得的平均粗糙度作為Rz(單位nm)。(4)熱收縮率在無張力的狀態下，求得在15(TC的氛圍氣體中30分鐘的膜的收縮率(單位％)。(5)折射率使用將鈉D線(589nm)作為光源的阿貝折射計，在23。C、65%RH下進行測定，將厚度方向的折射率作為nZ。(6)絕緣擊穿電壓(BDV)^換照JISC2151所示的方法進^f亍測定。在23。C、相對濕度50%的氛圍氣中，使用直流耐電壓試驗機，上部電極使用直徑25mm的黃銅制圓柱，下部電極使用直徑75mm的鋁制圓柱，以100V/秒的升壓速度升壓，讀取膜擊穿，短路時的電壓。測定實施41次，除去10個大的值、10個小的值，將21個的中位數作為絕緣擊穿電壓(BDV)的測定值。IO(TC、120。C下的測定中，在熱風烘箱中安裝電極、樣品，用耐熱軟線與電源連接，投入烘箱后1分鐘開始升壓并進行測定。(7)拉伸性通過雙軸拉伸膜在100萬m制膜過程中發生斷裂的次數，如下進行判斷。拉伸性◎4立伸性o拉伸性△拉伸性、每制造10萬m膜每制造10萬m膜每制造10萬m膜每制造10萬m膜斷裂小于1次斷裂為1次小于2次斷裂為2次小于4次斷裂為4次~小于8次拉伸性xx:每制造10萬m膜斷裂為8次以上(8)膜的巻取性在膜的制造步驟中，將膜以100m/分鐘的速度巻繞成550mm寬、6000m的巻狀，通過其巻繞情況、巻的外觀如下進行分級。A:巻的巻繞形態良好B:巻的表面上發現1個以上且小于5個的疙瘩(突起狀隆起)、但是大致良好C:巻的表面上發現5個以上的疙瘩(突起狀隆起)、外觀不好D:產生巻的膜端面偏移、巻繞形態不好[用硅烷偶聯劑進行表面處理的硅氧烷樹脂粒子的制備]向具有攪拌翼的10升玻璃容器中加入含有0.06質量％的氳氧化鈉的水溶液7000g，向上層緩慢地注入含有聚氧乙烯月桂基醚0.01質量％的1000g的曱基三甲氧基硅烷，形成2層后，在10-15。C下稍微旋轉的同時進行2小時界面反應，生成球狀粒子。然后，將體系內的溫度設為7(TC熟化約1小時，冷卻后，用減壓過濾機過濾，得到水分率約40%的硅氧烷樹脂粒子的餅狀物。然后，向其它的玻璃容器中加入分散有2質量％的作為硅烷偶聯劑的Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷的水溶液4000g,向其中加入在先前的反應中得到的全部餅狀物，制成漿，在內溫70。C、攪拌下用3小時進行表面處理，冷卻后，用減壓過濾機進行過濾處理，得到餅狀物。然后，將該餅狀物全部加入到純水600g中，再次制成漿，常溫下攪拌l小時，然后再次用減壓過濾機進行過濾處理，由此得到除去了剩余的乳化劑和硅烷偶聯劑的水分率約40%的餅狀物。最后，對該餅狀物在10(TC、15torr下進行減壓處理10小時，得到凝聚粒子少、用硅烷偶聯劑進行了表面處理的硅氧烷樹脂粒子的粉末約400g。得到的硅氧烷樹脂粒子的粉末的平均粒徑為1.3pm,相對標準偏差為0.14,粒徑比為1.1。實施例1向重均分子量為3.0x105、13C-NMR測定中觀察幾乎完全為間規結構的聚苯乙烯中，加入作為球狀交聯高分子粒子A1的平均粒徑為1.3|um、相對標準偏差為0.14、粒徑比為1.1的硅氧烷樹脂粒子0.3質量％,和作47為惰性微粒B1的平均粒徑為0.3|um、相對標準偏差為0.17、粒徑比為1.1的球狀二氧化硅粒子((林)曰本觸媒制商品名'二一水只夕一KE)0.2質量％,得到苯乙烯系聚合物。而且，作為球狀交聯高分子粒子Al，使用上述得到的用硅烷偶聯劑進行了表面處理的硅氧烷樹脂粒子。將該聚合物在12(TC下干燥4小時，供給到擠出機中，在290。C下熔融，從模具縫隙(夕VX'J、乂卜)擠出后在流延鼓上冷卻固化，制造未拉伸片。將該未拉伸片在114。C下于縱向(機械軸方向)上拉伸2.9倍，接著導入到拉幅機中后，在橫向(與機械軸方向垂直的方向)上拉伸3.0倍。此時，橫向的拉伸如下進行通過包括長度相同的2個拉伸區域的拉伸步驟，在第一拉伸區域(第一階段)中、于溫度IO(TC下拉伸2.0倍，在第二拉伸區域(最終階段)中、于溫度lirC下進一步拉伸1.5倍，由此使膜寬度直線性地增加以使最終的拉伸倍率為3.0倍。然后，在235。C下熱固定9秒，進而在冷卻至18(TC期間進行5%松弛處理，得到厚度3.0|dm的雙軸拉伸膜，巻取成巻狀。得到的膜的特性如表1所示。由實施例1得到的膜的拉伸性和巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。實施例2~7、比專支例1除了球狀交聯高分子粒子Al、惰性微粒B1、制膜條件和膜厚如表1所示之外，與實施例l同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表1所示。由實施例2、3得到的膜的拉伸性和巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。由實施例4~6得到的膜的巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。拉伸性可以耐實用。由實施例7得到的膜雖然拉伸性差，但是絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。由比較例1得到的膜，由于厚度方向的折射率低，絕緣擊穿電壓低，作為電容器的絕緣體是不合適的。