半導體發光器件用部件及其制造方法、以及使用該部件的半導體發光器件的制作方法

專利名稱：：半導體發光器件用部件及其制造方法、以及使用該部件的半導體發光器件的制作方法
技術領域：
：本發明涉及新穎的半導體發光器件用部件及其制造方法、以及使用該部件的半導體發光器件。詳細地說，本發明涉及對紫外線和熱具有高耐久性、在透明性、密合性方面優異、具有高折射率、光取出效率也優異的半導體發光器件用部件及其制造方法以及使用了該部件的半導體發光器件。
背景技術：
：在發光二極管(lightemittingdiode，以下適宜簡稱為"LED")和半導體激光等半導體發光器件中，一般通過透明的樹脂等部件(半導體發光器件用部件)密封半導體發光元件。作為該半導體發光器件用部件，可以使用例如環氧樹脂。并且，已知通過使該密封樹脂中含有熒光體等顏料，可以對來自半導體發光元件的發光波長進行轉換等。但是，由于環氧樹脂的吸濕性高，所以存在如下問題在長時間使用半導體發光器件時，半導體發光元件會產生熱，該熱會導致裂紋的產生；因水分的浸入會導致熒光體或發光元件的劣化等。并且，近年還存在這樣的問題伴隨發射光波長的短波長化，環氧樹脂發生劣化而著色，因此在長時間點燈和高輸出的使用中半導體發光器件的輝度顯著降低。針對這些課題，使用了耐熱性、耐紫外光性優異的硅酮樹脂來作為環氧樹脂的替代品。但是，硅酮樹脂由于柔軟而易于擦傷，在密合性、透明性、耐候性方面還不充分。針對于此，作為耐熱性、耐紫外光性優異的材料提出了無機系密封材料以及使用了該材料的半導體發光器件(例如參見專利文獻15)。專利文獻1:日本特許第3275308號公報專利文獻2:日本特幵2003-197976號公報專利文獻3:日本特開2004-231947號公報專利文獻4:日本特開2002-33517號公報專利文獻5:日本特開2002-203989號公報但是，熔融玻璃等無機材料的處理溫度高，為350'C以上，對發光元件有損害，所以無法在工業上實現。并且，通過溶膠凝膠法制造的玻璃存在的問題是當其作為半導體發光器件用部件進行成型時，會由于固化收縮而導致裂紋的產生和剝離，因而尚未獲得厚膜狀態下的長期穩定的半導體發光器件用部件。例如，專利文獻1和專利文獻2中記載了使用4官能的垸氧基硅烷形成玻璃材料的技術。但是，對于由專利文獻1和專利文獻2所述的技術得到的無機材料而言，在將4官能的烷氧基硅烷的水解液涂布在半導體發光器件上并以不損害半導體發光器件性能的150'C左右的溫和的固化溫度固化數小時左右時，所得到的玻璃材料為通常含有十幾重量％以上的硅垸醇的不完全的玻璃體。因此，由專利文獻1和專利文獻2所述的技術不能得到如熔融法玻璃那樣真正僅由硅氧烷鍵形成的玻璃體。據推測，這是由于，與一般的有機樹脂不同，專利文獻1和專利文獻2中使用的無機材料的交聯點非常多，因此結構的束縛大，反應性末端游離而不能縮合。這樣的玻璃體不致密，并且其表面與硅膠同樣地處于親水性非常高的狀態，從而不具有充分的密封能力。另外，一般通過25(TC以上的加熱，這種難以反應的硅烷醇開始極少地一點點地減少，通常以350'C以上、優選40(TC以上的高溫燒制時可以使硅垸醇的量積極地減少。但是，即使想要利用該技術從專利文獻1和專利文獻2中記載的無機材料中除去硅烷醇，也會由于半導體發光器件的耐熱溫度通常為260'C以下而難以實現。進而，4官能的烷氧基硅垸由于脫水和脫醇縮合時脫離的成分量多，因而在本質上固化時的收縮率大。并且，由于4官能的烷氧基硅烷的交聯度高，所以通過干燥工序從一部分稀釋溶劑蒸發后的表面部分開始固化，在形成包含溶劑的硬的凝膠體后內部溶劑可能會釋放出，因此隨著溶劑蒸發，收縮量也增大。結果，專利文獻1和專利文獻2中所記載的無機材料會因收縮而產生大的內部應力，因而多會產生裂紋。因此，僅以4官能垸氧基硅垸為原料是難以獲得作為半導體發光器件用部件有用的大塊狀體或厚膜的。另外，例如專利文獻3中記載了以含有有機基團的硅垸化合物為原料通過溶膠凝膠法以良好的尺寸精度制作3維形狀的熒光體層的技術。但是，專利文獻3中沒有關于交聯度的詳細記載，并且，為獲得專利文獻3中所記載的無機材料，必須利用高濃度的熒光體顆粒，并且實質上是以該熒光體顆粒作為骨材發揮作用來維持3維形狀的，因此在無機材料中不含熒光體的情況中，不能得到透明且無裂紋的厚膜狀的玻璃狀涂布物。進而，專利文獻3所述的技術中，使用醋酸作為催化劑，由于并不將醋酸從所得到的無機材料中除去，因而醋酸會給半導體發光元件帶來不良影響。并且，在形成專利文獻3所述的無機材料的情況中，由于固化需要400'C的高溫，因而實際上是不可能與半導體發光器件同時進行加熱的，并且會因高溫時過度的縮合而使其結構中積存變形，從而無法抑制裂紋的產生。另外，例如在專利文獻4中記載了通過涂布無機涂料(所述無機涂料是通過在以二氧化硅或硅氧烷為骨架的無機物溶膠中混合無機光散射劑而得到的)來得到半導體發光器件用部件的技術。但是，專利文獻4所述的無機材料中必須具有無機光散射劑，并且在專利文獻4中并未對原料和制造方法進行詳細的記載，不能正確地再現技術。另外，例如專利文獻5中記載了通過涂布溶膠凝膠法玻璃來獲得半導體發光器件用部件的技術。但是，與專利文獻3同樣地，為了獲得專利文獻5所述的無機材料，必須利用熒光體。并且，盡管以該熒光體作為骨材發揮作用以使所得到的無機材料為厚膜，但其膜厚不能超過100fxm。并且在專利文獻5中并未記載原料和制法，難以利用普通的烷氧基硅烷穩定地再現技術。進而，作為半導體發光器件用部件所要求的特性，有高折射率。半導體發光體通常具有高折射率(折射率n=2.5左右)，其發出的光大多在與空氣(11=1.0)的界面產生全反射，被吸收于發光體內，因而只有極少的一部分發光取出至外部。在此，如果在發光體上設置具有兩者中間的折射率的透明層，則會減輕全反射而提高光輸出，可以得到高輝度的半導體發光器件。以往，用作半導體發光器件用部件的環氧樹脂的折射率為n=1.55左右，是有用的光取出材料。但是，由于近年的發射光波長的短波長化和高輸出化，環氧樹脂發生劣化，因此變得難以使用，希望開發出替代的樹脂。但是，硅酮樹脂和由溶膠凝膠法得到的玻璃等無機密封劑的折射率低，在11=1.41附近，不能獲得充分的輝度。并且，雖然開發出了導入有苯基的n=1.53附近的高折射率硅酮樹脂，但其與固化催化劑相互作用而易于導致苯基的改性/黃變、耐熱性差。進而，對于由不進行交聯度調整的現有的溶膠凝膠法得到的玻璃來說，其高折射率化相對容易，但易于引起裂紋/剝離，通常僅能形成薄膜，因此不能用作半導體發光器件用部件。如此，已經嘗試著通過導入高折射的有機基團或無機氧化物顆粒來進行高折射化，但是還沒有發現除具有高折射率外在透明性、耐裂紋性、密合性以及對熱/紫外光的耐久性方面保持良好平衡的半導體發光器件用部件。由于以上的背景，對高折射率且高耐久性的半導體發光器件用部件仍有需求。
發明內容本發明是鑒于上述課題而進行的。即，本發明的目的在于提供新穎的半導體發光器件用部件，所述部件具有高折射率，可以獲得光取出效率優異的高輝度的半導體發光器件，同時透明性、耐光性、耐熱性優異，即使長時間使用也不會產生裂紋和剝離，能夠密封半導體發光器件，保持熒光體。本發明人為了達成上述目的進行了反復深入的研究，結果發現，當將下述高分子用作半導體發光器件用部件時，可以提高光取出效率，同時可以形成厚膜，即使在厚膜部也能抑制裂紋的產生，進而密合性、耐熱性、透明性也優異，從而完成了本發明；所述高分子在固體Si-核磁共振(nuclearmagneticresonance:以下適宜地稱為"NMR，，)光譜中具有特定峰值，同時硅等特定元素的合計含量在特定值以上，并且在規定的條件下折射率在特定范圍。艮口，本發明的要點在于一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于.*(i)具有羥基或者能夠與金屬氧烷鍵(金屬氧烷乂夕口年廿:/，以金屬一氧一金屬為主鏈的化合物)中的氧形成氫鍵的官能團；(2)在200°C放置500小時，放置前后，波長400nm的光的透過率的維持率為80%110%;(3)以中心波長為400nm450nm且波長大于385nm小于等于500nm的光進行24小時的照射從而使波長436nm的照度為4500W/ii^后，目視確認沒有發生變化；(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上(權利要求1)。本發明的另一要點在于一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(5)在固體Si-核磁共振光譜中具有至少一個選自由下述(i)和(ii)組成的組中的峰，所述(i)是峰頂位置位于化學位移為-40ppm0ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm3ppm的峰，所述(ii)是峰頂位置位于化學位移大于等于-80ppm小于-40ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm5ppm的峰，同時，(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上，(2)在200。C放置500小時，放置前后，波長400nm的光的透過率的維持率為80°/。110%(權利要求2)。本發明的又一要點在于一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(5)在固體Si-核磁共振光譜中具有至少一個選自由下述(i)和(ii)組成的組中的峰，所述(i)是峰頂位置位于化學位移為-40ppm0ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm3ppm的峰，所述(ii)是峰頂位置位于化學位移大于等于-80ppm小于-40ppm的區域且峰的半峰寬為0,3ppm5ppm的峰，同時，(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上，(6難烷醇的含量為0.01重量％10重量％(權利要求3)。本發明的又一要點在于一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(5)在固體Si-核磁共振光譜中具有至少一個選自由下述(i)和(ii)組成的組中的峰，所述(i)是峰頂位置位于化學位移為-40ppm0ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm3ppm的峰，所述(ii)是峰頂位置位于化學位移大于等于-80ppm小于-40ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm5ppm的峰，同時，(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上，(7)Pt和Rh的合計含量為O.lppm以下(權利要求4)。在此，該半導體發光器件用部件優選具有兩個以上的上述峰(權利要求5)。另夕卜，該半導體發光器件用部件優選(8)Si、Al、Zr、Ti、Y、Nb禾口B的合計含量為20重量％以上(權利要求6)。另外，該部件在膜厚為l.Omm時于半導體發光器件的發射光波長下的光透過率優選為60%以上(權利要求7)。另外，該部件優選含有無機顆粒(權利要求8)。本發明的又一要點在于一種半導體發光器件用部件的制造方法，其是上述的半導體發光器件用部件的制造方法，該制造方法的特征在于，其具有對縮聚物進行干燥的工序，所述縮聚物是對下述通式(l)所示的化合物和/或其低聚物進行水解和縮聚而得到的，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(1)式(1)中，M表示選自硅、鋁、鋯和鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團，V表示有機基團，m表示l以上的整數，用于表示M的價數，n表示l以上的整數，用于表示X基團的個數，其中m^n(權利要求9)。本發明的又一要點在于一種半導體發光器件用部件的制造方法，其是上述的半導體發光器件用部件的制造方法，該制造方法的特征在于，其具有對縮聚物進行干燥的工序，所述縮聚物是對下述通式(2)所示的化合物和/或其低聚物進行水解和縮聚而得到的，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(2)式(2)中，M表示選自硅、鋁、鋯和鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團，y表示l價的有機基團，YZ表示u價的有機基團，s表示l以上的整數，用于表示M的價數，t表示ls—l的整數，u表示2以上的整數(權利要求10)。在此，水解率優選為80%500%(權利要求11)。另外，將得到的縮聚物干燥的工序優選具備第1干燥工序和第2干燥工序，在第1千燥工序中，在低于該溶劑的沸點的溫度實質性地去除溶劑;在第2干燥工序，在溶劑的沸點以上的溫度進行干燥(權利要求12)。另外，該制造方法優選具備蒸餾去除所述溶劑的工序，在該工序中，在對所述縮聚物進行干燥之前從所述縮聚物中蒸餾去除上述溶劑(權利要求13)。另外，優選在金屬絡合物催化劑的存在下進行水解和縮聚(權利要求14)。另外，本發明的又一要點在于一種半導體發光器件，該器件的特征在于，其至少具備上述的半導體發光器件用部件(權利要求15)。與現有的無機系半導體發光器件用部件相比，本發明的半導體發光器件用部件可以進行厚膜涂布，僅通過在半導體發光器件上進行涂布、干燥就可以容易地密封半導體發光器件，保持熒光體。并且，由于本發明的半導體發光器件用部件折射率高且是透明的，所以可以獲得高輝度的半導體發光器件。進而，本發明的半導體發光器件用部件由于以無機成分為主體，所以耐光性、耐熱性也優異，即使長期間使用也不會產生裂紋和剝離。圖1是表示實施方式A-l的示意性截面圖。圖2是表示實施方式A-2的示意性截面圖。圖3表示實施方式B-1，圖3(a)為示意性截面圖，圖3(b)為圖3(a)的要部放大圖。圖4是表示實施方式B-2的示意性截面圖。圖5是表示實施方式B-3的示意性截面圖。圖6是表示實施方式B-4的示意性截面圖。圖7是表示實施方式B-5的示意性截面圖。圖8是表示實施方式B-6的示意性截面圖。圖9是表示實施方式B-7的示意性截面圖。圖10是表示實施方式B-8的示意性截面圖。圖11是表示實施方式B-9的示意性截面圖。圖12是表示實施方式B-10的示意性截面圖。圖13是表示實施方式B-11的示意性截面圖。圖14是表示實施方式B-12的示意性截面圖。圖15是表示實施方式B-13的示意性截面圖。圖16是表示實施方式B-14的示意性截面圖。圖17是表示實施方式B-15的示意性截面圖。圖18是表示實施方式B-16的示意性截面圖。圖19是表示實施方式B-17的示意性截面圖。圖20是表示實施方式B-18的示意性截面圖。圖21是表示實施方式B-19的示意性截面圖。圖22是表示實施方式B-20的示意性截面圖。圖23是表示實施方式B-21的示意性截面圖。圖24是針對實施方式B-21示出的要部截面圖。圖25是表示實施方式B-22的示意性截面圖。圖26是針對實施方式B-22示出的要部截面圖。圖27是表示實施方式B-23的示意性截面圖。圖28是針對實施方式B-23示出的要部立體圖。圖29是表示實施方式B-24的示意性截面圖。圖30是針對實施方式B-24示出的要部截面圖。圖31是針對實施方式B-24示出的要部立體圖。圖32是表示實施方式B-25的示意性截面圖。圖33是表示實施方式B-26的示意性截面圖。圖34是表示實施方式B-27的示意性截面圖。圖35是表示實施方式B-28的示意性截面圖。圖36是表示實施方式B-29的示意性截面圖。圖37表示實施方式B-30，圖37(a)為示意性截面圖，圖37(b)為圖37(a)的要部放大圖。圖38是表示實施方式B-31的示意性截面圖。圖39是表示實施方式B-32的示意性截面圖。圖40是表示實施方式B-33的示意性截面圖。圖41是表示實施方式B-34的示意性截面圖。圖42是表示實施方式B-35的示意性截面圖。圖43是表示實施方式B-36的示意性截面圖。圖44是表示實施方式B-37的示意性截面圖。圖45是表示實施方式B-38的示意性截面圖。圖46是表示實施方式B-39的示意性截面圖。圖47是表示實施方式B-40的示意性截面圖。圖48是各實施方式的要部的其他構成例的說明圖。圖49(a)、圖49(b)均為各實施方式的基本概念的說明圖。圖50是示意性表示半導體發光器件的截面圖，其用于對以本發明的實施例和比較例所進行的輝度提高率的測定進行說明。符號說明1,1A，1B發光裝置(半導體發光器件)2發光元件3A透明部件(半導體發光器件用部件)3B熒光體部(半導體發光器件用部件)4a,4b從發光元件發射的光的一部分5摻雜在熒光體部的發光離子特有的波長的光ll模塑部12，13引線端子14鏡(杯部)15導電線16絕緣基板16a凹處17印刷配線18框材19密封部19a密封功能部19b透鏡功能部19c凹部19d貫通孔21發光層部23反射層24焊劑(vamp)33，34熒光體部35固體介質101杯102LED芯片103LED元件具體實施方式下面對本發明進行詳細說明，但本發明并不限于以下的實施方式，只要在其要點的范圍內，可以進行各種變更來實施。[L半導體發光器件用部件]本發明的第一方面的半導體發光器件用部件具有以下的特征(1)(4)。(1)具有羥基或可與金屬氧烷鍵中的氧形成氫鍵的官能團。(2)在20(TC放置500小時，放置前后，波長400nrn的光的透過率的維持率為80°/。110%。(3)以中心波長為400nm450nm且波長為大于385nm小于等于500nrn的光進行24小時的照射從而使波長436nm的照度為4500W/n^后，目視確認沒有發生變化。(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上。本發明的第二方面的半導體發光器件用部件具有上述的特征(2)和(4)以及以下的特征(5)。(5)在固體Si-核磁共振光譜中具有至少一個選自由下述(i)和(ii)組成的組中的峰，所述(i)是峰頂位置位于化學位移為-40ppm0ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm3ppm的峰，所述(ii)是峰頂位置位于化學位移大于等于-80ppm小于-40ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm5ppm的峰。本發明的第三方面的半導體發光器件用部件具有上述的特征(4)和(5)以及以下的特征(6)。(6)硅垸醇含量為0.01重量％10重量％。本發明的第四方面的半導體發光器件用部件具有上述的特征(4)和(5)以及以下的特征(7)。(7)Pt和Rh的合計含量為O.lppm以下。下面，以這些特征(1)(7)為中心，對本發明的第一第四方面的半導體發光器件用部件的特征進行說明。此外，以下的說明中不區別指出本發明的第一第四方面的半導體發光器件用部件時，簡單地稱為"本發明的半導體發光器件用部件"。(I-l.官能團)本發明的半導體發光器件用部件具有羥基或者可與金屬氧烷鍵中的氧形成氫鍵的官能團(特征(1))。上述的羥基和金屬氧烷鍵通常存在于陶瓷或金屬的表面。高輸出的半導體發光器件用的容器(后述的杯等；以下適宜地稱為"半導體發光器件容器")通常由陶瓷或金屬形成。并且，在陶瓷和金屬的表面通常存在羥基或金屬氧垸鍵。另一方面，本發明的半導體發光器件用部件通常具有該羥基或者可與金屬氧垸鍵中的氧形成氫鍵的官能團。因此，通過上述氫鍵，本發明的半導體發光器件用部件對于半導體發光器件容器的密合性優異。作為本發明的半導體發光器件用部件所具有的上述的羥基或可與金屬氧烷鍵中的氧形成氫鍵的官能團，可舉出例如硅烷醇和烷氧基等。此外，上述官能團可以是一種，也可以是兩種以上。此外，本發明的半導體發光器件用部件是否具有如上所述的羥基或可與金屬氧烷鍵中的氧形成氫鍵的官能團可通過固體Si-NMR、固體^-NMR、紅外線吸收光譜(IR)、拉曼光譜等光譜學的方法進行確認。(I-2.耐熱性)本發明的半導體發光器件用部件的耐熱性優異。即，所述部件具備即使在高溫條件下放置時具有預定波長的光的透過率也不易變動的性質。具體地說，本發明的半導體發光器件用部件在20(TC放置500小時，放置前后，波長400nm的光的透過率的維持率通常為80。/。以上、優選為90%以上、更優選為95%以上，并且通常為110°/。以下、優選為105%以下、更優選為100%以下(特征(2))。此外，上述的變動比可以通過基于紫外/可視分光光度計的透過率測定，與下面的〔I-3.耐UV性)中所述的透過率的測定方法相同地測定光透過率并由其測定值計算出。〔I-3.耐UV性〕本發明的半導體發光器件用部件的耐光性(耐UV(紫外光)性)優異。即，所述部件具有如下性質以中心波長為400nm450nm且波長大于385nm小于等于500nm的光進行24小時的照射從而使波長436nm的照度為4500W/n^后，目視確認沒有發生變化(特征(3))。所謂的"目視確認沒有發生變化"是指經目視沒有觀察到例如白色濁物、碳化、黃變、裂紋等被認為是由紫外線所致的劣化的變化。并且，本發明的半導體發光器件用部件具備即使在經UV(紫外光)照射時其對具有規定波長的光的透過率也不易發生變動的性質。具體地說，本發明的半導體發光器件用部件在以中心波長380nm、發射強度0.4kW/m2的光照射72小時的前后，波長400nm的光的透過率的維持率通常為80%以上、優選為90%以上、更優選為95%以上，并且通常為110%以下、優選為105%以下、更優選為100%以下。此外，上述的維持率可以用以下的方法測定半導體發光器件用部件的光透過率并由其測定值計算出。半導體發光器件用部件的光透過率可以通過例如以下方法，使用成型為膜厚lmm的平滑表面的單獨固化物膜的樣品，利用紫外分光光度計進行測定。(透過率的測定〕利用半導體發光器件用部件的厚度約lmm的平滑表面(無傷痕和凹凸所致的散射)的單獨固化物膜，使用紫外分光光度計(島津制作所制UV-3100)，在波長200nm800nm進行透過率測定。(I-4.折射率)本發明的半導體發光器件用部件的波長500nm的光的折射率通常為1.45以上、優選為1.5以上、更優選為1.55以上、進一步優選為1.6以上(特征(4))。折射率的上限不特別限制，但由于一般的發光器件的折射率約為2.5，所以折射率通常為2.5以下，從易于調整折射率的方面考慮，優選折射率為2.0以下。如果半導體發光器件用部件的折射率過小，則光取出效率與現有的半導體發光器件用部件相比有可能沒有提高。另一方面，半導體發光器件用部件的折射率大于發光器件的折射率時，光取出效率也沒有提高。〔折射率測定法)折射率除可以使用液浸法(固體對象)測定外，還可以使用浦耳弗里奇(Pulflich)折射計、阿貝(Abbe)折射計、棱鏡耦合法、衍射法、最小偏角法等公知的方法進行測定。本發明的折射率的測定波長為可見光中央區域的550nm，使用Abbe折射計等儀器時也可以選擇通用的鈉D線(589nm)。折射率存在波長依存性，但對于在550nm和589nm之間具有透明性的物質來說，其折射率變動幅度不因物質的不同而不同，并且變動幅度小，為0.002左右，即使利用589nm的光源，與550nm的測定值相比，其測定結果也相同。〔I-5.固體Si-NMR光譜)以硅為主成分的化合物用示構式Si02nH20表示，結構上具有如下結構在硅原子Si的四面體的各頂點結合有氧原子O，在這些氧原子O上進一步結合有硅原子Si,擴展為網狀。