專利名稱：苯胺無鉑或鈀自聚高分子膜的制備及化學鍍銅的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種苯胺無鉑或鈀自聚高分子膜的制備及化學鍍銅。
背景技術：
一般導電聚合物可分為復合型與結構型兩大類，前者依靠混合在高分 子絕緣體中的碳黑、金屬或電解質離子導電。后者依靠高分子本身產生的 導電載流子導電。導電高分子是指結構型導電聚合物或電活性高分子。目 前人們主要研究的導電高分子有聚對苯、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺和聚 苯基乙炔，其中聚苯胺倍受青睞。聚苯胺成為現在研究進展最快的導電 聚合物之 -。其原因在于聚苯胺具有許多獨特優勢a)原料易得，合成簡 單；b)擁有良好的環境穩定性；c)具有優良的電磁微波吸收性能、電化學 性能、化學穩定性及光學性能；d)獨特的摻雜現象等。其中聚苯胺膜已在很 多技術領域得到應用。然而聚苯胺不能融化，也難以溶解。即便本征態聚 苯胺也只能以很低的溶解度部分溶解在N-甲基吡咯烷酮中，這使得很難從 聚苯胺的粉末直接制備出聚苯胺膜，因此，如何制備聚苯胺膜具有重要的 研究價值。 一般聚苯胺膜的制備是通過電化學聚合，但該方法必須在導電 材料的基體上進行，制作面積較小，牢固度有限。還有一種方法是聚苯胺 的自催化聚合，即是無電沉積，有文獻報道該方法必須在具有催化活性的 鈀或鉑上進行。
發明內容
本發明的目的是提供一種苯胺無鉑或鈀自聚高分子膜的制備及化學鍍銅。
本發明是這樣來實現的，首先實現苯胺在陶瓷基片上的自催化聚合 按體積比為h 20將苯胺緩慢倒入0.6M硫酸溶液中，不停的攪拌直到苯胺
全部溶解為止。向燒杯里放入Y—三氧化二鋁陶瓷基片即可實現苯胺在陶 瓷基片上的自催化聚合；其次是陶瓷基的直接化學鍍銅采用單絡合劑的 化學鍍銅溶液的方法進行化學鍍。其實驗步驟是用一塊鍍好聚苯胺膜的 陶瓷基片放入到化學鍍銅溶液中，控制溫度到28。C左右并用氫氧化鈉調節 溶液pH值為12±0. 5之間。化學鍍銅溶液的組成為硫酸銅10g/l——15g/l， 酒石酸鉀鈉40g/l——60g/l，氫氧化鈉8g/l——14g/l，甲醛(質量分數37%): 10ml/l——15ml/l，亞鐵氰化鉀80mg/l——130mg/l，甲醇40ml/l — —80ml/l。
本發明的技術效果是不用鈀和鉑，直接在陶瓷基片上使苯胺自催化 聚合成膜，并在該膜上實現陶瓷的化學鍍銅，原料易得，價格低廉。
具體實施例方式
本發明的方法步驟為
第一步，苯胺在陶瓷基片上的自催化聚聚合將5ml苯胺緩慢倒入 100ml 0.6M硫酸溶液中，不停的攪拌直到苯胺全部溶解為止。向燒杯里放 入15cmX6cm的Y —三氧化二鋁陶瓷基片即可實現苯胺在陶瓷基片上的自 催化聚合。
第二步，在陶瓷基的直接化學鍍銅化學鍍銅溶液的配方分別為配 方h硫酸銅10g/l，酒石酸鉀鈉50g/l ， 氫氧化鈉10g/l，甲醛(質量分數 37%)10ml/l，— 亞鐵氰化鉀80mg/l，甲醇40ml/l;配方2:硫酸銅15 g/l，酒 石酸鉀鈉40g/1，氫氧化鈉8g/1，甲醛(質量分數30%) 15ml/l，亞鐵氰化 鉀80g/1，甲醇60ml/l;配方3:硫酸銅12g/1，酒石酸鉀鈉60g/l ， 氫氧化 鈉14g/l，甲醛(質量分數37°/。)12ml/l，亞鐵氰化鉀100mg/l，甲醇80ml/l， 將鍍好聚苯胺膜的陶瓷基片放入到上述配方的化學鍍銅溶液中，控制溫度 到28。C左右并用氫氧化鈉調節溶液pH值為12±0. 5之間。
權利要求
1、一種苯胺無鉑或鈀自聚高分子膜的制備及化學鍍銅，其特征是首先實現苯胺在陶瓷基片上的自催化聚合按體積比為1∶20將苯胺緩慢倒入0.6M硫酸溶液中，不停的攪拌直到苯胺全部溶解為止，向燒杯里放入γ-三氧化二鋁陶瓷基片即可實現苯胺在陶瓷基片上的自催化聚合；其次是陶瓷基的直接化學鍍銅采用單絡合劑的化學鍍銅溶液的方法進行化學鍍，其步驟是用一塊鍍好聚苯胺膜的陶瓷基片放入到化學鍍銅溶液中，控制溫度到28℃左右并用氫氧化鈉調節溶液pH值為12±0.5之間。
2、 根據權利要求1所述的苯胺無鉑或鈀自聚高分子膜的制備及化學鍍銅，其特征是化學鍍銅溶液的組成為硫酸銅10g/l——15g/l，酒石酸鉀鈉40g/l——60g/l，氫氧化鈉8g/l——14g/l，質量分數37%的甲醛10ml/l ——15ml/l，亞鐵氰化鉀80mg/l——130mg/l，甲醇40ml/l——80ml/l。
全文摘要
一種苯胺無鉑或鈀自聚高分子膜的制備及化學鍍銅，首先實現苯胺在陶瓷基片上的自催化聚合按體積比為1∶20將苯胺緩慢倒入0.6M硫酸溶液中，向燒杯里放入γ-三氧化二鋁陶瓷基片即可實現苯胺在陶瓷基片上的自催化聚合；其次是陶瓷基的直接化學鍍銅采用單絡合劑的化學鍍銅溶液的方法進行化學鍍，本發明的技術效果是不用鈀和鉑，直接在陶瓷基片上使苯胺自催化聚合成膜，并在該膜上實現陶瓷的化學鍍銅，原料易得，價格低廉。
文檔編號C08J5/18GK101195686SQ20071016903
公開日2008年6月11日 申請日期2007年12月26日 優先權日2007年12月26日
發明者吳光輝, 曾桂生 申請人:南昌航空大學