比專支例2為了得到厚度方向的折射率約為1.6600的膜，縱向和橫向的拉伸倍率等制膜條件如表l所示，然而膜斷裂多發，不能得到雙軸拉伸膜。比4支例3將由"C-NMR求得的全同立構度為97%的聚丙烯在250。C下熔融，由模具縫隙擠出后在8(TC的輥上冷卻固化，形成未拉伸片。然后，在135。C下縱向拉伸4.5倍、163。C下橫向拉伸9倍后，在163"C下熱固定9秒，在16(TC下松弛2。/。，得到膜厚3.0|iim的雙軸拉伸聚丙烯膜。由比較例3得到的膜的耐熱性低，在高溫下絕緣擊穿電壓顯著降低。此外，熱收縮率高，作為高絕緣性膜是不合適的。<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>表1(續)<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>表l後)<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>此外，使用得到的膜，如下制造電容器。首先，在膜的一面上以500A的厚度真空蒸鍍鋁。此時，蒸鍍成8mm寬的蒸鍍部分與lmm寬的非蒸鍍部分重復而成的縱向的條紋狀。將得到的蒸鍍膜在蒸鍍部分與非蒸鍍部分各自的寬度方向的中央部切開，形成包括4mm寬的蒸鍍部分與0.5mm寬的非蒸鍍部分的4.5mm寬的帶狀的巻取巻軸。然后，使非蒸鍍部分分別形成相反側的端面來將2根巻軸重疊纏繞，得到纏繞體后，在150。C、lMPa下加壓5分鐘。向加壓后的纏繞體的兩端面噴鍍_金屬形成外部電極，將噴鍍.金屬與導線熔接，制造纏繞型膜電容器。由實施例1~7得到的膜電容器的耐熱性、耐電壓特性優異，作為電容器表現出優異的性能。實施例8~16、比4交例4~6實施例8~16、比4支例4~6的各種特性值用下述方法進4亍測定、評價。(1)粒子的平均粒徑和粒徑比(1-1)粉體的平均粒徑和粒徑比在樣品臺上散布粉體使各粒子盡可能不重疊，通過金濺射裝置在該表面上形成厚度200300A的金薄膜蒸鍍層，使用掃描型電子顯微鏡，在1萬~3萬倍下進行觀察，用日本X工k—夕一(林)制七、7夕只500求得至少1000個粒子的面積相當粒徑(Di)、長徑(Dli)和短徑(Dsi)。(1-2)膜中的粒子的平均粒徑和粒徑比將樣品膜小片固定在掃描型電子顯微鏡用樣品臺上，使用日本電子(抹)制濺射裝置(JIS-llOO型離子濺射裝置)，對膜表面在0.13Pa的真空下，于0.25kV、1.25mA的條件下實施10分鐘離子蝕刻處理。進一步地，用相同的裝置實施金濺射，使用掃描型電子顯微鏡在1萬~3萬倍下進行觀測，用日本X工k—夕一(株)制/1^—七、7夕義500求得至少1000個粒子的面積相當粒徑(Di)、長徑(Dli)和短徑(Dsi)。對于粉體的平均粒徑和粒徑比使用由上述(l-l)項得到的值、對于膜中的粒子的平均粒徑和粒徑比使用由上述(l-2)項得到的值，使用下述式，將粒子的個數設為n,將面積相當粒徑(Di)的數平均值作為平均粒徑(D)。D=/n此外，通過由算出粒徑比Dl/Ds。DsD1=(2)粒子的粒徑的相對標準偏差對于粉體的相對標準偏差使用由上述(l-l)項求得的各粒子的面積相當粒徑(Di)和平均粒徑(D)、對于膜中的粒子的相對標準偏差使用由上述(1-2)項求得的各粒子的面積相當粒徑(Di)和平均粒徑(D)，用下述式求4曰付。(3-l)中心線平均表面粗糙度(Ra)、(3-2)10點平均粗糙度(Rz)、(4)熱收縮率、("折射率、(6)絕緣擊穿電壓(BDV)、("拉伸性和(8)膜的巻取性通過與實施例17相同的方法進行測定，評價。向重均分子量為3.0x105、13C-NMR測定中觀察幾乎完全為間規結構的聚苯乙烯中，加入作為二氧化硅粒子A2的平均粒徑為l.lpm、相對標準偏差為0.15、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子((林)日本觸媒制商品名>—才、7夕一(注冊商標)KE-P100)0.3質量。/0,和作為惰性凝:粒B2的平均粒徑為0.3jam、相對標準偏差為0.16、粒徑比為1.08的球相對標準偏差實施例8狀二氧化硅粒子((株)日本觸媒制商品名—水只夕一(注冊商標)KE-P30)0.2質量o/0，得到苯乙烯系聚合物。將該聚合物在120。C下干燥4小時，供給到擠出機中，在290。C下熔融，從模具縫隙擠出后在流延鼓上冷卻固化，制造未拉伸片。將該未拉伸片在114。C下于縱向(機械軸方向)上拉伸3.0倍，接著導入到拉幅機中后，在橫向(與機械軸方向垂直的方向)上拉伸3.1倍。此時，橫向的拉伸如下進行通過包括長度相同的2個拉伸區域的拉伸步驟，在第一拉伸區域(第一階段)中、于溫度IO(TC下拉伸2.05倍，在第二拉伸區域(最終階段)中、于溫度112。C下進一步拉伸1.51倍，由此使膜寬度直線性地增加以使最終的拉伸倍率為3.1倍。然后，在235。C下熱固定9秒，進而在冷卻至18(TC期間在寬度方向上進^f亍5。/0^弛處理，得到厚度3.0pm的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表2所示。由實施例8得到的膜的拉伸性和巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是合適的。