于是，以下所示的模式圖忽略上述的四面體結構，雖表示Si-0的網狀結構，但在Si-O-Si-O-的重復單元中也包括一部分氧原子0被其他成員(例如-H、^!13等)取代的情況，若著眼于其中的一個硅原子Si,則其存在模式圖(A)所示那樣的具有4個-OSi的硅原子Si(Q"、模式圖(B)所示那樣的具有3個-OSi的硅原子Si(Q3)等。在固體Si-NMR測定中，將基于上述各硅原子Si的峰依次稱為Q4峰、Q3峰、......。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>這些結合有4個氧原子的硅原子一般總稱為Q位。本發明中將源自Q位的(^(^4的各峰稱為Qn峰組。不含有機取代基的二氧化硅膜的Qn峰組作為通常在化學位移為-80-130ppm的區域以連續的多重峰的方式與之相對，結合有3個氧原子、并結合有l個氧原子以外的原子(通常為碳)的硅原子一般總稱為T位。源自T位的峰與Q位的情況相同，作為fTS各峰被觀測到。本發明中將源自T位的各峰稱為TT峰組。Tn峰組一般較Qn峰組在高磁場側(通常化學位移-80-40ppm)區域連續，作為多重峰被觀測到。進而，結合有2個氧原子并結合有2個氧原子以外的原子(通常為碳)的硅原子一般總稱為D位。源自D位的峰也與源自Q位和T位的峰組同樣地作為WDn各峰(Dn峰組)被觀測到，并且較(T和r峰組在更高磁場側區域(通常化學位移為0-40ppm區域)作為多重峰被觀測到。因為這些D11、Tn、Qn各峰組的面積之比分別與在對應于各峰組的環境中的硅原子的摩爾比相等，因而若將總峰面積設為全部硅原子的摩爾量，則D"峰組和Tn峰組的合計面積通常與全部硅的摩爾量相對應，所述全部硅為與碳原子(通常為與其相對的碳原子)直接鍵合的全部硅。如果對本發明的半導體發光器件用部件的固體Si-NMR光譜進行測定，則源自與有機基團的碳原子直接結合的硅原子的Dn峰組和T"峰組、以及源自沒有與有機基團的碳原子結合的硅原子的Qn峰組分別出現在不同的區域。如上所述，這些峰之中小于-80ppm的峰相當于Qn峰，-80ppm以上的峰相當于D11、T"峰。對于本發明的半導體發光器件用部件，Q"峰不是必需的，但在D"、Tn峰區域觀測到至少l個峰、優選2個以上的峰。此外，半導體發光器件用部件的化學位移的值可以利用例如在后述實施例的說明中所述的方法進行固體Si-NMR測定并基于其結果進行計算而得出。并且，測定數據的解析(半峰寬和硅烷醇量解析)可以利用使用例如高斯函數或洛倫茲(Lorentz)函數的波形分離解析等對各峰進行分割提取的方法來進行。本發明的半導體發光器件用部件發揮了優異的特性，能夠得到即使在厚膜部分也可致密地固化而不會產生裂紋、與殼體的密合性及芯片的密封特性優異、固化后對光/熱的耐久性優異的固化物，在這方面優選上述特征(5)的理由并不確定，但推測其理由如下。作為得到由無機玻璃形成的半導體發光器件用部件的方法，有如下方法熔融法，將低熔點玻璃熔融，進行密封；溶膠凝膠法，在較低溫度下涂布對烷氧基硅烷等進行水解和縮聚后所得的液體，并使其干燥固化。其中由熔融法得到的部件主要僅觀測到Qn峰，但熔融需要至少350'C以上的高溫，會使半導體發光器件發生熱劣化，所以不是現實的方法。另一方面，溶膠凝膠法中由4官能的硅垸化合物得到的水解縮聚產物為完全無機的玻璃，耐熱/耐候性極其優異，但在固化反應中會由于硅垸醇的縮合(脫水/脫醇)反應進行交聯，因而伴隨有脫水引起的組分重量減少、體積收縮。因此，如果原料僅由具有Qn峰的4官能的硅烷構成，則固化收縮的程度變得過大，覆膜上容易產生裂紋，不能厚膜化。對于這樣的體系，試圖通過添加無機顆粒作為骨材或是通過反復涂布來增加膜厚，但一般極限膜厚為10pm左右。使用溶膠凝膠玻璃作為半導體發光器件用部件時，需要在復雜形狀的配線部分上進行模塑，所以存在必須確保膜厚為5001000^m的課題。與之相對，本發明的半導體發光器件用部件中，為了調整交聯密度、使膜具有可撓性，導入具有T"峰的3官能硅烷和/或具有D"峰的2官能硅烷，同時進行水解和縮聚，由此可以在不妨礙功能的范圍內適度減少脫水縮合所致的體積減少量以及交聯密度，并且通過控制水解縮聚工序以及干燥工序，可以得到膜厚即使達到1000pm也為透明的玻璃膜狀的部件。因此，在本發明中，優選存在有于-80ppm以上觀測到的Tn峰和/或D"峰。作為如此地以2官能或3官能的原料為主成分進行厚膜化的方法，已知例如有眼鏡等的硬涂膜的技術，但其膜厚為幾以下。對于這些硬涂膜，由于膜的厚度較薄，因而溶劑易于揮發，可以均勻地固化，產生裂紋的主要原因為與基材的密合性以及線膨脹系數的不同。而與此相對，本發明的半導體發光器件用部件中，膜厚在涂料的水平來說很大，所以膜自身具有一定程度的強度，可以吸收一些線膨脹系數的不同，但溶劑的干燥會導致體積減少，因而與薄膜的情況不同，內部應力的產生成為新的課題。即，在LED的杯等開口面積窄的深型容器上進行模塑時，膜深部的干燥不充分，以該狀態進行加熱固化時，交聯后會引起溶劑揮發，使體積減小，因此產生大的裂紋和發泡。這樣的膜中帶有大的內部應力，測定該膜的固體Si-NMR時，檢測到的D11、Tn、Qn峰組與內部應力小的情況相比，硅氧烷鍵角存在差異，分別形成更寬的峰。該事實意味著，針對Si的由2個-0Si表示的鍵角的偏斜大。即由相同原料形成的膜中，這些峰的半峰寬越狹窄，則越難以引起裂紋，從而成為高品質的膜。此外，與偏斜對應的半峰寬變大的現象在Si原子的分子運動受限制的程度越大的情況下越敏銳地被觀測到，該現象出現的容易度為Dn<Tn<Qn。在本發明的半導體發光器件用部件中，在-80ppm以上的區域觀測到的峰的半峰寬具有比迄今為止利用溶膠凝膠法己知的半導體發光器件用部件的半峰寬范圍更小(狹窄)的特征。如果按照化學位移進行整理，則本發明中在大于等于-80ppm小于-40ppm觀測到峰頂位置的Tn峰組的半峰寬通常為5ppm以下、優選為4ppm以下，并且通常為0.3ppm以上、優選為lppm以上、更優選為1.5ppm以上的范圍。同樣，在-40ppm0ppm觀測到峰頂位置的D"峰組的半峰寬由于分子運動的束縛小所以全部較1"峰組的半峰寬小，通常為3ppm以下、優選為2ppm以下，并且通常為0.3ppm以上、優選為0,5ppm以上的范圍。如果在上述的化學位移區域觀測到的峰的半峰寬較上述的范圍大，則分子運動的束縛大，成為變形大的狀態，易于產生裂紋，有可能成為耐熱/耐候耐久性差的部件。例如，在較多地使用四官能硅烷的情況、或于干燥工序進行急速干燥蓄積了較大的內部應力的狀態等中，半峰寬范圍變得大于上述的范圍。另外，峰的半峰寬小于上述范圍的情況下，處于該環境中的Si原子不參與硅氧烷交聯，例如有如硅酮樹脂那樣交聯部分以Si-C鍵形成從而僅觀測到二甲基硅氧烷鏈的02峰的例子、以及三官能硅垸以未交聯狀態殘留的例子等，有可能成為耐熱/耐候耐久性方面劣于以硅氧烷鍵為主體形成的物質的部件。進而，如上所述，在本發明的半導體發光器件用部件的固體Si-核磁共振光譜中，在D11、Tn峰區域觀測到至少l個峰、優選觀測到2個以上的峰。因此，本發明的半導體發光器件用部件的固體Si-核磁共振光譜優選具有至少1個、優選2個以上選自由具有上述范圍的半峰寬的D"峰組和Tn峰組組成的組中的峰(特征(5))。(I-6.硅垸醇含量)本發明的半導體發光器件用部件具有硅氧烷骨架的情況中，硅垸醇含量通常為0.01重量％以上、優選為0.1重量％以上、更優選為0.3重量％以上，并且通常為10重量％以下、優選為8重量％以下、進一步優選為6重量％以下(特征(6))。通常，以烷氧基硅烷為原料通過溶膠凝膠法得到的玻璃體在150°C、3小時左右的溫和的固化條件下不會完全聚合形成氧化物，從而殘存有一定量的硅烷醇。僅由四烷氧基硅烷得到的玻璃體具有高硬度和高耐光性，但由于交聯度高所以分子鏈的自由度小，導致不完全縮合，因而殘存的硅烷醇的量多。并且，對水解縮合液進行干燥固化時，因交聯點多而快速變粘，干燥和固化同時進行，因而成為具有大的變形的塊狀體。如果使用這樣的部件作為半導體發光器件用部件，長期使用時會因殘存硅烷醇的縮合而產生新的內部應力，易于產生裂紋、剝離、斷線等不良現象。并且，在部件的斷裂面硅烷醇更多，雖然透濕性小，但表面吸濕性高，易于招致水分的浸入。雖然可以通過400'C以上的高溫燒制使硅烷醇含量減少，但是半導體發光器件的耐熱性大多在26(TC以下，所以這種方法不現實。另一方面，本發明的半導體發光器件用部件由于硅烷醇含量低，所以經時變化小、長期的性能穩定性優異、吸濕低，具有優異的性能。但是，完全不含硅垸醇的部件由于與半導體發光器件的密合性差，所以本發明中在硅烷醇含量方面如上所述存在最佳范圍。本發明的半導體發光器件用部件由于含有適當量的硅烷醇，所以在存在于器件表面的極性部分，硅垸醇進行氫鍵鍵合，發揮密合性。作為極性部分，可舉出例如，羥基、金屬氧垸鍵的氧等。另外，通過在適當的催化劑存在下對本發明的半導體發光器件用部件進行加熱，可以在與器件表面的羥基之間形成基于脫水縮合的共價鍵，進而可以發揮牢固的密合性。另一方面，硅烷醇如果過多，則如上所述，體系內變粘使涂布變困難，或是活性增高，在低沸點成分因加熱而揮發之前就發生固化，從而產生發泡和內部應力的增大，有可能導致裂紋的產生等。此外，半導體發光器件用部件的硅垸醇含量可以按下述方式計算出使用例如后述的方法進行固體Si-NMR光譜測定，由硅烷醇產生的峰的面積相對于總峰面積的比例求出全部硅原子中成為硅烷醇的硅原子的比例(％)，與另外迸行分析所得到的硅含量進行比較，由此計算出硅烷醇含(固體Si-NMR光譜測定和硅烷醇含量的計算)^t半導體發光器件用部件進行固體Si-NMR光譜測定時，首先以下述條件進行固體Si-NMR光譜測定和數據解析。其次，由硅垸醇產生的峰的面積相對于總峰面積的比例求出全部硅原子中成為硅烷醇的硅原子的比例(％)，與另外進行分析所得到的硅含量進行比較，由此求出硅烷醇含量。此外，測定數據的解析(硅烷醇量解析)通過使用例如高斯函數或洛倫茲函數的波形分離解析等對各峰進行分割提取的方法來進行。〔裝置條件例)裝置Chemagnetics社InfinityCMX-400核磁共振分光裝置29Si共振頻率79.436MHz探針7.5mmOCP/MAS用探針測定溫度室溫試樣轉速4kHz測定法單脈沖法^去耦頻率50kHz29Si翻轉角90°29Si90。脈沖寬5.0ps重復時間600s累積次數128次觀測頻率(観測幅)30kHz脈沖展寬因子20Hz(數據處理例)對于半導體發光器件用部件，取512點作為測定數據，通過補零(zerofilling)對8192點進行傅利葉轉換。〔波形分離解析例)對于傅利葉轉換后的光譜的各峰，以利用洛倫茲波形和高斯波形或兩者的混合所制成的峰形狀的中心位置、高度、半峰寬為可變參數，利用非線形最小二乘法進行最優化計算。此外，峰的鑒定參考AIChEJournal，44(5),p.1141，1998年等。另外，半導體發光器件用部件的硅烷醇含量也可以通過以下的IR測定求出。在此，盡管IR測定易于確定硅烷醇的峰，但其中峰的形狀為寬峰，容易出現面積誤差，定量作業時需要精確制作恒定膜厚的樣品等，過程繁雜，因此在進行嚴格定量的方面優選使用固體Si-NMR。使用固體Si-NMR測定硅烷醇量時，在硅烷醇的量非常微小而難以檢出的情況下、多個峰重疊難以分離硅烷醇的峰的情況下、未知試樣中硅垸醇峰的化學位移不清楚的情況下等，通過輔助地進行IR測定，可以確定硅烷醇的濃度。〔基于IR測定的硅烷醇含量的計算〕傅禾lj葉轉換紅夕卜分光法FourierTransformInfraredSpectroscopy裝置ThermoElectron制NEXUS670和Nic-Plan分解能4cm'1累積次數64次凈化N2測定例在Si晶片上涂布制作膜厚200pm的薄膜試樣，通過透過法對每個Si晶片測定紅外吸收光譜，求出頻率3751cm'1和3701cm"的硅烷醇峰的總面積。另一方面，將作為已知濃度試樣的三甲基硅烷醇稀釋在無水四氯化碳中，使用光程長200pm的液池通過透過法測定紅外吸收光譜，通過與實際樣品的峰面積比進行比較，可以計算出硅烷醇濃度。此外，在紅外吸收光譜中，源自樣品吸附水的峰會作為硅烷醇峰的背景被檢出，因而需采用在測定前將樣品薄膜在常壓下于150'C加熱20分鐘以上或于IOO'C真空處理10分鐘以上等方法預先除去吸附水。〔I-7.Pt和Rh的合計含量)本發明的半導體發光器件用部件中Pt和Rh的合計含量通常為O.lppm以下、優選為0.05ppm以下、更優選為O.Olppm以下(特征(7))。此外，所述合計含量的下限沒有限制，但通常優選為0ppm、即不含有Pt和Rh。Pt和Rh是在利用使用了羥基甲硅烷基化反應催化劑的羥基甲硅烷基化機理來合成后述的相當于化合物(1)和化合物(2)的單體、低聚物或預聚物時所衍生的可包含在本發明的半導體發光器件用部件中的成分。作為能夠用作羥基甲硅烷基化反應催化劑的鉑系催化劑，可舉出例如微粒狀鉑、氯化鉑酸、鉑二烯烴絡合物、鉑二酮絡合物、鉑膦絡合物、鉑二乙烯基四(二硅氧院)絡合物，對于銠也可使用相同的形式。這些催化劑參與羥基甲硅烷基化后進行微粒化，顯示出等離子體激元吸收。另外，在高溫環境中催化劑配體和催化劑自身的氧化會使部件發生黃變，在為了高折射化而導入了苯基的部件中會助長熱和紫外光所致的苯基的改性，形成聯苯等發色團。但是，本發明的半導體發光器件用部件通過如上所述抑制Pt和Rh的合計含量，可以獲得在長期使用時能抑制近紫外區的透過率降低的優點。此外，本發明的半導體發光器件用部件中的Pt和Rh的合計含量可以通過ICP分析法測定。如上所述，本發明的第一方面的半導體發光器件用部件具有上述的特征(1)(4)。并且，本發明的第二方面的半導體發光器件用部件具有上述的特征(2)、(4)和(5)。進而，本發明的第三方面的半導體發光器件用部件具有上述的特征(4)、(5)和(6)。而且，本發明的第四方面的半導體發光器件用部件具有上述的特征(4)、(5)和(7)。但是，本發明的第一第四方面的半導體發光器件用部件除具備各自對應的必須的特征外，還優選組合具備特征(1)(7)中的非必須的特征，其中，滿足上述全部特性(1)(7)的半導體發光器件用部件滿足本發明的第一第四方面的半導體發光器件用部件的要件，是更優選的。[1-8]其他物性本發明的半導體發光器件用部件以上述的特性為主要特征，優選其還具有下述其他的結構和性質。(1-8-1.特定金屬元素含量)本發明的半導體發光器件用部件優選含有與有機基團直接結合的硅以及提供高折射率氧化物的金屬元素。作為提供高折射率氧化物的金屬元素的例子，有例如Si(硅)、Al(鋁)、Zr(鋯)、Ti(鈦)、Y(乾)、Nb(鈮)以及B(硼)等，這些金屬元素可以單獨使用，也可以使用兩種以上。具體地說，本發明的半導體發光器件用部件優選以選自由Si(硅)、Al(鋁)、Zr(鋯)、Ti(鈦)、Y(紀)、Nb(鈮)以及B(硼)組成的組中的一種或兩種以上的元素作為構成成分的金屬氧垸鍵為主體。具體地說，這些Si、Al、Zr、Ti、Y、Nb和B(以下有時將其稱為"特定金屬元素")的合計含量通常為20重量％以上(特征(8))。現有的半導體發光器件用部件是以碳-碳和碳-氧鍵為基本骨架的環氧樹脂等有機樹脂。與此相對，本發明的半導體發光器件用部件的基本骨架是與玻璃(硅酸鹽玻璃)等相同的無機質的金屬氧烷鍵。由下述表1的化學鍵的比較表可知，該硅氧垸鍵所代表的金屬氧烷鍵具有作為半導體發光器件用部件優異的如下特征。(I)鍵能大，難以熱解/光解，所以耐光性良好。(II)有一些電極化。(III)鏈狀結構的自由度大，可以成為富有柔軟性的結構，硅氧垸鏈等金屬氧烷鏈可以圍繞中心自由旋轉。(IV)氧化度大，不進一步被氧化。(V)富有電絕緣性。表1化學鍵比較表<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>根據這些特征可以理解，硅氧烷鍵等金屬氧烷鍵通過三維的且以高交聯度結合的骨架所形成的硅酮系等的半導體發光器件用部件不同于環氧樹脂等現有的樹脂系半導體發光器件用部件，其為近似于玻璃或巖石等無機質的富有耐熱性和耐光性的保護被膜。特別是，以甲基為取代基的硅酮系等的半導體發光器件用部件在紫外區域不具有吸收，因而不易發生光解，耐光性優異。本發明的半導體發光器件用部件的特定金屬元素(Si、Al、Zr、Ti、Y、Nb和B)的合計含量如上所述為20重量％以上，其中優選為25重量％以上，更優選為30重量％以上。另一方面，作為上限，從確保半導體發光器件用部件的可撓性、不引起裂紋的產生和密合性不良的理由出發，該合計含量通常為70重量％以下的范圍。另外，本發明的半導體發光器件用部件具有關于固體Si-NMR光譜的上述的(5)的特征，由此可知，該部件通常至少含有上述特定金屬元素中的Si元素。其他的A1、Zr、Ti、Y、Nb和B這些元素都不是必須的，但從提高耐熱性的角度出發，優選含有A1或B，并且從高折射率化的角度出發優選含有Zr、Ti、Y或Nb，其中，為了用作具有藍色至紫外區域的發射光波長的半導體發光器件用部件，特別優選含有紫外線吸收少的Al、Zr、Y或B。對于特定金屬元素(Si、Al、Zr、Ti、Y、Nb、B)的存在形態，只要其在半導體發光器件用部件中相對于半導體發光器件的發射光波長為透明的，就可以以金屬氧烷鍵的形式形成均勻的玻璃層，也可以以顆粒狀存在于半導體發光器件用部件中。特定金屬元素以顆粒狀存在的情況中，其顆粒內部的結構可以為無定形狀，也可以為結晶結構，但為了賦予高折射率，優選為結晶結構。為了不損害半導體發光器件用部件的透明度，其粒徑通常小于等于半導體發光器件的發射光波長，優選為100nm以下、進一步優選為50nm以下、特別優選為30nm以下。具有最優選構成的一例是如下狀態以結合于有機基團的Si為主成分，并通過金屬氧垸鍵連結作為折射率提高劑或交聯度調整劑的Al、Zr、Ti、Y、Nb、B，作為折射率提高劑的結晶度高的Al、Zr、Ti、Y、Nb的氧化物顆粒以納米顆粒的形式分散在具有可撓性的無定形狀的粘合劑中。此外，半導體發光器件用部件中特定金屬元素的合計含量可以采用例如后述的實施例的說明中所述的方法進行電感耦合高頻等離子體分光(inductivelycoupledplasmaspectrometry,以下適宜簡稱為"ICP")分析，基于其結果進行計算。本發明的半導體發光器件用部件的組成被限定為體系內的交聯主要由以硅氧烷鍵為首的無機鍵合(特別是上述特定金屬元素的鍵合)來形成的情況。§卩，對于在大量有機成分中含有少量無機成分的半導體發光器件用部件，即使確認到-80ppm以上的上述半峰寬范圍的峰，也不能得到本發明所規定的良好的耐熱、耐光性和涂布性能。此外，對于本發明所規定的特定金屬元素的合計含量為20重量％以上的半導體發光器件用部件，可舉出例如僅含Si的例子，若以二氧化硅(Si02)進行換算，則其含有43重量。/。以上的Si02。(I-8-2.UV透過率)對于本發明的半導體發光器件用部件，當其膜厚為1.0mm時，其在半導體發光器件的發射光波長下的光透過率通常為60%以上、優選為70%以上、更優選為80%以上。對于半導體發光器件來說，可以利用各種技術提高其光取出效率，但用于密封芯片和保持熒光體的透光性部件的透明度低時，由于使用該部件的半導體發光器件的輝度減小，所以難以獲得高輝度的半導體發光器件產品。在此所謂"半導體發光器件的發射光波長"是根據半導體發光器件的種類而不同的值，但一般指通常為300nm以上、優選為350nm以上且通常為900nm以下、優選為500nm以下的范圍的波長。該范圍波長下的光透過率低時，半導體發光器件用部件吸收光，光取出效率降低，不能獲得高輝度的器件。另外，光取出效率降低部分的能量轉化為熱，成為器件熱劣化原因，所以是不優選的。此外，在近紫外藍色區域(350nm500nm)密封部件易于光劣化，所以對于在該區域具有發射光波長的半導體發光器件，如果使用耐久性優異的本發明的半導體發光器件用部件，則其效果增大，因此是優選的。另外，半導體發光器件用部件的光透過率可以利用例如實施例中所記載的方法，使用成型為膜厚l.Omm的平滑表面的單獨固化物膜的樣品，通過紫外分光光度計進行測定。另外，半導體發光器件的形狀各式各樣，大多數以超過0.1mm的厚膜狀態進行使用，但在將薄膜狀熒光體層(例如含有納米熒光體顆粒或熒光離子的厚度為幾的層)設置在遠離LED芯片(發光元件)的位置的情況中、或在將高折射光取出膜設置在LED芯片的正上面的薄膜上的情況中等，也存在以薄膜進行使用的用途。這種情況下，重要的是要在該膜厚時顯示出60%以上的透過率。即使在這樣的薄膜狀的應用方式中，本發明的半導體發光器件用部件也可以顯示出優異的耐光性、耐熱性，密封性能優異，并可穩定地成膜而沒有裂紋等。(1-8-3.其他)一般，對于環氧樹脂或硅酮樹脂等現有的半導體發光器件用部件，在為了高折射率化而含有無機氧化物顆粒和二氧化硅以外的玻璃成分等的情況下，由于顆粒的凝集等，所得到的半導體發光器件用部件易變得不透明，為了實現上述透過率，納米級的均一性是重要的。與此相對，對于本發明的半導體發光器件用部件，容易進行利用了溶膠凝膠反應的各種金屬元素的導入，在一定程度上可以實現不依賴于高折射率的金屬氧化物顆粒和有機基團的高折射率化。進而，固化前的涂布液與現有的樹脂相比分子量低，稍具親水性，具有能夠容易地使難以分散在現有的樹脂中的高折射率的金屬氧化物的納米顆粒進行分散的優點。特別是，作為高折射率的顆粒原料，不僅可適用易凝集的粉末狀納米顆粒，而且也可適用分散于甲醇等親水性溶劑中的粒徑更小且透明的納米顆粒溶膠，這是應該特別指出的優點。這樣，借助耐候性高的有機基團來調整交聯度，并導入硅以外的特定金屬元素，由此使基材部分在一定程度上高折射率化，進一步通過使基材部分含有高折射率的納米顆粒，從而可以獲得透明且耐熱性、耐候性等優異的高折射率的半導體發光器件用部件來替代現有的環氧樹脂等。此外，目的折射率低的情況中，不必一定使基材部分含有硅以外的金屬元素。相反地，基材部分可以不含有高折射的納米顆粒，而僅使用高折射化的基體部分。本發明的半導體發光器件用部件可以涂布成厚膜狀，透明性優異，并且密封性、耐熱性、耐紫外線性等也優異，所以適宜用作各種形狀的半導體發光器件用部件。特別是，對于在藍紫外區域具有發射光波長的半導體發光器件，所述部件可以用作劣化少的有用的部件。[II.半導體發光器件用部件的制造方法]制造本發明的半導體發光器件用部件的方法沒有特別限制，例如可以通過對后述的通式(1)或通式(2)所示的化合物進行水解和縮聚并對縮聚物(水解縮聚物)進行干燥而得到。另外，在使本發明的半導體發光器件用部件含有特定金屬元素的情況下，可以將含有特定金屬元素的通式(l)或通式(2)所示的化合物作為一部分原料進行水解和縮聚，或是根據需要在水解縮聚之前或之后添加至少含有上述特定金屬元素中的一種或兩種以上元素的高折射率的顆粒(以下適宜稱為"高折射率特定金屬氧化物顆粒)。并且，根據需要，可以使用溶劑，也可以不使用溶劑，可以在縮聚物的干燥之前將溶劑蒸餾除去。此外，在以下的說明中，將干燥工序前得到的上述水解縮聚物或含有該水解縮聚物的組合物稱為半導體發光器件用部件形成液。因此，通過此處說明的制造方法(以下適宜稱為"本發明的半導體發光器件用部件的制造方法")制造本發明的半導體發光器件用部件的情況下，由該半導體發光器件用部件形成液經干燥工序而得到的部件即為半導體發光器件用部件。以下，對該制造方法詳細說明。(II-l.原料〕作為原料，使用下述通式(l)所示的化合物(以下適宜稱為"化合物(l)")和/或其低聚物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>(1)通式(1)中，M表示選自由硅、鋁、鋯和鈦組成的組中的至少一種元素。其中優選硅。通式(1)中，m表示M的價數，為14的整數。并且，"m+"表示其為正的價數。n表示X基團的個數，為14的整數。其中m^n。通式(1)中，X是被溶液中的水或空氣中的水分等水解而生成富于反應性的羥基的水解性基團，可以任意使用以往公知的水解性基團。例如可舉出C1C5的低級垸氧基、乙酰氧基、丁酮肟基、氯基等。