專利名稱：一種耐電暈聚酰亞胺薄膜及其制作方法
技術領域：
本發明涉及一種化學制品，具體地說是一種耐電暈聚酰亞胺薄膜 及其制作方法。
技術背景國內對耐電暈聚酰亞胺薄膜的研究，還處在高校或研究院所的試 驗室里做一些探討性的理論研究，遠遠沒有達到工業化生產的水平。 而對美國杜邦公司耐電暈聚酰亞胺薄膜分析，我們認為其在耐電暈性 能還不夠好。 發明內容針對以上的不足，本發明提供耐電暈聚酰亞胺薄膜及其制作方 法，具有良好的耐電暈性能，同時制作工藝優良，成品率高。為了達到以上目的，本發明采用以下技術方案， 一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，它主要包括均苯四曱酸二酐、4.4' 二氨基二苯基醚和納 米級金屬氧化物，所屬納米級金屬氧化物的粒徑《50納米。本發明的進一步優化為 一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，所述金屬氧 化物為二氧化鈥、三氧化二鋁和二氧化硅中的一種或多種。上述耐電暈聚酰亞胺薄膜的制作方法如下A) 聚酰亞胺酸溶液制作一一將均苯四甲酸二酐在反應蒼與溶 液N， N'二甲基乙酰胺均勻混合，然后加入4.4' 二M二苯基醚反 應生成聚酰亞胺酸溶液；B) 懸浮體制作一一在高速剪切分散器中將納米級金屬氧化物 (包括二氧化鈦、三氧化二鋁和二氧化硅中的一種或多種)與N, N'二甲基乙酰胺制成穩定均勻的懸浮體；C) 攪拌——將A步驟制作好的聚酰亞胺酸溶液和B步驟制作 好的懸浮體加入到混合釜中，利用超聲波機，充分攪4半均勻；D) 流涎——將C步驟制作好的均勻混合液加入到流涎機中流涎；E) 烘千一一將經D步驟流涎所得的物品去除溶劑N， N'二曱 基乙酰胺，然后在熱風循環烘房中烘干成膜；F ) 亞胺化處理一 一將經E步驟烘干制得的物品進行亞胺化處 理制得耐電暈聚酰亞胺薄膜。由于本發明采用以上技術方案，本發明具有以下優點由于本發 明采用了納米材料，同時在高速剪切分散器中將納米級金屬氧化物與 N, N'二甲基乙酰胺制成穩定均勻的懸浮體，所以產品用本發明制作 的耐電暈聚酰亞胺薄膜具有良好的耐電暈性能，同時制作工藝優良， 成品率高。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明作進一步說明 實施例一它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4' 二氨基二苯基醚和納米級金 屬氧化物，所屬納米級金屬氧化物的粒徑《50納米。所述金屬氧化物 二氧化鈦(也可以為三氧化二鋁或者二氧化硅，也可以是三者中的二種或三種的混合物)。各組份的配比為均苯四曱酸二肝與4.4' 二 氨基二苯基醚按摩爾比l: 1,以均苯四曱酸二酐與4. 4' 二氨基二苯 基醚混合物的重量為1，納米級金屬氧化物則為4%。 上述耐電暈聚酰亞胺薄膜的制作方法如下G) 聚酰亞胺酸溶液制作一一將均苯四曱酸二肝在反應釜與溶 液N, N'二甲基乙酰胺均勻混合，然后加入4.4' 二氨基二苯基醚反 應生成聚酰亞胺酸溶液；H) 懸浮體制作一一在高速剪切分散器中將納米級金屬氧化物 (包括二氧化鈦、三氧化二鋁和二氧化硅中的一種或多種)與N， N'二曱基乙酰胺制成穩定均勻的懸浮體(制作中加入表面活性劑和懸浮 劑)；I) 攪拌一 —將A步驟制作好的聚酰亞胺酸溶液和B步驟制作 好的懸浮體加入到混合釜中，利用超聲波機，充分攪」泮均勻；J )流涎一一將C步驟制作好的均勻混合液加入到流涎機中流涎；K) 烘干一一將經D步驟流涎所得的物品去除溶劑N, N'二曱 基乙酰胺，然后在熱風循環烘房中烘干，形成薄膜；L)亞胺化處理一一將經E步驟烘干制得的物品進^f于亞胺化處 理制得耐電暈聚酰亞胺薄膜。 實施例二同實施例一的一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，其不同點在于，以均苯 四曱酸二酐與4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量為1，納米級金屬氧化物則為8%。 實施例三同實施例一的一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，其不同點在于，以均 苯四甲酸二酐與4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量為1，納米級金 屬氧化物則為12%。 實施例四同實施例一的一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，其不同點在于，以均苯 四甲酸二酐與4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量為1，納米級金屬氧化物則為16%。除上述實施例外，本發明還可以有其他實施方式。凡采用等同替 換或等效變換形成的技術方案，均落在本發明要求的保護范圍內。
權利要求
1、一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4′二氨基二苯基醚和納米級金屬氧化物，所屬納米級金屬氧化物的粒徑≤50納米。
2、 根據權利要求1所述的一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，其特征在于所述金 屬氧化物為二氧化鈦、三氧化二鋁和二氧化硅中的一種或多種。
3、 根據權利要求2所述的一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，其特征在于所述均 苯四曱酸二酐、4.4' 二氨基二苯基醚和納米級金屬氧化物各組份的配比為， 均苯四曱酸二酐與4. 4' 二氨基二苯基醚按摩爾比1: 1,以均苯四甲酸二酐與 4.4' 二氨基二苯基醚混合物的重量為1，納米級金屬氧化物則為4-16%。
4、 一種耐電暈聚酰亞胺薄膜的制作方法為A )聚酰亞胺酸溶液制作一 一將均苯四曱酸二酐在反應釜與溶液N， N' 二曱 基乙酰胺均勻混合，然后加入4. 4' 二氨基二苯基醚反應生成聚酰亞胺酸溶液；B) 懸浮體制作一一在高速剪切分歉器中將納米級金屬氧化物與N, N'二曱 基乙酰胺制成穩定均勻的懸浮體，所述的納米級金屬氧化物包括二氧化鈦、三 氧化二鋁和二氧化石圭中的 一種或多種；C) 攪拌—一將A步驟制作好的聚酰亞胺酸溶液和B步驟制作好的懸浮體 加入到混合釜中，利用超聲波機，充分攪拌均勻；D) 流涎一一將C步驟制作好的均勻混合液加入到流涎機中流涎；E) 烘干一一將經D步驟流涎所得的物品去除溶劑N, N'二曱基乙酰胺然后 在熱風循環烘房中烘干成膜；F) 亞胺化處理一一將經E步驟烘干制得的物品進行亞胺化處理制得耐電 暈聚酰亞胺薄膜。
全文摘要
本發明涉及一種耐電暈聚酰亞胺薄膜，它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4′二氨基二苯基醚和納米級金屬氧化物，所屬納米級金屬氧化物的粒徑≤50納米。由于本發明采用以上技術方案，本發明具有以下優點由于本發明采用了納米材料，同時在高速剪切分散器中將納米級金屬氧化物與N，N′二甲基乙酰胺制成穩定均勻的懸浮體，所以產品用本發明制作的耐電暈聚酰亞胺薄膜具有良好的耐電暈性能，制作工藝優良，成品率高。
文檔編號C08K5/00GK101323672SQ20071002432
公開日2008年12月17日 申請日期2007年6月13日 優先權日2007年6月13日
發明者孫志榮, 浩 朱, 朱艾成, 楊廣生, 聶偉民, 許惠麟, 郭振報 申請人:江蘇冰城電材有限公司