實》4例9~14除了二氧化硅粒子A2、惰性微粒B2、制膜條件、膜厚如表2所示之外，與實施例8同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表2所示。實施例154吏用作為二氧化珪粒子A2的平均粒徑為0.8pm、相對標準偏差為0.15、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子，作為惰性微粒B2的平均粒徑為0.4i!m、相對標準偏差為0.15、粒徑比為1.08的球狀二氧化石圭粒子，二氧化硅粒子A2和惰性微粒B2的含量、制膜條件、膜厚如表2所示，除此之外與實施例8同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表2所示。實施例16使用作為二氧化硅粒子A2的平均粒徑為1.6|um、相對標準偏差為0.13、粒徑比為1.10的球狀二氧化硅粒子((抹)日本觸媒制商品名>—水義夕一(注冊商標)KE-P150),作為惰性樣吏粒B2的平均粒徑為O.lium、相對標準偏差為0.17、粒徑比為1.07的球狀二氧化硅粒子((林)日本觸媒制商品名、二一水只夕一(注冊商標)KE-PIO),二氧化石圭粒子A2和惰性微粒B2的含量、制膜條件、膜厚如表2所示，除此之外與實施例8同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表2所示。由實施例9、IO得到的膜的拉伸性和巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。由實施例11~13得到的膜的巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。拉伸性可以耐實用。由實施例14得到的膜雖然拉伸性差，但是絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。由實施例15、16得到的膜的拉伸性和巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。比4交例4除了二氧化硅粒子A2、惰性微粒B2、制膜條件、膜厚如表2所示之外，與實施例8同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表2所示。由比較例4得到的膜，由于厚度方向的折射率低，絕緣擊穿電壓低，作為電容器的絕緣體是不合適的。比專支例5為了得到厚度方向的折射率約為1.6600的膜，縱向和橫向的拉伸倍率等制膜條件如表2所示，但是膜斷裂多發，不能得到雙軸拉伸膜。比4交例6將由13C-NMR求得的全同立構度為97%的聚丙烯在250。C下熔融，由模具縫隙擠出后在8(TC的輥上冷卻固化，形成未拉伸片。然后，在135。C下縱向拉伸4.5倍、163。C下橫向拉伸9倍后，在163。C下熱固定9秒，在16(TC下松弛2。/。，得到膜厚3.0pm的雙軸拉伸聚丙烯膜。得到的膜的特性如表2所示。由比較例6得到的膜的耐熱性低，在高溫下絕緣擊穿電壓顯著降低。此外，熱收縮率高，作為高絕緣性膜是不合適的。57<table>tableseeoriginaldocumentpage58</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表2(續)<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>表2(續)<table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>此外，使用得到的膜，如下制造電容器。首先，在膜的一面上以500A的厚度真空蒸鍍鋁。此時，蒸鍍成8mm寬的蒸鍍部分與lmm寬的非蒸鍍部分重復而成的縱向的條紋狀。將得到的蒸鍍膜在蒸鍍部分與非蒸鍍部分的各自的寬度方向的中央部切開，形成包括4mm寬的蒸鍍部分與0.5mm寬的非蒸鍍部分的4.5mm寬的帶狀的巻取巻軸。然后，使非蒸鍍部分分別形成相反側的端面來將2根巻軸重疊纏繞，得到纏繞體后，在15(TC、lMPa下加壓5分鐘。向加壓后的纏繞體的兩端面噴鍍金屬形成外部電極，將噴鍍金屬與導線熔接，制造纏繞型膜電容器。由實施例8~14得到的膜電容器的耐熱性、耐電壓特性優異，作為電容器表現出優異的性能。實施例17~29、比4交例7~8實施例17~29、比較例7-8中的下述特性值通過與實施例8~16相同的方法進4亍測定、評1介。(1-1)粉體的平均粒徑和粒徑比(1-2)膜中的粒子的平均粒徑和粒徑比(2)粒子的粒徑的相對標準偏差(3-1)中心線平均表面粗糙度(Ra)(3-2)10點平均粗糙度(Rz)(4)熱收縮率(5)折射率(6)絕緣擊穿電壓(BDV)(7)介電常數(8)玻璃化轉變溫度(Tg)和熔點(Tm、Tms)(9)拉伸性(10)巻取性使用作為單體的對苯二甲酸二甲酯和乙二醇、作為酯交換催化劑的乙酸錳、作為聚合催化劑的三氧化銻、作為穩定劑的亞磷酸，通過常規方法聚合，得到特性粘度為0.62的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂(熔點258。C、介電常數3.2)。64實施例17使用作為苯乙烯系聚合物的重均分子量為3.0xl05、13C-NMR測定中觀察幾乎完全為間規結構的聚苯乙烯(熔點(Tms)270"C、介電常數2.7)，將其作為樹脂組合物。