另外，此處Ci(i為自然數)這一標記表示碳原子數為i個。進而，X可以為羥基。并且，這些水解性基團可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例并用兩種以上。其中，由于C1C5的低級烷氧基在反應后所游離的成分為中性，因而優選C1C5的低級烷氧基。特別是，由于甲氧基或乙氧基富于反應性，游離出的溶劑為低沸點，因而優選甲氧基或乙氧基。進而，通式(1)中的X為乙酰氧基或氯基的情況下，由于水解反應后游離出醋酸或鹽酸，因而在用作必須要求絕緣性的半導體發光器件用部件時，優選添加去除酸性成分的工序。通式(1)中，^可以任意選擇使用公知的所謂硅垸偶聯劑的1價有機基團。此外，式中存在2個以上^時，這些^可以彼此相同，也可以不同。其中，本發明的通式(i)中作為V特別有用的有機基團為選自以下的YG所示的組(有用有機基團組)中的基團。<有用有機基團組^>YQ:由脂肪族化合物、脂環式化合物、芳香族化合物、脂肪芳香族化合物衍生的1價以上的有機基團。并且，屬于組YQ的有機基團的碳原子數通常為1以上，并且通常為1000以下、優選為500以下、更優選為100以下、進一步優選為50以下。進而，屬于組YQ的有機基團所具有的氫原子之中的至少一部分可以被下述舉出的原子和/或有機官能團等取代基所取代。此時，屬于組YQ的有機基團所具有的氫原子之中的兩個以上氫原子可以被下述取代基所取代，這種情況下，可以用選自下述所示的取代基中的一種或兩種以上的組合進行取代。作為可取代屬于組Ye的有機基團的氫原子的取代基的例子，可舉出F、Cl、Br、I等原子；乙烯基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、苯乙烯基、巰基、環氧基、環氧環己基、環氧丙氧基、氨基、氰基、硝基、磺酸基、羧基、羥基、酰基、垸氧基、亞氨基、苯基等有機官能團等。此外，在上述全部情況下，對于可與屬于組YG的有機基團所具有的氫原子進行取代的取代基之中的有機官能團，該有機官能團所具有的氫原子中的至少一部分可以被F、Cl、Br、I等鹵原子等取代。但是，作為可與屬于組YQ的有機基團的氫進行置換的取代基而例示出的取代基中，有機官能團作為易于導入的一例，可以根據使用目的導入具有其它各種物理化學功能性的有機官能團。并且，屬于組YG的有機基團在其中可以具有作為連接基團的0、N、或者S等各種原子或原子團。通式(l)中，Y1根據其目的可以從屬于上述有用有機基團組Y°的有機基團等中選擇各種基團，從耐紫外線性、耐熱性優異的方面考慮，優選以甲基和苯基為主體。并且，為了提高與構成半導體發光器件的各部件的親和性和密合性、或調整本發明半導體發光器件用部件的折射率，可以適宜地使用其他基團。如果列舉上述的化合物(l)的具體例，則作為M為硅的化合物，可舉出例如，二甲基二甲氧基硅垸、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅垸、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅垸、乙烯基三乙酰氧基硅垸、，氨基丙基三甲氧基硅烷、，環氧丙氧基丙基三甲氧基硅垸、Y-環氧丙氧基丙基三乙氧基硅垸、P-(3，4-環氧環己基)乙基三甲氧基硅烷、？(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基硅烷、Y-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙酰氧基硅烷、Y-巰基丙基三甲氧基硅烷、T"氯丙基三甲氧基硅烷、p-氰基乙基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅垸、甲基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅浣、甲基三丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷、二甲基二氯硅垸、二苯基二氯硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、三甲基甲氧基硅垸、三甲基乙氧基硅烷、三甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷、"氨基(7)7)丙基三乙氧基硅烷、4-氨基(7^/)丁基三乙氧基硅烷、對氨基苯基三甲氧基硅垸、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、氨基乙基氨基甲基苯乙基三甲氧基硅烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅垸、3-氨基丙基三乙氧基硅垸、4-氨基丁基三乙氧基硅垸、N-(6-氨基己基)氨基丙基三甲氧基硅垸、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-氯丙基三氯硅烷、(對氯甲基)苯基三甲氧基硅院、4-氯苯基三甲氧基硅垸、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸、苯乙烯基乙基三甲氧基硅垸、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅垸、三氟丙基三甲氧基硅烷等。另外，化合物(l)之中，作為M為鋁的化合物，可舉出例如，三異丙醇鋁、三正丁醇鋁、三叔丁醇鋁、三乙醇鋁等。另夕卜，化合物(l)之中，作為M為鋯的化合物，可舉出例如，四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四正丙氧基鋯、四異丙氧基鋯、四正丁氧基鋯、四異丁氧基鋯、四叔丁氧基鋯、二甲基丙烯酸酯二丁氧基鋯等。另外，化合物(l)之中，作為M為鈦的化合物，可舉出例如，四異丙氧基鈦、四正丁氧基鈦、四異丁氧基鈦、甲基丙烯酸酯三異丙氧基鈦、四甲氧基丙氧基鈦、四正丙氧基鈦、四乙氧基鈦等。其中，這些具體示例的化合物是容易獲得的市售的偶聯劑的一部分，更詳細地說，例如可以由科學技術綜合研究所發布的"偶聯劑最佳利用技術"第9章的偶聯劑和相關制品一覽表來示出。當然，本發明能使用的偶聯劑不受這些示例的限制。另外，可以與上述化合物(l)和/或其低聚物同樣地使用下述通式(2)所示的化合物(以下適宜稱為"化合物(2))和域其低聚物。(Ms+XtYV卜。UY2(2)通式(2)中，M、X和Y'分別獨立地表示與通式(1灘同的內容。特別是，作為Y1，與通式(l)的情況相同，可以根據其目的從屬于上述的有用有機基團組YG的有機基團等中選擇各種基團，從耐紫外線性、耐熱性優異的方面考慮，優選以甲基為主體。并且，通式(2)中，s和s+分別獨立地表示與通式(l)的m和m+同樣的含義。進而，在通式(2)中，f表示u價的有機基團。其中，u表示2以上的整數。因此，通式(2)中，f可以任意選擇使用公知的所謂硅烷偶聯劑的有機基團中的2價以上的基團。并且，通式(2)中t表示ls—l的整數。其中tSs。作為上述化合物(2)的例子，可舉出在各種有機聚合物或低聚物上結合有兩個以上作為側鏈的水解性甲硅烷基的化合物、在分子的兩個以上末端結合有水解性甲硅垸基的化合物等。以下舉出上述化合物(2)的具體例及其產品名。二(三乙氧基甲硅垸基丙基)四硫化物(信越化學制、KBE-846)■2-二乙氧基甲基乙基甲硅烷基二甲基-2-呋喃基硅垸(信越化學制、LS-7740),N，N，-雙[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺(chisso制、f"一，工一7(硅烷偶聯劑)XS1003)'N-縮水甘油基-N，N-二[3-(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]胺(東芝硅酮制、TSL8227)N-縮水甘油基-N,N-二[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺(東芝硅酮制、TSL8228)N,N-二[(甲基二甲氧基甲硅垸基)丙基]胺(東芝硅酮制、TSL8206).N,N-二[3-(甲基二甲氧基甲硅垸基)丙萄乙二胺(東芝硅酮制、TSL8212)N,N-二[(甲基二甲氧基甲硅烷基)丙基]甲基丙烯酰胺(東芝硅酮制、TSL8213)N,N-二[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]胺(東芝硅酮制、TSL8208)N，N-二[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺(東芝硅酮制、TSL8214)N，N-二[3-(三甲氧基甲硅垸基)丙基]甲基丙烯酰胺(東芝硅酮制、TSL8215)N，N',N"-三[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]異氰脲酸酯(HYDRUS化學制、12267-1)作為原料，可以使用化合物(l)、化合物(2)和域它們的低聚物。艮卩，本發明的制造方法中作為原料可以使用化合物(l)、化合物(l)的低聚物、化合物(2)、化合物(2)的低聚物以及化合物(1)與化合物(2)的低聚物中的任一物質。此外，作為原料使用化合物(1)的低聚物或化合物(2)的低聚物時，只要能獲得本發明的半導體發光器件用部件，其低聚物的分子量是任意的，但通常為400以上。在此，將化合物(2)和/或其低聚物用作主原料時，體系內的主鏈結構可能會變為有機結合主體，耐久性可能變差。因此，優選以主要用于賦予密合性、調整折射率、控制反應性、賦予無機顆粒分散性等賦予功能性的最小限度的用量使用化合物(2)。在同時使用化合物(l)和/或其低聚物(化合物(l)衍生的成分)、以及化合物(2)和域其低聚物(化合物(2)衍生的成分)時，原料的總重量中化合物(2)衍生的成分的用量比例優選通常為30重量°/。以下、優選為20重量％以下、進一步優選為10重量％以下。另外，在本發明的半導體發光器件用部件形成液和半導體發光器件用部件的制造方法中，使用化合物(1)或化合物(2)的低聚物作為原料時，可以預先準備低聚物，但也可以在制造工序中制備低聚物。即，可以以化合物(1)或化合物(2)那樣的單體為原料，在制造工序中暫時將其制成低聚物，由該低聚物進行后序反應。另外，作為結果，低聚物只要具有與由化合物(1)或化合物(2)這樣的單體得到的物質相同的結構即可，也可以使用具有這樣的結構的市售品。作為所述低聚物的具體例，可舉出例如如下所示的低聚物。<僅由2官能硅形成的低聚物的例子>GE東芝硅酮社制造的羥基末端二甲基聚硅氧烷，其中可舉出例如，XC96-723、XF3905、YF3057、YF3800、YF3802、YF3807、YF3897等。GE東芝硅酮社制造的羥基末端甲基苯基聚硅氧烷，其中可舉出例如，YF3804等。Gelest社制造的兩末端硅垸醇聚二甲基硅氧烷，其中可舉出例如，DMS-S12、DMS-S14等。Gdest社制造的兩末端硅烷醇二苯基硅氧垸-二甲基硅氧烷共聚物，其中可舉出例如，PDS-1615。Gelest社制造的兩末端硅烷醇聚二苯基硅氧烷，其中可舉出例如，PDS-9931。<含有3官能以上的硅的低聚物的例子〉信越化學工業制造的硅酮垸氧基低聚物(甲基/甲氧基型)，其中可舉出例如，KC-89S、KR-500、X-40-9225、X-40-9246、X-40-9250等。信越化學工業制造的硅酮烷氧基低聚物(苯基/甲氧基型)，其中可舉出例如，KR-217等。信越化學工業制造的硅酮烷氧基低聚物(甲基苯基/甲氧基型)，其中可舉出例如，KR-9218、KR-213、KR-510、X-40-9227、X-40-9247等。這些之中，僅由2官能硅形成的低聚物賦予本發明的半導體發光器件用部件以柔軟性的效果大，但僅利用2官能硅時機械強度往往變得不充分。因此，通過同時聚合由3官能以上的硅形成的單體或者含有3官能以上的硅的低聚物，本發明的半導體發光器件用部件可以獲得作為密封劑有用的機械強度。并且，具有硅垸醇作為反應性基團的低聚物事先無需水解，具有無需使用醇等溶劑作為用于加水的相溶劑的優點。此外，使用具有烷氧基的低聚物時，與以具有垸氧基的單體為原料時同樣地無需水解用水。進而，作為原料，可以僅使用這些化合物(l)、化合物(2)、及其低聚物之中的一種，也可以以任意組合和組成混合兩種以上。進而，可以使用預先進行了水解(即，通式(l)、(2)中X為OH基)的化合物(1)、化合物(2)及其低聚物。另外，本發明中，作為原料通常使用至少一種以上含有M為硅且具有至少一個有機基團^或有機基團￥2的化合物(1)、化合物(2)及其低聚物(包括水解物)。并且，由于優選體系內的交聯主要通過以硅氧烷鍵為首的無機成分形成，所以同時使用化合物(1)和化合物(2)時，優選化合物(l)為主體。并且，為獲得以硅氧垸鍵為主體的半導體發光器件用部件，優選使用化合物(l)和/或其低聚物作為原料的主體。進而，更優選這些化合物(l)的低聚物和/或化合物(2)的低聚物由以2官能為主體的組成構成。特別優選該化合物(l)的低聚物和/或化合物(2)的低聚物的2官能單元用作2官能低聚物。進而，化合物(l)的低聚物和/或化合物(2)的低聚物中，將2官能低聚物(以下適宜稱為"2官能成分低聚物")用作主體時，這些2官能成分低聚物的用量相對于原料總重量(即，化合物(l)、化合物(2)、及其低聚物的重量之和)通常為50重量％以上、優選為60重量％以上、更優選為70重量％以上。此外，用量的上限通常為97重量％。這是由于，使用2官能成分低聚物作為原料主體這一點是可以通過本發明的半導體發光器件用部件的制造方法容易地制造出本發明的半導體發光器件用部件的要因之一。下面對使用2官能成分低聚物作為原料主體的優點進行詳細說明。在例如現有的由溶膠凝膠法制造的半導體發光器件用部件中，使其原料水解和縮聚而得到的水解縮聚物(包括涂布液(水解液)中含有的水解縮聚物等)具有高反應活性。因此，如果不用醇等溶劑稀釋其水解縮聚物，則體系內進行聚合，立刻固化，從而使成型和操作變得困難。例如，以往不用溶劑稀釋的情況下，溫度為4(TC5(TC左右時就發生固化。因此，為了確保水解后得到的水解縮聚物的操作性，必須使水解縮聚物中共存有溶劑。并且，如果以水解縮聚物中共存有溶劑的狀態進行水解縮聚物的干燥固化，則其在固化時因脫水縮合而收縮，并且夾雜有脫溶劑所致的收縮(脫溶劑收縮)。因此，現有的半導體發光器件中，固化物的內部應力易于變大，易于產生由該內部應力引起的裂紋、剝離、斷線等。進而，為了使半導體發光器件用部件柔軟化而緩和上述的內部應力時多使用2官能成分單體作為原料，而此時縮聚物中的低沸點環狀物有可能增多。由于低沸點環狀物在固化時會揮發，所以如果低沸點環狀物增多，則重量有效利用率會降低。并且，低沸點環狀物從固化物中揮發，有時成為應力發生的原因。進而，含有較多的低沸點環狀物的半導體發光器件用部件的耐熱性有可能會變低。由于這些理由，以往，半導體發光器件用部件難以作為性能良好的彈性體狀固化物來獲得。與此相對，本發明的半導體發光器件用部件的制造方法中，作為原料，使用以另外的體系(即，不參與水解縮聚工序的體系)預先將2官能成分低聚化并蒸餾除去了不具有反應性末端的低沸點雜質的物質。因此，即使使用較多的2官能成分(g卩，上述的2官能成分低聚物)，這些低沸點雜質也不會揮發，可以實現固化物重量有效利用率的提高，同時可以獲得性能良好的彈性體狀固化物。進而，通過以2官能成分低聚物為主原料，可以抑制水解縮聚物的反應活性。據推測這是由于水解縮聚物的空間位阻和電子效果、以及與使用了2官能成分低聚物相伴隨的硅垸醇末端量的降低所致的。通過抑制反應活性，即使不共存有溶劑，水解縮聚物也可以固化，因此可以將水解縮聚物設定為一液型的無溶劑體系。并且，通過降低水解縮聚物的反應活性，可以使固化開始溫度高于以往。因此，當水解縮聚物中共存有不高于水解縮聚物的固化開始溫度的溶劑時，對水解縮聚物進行干燥時，在水解縮聚物開始固化之前，溶劑就會揮發。由此，即使在使用溶劑的情況下，也能夠抑制脫溶劑收縮引起的內部應力的產生。〔1I-2.水解縮聚工序)本發明中，首先使上述的化合物(l)和/或化合物(2)、和/或其低聚物發生水解縮聚反應(水解縮聚工序)。該水解縮聚反應可以通過公知的方法進行。此外，以下沒有適宜地區別指出化合物(1)和化合物(2)以及低聚物時，稱為"原料化合物"。為進行原料化合物的水解縮聚反應而使用的水的理論量基于下式(3)所示的反應式，其為體系內的水解性基團的總量的1/2摩爾比。2X=Si-X+H20—三Si-O-Sis+2XXH(3)此外，上述式(3)是以通式(1)、(2)的M為硅的情況為例來表示的。并且，"sSi"和"S^"是省略了硅原子所具有4個結合鍵中的3個來表示的。本說明書中，以該水解時必需的水的理論量、即相當于水解性基團的總量的1/2摩爾比的水的量為基準(水解率100%)，水解時使用的水的量用相對于該基準量的百分率、S卩"水解率"來表示。本發明中，用上述的水解率來表示為了進行水解縮聚反應而使用的水量時，該水量通常為80%以上，其中優選100%以上的范圍。水解率較該范圍小時，水解/聚合不充分，固化時的原料可能會揮發，或者固化物的強度可能變得不充分。另一方面，水解率超過200%時，在固化途中，體系內常殘存游離水，使芯片或熒光體因水分而劣化，或者杯部會吸水，可能會成為固化時發泡、產生裂紋、剝離的原因。但是，水解反應中重要的是以100%左右以上(例如80%以上)的水進行水解縮聚，如果涂布前附加除去游離水的工序，則可以應用超過200%的水解率。此時，如果使用過于大量的水，則應該除去的水量和作為相溶劑使用的溶劑的量增加，濃縮工序變得繁雜，并且過度進行縮聚會使部件的涂布性能降低，因而水解率的上限通常為500%以下，其中理想的是300%以下、優選為200%以下的范圍。對原料化合物進行水解縮聚時，優選共存有催化劑等以促進水解縮聚。此時，作為所使用的催化劑，可以使用例如，醋酸、丙酸、丁酸等有機酸；硝酸、鹽酸、磷酸、硫酸等無機酸；有機金屬化合物催化劑等。并且，催化劑可以使用一種，也可以以任意的組合和比例并用兩種以上。其中，當制作與半導體發光器件直接接觸的部分所使用的部件時，優選對絕緣特性影響小的有機金屬化合物催化劑。在此，所謂有機金屬化合物催化劑不只是指由有機基團與金屬原子直接結合形成的狹義的有機金屬化合物構成的催化劑，還包括由有機金屬絡合物、金屬醇鹽、有機酸與金屬的鹽等廣義的有機金屬化合物構成的催化劑。有機金屬化合物催化劑中，優選含有至少一種選自鋯、錫、鋅和鈦中的元素的有機金屬化合物催化劑，更優選含有鋯的有機金屬化合物催化劑。作為其具體例，作為含有鋯的有機金屬化合物催化劑的例子，可舉出四乙酰丙酮鋯、三丁氧基乙酰丙酮鋯、二丁氧基二乙酰丙酮鋯、四正丙氧基鋯、四異丙氧基鋯、四正丁氧基鋯、有機酸鋯(zirconiumacylate)、三丁氧基硬脂酸酯鋯等。另外，作為含有鈦的有機金屬化合物催化劑的例子，可舉出四異丙氧基鈦、四正丁氧基鈦、鈦酸丁酯二聚物、四辛基鈦酸酯、乙酰丙酮鈦、辛二醇酸鈦(titaniumoctyleneglycolate)、乙酰乙酸乙酯鈦等。另外，作為含有鋅的有機金屬化合物催化劑的例子，可舉出三乙酰丙酮鋅等。另外，作為含有錫的有機金屬化合物催化劑的例子，可舉出四丁基錫、單丁基三氯化錫、二丁基二氯化錫、二丁基氧化錫、四辛基錫、二辛基二氯化錫、二辛基氧化錫、四甲基錫、二丁基月桂酸錫、二辛基月桂酸錫、二(2-乙基己酌錫、二(新癸酸)錫、二正丁基二(乙基己基馬來酸)錫、二-正丁基二(2,4-戊二酮)錫、二正丁基丁氧基氯化錫、二正丁基二乙酰氧基錫、二正丁基二月桂酸錫、二甲基二新癸酸酯錫等。此外，這些有機金屬化合物催化劑可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例使用兩種以上。通過使用上述優選的有機金屬化合物催化劑，在對原料化合物進行水解縮聚時，可以抑制作為副產物的低分子環狀硅氧烷的生成，以高的有效利用率合成半導體發光器件用部件形成液。并且，通過使用該有機金屬化合物催化劑，本發明的半導體發光器件用部件可以實現高耐熱性。其理由雖然不清楚，但認為上述有機金屬化合物不僅簡單地作為催化劑促進原料化合物的水解縮聚反應，而且可以在水解縮聚物及其固化物的硅垸醇末端進行臨時的結合/解離，以此來調整含有硅烷醇的聚硅氧烷的反應性，具有高溫條件下(i)防止有機基團的氧化、(ii)防止聚合物間不需要的交聯、(m)防止主鏈的切斷等的作用。以下，對這些作用(i)(iii)進行說明。作為(i)防止有機基團的氧化，在由于熱的作用而在例如甲基上產生自由基時，有機金屬化合物催化劑的過渡金屬具有補足自由基的效果。另一方面，該過渡金屬自身因自由基補足而失去離子價數，從而與氧作用，防止有機基團的氧化。據推測，其結果為抑制了半導體發光器件用部件的劣化。作為(ii)防止聚合物間不需要的交聯，例如當甲基受到氧分子的氧化時會變為甲醛，并生成與硅原子相結合的羥基。若這樣得到的羥基之間脫水縮合，則可在聚合物間形成交聯點，交聯點增加時，本來為橡膠狀的半導體發光器件用部件有可能變硬、變脆。但據推測，當使用有機金屬化合物催化劑時，該催化劑與硅垸醇基結合，由此可以防止熱分解所致的交聯的進行。作為(iii)防止主鏈的切斷等，據推測，有機金屬化合物催化劑可與硅烷醇結合，由此對硅烷醇的分子內攻擊所致的聚合物主鏈的切斷和環狀硅氧烷的生成所致的加熱時的重量減少進行抑制，耐熱性得到提高。有機金屬化合物催化劑的優選配合量可根據所使用的催化劑的種類適宜選擇，相對于進行水解縮聚的原料的總重量，該配合量通常為0.01重量％以上、優選為0.05重量％以上、進一步優選為0.1重量％以上，并且通常為5重量％以下、優選為2重量％以下、特別優選為1重量％以下。有機金屬化合物催化劑過少時，有可能固化花費過多時間或者由于固化不充分而不能獲得充分的機械強度和耐久性。另一方面，有機金屬化合物催化劑過多時，有可能固化過快而難以控制作為固化物的半導體發光器件用部件的物性，或者催化劑不能溶解分散而析出從而損害半導體發光器件用部件的透明度，或者催化劑自身帶進的有機物量增多而使所得到的半導體發光器件用部件在高溫使用時著色。這些有機金屬催化劑可以在水解縮合時一次性混入至原料體系中，也可以分批進行混合。并且，在水解縮聚時為了溶解催化劑可以使用溶劑，也可以直接將催化劑溶解在反應液中。但是，作為半導體發光器件用形成液進行使用時，為了防止固化時的發泡和由熱所致的著色，優選在水解縮聚工序后嚴格地蒸餾除去上述的溶劑。上述原料化合物的水解縮聚物(縮聚物)優選為液態。但是，即使為固體狀的水解縮聚物，只要可通過使用溶劑而成為液態，就可以使用。水解縮聚反應時體系內分液而成為不均一的體系時，可以使用溶劑。作為溶劑，可以任意使用C1C3的低級醇類、二甲基甲酰胺、二甲亞砜、丙酮、四氫呋喃、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁酮、其他能與水均一混合的溶劑，其中優選不顯示出強酸性或堿性的溶劑，這是由于該類溶劑不會對水解縮聚帶來不良影響。溶劑可以單獨使用一種，也可以并用兩種以上。溶劑的用量可以自由選擇，但由于在半導體發光器件上進行涂布時必須除去溶劑，所以優選將其設定為必要最低限的量。并且，由于容易除去溶劑，所以優選選擇沸點為IO(TC以下、更優選為80'C以下的溶劑。此外，即使不從外部添加溶劑，在水解反應中也會生成醇等溶劑，因而即使反應初始時體系不均一，有時在反應中也能變為均一體系。上述原料化合物的水解縮聚反應在常壓實施時，通常在室溫以上、優選為40。C以上且通常為120'C以下、優選為IOO'C以下的范圍進行。通過在加壓下維持液相，可以在更高的溫度進行反應,但優選不超過150'C。水解縮聚反應時間因反應溫度不同而不同，但通常實施0.1小時以上、優選1小時以上、進一步優選3小時以上且通常100小時以下、優選20小時以下、進一步優選15小時以下。在以上的水解縮聚條件中，如果時間變短或溫度過低，則由于水解聚合不充分而有可能在固化時原料揮發，固化物的強度變得不充分。并且，如果時間過長或溫度過高，則聚合物的分子量增高，體系內的硅烷醇量減少，在涂布時產生密合性不良、固化過快，使固化物的結構變得不均一，易于產生裂紋。基于以上的傾向，優選根據所期望的物性值適宜選擇條件。上述水解縮聚反應結束后，將所得到的水解縮聚物保存在不高于室溫的溫度直至進行使用，但在這段期間所得到的水解縮聚物仍會緩慢地進行縮聚，因而特別是在欲作為厚膜狀部件進行使用時，從上述的利用加熱所進行的水解縮聚反應結束的時刻開始計算，優選在室溫保存通常60天以內、優選30天以內、進一步優選15天以內就供于使用。根據需要可以通過在不結凍的低溫進行保存，從而延長該保存時間。〔11-3.高折射率特定金屬氧化物顆粒的添加)添加高折射率特定金屬氧化物顆粒的情況下，其種類不受特別限制，只要含有至少一種以上的上述特定金屬元素的顆粒即可，但通常使用由特定金屬元素的氧化物形成的顆粒(金屬氧化物顆粒)。作為添加高折射率特定金屬氧化物顆粒的方法，可舉出以粉末狀單獨添加至水解縮聚反應液中的方法、與溶劑一起以水系或溶劑系的溶膠的形式添加至水解縮聚液中的方法等。可以采用這些方法中的任一方法，但為了獲得透明的半導體發光器件用部件，以粒徑小的高分散的溶劑系溶膠的形式進行添加的方法是最簡便的。對于高折射率特定金屬氧化物顆粒，在其結晶的分散狀態為穩定狀態的情況下，可以將其直接導入至半導體發光器件用部件中，獲得顯著的高折射率化的效果，所以是優選的。另外，分散狀態為不穩定狀態的情況下，可以同時存在有用于穩定分散的配體。并且，在高折射率特定金屬氧化物顆粒的表面具有催化劑活性從而有可能損害半導體發光器件用部件的有機基團部分的耐熱性、耐光性的情況下，以及由于該表面與基體部分的親和性低而易于引起凝集的情況下，可以在高折射率特定金屬氧化物顆粒的表面適宜設置公知的涂布層。這些情況下，優選配體和涂布層自身耐熱性、耐光性優異。而且，一般這樣的配體和涂布層大多折射率較低，所以優選涂布層的用量限于必要最低限。添加高折射率特定金屬氧化物顆粒的時機不特別限制，可以在對上述的原料化合物進行水解縮聚之前添加(前添加法)，也可以在之后添加(后添加法)。在采用后添加法時若水解縮聚后的反應液與高折射率特定金屬氧化物顆粒的親和性差從而在固化時引起高折射率特定金屬氧化物顆粒的凝集的情況下，則優選采用前添加法。如果在高折射率特定金屬氧化物顆粒的共存下進行原料化合物的水解縮聚，則在顆粒的表面生成基于半導體發光器件用部件自身的涂布層，可以穩定地進行涂布和固化。從利用少量高折射率特定金屬氧化物顆粒即可使半導體發光器件用部件的折射率提高的方面考慮，該高折射率特定金屬氧化物顆粒的折射率通常為1.6以上、優選為1.8以上、更優選為1.9以上。〔11-4.蒸餾去除溶劑)作為原料化合物使用2官能的低聚物作為主成分、且在上述的水解縮聚工序中使用溶劑的情況下，通常優選在固化前蒸餾去除溶劑(蒸餾去除溶劑工序)。此時，蒸餾去除溶劑后的水解縮聚物通常成為液態。以往，如果蒸餾去除溶劑，則水解縮聚物固化，因而難以對水解縮聚物進行處理。但是，如果使用2官能成分低聚物，則可以對水解縮聚物的反應性進行抑制，因而即使在固化前蒸餾去除溶劑，水解縮聚物也不會固化，可以進行溶劑的蒸餾去除。通過在固化前蒸餾去除溶劑，可以防止脫溶劑收縮所致的裂紋、剝離、斷線等。此外，通常在溶劑的蒸餾去除時也可以將水解中所用的水蒸餾去除。并且，在蒸餾去除的溶劑中還包括對上述通式(l)、(2)所示的原料化合物進行水解縮聚反應所生成的用XH等表示的溶劑。蒸餾去除溶劑的方法是任意的，只要不明顯損害本發明的固化即可。但是要避免以水解縮聚物的固化開始溫度以上的溫度進行溶劑的蒸餾去除。如果列舉進行溶劑的蒸餾去除時的溫度條件的具體范圍，則該溫度通常為60'C以上、優選為80'C以上、更優選為100。C以上，并且通常為150。C以下、優選為130'C以下、更優選為120。C以下。所述溫度低于該范圍的下限時，溶劑的蒸餾去除有可能變得不充分，超出上限時，水解縮聚物有可能凝膠化。另外，進行溶劑的蒸餾去除時的壓力條件通常為常壓。進而，可以根據需要進行減壓以使溶劑蒸餾去除時的反應液沸點不會達到固化開始溫度(通常為12(TC以上)。并且，壓力的下限為不會使水解縮聚物的主成分餾出的程度。一般可以在高溫/高真空條件下高效率地對低沸點成分進行蒸餾去除，但在低沸點成分為微量而由于裝置的形狀不能精確地使其蒸餾去除的情況下，高溫操作會使聚合進一步進行，分子量有可能過高。進而，在使用規定種類的催化劑時，若將其長時間用于高溫反應，則其會失活，有可能難以對半導體發光器件用部件形成液進行固化。因此，在這些情況等中，可以根據需要通過吹入氮或進行水蒸氣蒸餾等在低溫常壓下蒸餾去除低沸點成分。即使在進行減壓蒸餾去除或吹入氮等任一情況下，也優選以不使水解縮聚物的主成分本體餾出的形式利用前段的水解縮聚反應預先適度增加分子量。使用通過這些方法充分除去了溶劑、水分、低分子環狀硅氧垸副產物、溶存空氣等低沸點成分的半導體發光器件用形成液所制造的半導體發光器件用部件可以減少因低沸點成分氣化所致的固化時發泡和高溫使用時從器件的剝離，所以是優選的。但進行溶劑的蒸餾去除并不是必須的操作。特別是使用沸點小于或等于水解縮聚物的固化溫度的溶劑的情況下，在水解縮聚物的固化中，水解縮聚物的固化開始前溶劑就會揮發，所以即使不特別地進行蒸餾去除溶劑的工序，也能防止脫溶劑收縮所致的裂紋等的生成。但是，溶劑的揮發會使水解縮聚物的體積發生變化，因而從精密控制半導體發光器件用部件的尺寸和形狀的方面考慮，優選進行溶劑的蒸餾去除。(n-5.干燥)通過對由上述的水解縮聚反應得到的水解縮聚物進行干燥(干燥工序)，可以得到本發明的半導體發光器件用部件。該水解縮聚物如上所述通常為液態，但通過將其以裝入目的形狀的模型中的狀態進行干燥，可以形成具有目的形狀的本發明的半導體發光器件用部件。并且，通過將該水解縮聚物涂布在目的部位，以該狀態進行干燥，可以在目的部位直接形成本發明的半導體發光器件用部件。此外，本說明書中將該液態的水解縮聚物適宜地稱為"水解縮聚液"或"半導體發光器件用部件形成液"。并且在干燥工序中溶劑并不一定氣化，這里其包括具有流動性的水解縮聚物失去流動性而固化的現象，將其稱為干燥工序。因此，不伴隨有溶劑的氣化時，上述"干燥"可以用"固化"替代進行理解。干燥工序中，通過進一步使水解縮聚物聚合，可以形成金屬氧烷鍵，使聚合物固化，從而得到本發明的半導體發光器件用部件。干燥時，將水解縮聚物加熱到規定的固化溫度使其固化。具體的溫度范圍是任意的，只要可以使水解縮聚物干燥即可，但由于通常在ioo'c以上可以高效率地形成金屬氧垸鍵，所以優選在120'C以上、進一步優選在15(TC以上實施干燥。然而，與半導體發光器件一同進行加熱時，通常優選在器件構成要件的耐熱溫度以下的溫度、優選為200'C以下實施干燥。另外，保持在用于使水解縮聚物干燥的在固化溫度的時間(固化時間)取決于催化劑濃度和部件的厚度等，不能一概而論，但通常實施O.l小時以上、優選0.5小時以上、進一步優選1小時以上并且通常為10小時以下、優選5小時以下、進一步優選3小時以下。此外，干燥工序中的升溫條件不特別限制。S卩，在干燥工序的過程中，可以保持在恒定的溫度，也可以連續地或間斷地對溫度進行改變。并且，還可以將干燥工序分兩次以上進行。進而，干燥工序中，可以使溫度階段性地變化。通過階段性地改變溫度，可以獲得能夠防止殘留溶劑或溶存水蒸氣所致的發泡的優點。并且，在低溫固化后再在高溫進行后固化的情況下，還可以獲得在所得到的半導體發光器件用部件中不易產生內部應力、不易產生裂紋和剝離的優點。但是，在溶劑的存在下進行上述的水解縮聚反應時，在不進行蒸餾去除溶劑的工序的情況下和即使進行了蒸餾去除溶劑的工序但在水解縮聚物中仍殘留有溶劑的情況下，優選將該干燥工序分為在溶劑的沸點以下的溫度實質性地除去溶劑的第1干燥工序和在該溶劑的沸點以上的溫度進行干燥的第2干燥工序來進行。此外，在此所說的"溶劑"也包括通過上述的原料化合物的水解縮聚反應生成的、用XH等表示的溶劑。并且，本說明書中的"干燥"指上述的原料化合物的水解縮聚物失去溶劑、進而聚合固化形成金屬氧垸鍵的工序。第1干燥工序中，不積極推進原料化合物的水解縮聚物進一步的聚合，而是在所含溶劑的沸點以下的溫度實質性地除去該溶劑。即，該工序得到的產物是對干燥前的水解縮聚物進行濃縮，并通過氫鍵成為粘稠的液體或柔軟的膜狀的物質，或為除去溶劑后使水解縮聚物以液態存在的物質。但是，通常優選以小于溶劑沸點的溫度進行第1干燥工序。如果以該溶劑沸點以上的溫度進行第1干燥，則所得到的膜上會出現溶劑的蒸氣所致的發泡，難以得到無缺陷的均質的膜。在制成薄膜狀的部件的情況等溶劑蒸發效率高的情況下，可以以單獨的步驟進行該第1干燥工序，但對于在杯上進行模塑的情況等蒸發效率差的情況下，可以分為2個以上的步驟進行升溫。并且，在其形狀為蒸發效率極差的形狀的情況下，可以預先用另外的效率高的容器進行干燥濃縮，然后以殘存有流動性的狀態進行涂布，進而實施干燥。蒸發效率差的情況下，不采用大風量的通風干燥等僅在部件的表面進行濃縮的方法，而優選設法使部件整體均勻干燥。第2干燥工序中，在經過第1干燥工序后實質上不存在上述的水解縮聚物的溶劑的狀態下在溶劑沸點以上的溫度加熱該水解縮聚物，形成金屬氧垸鍵，由此制成穩定的固化物。該工序中如果殘留有較多的溶劑，則進行交聯反應的同時會由于溶劑的蒸發而使體積減小，從而產生大的內部應力，成為收縮所致的剝離和裂紋的原因。由于金屬氧垸鍵通常在IOO'C以上可以高效率地形成，因而第2干燥工序優選在IOO'C以上、進一步優選在120'C以上實施。然而，在與半導體發光器件一起加熱的情況下，通常優選在器件構成要件的耐熱溫度以下的溫度、優選在200'C以下實施干燥。第2干燥工序中的固化時間取決于催化劑濃度和部件的厚度等，不能一概而論，但通常實施O.l小時以上、優選為0.5小時以上、進一步優選為1小時以上并且通常為10小時以下、優選5小時以下、進一步優選為3小時以下。這樣通過將干燥工序明確區分為溶劑除去工序(第1干燥工序)和固化工序(第2干燥工序)，可以得到具有本發明的物性的耐光性、耐熱性優異的半導體發光器件用部件，而不會產生裂紋和剝離。然而，在第1干燥工序中也會進行固化，并且在第2干燥工序中有時也會進行溶劑除去。但第1干燥工序中的固化和第2干燥工序中的溶劑除去通常在不影響本發明的效果的很小的程度上進行。此外，上述的第1干燥工序和第2干燥工序只要能夠實質性地實現即可，各工序中的升溫條件不受特別的限制。即，在各干燥工序的過程中，可以保持在恒定的溫度，也可以連續地或間斷地使溫度變化。并且，還可以將各干燥工序分兩次以上進行。進而，即使存在有在第1干燥工序中使溫度暫時為溶劑沸點以上的溫度、在第2干燥工序中使溫度為小于溶劑沸點的溫度這樣的期間的情況下，只要可實質性地獨立地實現上述那樣的溶劑除去工序(第1干燥工序)和固化工序(第2干燥工序)，就都包括在本發明的范圍內。進而，當使用具有小于或等于水解縮聚物的固化溫度、優選小于固化溫度的沸點的溶劑作為溶劑的情況下，即使在不對溫度進行特別調整的條件下將水解縮聚物加熱到固化溫度時，在干燥工序的過程中，在溫度達到沸點的時刻，共存于水解縮聚物中的溶劑也會從水解縮聚物中蒸餾除去。也就是說，這種情況下，在干燥工序中將水解縮聚物升溫至固化溫度的過程中，在水解縮聚物固化前，實施在溶劑沸點以下的溫度實質性地除去溶劑的工序(第1干燥工序)。此時，作為原料化合物若使用2官能的低聚物為主成分，蒸餾去除溶劑后的水解縮聚物通常為液態。于是，其后在溶劑沸點以上的溫度(g卩，固化溫度)進行干燥，進行使水解縮聚物固化的工序(第2干燥工序)。因此，若使用具有水解縮聚物的固化溫度以下的沸點的溶劑作為溶劑時，即使并無實施的意圖，上述的第1干燥工序和第2干燥工序也會發生。因此，若作為溶劑使用水解縮聚物的固化溫度以下、優選小于固化溫度的溶劑，則在實施干燥工序時，即使水解縮聚物含有溶劑，也不會對半導體發光器件用部件的品質產生大的影響，所以可以說是優選的。〔n-6.其他)上述的干燥工序后，根據需要可以對所得到的半導體發光器件用部件實施各種后處理。作為后處理的種類，可舉出用于改善與模塑部的密合性的表面處理、防反射膜的制作、用于提高光取出效率的微細凹凸面的制作等。本發明的半導體發光器件用部件的用途不特別限制，可以在以密封半導體發光元件等的部件(密封劑)為代表的各種用途中使用。其中，通過并用熒光體顆粒和/或無機顆粒，可以根據特定用途適當地使用。以下，對這些熒光體顆粒和無機顆粒的并用進行說明。[ni-i.熒光體的并用]對于本發明的半導體發光器件用部件，例如可以使熒光體分散在半導體發光器件用部件中，在半導體發光器件的杯內模塑，或在適當的透明支持體上涂布成薄層狀，從而用作波長轉換用部件。此外，熒光體可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例并用兩種以上。[m-i-i.熒光體的種類]對熒光體的組成沒有特別限制，但優選為在作為結晶母體的以Y203、Zri2Si04等為代表的金屬氧化物、以Ca5(P04)3Cl等為代表的磷酸鹽和以ZnS、SrS、CaS等為代表的硫化物中組合Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等稀土金屬的離子和/或Ag、Cu、Au、Al、Mn、Sb等金屬的離子作為活化劑或共活化劑而成的熒光體。作為結晶母體的優選例，可舉出例如，(Zn，Cd)S、SrGa2S4、SrS、ZnS等硫化物，Y202S等氧硫化物，(Y,Gd)3Al5012、YA103、BaMgAl1{)017、(Ba,Sr)(Mg,Mn)Al10O17、(Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn，Mn)Al10O17、BaAl12019、CeMgAlu019、(Ba,Sr，Mg)OA1203、BaAl2Si208、SrAl204、Sr4Al14025、丫3八15012等鋁酸鹽，Y2Si05、Zri2Si04等硅酸鹽，Sn02、丫203等氧化物，GdMgB501()、(Y，Gd)B03等硼酸鹽，Ca1Q(P04)6(F，Cl)2、(Sr，Ca，Ba，Mg)K)(P04)6Cl2等鹵磷酸鹽，Sr2P207、(La，Ce)P04等磷酸鹽等。但是，上述的結晶母體以及活化劑或共活化劑在元素組成上沒有特別限制，可以部分地與同族元素進行置換，所得到的熒光體只要可吸收近紫外至可見區域的光并發出可見光，就可以進行使用。具體地說，作為熒光體，可以使用以下列舉的熒光體，這些熒光體只是示例，本發明中可使用的熒光體并不限于這些。此外，以下示例中，對僅部分結構不同的熒光體適宜地進行省略表示。例如，將"Y2Si05:C^+"、"Y2Si05:Tb3+"和"Y2Si05:Ce3+,Tb3+，，歸納表示為"Y2Si05:Ce3+,Tb3+"，將"La202S:Eu，，、"Y202S:Eu，，和"(La，Y)202S:Eu"歸納表示為"(La，Y)202S:Eu"。省略處用逗號(，)隔幵表示。如果列舉發紅色熒光的熒光體(以下適宜稱為"紅色熒光體")所發熒光的具體波長的范圍，則峰值波長理想的是，通常為570nm以上、優選為580nm以上并且通常為700nm以下、優選為680nm以下。作為這樣的紅色熒光體，可以舉出例如由具有紅色斷裂面的粉碎顆粒構成且進行紅色區域下的發光的以(Mg，Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu表示的銪活化堿土類氮化硅系熒光體；由具有近于球形形狀作為規則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行紅色區域下的發光的以(Y,La，Gd,Lu)202S:Eu表示的銪活化稀土類氧硫化物系熒光體等。另外，本實施方式中也可以使用特開2004-300247號公報中記載的含有氧氮化物和/或氧硫化物的熒光體，所述氧氮化物和/或氧硫化物含有選自由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W和Mo組成的組中的至少1種元素，所述熒光體含有的氧氮化物是部分或全部Al元素被Ga元素取代并具有ot賽隆(a-siakm)結構的氧氮化物。這些熒光體為含有氧氮化物和/或氧硫化物的熒光體。此外，作為紅色熒光體，可以使用例如(La,Y)202S:Eu等Eu活化氧硫化物熒光體、Y(V,P)04:Eu、Y203:Eu等Eu活化氧化物熒光體、(Ba,Sr，Ca，Mg)2Si04:Eu，Mn、(Ba,Mg)2Si04:Eu,Mn等Eu，Mn活化硅酸鹽熒光體、(Ca,Sr)S:Eu等Eu活化硫化物熒光體、YA103:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體、LiY9(Si04)602:Eu、Ca2Y8(Si04)602:Eu、(Sr，Ba，Ca)3Si05:Eu、Sr2BaSi05:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體、(Y,Gd)3Al5012:Ce、(Tb，Gd)3Al5012:Ce等Ce活化鋁酸鹽熒光體、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu、(Mg，Ca,Sr，Ba)SiN2:Eu、(Mg，Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu等Eu活化氮化物熒光體、(Mg,Ca，Sr，Ba)AlSiN3:Ce等Ce活化氮化物熒光體、(Sr，Ca，Ba,Mg)1()(P04)6Cl2:Eu,Mn等Eu，Mn活化鹵磷酸鹽熒光體、(Ba3Mg)Si208:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca,Mg)3(Zn,Mg)Si208:Eu,Mn等Eu，Mn活化硅酸鹽熒光體、3.5MgO0.5MgF2Ge02:Mn等Mn活化鍺酸鹽熒光體、Eu活化a塞隆等Eu活化氧氮化物熒光體、(Gd，Y，Lu,La)203:Eu,Bi等Eu,Bi活化氧化物熒光體、(Gd,Y,Lu,La)202S:Eu，Bi等Eu,Bi活化氧硫化物熒光體、(Gd,Y，Lu，La)V04:Eu，Bi等Eu，Bi活化釩酸鹽熒光體、SrY2S4:Eu,Ce等Eu，Ce活化硫化物熒光體、CaLa2S4:Ce等Ce活化硫化物熒光體、(Ba,Sr,Ca)MgP207:Eu,Mn、(Sr，Ca,Ba，Mg,Zn)2P207:Eu，Mn等Eu,Mn活化磷酸鹽熒光體、(Y，Lu)2W06:Eu,Mo等Eu,Mo活化鎢酸鹽熒光體、(Ba,Sr,Ca)xSiyNz:Eu，Ce(其中，x、y、z為1以上的整數)等Eu，Ce活化氮化物熒光體、(Ca,Sr，Ba,Mg)!Q(P04)6(F,Cl，Br,OH):Eu，Mn等Eu，Mn活化鹵磷酸鹽熒光體、((Y，Lu,Gd，Tb)LxScxCey)2(Ca，Mg)Lr(Mg，Zn)2+rSiz-qGeqO2+5等Ce活化硅酸鹽熒光體等。并且，作為紅色熒光體，還可以使用例如由以P-二酮酸酯、(3-二酮、芳香族羧酸或布朗斯臺德酸等的陰離子作配體的稀土元素離子絡合物構成的紅色有機熒光體、二萘嵌苯系顏料(例如，二苯并([f，f，]-4,4，,7，7'-四苯基〉二茚并[l，2，3-cd:r，2',3'-lm]二萘嵌苯)、蒽醌系顏料、色淀系顏料、偶氮系顏料、喹吖啶酮系顏料、蒽系顏料、異吲哚啉系顏料、異吲哚啉酮系顏料、酞菁系顏料、三苯基甲烷系堿性染料、陰丹酮系顏料、靛酚系顏料、花青系顏料、二噁嗪系顏料等。并且，紅色熒光體中峰值波長處于580nm以上、優選590nm以上并且為620nm以下、優選為610nm以下范圍內的熒光體可以適用作橙色熒光體。作為這樣的橙色熒光體的例子，可舉出(Sr，Ba)3Si05:Eu、(Sr,Mg)3(P04)2:Sn2+、SrCaAlSiN3:Eu、Eu活化a塞隆等Eu活化氧氮化物熒光體等。若對發出綠色熒光的熒光體(下文中適當地稱為"綠色熒光體")所發出的熒光的具體的波長范圍進行舉例，則波峰波長通常為490nm以上，優選為500nm以上，并且，通常為570nm以下，優選為550nm以下。作為這種綠色熒光體，可以舉出例如由具有斷裂面的粉碎顆粒構成且進行綠色區域下的發光的以(Mg，Ca,Sr，Ba)Si202N2:Eu表示的銪活化.堿土類氮氧化硅系熒光體；和由具有斷裂面的粉碎顆粒構成且進行綠色區域下的發光的以(Ba,Ca，Sr，Mg)2Si04:Eu表示的銪活化堿土類硅酸鹽系熒光體等。此外，作為綠色熒光體，還可舉出Sr4Al14025:Eu、(Ba，Sr,Ca)Al204:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體、(Sr,Ba)Al2Si208:Eu、(Ba,Mg)2Si04:Eu、(Ba，Sr,Ca,Mg)2Si04:Eu、(Ba,Sr，Ca)2(Mg，Zn)Si207:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體、Y2Si05:Ce，Tb等Ce，Tb活化硅酸鹽熒光體、Sr2P207-Sr2B205:Eu等Eu活化硼酸磷酸鹽熒光體、Sr2Si308-2SrCl2:Eu等Eu活化鹵硅酸鹽熒光體、Zn2Si04:Mn等Mn活化硅酸鹽熒光體、CeMgAlu019:Tb、Y3Al5012:Tb等Tb活化鋁酸鹽熒光體、Ca2Y8(Si04)602:Tb、La3Ga5Si014:Tb等Tb活化硅酸鹽熒光體、(Sr，Ba，Ca)Ga2S4:Eu，Tb，Sm等Eu,Tb,Sm活化硫代鎵酸鹽熒光體、Y3(Al，Ga)5012:Ce、(Y，Ga,Tb,La，Sm,Pr，Lu)3(Al,Ga)5012:Ce等Ce活化鋁酸鹽熒光體、Ca3Sc2Si3012:Ce、Ca3(Sc,Mg，Na,Li)2Si3012:Ce等Ce活化硅酸鹽熒光體、CaSc204:Ce等Ce活化氧化物熒光體、SrSi202N2:Eu、(Sr，Ba,Ca)Si202N2:Eu、Eu活化卩塞隆等Eu活化氧氮化物熒光體、BaMgAl1Q017:Eu,Mn等Eu，Mn活化鋁酸鹽熒光體、SrAl204:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體、(La,Gd,Y)202S:Tb等Tb活化氧硫化物熒光體、LaP04:Ce,Tb等Ce，Tb活化磷酸鹽熒光體、ZnS:Cu，Al、ZnS:Cu,Au,Al等硫化物熒光體、(Y,Ga，Lu,Sc，La)B03:Ce,Tb、Na2Gd2B207:Ce，Tb、(Ba，Sr)2(Ca，Mg，Zn)B206:K，Ce，Tb等Ce，Tb活化硼酸鹽熒光體、Ca8Mg(Si04)4Cl2:Eu，Mn等Eu，Mn活化卣硅酸鹽熒光體、(Sr,Ca，Ba)(Al，Ga,In)2S4:Eu等Eu活化硫代鋁酸鹽熒光體或硫代鎵酸鹽熒光體、(Ca,Sr)8(Mg，Zn)(Si04)4Cl2:Eu,Mn等Eu,Mn活化鹵硅酸鹽熒光體等。并且，作為綠色熒光體，也可以使用吡啶-鄰苯二甲酰亞胺縮合衍生物、苯并噁嗪酮系、喹唑啉酮系、香豆素系、喹酞酮系、萘二甲酰亞胺(于》夕》酸^fS卜")系等熒光色素、具有水楊酸己酯配體的鋱絡合物等有機熒光體。若對發出藍色熒光的熒光體(下文中適當地稱為"藍色熒光體")所發出的熒光的具體波長范圍進行舉例，則波峰波長理想的是，通常為420nm以上、優選為440nm以上并且通常為480nm以下、優選為470nm以下。