向得到的樹脂組合物99.5質量份中，添加含有作為惰性微粒A3的平均粒徑為l.lium、相對標準偏差為0.15、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子((抹)日本觸媒制商品名少一沐7夕一(注冊商標))0.3質量份(在得到的膜中為0.3質量％)，和作為惰性微粒B3的平均粒徑為0.3|um、相對標準偏差為0.16、粒徑比為1.08的i求狀二氧化硅粒子((抹)日本觸媒制商品名水7夕一(注冊商標))0.2質量份(在得到的膜中為0.2質量％)的微粒，得到樹脂組合物與微粒的混合物。將得到的混合物顆粒化，將該顆粒在130。C下干燥7小時后，供給到擠出機中，在290。C下熔融，從;f莫具縫隙擠出在流延鼓上冷卻固化，制造未拉伸片。將該未拉伸片在114。C下于縱向(機械軸方向)上拉伸3.2倍，接著導入到拉幅機中后，在橫向(與機械軸方向垂直的方向)上拉伸3.3倍。此時，橫向的拉伸中的拉伸速度為5000%/分鐘，拉伸溫度在第一階段的溫度為102。C,最終階段的溫度為119°C。然后，在235。C下熱固定9秒，進而在冷卻至180。C期間在橫向上進行4%+>弛處理，得到厚度3.0|um的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表3所示。由實施例i7到的/溪的4i4申'i生禾口巻取'i生艮好。實施例18在作為苯乙烯系聚合物的重均分子量為3.0xl05、^C-NMR測定中觀察幾乎完全為間規結構的聚苯乙烯95質量份中配合作為樹脂X的上述得到的聚對苯二曱酸乙二醇酯樹脂5質量份作為樹脂組合物，使用該樹脂組合物，除此之外與實施例17同樣地進行，得到雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表3所示。由實施例18得到的膜的拉伸性和巻取性優異，絕緣擊穿電壓高，作為高絕緣性膜是適當的。因此，作為電容器的絕緣體是適當的。實施例19-22除了使用苯乙烯系聚合物與樹脂X的配合比率如表3所示的樹脂組合物之外，與實施例i8同樣地進行，得到雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表3所示。由實施例19-22得到的膜的拉伸性和巻取性良好，特別是絕緣擊穿電壓高，作為高絕緣性膜是適當的。因此，作為電容器的絕緣體是適當的，特別是作為混合動力車中使用的電容器的絕緣體是適當的。比4交例7、實施例23除了縱向和橫向的拉伸倍率、拉伸溫度等制膜條件如表3所示之外，與實施例19同樣地進行，得到雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表3所示。比較例7中得到的膜，由于厚度方向的折射率低，絕緣擊穿電壓低、作為高絕緣性膜是不合適的。由實施例23得到的膜的拉伸性和巻取性良好，特別是絕緣擊穿電壓高，作為高絕緣性膜是適當的。因此，作為電容器的絕緣體是適當的，特別是作為混合動力車中使用的電容器的絕緣體是適當的。比4支例8為了得到厚度方向的折射率約為1.6580的膜，縱向和橫向的拉伸倍率等制膜條件如表3所示，但是膜斷裂多發，不能得到雙軸拉伸膜。實施例24、25除了在橫向上拉伸時的拉伸速度和拉伸溫度等制膜條件如表3所示之外，與實施例19同樣地進行，得到雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表3所示。由實施例24、25得到的膜由于橫拉伸中的拉伸速度的條件不在優選的范圍，拉伸性差。此外，絕緣擊穿電壓比較低，但是巻取性良好，作為高絕緣性膜可以耐實用。實施例26使用向樹脂組合物99.4質量份中，添加作為微粒的平均粒徑為l.lium、相對標準偏差為0.15、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子((抹)曰本觸媒制商品名，〉一水義夕一(注冊商標))0.6質量份(在得到的膜中為0.6質量％')而得到的混合物，除此之外與實施例19同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表3所示。由實施例26得到的膜的巻取性和絕緣擊穿電壓比較低，但是作為高絕緣性膜可以耐實用。實施例27使用含有作為惰性微粒A3的平均粒徑為1.3^m、相對標準偏差為0.14、粒徑比為1.10的球狀硅氧烷樹脂粒子0.3質量份(在得到的膜中為0.3質量％),和作為惰性微粒B3的平均粒徑為0.3|im、相對標準偏差為0.16、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子((株)日本觸媒制商品名v—水只夕一(注冊商標))0.2質量份(在得到的膜中為0.2質量％)的微粒，除此之外與實施例19同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表3所示。由實施例27得到的膜的拉伸性和巻取性良好，特別是絕緣擊穿電壓高，作為高絕緣性膜是適當的。因此，作為電容器的絕緣體是適當的，特別是作為混合動力車中使用的電容器的絕緣體是適當的。實施例28除了使用聚萘二曱酸乙二醇酯樹脂(熔點269。C、介電常數3.1)作為樹脂X之外，與實施例19同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表3所示。由實施例28得到的膜的絕緣擊穿電壓比較低，但是拉伸性和巻取性優異，作為高絕緣性膜可以耐實用。實施例29除了使用聚丙烯樹脂(熔點170°C、介電常數2.1)作為樹脂X之外，與實施例19同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表3所示。由實施例29得到的膜可能是由于用作樹脂X的聚丙烯的耐熱性低，高溫下的絕緣擊穿電壓比較低，但是作為高絕緣性膜可以耐實用。實施例30除了使用聚碳酸酯樹脂(熔點243。C、介電常數2.8)作為樹脂X之夕卜，與實施例19同樣地進行，得到雙軸拉伸膜。得到的膜的特性如表3所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage70</column></row><table>表3(續)<table>tableseeoriginaldocumentpage71</column></row><table>PET:聚對苯二曱酸乙二醇酯樹脂PEN:聚萘二曱酸乙二醇酯樹脂PP:聚丙烯樹脂PC:聚碳酸酯樹脂<table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>表3(續)<table>tableseeoriginaldocumentpage74</column></row><table>此外，使用得到的膜，如下制造電容器。首先，在膜的一面上以500A的厚度真空蒸鍍鋁。此時，蒸鍍成8mm寬的蒸鍍部分與lmm寬的非蒸鍍部分重復而成的縱向的條紋狀。將得到的蒸鍍膜在蒸鍍部分與非蒸鍍部分各自的寬度方向的中央部切開，形成包括4mm寬的蒸鍍部分與0.5mm寬的非蒸鍍部分的4.5mm寬的帶狀的巻取巻軸。然后，使非蒸鍍部分分別形成相反側的端面來將2根巻軸重疊纏繞，得到纏繞體后，在150。C、lMPa下加壓5分鐘。向加壓后的纏繞體的兩端面噴鍍金屬形成外部電極，將噴鍍金屬與導線熔接，制造纏繞型膜電容器。使用由實施例18~29得到的膜的膜電容器的耐熱性、耐電壓特性優異，作為電容器表現出優異的性能。此外，制造電容器時的加工性優異。特別是使用由實施例19~23、27得到的膜的膜電容器的耐熱性優異、特別是耐電壓特性優異，作為電容器表現出更優異的性能。實施傘'J31~45、t匕專交侈'J9~10實施例31~45、比4支例9~10中的下述特性值通過與實施例8~16相同的方法進行測定、評價。(1-1)4分體的平均粒徑和粒徑比(1-2)膜中的粒子的平均粒徑和粒徑比(2)粒子的粒徑的相對標準偏差(3-1)中心線平均表面粗糙度(Ra)(3-2)10點平均粗糙度(Rz)(4)熱收縮率(5)折射率(6)絕緣擊穿電壓(BDV)(7)拉伸性此外，以下的特性值用以下的方法進行測定，評1介。(8)巻取性在膜的制造步驟中，將膜以140m/分鐘的速度巻繞成500mm寬、9000m的巻狀，得到的巻的巻繞形態和巻端面的端面偏移如下進行分級。[巻繞形態]A:巻的表面上沒有疙瘩、巻繞形態良好。B:巻的表面上有1個以上且小于4個疙瘩(突起狀隆起)、巻繞形態大致良好。C:巻的表面上有4個以上且小于IO個的疙瘩(突起狀隆起)、巻繞形態稍微不好，但是可以作為制品來使用。D:巻的表面上有IO個以上的疙瘩(突起狀隆起)、巻繞形態差，不能作為制品來使用。◎:巻端面的端面偏移小于0.5mm、良好。〇巻端面的端面偏移為0.5mm以上且小于lmm、大致良好。△:巻端面的端面偏移為lmm以上且小于2mm、稍差，〗旦是可以作為制品來使用。x:巻端面的端面偏移為2mm以上、差，不能作為制品來^f吏用。xx:巻巻繞中端面偏移增大，不能1故成9000m的巻。(9)熱分解溫度使用差示量熱質量同時測定裝置(示差熱熱質量同時測定裝置)(七u一電子工業(抹)制商品名TG/DTA220),在空氣氛圍氣中以1(TC/分鐘的升溫速度進行測定，由該溫度/質量變化曲線通過切線法求得質量開始變化的溫度，作為熱分解溫度(單位。C)。(10)玻璃化轉變溫度和熔點將樣品約10mg封入到測定用的鋁制盤中，裝配到差示量熱計(TAInstruments公司制商品名DSC2920Modulated),從25°C以2(TC/分鐘的速度升溫至300。C，測定玻璃化轉變溫度(單位。C)和熔點(單位。C)。實施例32向質均分子量為3.0x105、13C-NMR測定中觀察幾乎完全為間規結構的聚苯乙烯99.0質量份中，配合作為抗氧化劑的季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](f乂《.義、少々A亍心少；、力^夂社制商品名IRGANOX1010)(熔點120°C、熱分解溫度335°C)0.5質量份(以得到的膜的質量為基準，為0.5質量％)，作為惰性微粒A4的平均粒徑為l.lpm、相對標準偏差為0.15、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子((林)76曰本觸媒制商品名，；一水X夕一KE)0.3質量份(以得到的膜的質量為基準，為0.3質量％),作為惰性微粒B4的平均粒徑為0.3pm、相對標準偏差為0.16、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子((林)日本觸媒制商品名'二一水只夕一KE)0.2質量份(以得到的膜的質量為基準，為0.2質量％),得到樹脂混合物。