作為這樣的藍色熒光體，可以舉出由具有近于六角形形狀作為規則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行藍色區域下的發光的以BaMgAl1()017:EU表示的銪活化鋇鎂鋁酸鹽系熒光體；由具有近于球形形狀作為規則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行藍色區域下的發光的以(Ca，Sr,Ba)5(P04)3Cl:Eu表示的銪活化鹵代磷酸鈣系熒光體；由具有近于立方體形狀作為規則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行藍色區域下的發光的以(Ca，Sr,Ba)2B509Cl:Eu表示的銪活化堿土類氯硼酸鹽系熒光體；由具有斷裂面的粉碎顆粒構成且進行藍綠色區域下的發光的以(Sr，Ca,Ba)Al204:Eu或(Sr,Ca，Ba)4Alw025:Eu表示的銪活化堿土類鋁酸鹽系熒光體等。此外，作為藍色熒光體還可舉出，Sr2P207:Sn等Sn活化磷酸鹽熒光體、Sr4Al14025:Eu、BaMgAl1Q017:Eu、BaAl8013:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體、SrGa2S4:Ce、CaGa2S4:Ce等Ce活化硫代鎵酸鹽熒光體、(Ba，Sr,Ca)MgAlK)On:Eu、BaMgAlKA7:Eu,Tb,Sm等Eu活化鋁酸鹽熒光體、(Ba，Sr,Ca)MgAl1()017:Eu，Mn等Eu，Mn活化鋁酸鹽熒光體、(Sr，Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、(Ba，Sr，Ca)5(P04)3(Cl,F，Br,OH):Eu,Mn，Sb等Eu活化鹵磷酸鹽熒光體、BaAl2Si208:Eu、(Sr，Ba)3MgSi208:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體、Sr2P207:Eu等Eu活化磷酸鹽熒光體、ZnS:Ag、ZnS:Ag,Al等硫化物熒光體、Y2SiOs:Ce等Ce活化硅酸鹽熒光體、CaW04等鎢酸鹽熒光體、(Ba,Sr，Ca)BP05:Eu,Mn、(Sr,Ca)1Q(P04)6nB203:Eu、2SrO0.84P2O50.16B2O3:Eu等Eu，Mn活化硼酸磷酸鹽熒光體、Sr2Si3082SrCl2:Eu等Eu活化鹵硅酸鹽熒光體等。并且，作為藍色熒光體，也可以使用例如萘二甲酰亞胺系、苯并噁唑系、苯乙烯基系、香豆素系、吡唑啉系、三唑系化合物的熒光色素、銩絡合物等有機熒光體等。[m-l-l-4.黃色熒光體]若對發黃色熒光的熒光體(以下適宜稱為"黃色熒光體")所發出的熒光的具體波長的范圍進行列舉，則處于通常530nm以上、優選540nm以上、更優選550nm以上并且通常620nm以下、優選600nm以下、更優選580nm以下的波長范圍的熒光體是適用的。黃色熒光體的發光峰值波長過短時，黃色成分變少，有可能成為顯色性差的半導體發光器件，而黃色熒光體的發光峰值波長過長時，半導體發光器件的輝度有可能降低。作為這樣的黃色熒光體，可舉出例如，各種氧化物系、氮化物系、氧氮化物系、硫化物系、氧硫化物系等的熒光體。特別可舉出RE3M50i2:Ce(在此，RE表示Y、Tb、Gd、Lu、Sm中的至少一種元素，M表示A1、Ga、Sc中的至少一種元素。)或]^23]\132]^43012.《6(在此，M2表示2價的金屬元素，M3表示3價的金屬元素，N^表示4價的金屬元素)等所示的具有石榴石結構的石榴石系熒光體、AE2MS04:Eu(在此，AE表示Ba、Sr、Ca、Mg、Zn中的至少一種元素，厘5表示Si,Ge中的至少一種元素)等所示的原硅酸鹽系熒光體、這些體系的熒光體的構成元素的氧的一部分被氮取代的氧氮化物系熒光體、AEAlSiN3:Ce(在此，AE表示Ba、Sr、Ca、Mg、Zn中的至少一種元素)等具有CaAlSiN3結構的氮化物系熒光體等經Ce活化的熒光體等。此外，作為黃色熒光體，也可以使用CaGa2S4:EU(Ca，Sr)Ga2S4:EU、(Ca,Sr)(Ga，Al)2S4:Eu等硫化物系熒光體、Cax(Si，Al)12(0,N)16:Eu等具有SiA10N結構的氧氮化物系熒光體等經Eu活化的熒光體。[III-1-1-5.其他的熒光體]本發明的半導體發光器件用部件也可以含有上述熒光體以外的熒光體。例如，本發明的半導體發光器件用部件也可以制成均一且透明地溶解或分散有離子狀熒光物質或有機/無機熒光成分的熒光玻璃。[m-l-2.熒光體的粒徑]對本發明所使用的熒光體的粒徑沒有特別限制，但以中值粒徑(D^)計通常為0.1pm以上、優選為2fim以上、進一步優選為5pm以上。并且通常為100pm以下、優選為50|am以下、進一步優選為20pm以下。熒光體的中值粒徑(D50)在上述范圍時，在后述的半導體發光器件中從半導體發光元件發出的光被充分散射。并且，由于半導體發光元件發出的光被熒光體顆粒充分吸收，所以可高效率地進行波長轉換，同時從熒光體發出的光向全方向照射。借此，可以將從兩種以上熒光體發出的一次光進行混合而形成白光，并獲得均勻的白光，所以能夠在半導體發光器件發出的合成光中獲得均勻的白色光和照度。另一方面，熒光體的中值粒徑(D5。)較上述范圍大時，由于熒光體不能充分填埋發光部的空間，所以在后述的半導體發光器件中來自半導體發光元件的光有可能不能被熒光體充分吸收。并且，熒光體的中值粒徑(D5C)較上述范圍小時，由于熒光體的發光效率降低，所以半導體發光器件的照度有可能降低。為了使半導體發光器件用部件中的顆粒的分散狀態一致，優選熒光體顆粒的粒度分布(QD)小，但減小粒度分布會使分級收率下降，成本提高，所以粒度分布通常為0.03以上、優選為0.05以上、進一步優選為0.07以上。并且通常為0.4以下、優選為0.3以下、進一步優選為0.2以下。此外，本發明中，中值粒徑(Dso)和粒度分布(QD)可以由重量基準粒度分布曲線得出。上述重量基準粒度分布曲線是通過激光衍射/散射法測定粒度分布而得到的，具體地說，例如可以如下進行測定。(重量基準粒度分布曲線的測定方法〕(1)在溫度25"、濕度70%的環境下使熒光體分散在乙二醇等溶劑中。(2)利用激光衍射式粒度分布測定裝置(堀場制作所LA-300)于粒徑范圍0.1pm600nm進行測定。(3)在該重量基準粒度分布曲線中，將積分值為50°/。時的粒徑值標記為中值粒徑D5Q。并且，將積分值為25%和75%時的粒徑值分別標記為D25、D75，并定義QD^(D75—D25)/(D75+D25)。QD小意味著粒度分布窄。并且，對熒光體顆粒的形狀也沒有特別限定，只要不影響半導體發光器件用部件的形成、例如不影響熒光體部形成液(即含有熒光體的半導體發光器件用部件形成液，指與熒光體組合物相同的物質)的流動性等即可。[m-i-3.熒光體的表面處理]對于本發明中所使用的熒光體，為了提高耐水性或防止熒光體在半導體發光器件用部件中的不必要的凝集，可以進行表面處理。作為所述表面處理的例子，可舉出日本特開2002-223008號公報中記載的使用了有機材料、無機材料、玻璃材料等的表面處理、日本特開2000-96045號公報等中記載的基于金屬磷酸鹽的被覆處理、基于金屬氧化物的被覆處理、二氧化硅涂布等公知的表面處理等。若對表面處理的具體例進行列舉，則例如在熒光體的表面被覆上述金屬磷酸鹽時，可以進行以下(i)(iii)的表面處理。(i)將規定量的水溶性磷酸鹽(磷酸鉀、磷酸鈉等)與堿土金屬、Zn和Mn中的至少一種的水溶性金屬鹽化合物(氯化鈣、硫酸鍶、氯化錳、硝酸鋅等)于熒光體懸浮液中進行混合并攪拌。(ii)在懸浮液中生成堿土金屬、Zn和Mn中的至少一種金屬的磷酸鹽，同時使生成的這些金屬磷酸鹽沉積在熒光體表面上。(iii)除去水分。另外，若對表面處理的其他例中優選的例子進行列舉，則作為二氧化硅涂布，可舉出中和水玻璃后使Si02析出的方法、對烷氧基硅烷進行水解并以水解后的物質進行表面處理的方法(例如，日本特開平3-231987號公報)等，在提高分散性的方面優選對烷氧基硅烷進行水解并以水解后的物質進行表面處理的方法。[m-i-4.熒光體的混合方法]本發明中，添加熒光體顆粒的方法不特別限制。熒光體顆粒的分散狀態良好的情況下，只要將其后混合于上述的半導體發光器件用部件形成液中即可。即，可以將本發明的半導體發光器件用部件形成液與熒光體進行混合，準備熒光體部形成液，使用該熒光體部形成液制作半導體發光器件用部件。在易于引起熒光體顆粒凝集的情況下，如果在水解前的含有原料化合物的反應用溶液(以下適宜稱為"水解前溶液")中提前混合熒光體顆粒，在熒光體顆粒的存在下進行水解縮聚，則顆粒的表面被部分硅垸偶聯處理，熒光體顆粒的分散狀態得以改善。另外，雖然熒光體中也存在水解性熒光體，但本發明的半導體發光器件用部件在涂布前的液態(半導體發光器件用部件形成液)中水分作為硅烷醇體而潛在地存在，幾乎不存在游離水分，所以即使是這種水解性的熒光體，也可以進行使用而不會發生水解。并且，如果對水解縮聚后的半導體發光器件用部件形成液進行脫水/脫醇處理后再使用，則還具有易于與所述熒光體并用的優點。另外，在使熒光體顆粒和/或無機顆粒(后述)分散在本發明的半導體發光器件用部件中的情況下，也可以對顆粒表面進行基于有機配體的修飾以改善分散性。以往，在作為半導體發光器件用部件而使用的加成型硅酮樹脂中，會因這樣的有機配體而使之易于受到固化阻礙，從而不能對進行了這樣的表面處理的顆粒進行混合固化。這是由于，加成反應型硅酮樹脂中所使用的鉑系固化催化劑由于與這些有機配體具有強相互作用而失去了羥基甲硅烷基化的能力，從而引起固化不良。作為這樣的催化劑中毒物質，除了含有N、P、S等的有機化合物之外，還可舉出Sn、Pb、Hg、Bi、As等重金屬的離子性化合物、乙炔基等、含有多重鍵的有機化合物(助熔劑(flux)、胺類、聚氯乙烯、硫磺硫化橡膠)等。而與此相對，本發明的半導體發光器件用部件就不易因這些催化劑中毒物質而引起固化阻礙，其是由縮合型的固化結構形成的。因此，本發明的半導體發光器件用部件與經有機配體表面改性的熒光體顆粒和/或無機顆粒、甚至絡合物熒光體等熒光成分混合使用的自由度大，作為導入有熒光體粘合劑或高折射率納米顆粒的透明材料具有優異的特征。[ni-i-5.熒光體的含量]本發明的半導體發光器件用部件中熒光體的含量是任意的，只要不顯著損害本發明的效果即可，可以根據其應用方式自由選定。若以用于白色LED或白色照明等用途的白色發光的半導體發光器件為例進行列舉，則在將熒光體均勻分散并對包含半導體發光元件的封裝材的凹部整體進行填埋來灌封的情況下，作為熒光體總量，通常為0.1重量％以上、優選為1重量％以上、更優選為5重量％以上，并且通常為35重量％以下、優選為30重量％以下、更優選為28重量％以下。并且，以相同用途將以高濃度分散有熒光體的分散液以薄膜狀涂布在遠離半導體發光器件的半導體發光元件的發光面的面(例如，用透明密封劑填埋了包括半導體發光元件的凹部的封裝材開口面、LED氣密密封用玻璃蓋體/透鏡/導光板等外部光學部件的出光面等)上的情況下，熒光體的總含量通常為5重量％以上、優選為7重量°/。以上、更優選為10重量％以上，并且通常為90重量％以下、優選為80重量％以下、更優選為70重量％以下。另外，一般將半導體發光元件的發光色和熒光體的發光色混合得到白光，在該情況下，由于會使半導體發光元件的一部分發光色透過，所以熒光體的含量變為低濃度，位于接近上述范圍的下限的區域。另一方面，在將半導體發光元件的發光全部轉換為熒光體發光色來獲得白光的情況下，優選高濃度的熒光體，因此熒光體的含量位于接近上述范圍的上限的區域。熒光體的含量較該范圍高時，涂布性能有可能變差，或是因光學衍射作用而使熒光體的利用效率降低，半導體發光器件的輝度變低。并且，熒光體含量低于該范圍時，利用熒光體進行的波長轉換不充分，有可能得不到目的發光色。以上，對白色發光的半導體發光器件的用途進行了例示，但根據目的色、熒光體的發光效率、混色形式、熒光體比重、涂布膜厚、器件形狀的不同，具體的熒光體含量也多種多樣，并不限于此。與環氧樹脂、硅酮樹脂等現有的半導體發光器件用形成液相比，本發明的半導體發光器件用形成液為低粘度并且與熒光體和無機顆粒的相容性良好，具有即使分散了高濃度的熒光體和/或無機顆粒也可以充分維持涂布性能的優點。并且，也可以根據需要通過調整聚合度或含有氣相法二氧化硅(Aerosil)等觸變材料(于年乂材)使之具有高粘度，提供對應于目標熒光體含量的粘度的調整范圍大且能柔和地對應于涂布對象物的種類和形狀以及灌封/旋涂/印刷等各種涂布方法的涂布液。此外，如果能夠確定熒光體組成，則半導體發光器件用部件中熒光體的含量可如下求出將含熒光體的試樣粉碎后預燒制，除去碳成分，然后通過氫氟酸處理將硅成分以氟硅酸的形式除去，將殘渣溶解在稀硫酸中使主成分的金屬元素水溶液化，再通過ICP、火焰分析、熒光X線分析等公知的元素分析方法對主成分金屬元素進行定量，計算求出熒光體含量。并且，熒光體形狀和粒徑均一且比重已知時，也可以采用簡易的方法，通過涂布物截面的圖像解析，求出單位面積的顆粒個數，換算成熒光體含量。另外，可以對熒光體部形成液中熒光體的含量進行設定以使半導體發光器件用部件中熒光體的含量在上述范圍。因此，若熒光體部形成液在干燥工序中不發生重量變化，則該情況下熒光體部形成液中熒光體的含量與半導體發光器件用部件中熒光體的含量相同。另外，對于熒光體部形成液含有溶劑等的情況等以及熒光體部形成液在干燥工序中發生重量變化的情況，只要使除去所述溶劑等后的熒光體部形成液中的熒光體的含量與半導體發光器件用部件中的熒光體的含量相同即可。[IH-2.無機顆粒(填料)的并用]另外，將將本發明的半導體發光器件用部件用于半導體發光器件中等的情況中，為了提高光學特性和作業性，并且為了獲得以下<1><5>任一效果，可以使該部件進一步含有無機顆粒。<1〉通過在半導體發光器件用部件中混入無機顆粒作為光散射物質以使半導體發光器件的光發生散射，可以使熒光體所對應的半導體發光元件的光量增加，使波長轉換效率提高，同時擴大從半導體發光器件發到外部的光的指向角。<2〉通過在半導體發光器件用部件中配合無機顆粒作為粘合劑，可以防止裂紋的產生。<3〉通過在半導體發光器件用部件形成液中配合無機顆粒作為粘度調整劑，可以增大該形成液的粘度。<4>通過在半導體發光器件用部件中配合無機顆粒，可以減小其收縮。<5>通過在半導體發光器件用部件中配合無機顆粒，可以調整其折射率，提高光取出效率。該情況下，可以與熒光體的粉末同樣地根據目的在半導體發光器件用部件形成液中適量混合無機顆粒。此時，所得到的效果根據混合的無機顆粒的種類和量而不同。例如，無機顆粒為粒徑約10nm的超微粒狀二氧化硅(日本AEROSIL株式會社制造、商品名AEROSIL弁200)時，由于半導體發光器件用部件形成液的觸變性增大，所以上述<3〉的效果大。另外，無機顆粒為粒徑約幾pm的破碎二氧化硅或者正球狀二氧化硅時，由于觸變性幾乎沒有增加，而其作為半導體發光器件用部件的骨材的功能成為中心，所以上述<2>和<4〉的效果大。另外，如果使用折射率與半導體發光器件用部件不同的粒徑約lpm的無機顆粒，則由于半導體發光器件用部件與無機顆粒的界面上的光散射增大，所以上述<1〉的效果大。另外，如果所使用的無機顆粒具有折射率大于半導體發光器件用部件的35nm的粒徑、具體地說具有發射光波長以下的粒徑，則由于可以在原樣維持半導體發光器件用部件的透明性的同時提高折射率，所以上述<5>的效果大。因此，根據目的選擇用于混合的無機顆粒的種類即可。并且，無機顆粒可以為單一種類，也可以為兩種以上的組合。并且，可以用硅垸偶聯劑等表面處理劑對無機顆粒進行表面處理以改善分散性。[in-2-l.無機顆粒的種類]作為所使用的無機顆粒的種類，可例示二氧化硅、鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈮、氧化鋁、氧化鈰、氧化釔等無機氧化物顆粒和金剛石顆粒，但并不限于這些，也可以根據目的選擇其他物質。無機顆粒的形態可以是粉體狀、漿料狀等適于目的的任何形態，但在需要保持透明性的情況中，優選使無機顆粒與本發明的半導體發光器件用部件的折射率相同，或以水系/溶劑系透明溶膠的形式加入到半導體發光器件用部件形成液中。并且，無機顆粒可以使用一種，也可以以任意組合和比例并用兩種以上。[m-2-2.無機顆粒的中值粒徑]對這些無機顆粒(一次顆粒)的中值粒徑沒有特別的限制，通常為熒光體顆粒的1/10以下的程度。具體地說，可以根據目的使用以下的中值粒徑的無機顆粒。例如，將無機顆粒用作光散射材料時，其中值粒徑優選為0.110,。另外，例如將無機顆粒用作骨材時，其中值粒徑優選為lnm10,。另外，例如將無機顆粒用作增稠劑(觸變劑)時，其中值粒徑優選為10100nm。另外，例如將無機顆粒用作折射率調整劑時，其中值粒徑優選為110nm。[III-2-3.無機顆粒的混合方法]本發明中對混合無機顆粒的方法不特別限制，但通常推薦與熒光體同樣地使用行星攪拌混合機等在脫氣的同時進行混合。例如在混合氣相法二氧化硅(Aerosil)那樣的易于凝集的小顆粒時，可以在混合顆粒后根據需要使用珠磨機或三輥輥壓機等進行凝集顆粒的破碎，然后再混合熒光體等容易混合的大顆粒成分。[m-2-4.無機顆粒的含量]本發明的半導體發光器件用部件中無機顆粒的含量可以是任意含量，只要不顯著損害本發明的效果即可，可以根據其應用形態進行自由選定。例如將無機顆粒用作光散射劑時，其含量優選為0.0110重量％。另外，例如將無機顆粒用作骨材時，其含量優選為150重量％。另外，例如將無機顆粒用作增稠劑(觸變劑)時，其含量優選為0.120重量°/。。另外，例如將無機顆粒用作折射率調整劑時，其含量優選為1080重量％。無機顆粒的量如果過少，則有可能得不到所期望的效果，如果過多時，則有可能對固化物的密合性、透明性、硬度等各種特性帶來不良影響。與環氧樹脂和硅酮樹脂等現有半導體發光器件用形成液相比，本發明的半導體發光器件用形成液的粘度低，并且與熒光體和無機顆粒的相容性良好，具有即使分散了高濃度的無機顆粒也可以充分維持涂布性能的優點。并且，也可以根據需要通過調整聚合度或含有氣相法二氧化硅等觸變材料使之具有高粘度，提供對應于目標無機顆粒含量的粘度的調整范圍大且能柔和地對應于涂布對象物的種類和形狀以及灌封/旋涂/印刷等各種涂布方法的涂布液。此外，半導體發光器件用部件中無機顆粒的含量可以與上述熒光體含量同樣地進行測定。并且，可以對半導體發光器件用部件形成液中無機顆粒的含量進行設定以使半導體發光器件用部件中無機顆粒的含量在上述范圍。因此，當半導體發光器件用部件形成液在干燥工序中不發生重量變化時，半導體發光器件用部件形成液中無機顆粒的含量與半導體發光器件用部件中無機顆粒的含量相同。另外，對于半導體發光器件用部件形成液含有溶劑等的情況等半導體發光器件用部件形成液在干燥工序中發生重量變化的情況，只要使除去所述溶劑等后的半導體發光器件用部件形成液中無機顆粒的含量與半導體發光器件用部件中無機顆粒的含量相同即可。[ni-3.導電性填料的并用]另外，在將本發明的半導體發光器件用部件用于半導體發光器件的情況等中，該部件可以含有導電性填料從而可釆用提供導電性的印刷或灌封等技術以低于焊料使用溫度的低溫形成電氣電路。作為所使用的導電性填料的種類，可例示銀粉、金粉、鉑粉、鈀粉等貴金屬粉，銅粉、鎳粉、鋁粉、黃銅粉、不銹鋼粉等賤金屬粉，用銀等貴金屬鍍覆、合金化的賤金屬粉，用貴金屬、賤金屬被覆的有機樹脂粉，二氧化硅粉，其他炭黑、石墨粉等碳系填料等，但并不限于這些物質，可以根據目的選擇其他物質。并且，導電性填料可以使用一種，也可以以任意組合和比例并用兩種以上。導電性填料的供給形態可以是粉體狀、漿料狀等適于目的的任意形態，但在需要保持透明性的情況中、需要印刷形成微細的配線的情況中，優選以無凝集的水系/溶劑系的透明溶膠或容易再分散的帶有表面修飾的納米顆粒粉末的形式加入到半導體發光器件用部件形成液中。作為這些金屬粉的形狀，有小薄片狀(鱗片狀)、球狀、粟狀、樹枝狀(dendrite)、球狀的一次顆粒凝集成3維狀的形狀等。金屬粉中，從導電性、成本、可靠性的方面考慮優選以銀粉為主體，從導電性的方面考慮更優選在銀粉中并用少量炭黑和/或石墨粉。并且，從導電性、可靠性的方面考慮優選使用小薄片狀、球狀的銀粉，最優選并用小薄片狀和球狀的銀粉。另外，可以根據需要配合少量二氧化硅、滑石、云母、硫酸鋇、氧化銦等無機填料等。對于銀粉與炭黑和/或石墨微粉末的優選配合比(質量比)，在將銀粉與炭黑和/或石墨微粉末的總量設為IOO質量比時，銀粉的質量比的上限優選為99.5質量比以下、更優選為99以下。銀粉的質量比的下限為85質量比以上、更優選為90以上。對導電性填料的中值粒徑沒有特別的限制，通常為0.1,以上、優選為0.5pm以上、進一步優選為lpm以上，并且通常為50pm以下、優選為20pm以下、進一步優選為IO,以下。并且，在特別要求透明性、微細加工性的情況中，其中值粒徑通常為3nm以上、優選為10nm以上，并且通常為150nm以下、優選為100nm以下。另外，在將該導電性填料和粘合劑樹脂的總量設為100重量％時，導電性填料的含量通常為50重量％以上、優選為75重量％以上、更優選為80質量比以上。并且，從粘結性、油墨的粘性的角度出發，導電性填料的含量通常為95重量°/。以下、優選為93重量％以下、更優選為90重量％以下。導電性填料的含量過少時，有可能得不到所期望的效果，而含量過多有可能對固化物的密合性、透明性、硬度等各種特性產生不良影響。與環氧樹脂和硅酮樹脂等現有半導體發光器件用形成液相比，本發明的半導體發光器件用形成液的粘度低并且與熒光體和無機顆粒的相容性良好，具有即使分散了高濃度的無機顆粒也可以充分維持涂布性能的特征。并且，也可以根據需要通過調整聚合度或含有氣相法二氧化硅等觸變材料使之具有高粘度，提供對應于目標無機顆粒含量的粘度的調整范圍大且能柔和地對應于涂布對象物的種類和形狀以及灌封/旋涂/印刷等各種涂布方法的涂布液。此外，可以與上述熒光體含量同樣地測定半導體發光器件用部件中無機顆粒的含量。[HL4.與其他部件的組合]本發明的半導體發光器件用部件可以單獨用作密封材料，但在對有機熒光體、易受氧和水分作用而劣化的熒光體、半導體發光器件進行密封的情況等要求更嚴密地對氧和水分進行屏蔽的用途中，可以用本發明的部件實施熒光體的保持、半導體發光元件的密封/光取出，進而在其外側利用玻璃板和環氧樹脂等高氣密材料實施氣密密封，或實施真空密封。此時的器件形狀沒有特別限制，只要利用本發明的半導體發光器件用部件形成的密封體、涂布物或者涂布面實質性地被金屬/玻璃/高氣密性樹脂等高氣密材料保護從而與外界隔絕處于無氧或水分的流通的狀態即可。另外，本發明的半導體發光器件用部件由于如上所述具有良好的密合性，所以可以用作半導體發光器件用粘結劑。具體地說，例如在將半導體元件和封裝材粘結的情況中、將半導體元件和基臺(submount)粘結的情況中、粘結多個封裝材構成要件的情況中、將半導體發光器件和外部光學部件粘結的情況中等，可以通過使用本發明的半導體發光器件用部件進行涂布、印刷、灌封等來進行。本發明的半導體發光器件用部件特別在耐光性、耐熱性方面優異，所以用作長時間暴露于高溫、紫外線的高輸出半導體發光器件用粘結劑時，可以提供禁得起長期使用的可靠性高的半導體發光器件。此外，盡管僅采用本發明的半導體發光器件用部件就能確保充分的密合性，但為了進一步確保密合性，可以在與半導體發光器件用部件直接接觸的表面上進行表面處理以改善密合性。作為這樣的表面處理，可舉出例如使用底層涂料、硅烷偶聯劑的密合改善層的形成、使用酸或堿性等試劑進行的化學表面處理、使用等離子體照射或離子照射/電子線照射的物理表面處理、基于噴砂或蝕刻/微粒涂布等的粗面化處理等。