將得到的樹脂混合物在13(TC下干燥7小時，然后供給到擠出機中，在290。C下熔融，從才莫具縫隙擠出后在冷卻至20。C的流延鼓上冷卻固化，制造未拉伸片。將該未拉伸片在114。C下于縱向(機械軸方向)上拉伸3.2倍，接著導入到拉幅機中后，在橫向(與機械軸方向垂直的方向)上拉伸3.3倍。此時，橫向的拉伸速度為50004/分鐘。此外，橫向的拉伸溫度在第一階段的溫度為102°C,最終階段的溫度為119°C。然后，在235。C下熱固定9的雙軸拉伸膜，巻取成巻狀。得^]的膜的特°'^如表4所示。曰^實施例33~35、實施例31、實施例36除了抗氧化劑的含量如表4所示之外，與實施例32同樣地進行，得到厚度3.0ium的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。而且，調整聚苯乙烯的量，使總量為100質量份。實施例37除了作為抗氧化劑使用N，N，-雙[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰基]肼(f乂《.久、，〉\》r4.少、；力A義社制商品名IRGANOX1024)(熔點210°C、熱分解溫度275。C)之外，與實施例33同樣地進行，得到厚度3.0ium的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。通過實施例31-37,可以得到與抗氧化劑的種類及其含量相關的發現。由實施例32~35得到的膜的拉伸性和巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。此外，由使用與上述實施例32~35不同的抗氧化劑的實施例37得到的膜的拉伸性和巻取性也良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。實施例38聚苯乙烯為98.6質量份，作為惰性微粒A4的平均粒徑為0.27)um、相對標準偏差為0.16、粒徑比為1.08的球狀二氧化硅粒子((4朱)日本觸士某制商品名少一水只夕一KE)0.4質量份(以得到的膜的質量為基準，為0.4質量％)，不添加惰性微粒B4，除此之外與實施例33同樣地進行，得到厚度3.0pm的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。實施例39~41除了作為惰性微粒A4的球狀二氧化硅粒子的平均粒徑、相對標準偏差、粒徑比和含量如表4所示之外，與實施例38同樣地進行，得到厚度3.0pm的雙軸拉伸膜，巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。而且，調整聚苯乙烯的量，使總量為IOO質量份。實施例42配合聚苯乙烯98.4質量份，作為惰性微粒A4的平均粒徑為0.5pm、相對標準偏差為0.15、粒徑比為1.08的球狀二氧化石圭粒子((林)日本觸々某制商品名夕一水只夕一KE)O.l質量份(以得到的膜的質量為基準，為0.1質量％)，作為惰性微粒B4的平均粒徑為O.lnm、相對標準偏差為0.17、粒徑比為1.07的球狀二氧化硅粒子((抹)日本觸々某制商品名>—才、只夕一KE)0.5質量份(以得到的膜的質量為基準，為0.5質量％),除此之外與實施例33同樣地進行，得到厚度3.0pm的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。實施例43、44除了作為惰性微粒A4的球狀二氧化硅粒子的平均粒徑、相對標準偏差、粒徑比、含量和作為惰性微粒B4的球狀二氧化硅粒子的平均粒徑、相對標準偏差、粒徑比、含量如表4所示之外，與實施例42同樣地進行，得到厚度3.0pm的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。而且，調整聚苯乙烯的量，使總量為100質量份。78實施例45除了使用作為惰性微粒A4的平均粒徑為1.3|nm、相對標準偏差為0.14、粒徑比為1.10的球狀硅氧烷樹脂粒子0.3質量份(以得到的膜的質量為基準，為0.3質量％)之外，與實施例33同樣地進行，得到厚度3.0)iim的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。通過實施例33和實施例38-45，可以得到與惰性樣i粒A4的方式和惰性微粒B4的方式相關的發現。由含有的惰性微粒的方式適當的實施例33、實施例38~45得到的膜的拉伸性和巻取性都良好，絕緣擊穿電壓都高，作為電容器的絕緣體都是適當的。比4交例9、實施例46除了制膜條件如表4所示之外，與實施例33同樣地進行，得到厚度3.0pm的雙軸拉伸膜，并巻取成巻狀。得到的膜的特性如表4所示。比專支例10除了為了得到厚度方向的折射率約為1.6580的膜，縱向和橫向的拉伸倍率等制膜條件如表4所示之外，與實施例33同樣地制造膜，但是膜斷裂多發，不能得到雙軸拉伸膜。通過實施例33、46和比較例9、10，可以得到與膜的厚度方向的折射率相關的發現。由實施例33、46得到的膜，由于厚度方向的折射率適當，拉伸性和巻取性良好，絕緣擊穿電壓高，作為電容器的絕緣體是適當的。另一方面，由比較例9得到的膜，由于拉伸倍率低、膜的厚度方向的折射率過低，巻取性和絕緣擊穿電壓差。