作為用于改善密合性的表面處理，還可以舉出其他的方法，例如在日本特開平5-25300號公報、稻垣訓宏著"表面化學"Vo1.18No.9、pp21誦26、黑崎和夫著"表面化學"Vo1.19No.2、pp44-51(1998)等中公開的公知的表面處理方法。[IV.半導體發光器件]以下通過實施方式對使用本發明的半導體發光器件用部件的半導體發光器件(本發明的半導體發光器件)進行說明。另外，以下的各實施方式中，將半導體發光器件適宜地簡稱為"發光裝置"。并且，對于在哪個部位使用本發明的半導體發光器件用部件，將在全部的實施方式的描述之后進行歸納說明。但是，這些實施方式是為了便于透徹地進行說明而釆用的，應用本發明的半導體發光器件用部件的發光裝置(半導體發光器件)的例子并不限于這些實施方式。[IV-1.基本概念]使用了本發明的半導體發光器件用部件的半導體發光器件例如有以下A)、B)的應用例。在任一個應用例中，與現有半導體發光器件用部件相比，本發明的半導體發光器件用部件都顯示出優異的光耐久性和熱耐久性，不易引起裂紋和剝離，輝度的降低小。因此，若利用本發明的半導體發光器件用部件，則可以提供經過長時間可靠性也高的部件。A)直接利用發光元件的發光色的半導體發光器件。B)在發光元件附近設置熒光體部，通過來自發光元件的光使熒光體部中的熒光體或熒光體成分受到激發，利用熒光發出所期望的波長的光的半導體發光器件。A)的應用例中，利用本發明的半導體發光器件用部件的高耐久性、透明性和密封劑性能，可以通過單獨使用的方式，將該部件用作高耐久密封劑、光取出膜、各種功能性成分保持劑。特別是將本發明的半導體發光器件用部件用作保持上述無機顆粒等的功能性成分保持劑并在本發明的半導體發光器件用部件中保持了透明高折射成分的情況中，使用本發明的半導體發光器件用部件時使其與發光元件的出光面密合，并且將其設定為具有接近于發光元件的折射率，以此可以減少發光元件出光面上的反射，獲得更高的光取出效率。并且，即使在B)的應用例中，本發明的半導體發光器件用部件也可以發揮與上述A)的應用例相同的優異的性能，并且可以通過保持熒光體或熒光體成分來形成高耐久性且光取出效率高的熒光體部。進而，若本發明的半導體發光器件用部件中除保持有熒光體或熒光體成分外還同時保持有透明高折射成分，則通過將本發明的半導體發光器件用部件的折射率設定為接近發光元件、熒光體的折射率，可以減小界面反射，獲得更高的光取出效率。以下，參照圖49(a)、圖49(b)對應用本發明的半導體發光器件用部件的各實施方式的基本概念進行說明。此外，圖49(a)和圖49(b)是各實施方式基本概念的說明圖，圖49(a)對應于上述A)的應用例，圖49(b)對應于上述B)的應用例。如圖49(a)、圖49(b)所示，各實施方式的發光裝置(半導體發光器件)1A，1B具備由LED芯片形成的發光元件2和設置在發光元件2附近的本發明的半導體發光器件用部件3A，3B。其中，在如圖49(a)所示的對應于上述A)的應用例的實施方式(實施方式A-1、A-2)中，在發光裝置1A中，半導體發光器件用部件3A不含熒光體或熒光體成分。此時，半導體發光器件用部件3A發揮發光元件2的密封、光取出功能、功能性成分的保持等各功能。此外，以下的說明中，將不含熒光體或熒光體成分的半導體發光器件用部件3A適宜地稱為"透明部件"。另一方面，如圖49(b)所示，在與上述B)的應用例對應的實施方式(實施方式B-lB-40)中，在發光裝置1B中，半導體發光器件用部件3B含有熒光體或熒光體成分。此時，半導體發光器件用部件3B除可以發揮圖49(a)的半導體發光器件用部件3A所能發揮的的各功能外，也能發揮波長轉換功能。此外，以下的說明中，將含有熒光體或熒光體成分的半導體發光器件用部件3B適宜地稱為"熒光體部"。并且，熒光體部有時根據其形狀或功能等適宜地用符號33,34等表示。發光元件2例如由發藍色光紫外光的LED芯片構成，但也可以是這些發光色以外的發光色的LED芯片。另外，透明部件3A發揮發光元件2的高耐久性密封劑、光取出膜、賦予各種功能的膜等的功能。透明部件3A可以單獨使用，但只要不顯著損害本發明的效果，除熒光體或熒光體成分外，透明部件3A還可以含有任意的添加劑。另一方面，熒光體部3B可以發揮發光元件2的高耐久性密封劑、光取出膜、賦予各種功能的膜等的功能，同時可以發揮出波長轉換功能，在受到來自發光元件2的光的激發后發出所期望的波長的光。熒光體部3B至少含有受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光的熒光物質即可。作為這樣的熒光物質的例子，可舉出上述示例的各種熒光體。作為熒光體部3B的發光色，紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)這3原色自不用說，也可以是如熒光燈那樣的白色或如電燈泡那樣的黃色。總而言之，熒光體部3B具有發射不同于激發光的所期望波長的光的波長轉換功能。圖49(a)中所示的上述的發光裝置1A中，從發光元件2發射的光4透過透明部件3A，發射到發光裝置1A的外部。因此，在發光裝置1A中，從發光元件2發射的光4以從發光元件2發射時的發光色的方式被直接利用。另一方面，圖49(b)所示的發光裝置1B中，從發光元件2發射的光的一部分4a直接透過熒光體部3B向發光裝置1B的外部發射。另外，發光裝置1B中從發光元件2發射的光的另一部分4b被熒光體部3B吸收，激發熒光體部3B，向發光裝置1B的外部發射出熒光體部3B中含有的熒光體顆粒、熒光離子、熒光染料等熒光成分所特有的波長的光5。因此，從發光裝置1B發出作為經過波長轉換的光的合成光6，合成光6是發光元件2發出并透過熒光體部3B后的光4a和熒光體部3B發出的光5的合成光，從而發光元件2的發光色和熒光體部3B的發光色共同決定了作為發光裝置1B整體的發光色。此外，發光元件2發出并透過熒光體部3B的光4a并不是必需的。[IV-2.實施方式][A.不利用熒光的實施方式](實施方式A-1)本實施方式的發光裝置1A中，如圖1所示，在施行了印刷配線17的絕緣基板16上進行了發光元件2的表面實裝。該發光元件2的發光層部21的p形半導體層(未圖示)和n形半導體層(未圖示)分別通過導電線15，15電連接于印刷配線17，17。此外，使用截面積小的導電線15，15以便不防害從發光元件2發射出的光。其中，作為發光元件2可以使用發出紫外紅外區任何波長的光的發光元件，但在此設定成使用氮化鎵系LED芯片的發光元件。并且，該發光元件2在圖1中的下面側形成n形半導體層(未圖示)、在上面側形成p形半導體層(未圖示)，由于是從p形半導體層側取出光輸出，因而將圖l的上方作為前方進行說明。并且，在絕緣基板16上固附有包圍發光元件2的框狀的框材18，在框材18的內側設置有用于密封保護發光元件2的密封部19。該密封部19由作為本發明的半導體發光器件用部件的透明部件3A形成，可以通過利用上述的半導體發光器件用部件形成液進行灌封來形成。于是，本實施方式的發光裝置1A由于具有發光元件2和透明部件3A，因此可以使發光裝置1A的光耐久性、熱耐久性提高。并且，由于在密封部3A不易引起裂紋和剝離，所以可以提高密封部3A的透明性。進而，與以往相比可以減少光色不勻和光色偏差，同時可以提高光向外部的取出效率。S卩，由于可以將密封部3A制成無模糊和污點的透明性高的部件，所以光色的均一性優異，發光裝置1A間也幾乎沒有光色偏差，與以往相比可以提高發光元件2的光向外部的取出效率。并且，可以提高發光物質的耐候性，與以往相比可以謀求發光裝置1A的長壽命化。〔實施方式A-2〕如圖2所示，本實施方式的發光裝置1A中透明部件3A蓋在發光元件2的前面，并且在其透明部件上用不同于透明部件3A的材料形成密封部19，除此以外，與上述的實施方式A-1相同地構成發光裝置。另外，發光元件2表面的透明部件3A是作為光取出膜、密封膜發揮作用的透明薄膜，例如可以在形成發光元件2的芯片時利用旋轉涂布等涂布上述的半導體發光器件用部件形成液，從而形成該透明部件3A。此外，對與實施方式A-1相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。與實施方式A-l同樣地，本實施方式的發光裝置1A由于具備發光元件2和透明部件3A，所以可以提高發光裝置1A的光耐久性、熱耐久性，由于密封部3A上不易產生裂紋和剝離，所以可以提高密封部3A的透明性。進而，也可以獲得與實施方式A-1相同的優點。[B.利用了熒光的實施方式]〔實施方式B-1)如圖3(a)所示，本實施方式的發光裝置1B具備由LED芯片形成的發光元件2和將透光性的透明材料成型為炮彈形所得到的模塑部11。模塑部11覆蓋發光元件2，發光元件2電連接于由導電性材料形成的引線端子12，13上。弓l線端子12，13由引線框架形成。發光元件2是氮化鎵系的LED芯片，在圖3(a)中的下面側形成n形半導體層(未圖示)、在上面側形成p形半導體層(未圖示)，由于從p形半導體層側進行光輸出的取出，因而以圖3(a)和圖3(b)的上方為前方進行說明。發光元件2的后面通過固晶機(diebond)與安裝于引線端子13的前端部的鏡(杯部)14接合。并且，發光元件2中，上述的p形半導體層和n形半導體層上分別通過粘結劑連接有導電線(例如，金線)15,15，發光元件2與引線端子12,13通過該導電線15，15進行電連接。此外，為了不妨礙從發光元件2發射出的光，導電線15,15使用截面積小的導電線。鏡14具有將從發光元件2的側面和后面發射的光反射到前方的功能，從LED芯片發射的光和由鏡14反射到前方的光通過具有透鏡功能的模塑部11的前端部從模塑部11向前方發射。模塑部11覆蓋鏡14、導電線15,15、引線端子12，13的一部分以及發光元件2，從而可以防止發光元件2與大氣中的水分等發生反應所致的特性劣化。各引線端子12,13的后端部分別從模塑部11的后面向外部突出。如圖3(b)所示，發光元件2中，在熒光體部3B上利用半導體工藝(process)形成由氮化鎵系半導體形成的發光層部21，在熒光體部3B的后面形成反射層23。基于來自發光層部21的發光的光向全方位發射，被熒光體部3B吸收的那部分光激發熒光體部3B，并發射出上述熒光成分特有的波長的光。該熒光體部3B發出的光被反射層3反射而向前方發射。因此，發光裝置1B中得到從發光層部21發射的光和從熒光體部3B發射的光的合成光。于是，本實施方式的發光裝置1B具備發光元件2和受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光的熒光體部3B。在此，使用透光性優異的物質作為熒光體部3B時，從發光元件2發射的光的一部分直接發射到外部，同時從發光元件2發射的光的另一部分激發作為發光中心的熒光成分，并向外部發射基于該熒光成分特有的發光的光，從而可以獲得從發光元件2發射出的光和從熒光體部3B的熒光成分發射的光的合成光，并且，與以往相比可以減小光色不勻和光色偏差，同時可以提高光向外部的取出效率。即，如果使用無模糊和污點的透明性高的物質作為熒光體部3B，則光色的均一性優異，發光裝置1B間也幾乎沒有光色偏差，與以往相比可以提高發光元件2的光向外部的取出效率。并且，可以提高發光物質的耐候性，與以往相比可以謀求發光裝置1B的長壽命化。另外，本實施方式的發光裝置1B中，熒光體部3B兼用作形成發光元件2的基板，所以可以利用發光元件2發出的光的一部分有效地激發熒光體部中的作為發光中心的熒光體，可以提高基于該熒光成分特有的發光的光的輝度。〔實施方式B-2)如圖4所示，本實施方式的發光裝置1B中在施行了印刷配線17的絕緣基板16上進行發光元件2的表面實裝。其中，發光元件2與實施方式B-i具有同樣的構成，由氮化鎵系半導體形成的發光層部21形成于熒頁光體部3B上，并在熒光體部3B的后面形成有反射層23。并且，發光元件2的發光層部21的p形半導體層(未圖示)和n形半導體層(未圖示)分別通過導電線15,15與印刷配線17,17電連接。另外，在絕緣基板16上固附有包圍發光元件2的框狀框材18，在框材18的內側設置有用于密封/保護發光元件2的密封部19。與實施方式B-1相同，在本實施方式的發光裝置1B中具有發光元件2和受到發光元件2發出的光的激發而發出所期望的波長的光的熒光體部3B，所以可以得到來自發光元件2的光和來自熒光體的光的合成光。并且，與實施方式B-l相同，與以往相比可以減少光色不勻和光色偏差，同時可以提高光向外部的取出效率，謀求長壽命化。〔實施方式B-3)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-2大致相同，但不使用實施方式B-2中說明的框材18(參照圖4)，并且如圖5所示，密封部19的形狀不同。此外，對與實施方式B-2相同的構成要件賦予同一符號并省略說明。本實施方式中的密封部19由圓錐臺狀的密封功能部19a和透鏡狀的透鏡功能部19b構成，所述密封功能部19a密封發光元件2，所述透鏡功能部19b在密封部19的前端部作為透鏡發揮作用。于是，與實施方式B-2相比，本實施方式的發光裝置1B可以減少部件個數，可以謀求小型化和輕量化。并且，通過在密封部19的一部分設置具有透鏡功能的透鏡功能部1%，可以得到指向性優異的配光。(實施方式B-4)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-2大致相同，如圖6所示，其特征在于，在絕緣基板16的一面(圖6中的上面)設置收納發光元件2的凹處16a，在凹處16a的底部實裝發光元件2，在凹處16a內設置密封部19。其中，形成于絕緣基板16上的印刷配線17，17延長至凹處16a的底部，并通過導電線15,15與發光元件2的由氮化鎵系半導體形成的發光層部21電連接。此外，對與實施方式B-2相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，密封部19是通過對形成于絕緣基板16的上面的凹處16a進行填充來形成的，因此可以不使用實施方式B-2中說明的框材18(參照圖5)和實施方式B-3中說明的成型用模具來形成密封部19，與實施方式B-2、B-3相比，具有可以簡便地進行發光元件2的密封工序的優點。(實施方式B-5)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-4大致相同，如圖7所示，其特征在于，發光元件2通過所謂的倒晶封裝(flipchip)被實裝于絕緣基板16上。g卩，發光元件2中，在發光層部21的p形半導體層(未圖示)和n形半導體層(未圖示)各自的表面側設置有由導電性材料構成的焊劑(vamp)24，24，發光層部21以面朝下(facedown)的方式通過焊劑(vamp)24，24與絕緣基板16的印刷配線17，17電連接。因此，本實施方式中的發光元件2中，在最接近絕緣基板16側配置有發光層部21，在距離絕緣基板16最遠側配置有反射層23，在發光層部21和反射層23之間存在熒光體部3B。此外，對與實施方式B-4相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，被反射層23反射到圖7中的下方(后方)的光在凹處16a的內周面被反射，并向圖7中的上方(前方)發射。其中，在凹處16a內周面的印刷配線17，17以外的部位優選另外設置由反射率高的材料形成的反射層。本實施方式的發光裝置1B中，由于將設置于絕緣基板16上的印刷配線17,17與發光元件2連接，所以實施方式B-4那樣的導電線15,15不是必需的，因而與實施方式B-4相比，可以提高機械強度和可靠性。〔實施方式B-6〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-5大致相同，如圖8所示，其不同在于，不設置實施方式B-5中說明的反射層23。總而言之，本實施方式的發光裝置1B中，由發光層部21發出的光和由熒光體部3B發出的光透過密封部19直接發射到前方。此外，對與實施方式B-5相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，與實施方式B-5相比，可以減少部件個數，易于進行制造。(實施方式B-7〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-1大致相同，如圖9所示，其特征在于，該發光裝置具備覆蓋發光元件2的模塑部11，將模塑部ll與熒光體部一體形成。此外，對與實施方式B-1相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。在本實施方式的發光裝置1B的制造中，將未設置模塑部11的半成品浸漬于貯存有熒光體部形成液的成型模具中，通過使熒光體部形成液(縮聚物)固化的方法等形成模塑部11。.本實施方式中，由于模塑部ll與熒光體部形成為一體，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部，就可以提高模塑部ll的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，并可以抑制長期使用產生的裂紋和剝離。(實施方式B-8)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-1大致相同，如圖IO所示，其特征在于，在模塑部11的外面安裝有后面開口的杯狀熒光體部3B。g卩，本實施方式中，不是如實施方式B-l那樣在發光元件2上設置熒光體部3B，而是將熒光體部3B設置成沿模塑部11的外周的形狀。此外，對與實施方式B-l相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式中的熒光體部3B既可以通過實施方式B-7中說明的使熒光體部形成液(縮聚物)固化的方法形成薄膜，也可以預先將固體的熒光體部成型加工成杯狀，將杯狀部件安裝在模塑部11上。與實施方式B-7的發光裝置1B中的將模塑部11整體與熒光體部一體形成的情況相比，本實施方式的發光裝置1B可以謀求熒光體部的材料用量的削減，實現低成本化。〔實施方式B-9〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-2大致相同，如圖11所示，其特征在于，發光裝置1B具備在絕緣基板16的一面(圖11的上面)側以包圍發光元件2的方式設置的框狀框材18，并且利用與實施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的熒光體部形成框材18內側的密封部19。此外，對與實施方式B-2相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式中，密封部19利用熒光體部形成，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部，就可以提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，并可以抑制長期使用產生的裂紋和剝離。〔實施方式B-IO〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-2大致相同，如圖12所示，其特征在于，其具備在絕緣基板16的一面(圖12的上面)側以包圍發光元件2的方式設置的框狀框材18，并且利用與實施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的熒光體部形成框材18內側的密封部19。此外，對與實施方式B-2相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式中，密封部19利用熒光體部形成，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部，就可以提高密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，并可以抑制長期使用產生的裂紋和剝離。并且，本實施方式中，由于在發光元件2的發光層部21的后面形成熒光體部3B，并且覆蓋發光元件2的密封部19由熒光體部形成，所以在發光元件2的發光層部21各個方向的位置上存在熒光體部，具有較實施方式B-9能夠更有效地進行熒光體部的激發、發光的優點。〔實施方式B-ll〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-2大致相同，如圖13所示，其特征在于，在由透光性材料形成的密封部19的上面配置預先成型為透鏡狀的熒光體部33。其中，熒光體部33由與在實施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的材質形成，其受到來自發光元件2的光的激發后發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-2相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，熒光體部33不僅具有波長轉換功能而且具有透鏡的功能，可以基于透鏡效果對發光進行指向性控制。〔實施方式B-12)本實施方式的發光裝置IB的基本構成與實施方式B-2大致相同，如圖14所示，其特征在于，在由透光性材料形成的密封部19的上面配置預先成型為透鏡狀的熒光體部33。其中，熒光體部33由與實施方式B-2中說明的熒光體部3B相同的材質構成，其受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-2相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，熒光體部33不僅具有波長轉換功能而且具有作為透鏡的功能，可以基于透鏡效果對發光進行指向性控制。并且，本實施方式中，由于在發光元件2的發光層部21的后面形成有熒光體部3B，所以具有與實施方式B-ll相比能夠更有效地進行熒光體部的激發、發光的優點。〔實施方式B-13〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-3大致相同，如圖15所示，其特征在于，其具有在絕緣基板16的上面側覆蓋發光元件2的密封部19，并且密封部19由熒光體部形成。此處，與實施方式B-3相同，密封部19由密封發光元件2的圓錐臺狀密封功能部19a和在密封部19的前端部作為透鏡發揮作用的透鏡狀透鏡功能部19b構成。此外，對與實施方式B-3相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，密封部19不僅具有密封/保護發光元件2的功能，而且具有對來自發光元件2的光進行波長轉換的波長轉換功能、對發光的指向性進行控制的透鏡功能。并且，可以提高密封部19的耐候性，可以謀求長壽命化。而且，本實施方式中，由于在發光元件2的發光層部21的后面形成有熒光體部3B，且覆蓋發光元件2的密封部19由熒光體部形成，所以熒光體部存在于發光元件2的發光層部21各個方向的位置上，具有與實施方式B-12相比能夠更有效地進行熒光體部的激發、發光的優點。〔實施方式B-14〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-3大致相同，如圖16所示，其特征在于，其具備在絕緣基板16的一面(圖16的上面)側覆蓋發光元件2的密封部19，并且密封部19由熒光體部3B形成。此處，與實施方式B-3相同，密封部19由密封發光元件2的圓錐臺狀密封功能部19a和在密封部19的前端部作為透鏡發揮作用的透鏡狀透鏡功能部19b構成。此外，對與實施方式B-3相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，密封部19不僅具有密封/保護發光元件2的功能，而且具有對來自發光元件2的光進行波長轉換的波長轉換功能、對發光的指向性進行控制的透鏡功能。