此外，比較例10中，目的的厚度方向的折射率過高，未能得到膜。<table>tableseeoriginaldocumentpage80</column></row><table>表4(續)<table>tableseeoriginaldocumentpage81</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage82</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage83</column></row><table>抗氧化劑C1:季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](IRGANOX1010)抗氧化劑C2:N，N'-雙[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰基]肼(IRGANOX1024)表4(續)<table>tableseeoriginaldocumentpage84</column></row><table>抗氧化劑C1:季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](IRGANOX1010)抗氧化劑C2:N,N'-雙[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰基]肼(IRGANOX1024)使用得到的膜，如下制造電容器。首先，在膜的一面上以500A的厚度真空蒸鍍鋁。此時，蒸鍍成8mm寬的蒸鍍部分與lmm寬的非蒸鍍部分重復而成的縱向的條紋狀。將得到的蒸鍍膜在蒸鍍部分與非蒸鍍部分的各寬度方向的中央部切開，形成包括4mm寬度的蒸鍍部分與0.5mm寬度的非蒸鍍部分的4.5mm寬度的帶狀的巻取巻軸。然后，使非蒸鍍部分分別形成相反側的端面來將2根巻軸重疊纏繞，得到纏繞體后，在150。C、lMPa下加壓5分鐘。向加壓后的纏繞體的兩端面噴鍍金屬形成外部電極，將噴鍍金屬與導線熔接，制造纏繞型膜電容器。使用由實施例32~46得到的膜的膜電容器的耐熱性、耐電壓特性優異，作為電容器表現出優異的性能。此外，制造電容器時的加工性優異。特別是使用由實施例33、34、38、40~42、45、46得到的膜的膜電容器的耐電壓特性特別優異，作為電容器表現出更優異的性能。本發明的絕緣性膜具有高的絕緣擊穿電壓，電特性優異。本發明的絕緣性膜的熱收縮率小，此外高溫下的絕緣擊穿電壓高，耐熱性優異。本發明的絕緣性膜的巻取性優異，巻的巻繞形態良好，端面良好、偏移少。產業實用性本發明的絕緣性膜可以合適地用作電容器的絕緣體。權利要求1.雙軸拉伸絕緣性膜，其中，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物和(ii)粒子，厚度方向的折射率為1.6050～1.6550。2.如權利要求1所述的膜，其中，含有(ii)0.01質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.5|um~3.0|Lim、粒徑比為1.0~1.3的J求狀交聯高分子粒子Al。3.如權利要求1所述的膜，其中，含有(ii-l)0.01質量1.5質量。/0的平均粒徑為0.6)iim~3.0|um、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的二氧化珪粒子A2，和(ii-2)0.05質量％~2.0質量°/0的平均粒徑為0.01|um~0.5|um、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒B2。4.如權利要求l所述的膜，其中，含有(ii)O.Ol質量％~5.0質量％的平均粒徑為0.01|um~3.0|Lim的微粒，和(iii)3質量％~48質量％的與苯乙烯系聚合物的介電常數差異為0.2以上的樹脂X。5.如權利要求1所述的膜，其中，含有(ii)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.2|im~3.0|Lim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性凝:粒A4,和(iii)O.l質量％~8質量％的抗氧化劑。6.雙軸拉伸絕緣性膜，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，和(ii)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.5|am~3.0|Lim、粒徑比為1.0-1.3的球狀交聯高分子粒子Al,厚度方向的折射率為1.6050~1.6550。7.如權利要求6所述的膜，其中，進一步含有(ii)0.05質量％~2.0質量％的平均粒徑為0.01|um~2.6^im、平均粒徑比球狀交聯高分子粒子Al的平均粒徑小0.4pm以上的惰性孩吏粒B1。8.如權利要求6所述的膜，其中，將球狀交聯高分子粒子Al用硅烷偶聯劑進行表面處理。9.如權利要求6所述的膜，其中，球狀交聯高分子粒子Al為硅氧烷樹脂粒子。10.如權利要求7所述的膜，其中，惰性微粒B1為粒徑比為1.0~1.3的球狀二氧化硅粒子。11.如權利要求6所述的膜，其中，膜厚為0.4fxm以上且小于6.5jum。12.電容器，使用權利要求6所述的膜。13.雙軸拉伸絕緣性膜，其中，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii-l)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.6|tim~3.0|im、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的二氧化硅粒子A2，和(ii-2)0,05質量％~2,0質量％的平均粒徑為0.01|um~0.5pm、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒B2，厚度方向的折射率為1.6050~1.6550。14.如權利要求13所述的膜，其中，二氧化硅粒子A2的平均粒徑比惰性^:粒B2的平均粒徑大0.3pm以上。15.如權利要求13所述的膜，其中，惰性微粒B2為無機微粒。16.如權利要求13所述的膜，其中，惰性微粒B2為粒徑比為1.0~1.3的球狀二氧化硅粒子。17.如權利要求13所述的膜，其中，二氧化硅粒子A2為粒徑比為1.0~1.3的球狀二氧化硅粒子。18.如權利要求13所述的膜，其膜厚為0.4pm以上且小于6.5|um。19.電容器，使用權利要求13所述的膜。20.雙軸拉伸絕緣性膜，其中，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii)0.01質量％~5.0質量％的平均粒徑為O.Olium~3.0|um的拔i粒，和(iii)3質量％~48質量％的與苯乙烯系聚合物的介電常數差異為0.2以上的樹脂X，厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。21.如權利要求20所述的膜，其中，樹脂X的熔點相對于所述苯乙烯系聚合物的熔點(Tms、單位。C),在(Tms-30)°C~(Tms+30)。C的范圍。22.如權利要求20所述的膜，其中，樹脂X為選自聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂和聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂中的至少一種。23.如權利要求20所述的膜，其中，微粒為(ii-l)0.01質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.6jum~3.0|Lim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒A3,進而含有(ii-2)0.05質量％~2.0質量％的平均粒徑為0.01|um~0.5iLim、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒B3，惰性微粒A3的平均粒徑比惰性微粒B3的平均粒徑大0.3|um以上。24.如權利要求23所述的膜，其中，惰性微粒A3為粒徑比為1.0~1.3的^M大粒子。25.如權利要求23所述的膜，其中，惰性微粒A3為球狀高分子樹脂粒子。26.如權利要求23所述的膜，其中，惰性微粒A3為球狀二氧化硅粒子。27.如權利要求23所述的膜，其中，惰性微粒B3為粒徑比為1.0-1.3的^M大二氧化石圭粒子。28.電容器，使用權利要求20所述的膜。29.雙軸拉伸絕緣性膜，其中，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物，(ii)O.Ol質量％~1.5質量％的平均粒徑為0.2ium3.0iam、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性微粒A4，和(iii)0.1質量％~8質量％的抗氧化劑，厚度方向的折射率為1.6050-1.6550。30.如權利要求29所述的膜，其中，含有0.05質量％~2.0質量％的平均粒徑為O.Olum-0.5|Lim、平均粒徑比惰性微粒A4的平均粒徑小0.2nm以上、粒徑的相對標準偏差為0.5以下的惰性孩i粒B4。31.如權利要求29所述的膜，其中，惰性微粒A4為粒徑比為1.0~1.3的^M大粒子。32.如權利要求29所述的膜，其中，惰性微粒A4為球狀高分子樹脂粒子。33.如權利要求29所述的膜，其中，惰性微粒A4為球狀二氧化硅粒子。34.如權利要求30所述的膜，其中，惰性微粒B4為粒徑比為1.0~1.3的球狀二氧化硅粒子。35.如權利要求29所述的膜，其中，抗氧化劑的熱分解溫度為250。C以上。36.如權利要求29所述的膜，其膜厚為0.4ium以上且小于6.5iLim。37.電容器，使用權利要求29所述的膜。全文摘要本發明的目的在于，提供具有高的絕緣擊穿電壓，耐熱性、操作性優異的絕緣性膜。本發明的雙軸拉伸絕緣性膜，含有(i)間規結構的苯乙烯系聚合物和(ii)粒子，厚度方向的折射率為1.6050～1.6550。文檔編號C08J5/18GK101679653SQ20088002102公開日2010年3月24日申請日期2008年6月19日優先權日2007年6月21日發明者中川大,升田重嘉,長谷川欣治申請人:帝人株式會社