并且，可以提高密封部19的耐候性，可以謀求長壽命化。(實施方式B-15)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-3大致相同，如圖17所示，其特征在于，配置有在絕緣基板16的上面側覆蓋發光元件2的圓頂狀熒光體部34，在熒光體部34的外面側形成有由透光性樹脂形成的密封部19。此處，與實施方式B-3相同，密封部19由密封發光元件2的密封功能部19a和在密封部19的前端部作為透鏡發揮作用的透鏡狀的透鏡功能部19b構成。此外，對與實施方式B-3相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，與實施方式B-13、B-14相比，可以減少熒光體部34的材料用量。并且，本實施方式中由于配置有覆蓋發光元件2的圓頂狀熒光體部34，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部，就可以更可靠地防止來自外部的水分等導致的發光元件2的劣化，可以謀求長壽命化。〔實施方式B-16〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-3大致相同，如圖18所示，其特征在于，其在絕緣基板16的上面側配置有覆蓋發光元件2的圓頂狀熒光體部34，并且在熒光體部34的外面側形成有密封部19。此處，與實施方式B-3同樣地，密封部19由對發光元件2進行密封的密封功能部19a和在密封部19的前端部作為透鏡發揮作用的透鏡狀透鏡功能部19b構成。此外，對與實施方式B-3相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，與實施方式B-13、B-14相比，可以減少熒光體部34的材料用量。并且，本實施方式中由于配置有覆蓋發光元件2的圓頂狀熒光體部34，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部，就可以更可靠地防止來自外部的水分等導致的發光元件2的劣化，可以謀求長壽命化。并且，本實施方式中由于在發光元件2的發光層部21的后面形成有熒光體部3B，并且覆蓋發光元件2的密封部19由熒光體部形成，所以熒光體部存在于發光元件2的發光層部21的全方位，具有與實施方式B-15相比能夠更有效地進行熒光體部的激發、發光的優點。〔實施方式B-17)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-4大致相同，如圖19所示，其特征在于，其具有密封發光元件2的密封部19，所述發光元件2配置在設于絕緣基板16的一面(圖19中的上面)的凹處16a的底部，并且密封部19由熒光體部形成。其中，與實施方式B-1中說明的熒光體部3B同樣地，熒光體部受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-4相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，由于密封部19由熒光體部形成，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部，就可以改善密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用產生的裂紋和剝離。并且，本實施方式中，由于在發光元件2的發光層部21的后面形成有熒光體部3B，并且覆蓋發光元件2的密封部19由熒光體部3B形成，所以熒光體部存在于發光元件2的發光層部21的全方位，具有與實施方式B-15相比能夠更有效地進行熒光體部的激發、發光的優點。(實施方式B-18〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-4大致相同，如圖20所示，其特征在于，其具有密封發光元件2的密封部19，所述發光元件2配置在設于絕緣基板16的一面(圖20中的上面)的凹處16a的底部，并且密封部19由熒光體部3B形成。其中，與實施方式B-1中說明的熒光體部3B同樣地，熒光體部3B受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-4相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，由于密封部19由熒光體部形成，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部3B，就可以改善密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用產生的裂紋和剝離。(實施方式B-19〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-4大致相同，如圖21所示，其特征在于，其在密封部19的上面(光取出面)配置有預先成型為透鏡狀的熒光體部33。其中，與實施方式B-1中說明的熒光體部3B同樣地，熒光體部33受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-4相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，熒光體部33不僅具有波長轉換功能而且具有作為透鏡的功能，可以基于透鏡效果對發光進行指向性控制。〔實施方式B-20〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-4大致相同，如圖22所示，其特征在于，在密封部19的上面(光取出面)配置有預先成型為透鏡狀的熒光體部33。其中，與實施方式B-l中說明的熒光體部3B同樣地，熒光體部33受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-4相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，熒光體部33不僅具有波長轉換功能而且具有作為透鏡的功能，可以基于透鏡效果對發光進行指向性控制。并且，本實施方式中，由于在發光元件2的發光層部21的后面也配置有熒光體部3B，所以具有與實施方式B-19相比能夠更有效地進行熒光體部的激發、發光的優點。(實施方式B-21〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-5大致相同，如圖23所示，其特征在于，其具有密封發光元件2的密封部19，所述發光元件2配置在設于絕緣基板16的一面(圖23中的上面)的凹處16a的底部，并且密封部19由熒光體部3B形成。其中，如圖24所示，預先將密封部19加工成外周形狀為與凹處16a對應的形狀且在與發光元件2所對應的部位具有用于收納發光元件2的凹部19c的形狀，將加工后的密封部安裝在實裝有發光元件2的絕緣基板16的凹處16a，由此，可以使密封工序簡便。并且，與實施方式B-1中說明的熒光體部3B同樣地，形成密封部19的熒光體部3B受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-5相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，由于密封部19由熒光體部形成，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部3B，就可以改善密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用產生的裂紋和剝離。并且，本實施方式中，由于從發光元件2的發光層部21向前方發射的光被反射層23暫時向凹處16a的內底面側反射，所以在凹處16a的內底面和內周面設置反射層的話，由凹處16a的內底面和內周面進一步進行反射并向前方發射，光程增長，具有與熒光體部3B相比能夠更有效地進行激發、發光的優點。(實施方式B-22)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-5大致相同，如圖25所示，其特征在于，其具有密封發光元件2的密封部19，所述發光元件2配置在設于絕緣基板16的一面(圖25中的上面)的凹處16a的底部，并且密封部19由熒光體部3B形成。其中，如圖26所示，預先將密封部19加工成外周形狀為與凹處16a對應的形狀且在與發光元件2所對應的部位具有用于收納發光元件2的凹部19c的形狀，將加工后的密封部安裝在實裝有發光元件2的絕緣基板16的凹處16a，因此，可以使密封工序簡便。并且，與實施方式B-1中說明的熒光體部3B同樣地，形成密封部19的熒光體部3B受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-5相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，由于密封部19由熒光體部3B形成，所以通過如后所述使用本發明的半導體發光器件用部件作為熒光體部3B，就可以改善密封部19的密封性、透明性、耐光性、耐熱性等，可以抑制長期使用產生的裂紋和剝離。〔實施方式B-23)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-6大致相同，如圖27所示，其特征在于，在發光元件2的上面配置有預先加工成條狀(rod)的熒光體部3B。其中，在發光元件2和熒光體部3B的周圍形成有由透光性材料形成的密封部19，熒光體部3B的一端面(圖27中的下端面)與發光元件2的發光層部21密合，另一端面(圖27中的上端面)露出。此外，對與實施方式B-6相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，上述的一端面與發光元件2的發光層部21密合的熒光體部3B形成為條狀，所以發光層部21發出的光可以通過熒光體部3B的上述一端面有效地取入熒光體部3B，受到取入的光的激發后熒光體部3B發光，所發的光可以通過熒光體部3B的上述另一端面而有效地向外部發射。此外，本實施方式中，可以將熒光體部3B形成為較大直徑的條狀從而僅用一條，但也可以如圖28所示，將熒光體部3B形成為較小直徑的纖維狀并排列多條熒光體部3B來進行配置。另外，熒光體部3B的截面形狀不限于圓形，當然例如可以形成四邊形，也可以形成其他形狀。〔實施方式B-24)本實施方式的發光裝置IB的基本構成與實施方式B-23大致相同，如圖29所示，其特征在于，其具有設置于絕緣基板16的凹處16a內的密封部19，并且密封部19由熒光體部3B形成。其中，如圖30所示，預先將密封部19加工成外周形狀為與凹處16a對應的形狀且在與發光元件2所對應的部位具有用于收納發光元件2的貫通孔19d的形狀，將加工后的密封部安裝在實裝有發光元件2的絕緣基板16的凹處16a，由此可以使密封工序簡便。并且，與實施方式B-1中說明的熒光體部3B同樣地，形成密封部19的熒光體部3B受到來自發光元件2的光的激發而發出所期望的波長的光。此外，對與實施方式B-23相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，密封部19也是由熒光體部3B形成的，所以可以謀求長壽命化和發光的高效率化。此外，本實施方式中，可以將熒光體部3B形成為較大直徑的條狀從而僅使用一條，但也可以如圖31所示，將熒光體部3B形成為較小直徑的纖維狀并排列多條熒光體部3B來進行配置。另外，熒光體部3B的截面形狀不限于圓形，當然例如可以形成四邊形，也可以形成其他形狀。〔實施方式B-25〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-2大致相同，如圖32所示，其特征在于，其具有配置于絕緣基板16的一面(圖32中的上面)側的框材18，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作框材18內側的密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C熒光體的粉末)。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3，MgFCaF2SrF2'BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-2相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末分散在密封部19中，所以可以得到由合成光形成的光輸出，所述合成光為從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光。因此，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。本實施方式中，從熒光體部3B發射藍色光，同時從熒光體粉末發射黃色光，可以獲得與任一發光色不同的白色光。此外，如果已知的熒光體粉末和熒光體部的熒光體顆粒分別限于可發光的材料，并且僅以任意一個得不到所期望的光色，則在這種情況下本實施方式是極為有效的。也就是說，在僅以熒光體部3B得不到所期望的光色特性的情況下，通過并用具有熒光體部3B所欠缺的適當的光色特性的熒光體粉末進行補充，可以實現所期望的光色特性的發光裝置1B。并且，本實施方式中，使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。在此，在以熒光體部3B和熒光體粉末設定為大致相同的發光色的情況下，例如使用發紅色光的P205SrF2BaF2:Ei^+作為熒光體部3B的熒光體顆粒，并使用發紅色光的Y202S:E^+作為熒光體粉末時，可以謀求紅色發光的高效率化。該熒光體部3B與熒光體粉末的組合是一個例子，當然可以采用其他組合。(實施方式B-26〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-3大致相同，如圖33所示，其特征在于，其具有在絕緣基板16的一面(圖33的上面)側密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發近紫外光，并且，在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:Ce"熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgF.CaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-3相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料的話，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-27〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-4大致相同，如圖34所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的上面的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C,熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgF'CaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-4相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-28)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-5大致相同，如圖35所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的一面(圖35中的上面)的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且，在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgFCaF2SrF2BaCl2:Eii2+)。此外，對與實施方式B-5相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。(實施方式B-29)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-6大致相同，如圖36所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的一面(圖36中的上面)的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:Ce3+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgF.CaF2'SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-6相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。(實施方式B-30)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-l大致相同，如圖37(a)、圖37(b)所示，其特征在于，其具有炮彈形的模塑部11，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作模塑部11的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:Ce3+熒光體的粉末)，模塑部11作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205AJF3MgF'CaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-1相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在模塑部11中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和模塑部11中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-31〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-8大致相同，如圖38所示，其特征在于，其具有炮彈形的模塑部ll，發光元件2的發光層部21(圖38中省略圖示)以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作模塑部11的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，模塑部11作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgFCaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-8相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，與實施方式B-25同樣地，由于在模塑部11中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和模塑部11中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-32)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-ll大致相同，如圖39所示，其特征在于，其具有在絕緣基板16的一面(圖39的上面)側密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部33的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgFCaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-11相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到從發光元件2發出的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以得到由從發光元件2發射的光、從熒光體部33發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部33和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部33的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部33的發光色一致，則在熒光體部33的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-33)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-15大致相同，如圖40所示，其特征在于，其具有在絕緣基板16的一面(圖40的上面)側密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部34的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgF.CaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-15相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部34發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部34和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部34的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部34的發光色一致，則在熒光體部34的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-34〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-19大致相同，如圖41所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的一面(圖41中的上面)的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部33的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgFCaF2.SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-19相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部33發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部33和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部33的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部33的發光色一致，則在熒光體部33的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-35)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-12、B-22大致相同，如圖42所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的一面(圖42中的上面)的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部33的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgFCaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-12、B-22相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以得到由從發光元件2發射的光、從熒光體部33發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部33和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部33的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部33的發光色一致，則在熒光體部33的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-36〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-12大致相同，如圖43所示，其特征在于，其具有在絕緣基板16的上面側密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3MgFCaF2.SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-12相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。〔實施方式B-37〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-16大致相同，如圖44所示，其特征在于，其具有在絕緣基板16的一面(圖44的上面)側密封發光元件2的密封部19,發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部34的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3'MgFCaF2SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-16相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部34發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部34和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部34的發光色不同，但如的發光中重疊上熒光體粉末的發光，從而可以增加光輸出，可以提高發光效率。(實施方式B-38)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-20大致相同，如圖45所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的一面(圖45中的上面)的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:C^+熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3'MgFCaF2SrF2'BaCl2:Eu"。此外，對與實施方式B-20相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。(實施方式B-39〕本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-5、B-12大致相同，如圖46所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的一面(圖46中的上面)的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAG:Ce"熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3.MgFCaF2'SrF2BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-5、B-12相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置IB中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，從而可以增加光輸出，可以提高發光效率。(實施方式B-40)本實施方式的發光裝置1B的基本構成與實施方式B-20、B-21大致相同，如圖47所示，其特征在于，其具有對形成于絕緣基板16的一面(圖47中的上面)的凹處16a進行填充從而密封發光元件2的密封部19，發光元件2的發光層部21以AlGaN系發出近紫外光，并且在用作密封部19的透光性材料中分散有熒光體粉末(例如，受到近紫外光的激發而發出黃色光的YAGC熒光體的粉末)，密封部19作為熒光體部發揮功能。并且，本實施方式中，作為熒光體部3B的熒光體顆粒，使用氟磷酸鹽系玻璃(例如，受到近紫外光的激發而發出藍色光的P205A1F3*MgF,CaF2SrF2'BaCl2:Eu2+)。此外，對與實施方式B-20、B-21相同的構成要件賦予同一符號，并省略說明。本實施方式的發光裝置1B中，與實施方式B-25同樣地，由于在密封部19中分散有受到來自發光元件2的光的激發而發光的熒光體粉末，所以可以獲得由從發光元件2發射的光、從熒光體部3B發射的光和從熒光體粉末發射的光的合成光形成的光輸出。也就是說，與實施方式B-25同樣地，如果選擇發近紫外光的材料作為發光元件2的發光層部21的材料，則熒光體部3B和密封部19中的熒光體粉末都受到從發光元件2發射的光的激發，并分別呈現固有的發光，從而得到其合成光。并且，本實施方式中也使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色不同，但如果使熒光體粉末的發光色與熒光體部3B的發光色一致，則在熒光體部3B的發光中重疊上熒光體粉末的發光，可以增加光輸出，從而可以提高發光效率。在上述各實施方式中將熒光體部3B加工成所期望的形狀，但如圖48所示，如果不使用上述各實施方式中的熒光體部，而是使熒光體部3B形成為具有較可視波長稍大的直徑的球狀，并使大量熒光體部3B分散在由透光性材料形成的固體介質35中來使用，則可以在維持可視波段的熒光體部的透明性的同時謀求減少熒光體部的材料用量，從而實現低成本化。并且，上述各實施方式的發光裝置1B可以僅具有1個發光元件2，但當然也可以由2個以上的發光元件2構成1單元的組件，組件的至少一部分接近作為發光物質的熒光體部進行配置。此外，例如在如實施方式B-1中說明的那樣的具有炮彈形的模塑部11的發光裝置的情況中，可以將2個以上的發光裝置實裝在同一印刷基板上，從而構成1單元的組件。并且，對于例如實施方式B-2中說明的那樣的表面實裝型的發光裝置，可以將2個以上的發光元件2配置于同一絕緣基板16上，從而構成1單元的組件。〔半導體發光器件用部件的應用〕在以上說明的各實施方式A-1、A-2、B-lB-40的發光裝置(半導體發光器件)1A、1B中，對應用本發明的半導體發光器件部件的位置不特別限制。在上述的各實施方式中，示出了應用本發明的半導體發光器件部件作為形成透明部件3A和熒光體部3B、33、34等的部件的例子，除此以外，本發明的部件也可以很好地用作形成例如上述的模塑部11、框材18、密封部19等的部件。通過使用本發明的半導體發光器件部件作為這些部件，可以得到上述優異的密封性、透明性、耐光性、耐熱性、成膜性、抑制長期使用產生的裂紋和剝離等的各種效果。并且，在應用本發明的半導體發光器件部件時，優選根據使用本發明部件的位置適宜地進行改變。例如，在熒光體部3B、33、34應用本發明的情況中，可以將上述的熒光體顆粒或熒光體離子、熒光染料等熒光成分混合在本發明的半導體發光器件用部件中來使用。借此，除上述舉出的各種效果外，還可以得到提高熒光體的保持性的效果。另外，由于本發明的半導體發光器件用部件的耐久性優異，所以即使該部件不含熒光體而單獨進行使用，也可以作為光耐久性(紫外線耐久性)和熱耐久性優異的密封材料(無機系粘結劑用途沐密封發光元件(LED芯片等)。另外，如果將上述的無機顆粒混入到本發明的半導體發光器件用部件中來使用，則除上述舉出的各種效果外，還可以獲得在無機顆粒的并用的說明中己述的效果。特別是通過并用無機顆粒將折射率調整至接近發光元件的折射率而得到的部件作為很好的光取出膜發揮作用。〔半導體發光器件的用途等〕半導體發光器件例如可以用于發光裝置。在將半導體發光器件用于發光裝置的情況下，該發光裝置中，將含有紅色熒光體、藍色熒光體和綠色熒光體的混合物的含熒光體層配置在光源上即可。此時，紅色熒光體也可以不必與藍色熒光體、綠色熒光體混合在同一層中，例如，可以在含有藍色熒光體和綠色熒光體的層上層積含有紅色熒光體的層。發光裝置中，可以將含熒光體層設置在光源的上部。含熒光體層可以作為光源與密封樹脂部之間的接觸層、或作為密封樹脂部的外側的涂布層、或作為外部間隙的內側的涂布層來提供。并且，也可以采取使密封樹脂內含有熒光體的方式。作為所使用的密封樹脂，可以使用本發明的半導體發光器件用部件。并且，也可以使用其他樹脂。作為其他樹脂，通常可舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固性樹脂等。具體地說，可舉出例如，聚甲基丙烯酸甲酯等甲基丙烯酸樹酯；聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物等苯乙烯樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚酯樹脂；苯氧樹脂；丁縮醛樹脂；聚乙烯醇；乙基纖維素、纖維素乙酸酯、醋酸丁酸纖維素等纖維素類樹脂；環氧樹脂；酚醛樹脂；硅酮樹脂等。并且，可以使用無機系材料，例如金屬醇鹽、陶瓷前體聚合物或者將含有金屬醇鹽的溶液通過溶膠-凝膠法水解聚合而成的溶液、或將它們的組合進行固化而得到的無機系材料，例如具有硅氧垸鍵的無機系材料。此外，密封樹脂可以使用一種，也可以以任意組合和比例并用兩種以上。相對于密封樹脂的熒光體的用量沒有特別限定，但是相對于100重量份密封樹脂，熒光體的用量通常為0.01重量份以上、優選為0.1重量份以上、更優選為1重量份以上，并且通常為100重量份以下、優選為80重量份以下、更優選為60重量份以下。并且，在密封樹脂中也可以含有除熒光體和無機顆粒以外的成分。例如，可以含有色調校正用的染料、抗氧化劑、磷系加工穩定劑等加工/氧化方面的物質以及熱穩定化劑、紫外線吸收劑等耐光性穩定化劑和硅烷偶聯劑。此外，這些成分可以使用一種，也可以以任意組合和比例并用兩種以上。對光源沒有限制，然而優選發出在350nm500nm的范圍具有峰值波長的光的光源，作為具體例，可舉出發光二極管(LED)或激光二極管(LD)等。其中，優選使用了GaN系化合物半導體的GaN系LED或LD。其原因為，與在該區域具有發光的SiC系LED等相比，GaN系LED或LD的發光輸出和外部量子效率非常大，通過與上述熒光體組合，可以以非常低的電能獲得非常明亮的發光。例如，在20mA的電流負荷下，通常GaN系LED或LD具有SiC系的100倍以上的發光強度。GaN系LED或LD中優選具有AlxGaYN發光層、GaN發光層或InxGaYN發光層的GaN系LED或LD。其中，GaN系LED中，具有InxGaYN發光層的LED由于具有非常強的發光強度而特別優選；GaN系LD中，InxGaYN層和GaN層的多重量子阱結構的LD的發光強度非常強，所以是特別優選的。此外，上述中，X+Y的值通常為0.81.2的范圍的值。GaN系LED中，在調節發光特性的方面，優選在這些發光層中沒有摻雜劑的或摻雜有Zn或Si的GaN系LED。GaN系LED以這些發光層、p層、n層、電極和基板為基本構成要件，將發光層以n型和p型的AlxGayN層、GaN層、或InxGayN層等制成夾層形式，具有這樣的異質結構的GaN系LED發光效率高，是優選的，進而將異質結構制成量子阱結構的GaN系LED的發光效率更高，是更優選的。發光裝置發白色光，裝置的發光效率為201m/W以上、優選為221m/W以上、更優選為251m/W以上，特別優選為281m/W以上，平均演色評價指數Ra為80以上、優選為85以上、更優選為88以上。通過將發光裝置單獨使用或者2個以上組合使用，可以用作例如，照明燈、液晶面板用等的背部照明、超薄型照明等各種照明裝置、圖像顯示裝置。實施例下面舉出實施例來更具體地說明本發明，但這些實施例用于對本發明進行說明，而本發明并不限于這些方式。[I.分析方法]對于后述的各實施例和各比較例的半導體發光器件用部件，以下述步驟進行分析。〔I-l.固體Si-NMR光譜測定)對于各實施例和各比較例的半導體發光器件用部件，在以下條件下進行固體Si-NMR光譜測定和波形分離解析。對于各實施例和各比較例的半導體發光器件用部件，由所得到的波形數據求出各峰的半峰寬和硅烷醇含量。<裝置條件〉裝置Chemagnetics社InfinityCMX-400核磁共振分光裝置29Si共振頻率79.436MHz探針7.5mmOCP/MAS用探針測定溫度室溫試樣轉速4kHz測定法單脈沖法iH去耦頻率50kHz29Si翻轉角90°29Si90。脈沖寬5爭重復時間600s累積次數128次觀測頻率(観測幅)30kHz脈沖展寬因子20Hz<數據處理法>對于實施例1和比較例1、3的半導體發光器件用部件，取512點作為測定數據，通過補零對8192點進行傅利葉轉換。另一方面，對于由硅酮樹脂形成的比較例2的半導體發光器件用部件，由于峰非常銳，所以取2048點作為測定數據，通過補零對8192點進行傅利葉轉換。<波形分離解析法>對于傅利葉轉換后的光譜的各峰，以利用洛倫茲波形和高斯波形或兩者混合的波形所制成的峰形狀的中心位置、高度、半峰寬為可變參數，通過非線形最小二乘法進行最優化計算。此外，峰的鑒定參考AIChEJournal,44(5)，p.1141，1998年等。〔I-2.特定金屬元素的合計含量的測定〕通過下述(a)、(b)的方法測定各元素的含量，由其總量計算得出特定金屬元素(Si、Al、Zr、Ti、Y、Nb、B)的合計含量。(a)硅含量的測定將各實施例和各比較例的半導體發光器件用部件的單獨固化物粉碎成100^im左右，在鉑坩鍋中，于大氣中以45(TC保持1小時，接著以750。C保持1小時、以950'C保持1.5小時，進行燒制，除去碳成分后，在所得到的少量殘渣中加入10倍量以上的碳酸鈉，噴燈加熱，使其熔融，將其冷卻后加入去離子水，進而用鹽酸將pH調整為中性左右，同時定容至硅為幾ppm左右，然后進行ICP分析。(b)硅以外的金屬含量的測定將各實施例和各比較例的半導體發光器件用部件的單獨固化物粉碎成100pm左右，在鉑坩鍋中，于大氣中以45(TC保持1小時，接著以750°C保持1小時、以950'C保持1.5小時，進行燒制，除去碳成分后，在所得到的少量殘渣中加入氫氟酸，進行加熱使其干透。向其中加入稀硫酸將殘渣溶解，加入去離子水，定容至各金屬元素為幾ppm。使用該水溶液進行ICP發光分析。〔I-3浙射率測定)將實施例和比較例的半導體發光器件用部件的單獨固化物粉碎為幾十^tm左右的粉末狀，將其分散在具有預測折射率附近的折射率的折射率標準液(折射液)記數點中，自然光下進行觀察，其結果，懸浮的粉末無光散射成為透明的，具有用目視不能確認出來的液體的折射率，具有作為粘合劑的折射率(液浸法)。(I-4.透過率的測定)使用實施例和比較例的半導體發光器件用部件的厚度約0.5mm的平滑表面(不存在因傷痕和凹凸導致的散射)的單獨固化物膜，利用紫外分光光度計(島津制作所制UV-3100)在波長300nm700nm進行透過率的測定。此外，表2中示出波長400nm時的透過率。〔I-5.耐熱試驗〕對于實施例和比較例的半導體發光器件用部件，將利用特氟龍(注冊商標)皿(V卞一U)制作的直徑5cm、膜厚約l.Omm的樣品保持在溫度20(TC的通風干燥機中。(I-6.耐紫外光性試驗)對于實施例和比較例的半導體發光器件用部件，將利用特氟龍(注冊商標)皿制作的直徑5cm、膜厚約l.Omm的樣品以下述條件照射紫外光，比較照射前后的膜的情況。條件在松下電工制水銀氙燈UV照射裝置AicureSPOTTYPEANUP5204(光纖出光面上輸出28000W/m"中組合波長385nm以下的UV光切口過濾器進行使用。在照射纖維前端與UV切口過濾器間無間隙，在過濾器與樣品表面間無間隙，以此照射24小時。此外，照射在照射面上的光的照度用USHIO電機社制造的436nm受光元件照度計UVD-436PD(靈敏度波段360nm500nm)進行測定，其照度為4500W/m2。此外，基于JISZ8103"標準器或測量器根據更高位的測定標準分別進行校正，確立和國家標準/國際標準有關的途徑"，樣品受光面的照度測定所使用的照度計必須為經過標準光源(該標準光源基于國家標準/國際標準被賦予了照度值)校正的照度計，或經過了改變了該標準光源所賦予的值的參照用光源或照度計的間接校正。進而，在目視觀察時劣化明顯的情況下，劣化的檢出法可以采用基于目視的相對評價的方式，但評價結果接近的情況下，可以通過采用輔助性地利用透過率計/顯微分光裝置進行透過率/黃色度(YI值)的測定、利用濁度計進行濁度的測定、基于色差系進行色度的數值化等的方法來對是否存在變化進行數值化，以此來求出劣化的程度。采用這些測定方法時，考慮到紫外光對樣品的照射面積，則如點照射那樣在照射面積微小的情況下，選定可以以對應于照射面積的微小面積進行測定的儀器。(I-7.密合性評價方法)(1)將實施例和比較例的半導體發光器件用部件固化前的水解縮聚液(半導體發光器件用部件形成液)滴加在直徑9mm、凹部的深度為lmm的Ag鍍覆表面的銅制杯中，以規定的固化條件使其固化，制作測定用樣品(半導體發光器件用部件)。(2)在厚度lmm、長25mm、寬70mm的鋁板上薄薄地涂布散熱用硅酮油脂，將所得到的測定用樣品擺開，使其在溫度85'C、濕度85%的氣氛(以下適宜稱為"吸濕環境")下吸濕1小時。(3)從上述(2)的吸濕環境下取出吸濕后的測定用樣品，使其冷卻到室溫(2025'C)。在設定為260'C的加熱板上，連帶鋁板載置經吸濕、冷卻的測定用樣品，保持1分鐘。在該條件下，測定用樣品的實溫以約50秒到達260'C，其后在26(TC保持IO秒。(4)連帶鋁板將加熱后的樣品置于不銹鋼制的室溫的冷卻板上，使其冷卻到室溫。通過目視和顯微鏡觀察，觀察從測定用樣品的上述銅制杯上有無剝離。即使僅觀察到少量的剝離也計為"有剝離"。(5)對10個測定用樣品分別實施上述(2)、(3)和(4)的操作，求出上述測定用樣品的剝離率。此外，剝離率是由"剝離了的測定用樣品的個數/全部測定樣品數"計算得到的比例。〔I-8.輝度提高率試驗.)使用實施例和比較例中得到的密封劑液制作半導體發光器件。此時，作為LED芯片，使用具有發光峰值波長為405nm和460nm的Face-up型GaN系半導體作為發光層的LED芯片，針對每個LED芯片制作各自的半導體發光器件。對這些半導體發光器件通電，所通電的驅動電流為20mA，比較密封前后的輝度，根據下式計算輝度提高率。輝度提高率=(密封后輝度/密封前輝度>100(%)此外，如下準備半導體發光器件。即，首先，如圖50所示，制作由杯101和LED芯片102形成的表面實裝型LED元件103作為LED光源。杯101由聚鄰苯二甲酰胺形成，其底部設置有未圖示的電極。進而，使用環氧樹脂作為固晶膠，用固晶機(Westbond社制造"手動固晶機(7二二7VP夕、V求y夕'一)")將LED芯片102貼在杯101內的電極表面。并且，在LED芯片102的上部設置有電極(未圖示)，使用日本Avionics社制造的綁線機(wirebonder)"MB-2200"用金線將該電極和杯101的電極進行線連接，獲得電導通。其次，用微量移液管將實施例和比較例中準備的水解縮聚液滴加在杯101內并使其達到與杯的上緣同等的高度。接下來，在規定的溫度條件下使密封劑液固化，制作具備透明密封層(半導體發光器件用部件)的半導體發光器件。(I-9.加成型催化劑含量測定試驗)制作半導體發光器件用部件，以此為樣品，通過硅以外的特定金屬含量的測定法測定樣品中的Pt和Rh的合計含量。[n.半導體發光器件用部件的制造][實施例l]將6.7g苯基三甲氧基硅烷、2.0g二甲基二甲氧基硅烷、1.5g水、28.0g作為折射率調整劑的涂布有粒徑為5nm的二氧化硅氧化鋯的氧化鈦溶膠(固體成分為20重量％的甲醇分散液)、1.80g作為催化劑的5%乙酰丙酮鋁鹽甲醇溶液加入能夠密閉的容器中進行混合，栓塞密閉后用攪拌器攪拌，同時在50'C的溫水浴中加熱8小時，然后返回到室溫，調制成水解縮聚液。該液體的水解率為120%。將4.1ml上述的水解縮聚液加入到直徑5cm的特氟龍(注冊商標)皿中，在防爆爐中在微風下于40'C保持4小時，接下來用3小時從4(TC升溫至65°C，進行第一干燥，然后于15(TC保持3小時，進行第二干燥，從而得到厚度約0.5mm的獨立的圓形半透明玻璃膜。使用該樣品進行上述的透過率的測定、耐熱試驗和耐紫外光試驗。并且，使用研缽粉碎該樣品，進行固體Si-NMR光譜測定、折射率的測定和特定金屬元素含量的測定。進而，使用在制造圓形半透明玻璃膜的過程中得到的水解縮聚液，通過密合性評價方法測定剝離率，并且，利用連續點燈試驗測定經過500小時后的輝度的提高率。另外，還通過加成型催化劑含量測定試驗測定樣品中的Pt和Rh的含量。結果列于表2。[實施例2]在安裝有攪拌翼和電容器的三口燒瓶中稱量50.0g東芝硅酮社制造的兩末端硅垸醇二甲基硅油XC96-723、5.0g苯基三甲氧基硅烷和11.0g作為催化劑的四正丙氧基鋯溶液(將5重量份四正丙氧基鋯的75重量％正丙醇溶液用95重量份甲苯稀釋后的溶液)，于室溫在大氣壓下攪拌15分鐘，進行初期水解后，在約50"C加熱攪拌8小時。其后，將反應液冷卻到室溫，轉移至茄形燒瓶中，使用蒸發器以5(TC、lmPa的條件進行30分鐘蒸餾，除去溶劑和反應生成的醇、水分、低沸點硅成分，從而得到無溶劑的密封劑液。稱量l.Og利用辛酸進行了疏水化表面處理的氧化鋯顆粒粉末(Zr02含量73重量。/。、溶劑分散時的平均粒徑4nm)，加進50ml的具有冷凝管的茄形燒瓶中，加入10g甲苯，使其完全溶解制成透明液。進而，加入O.lg二苯基二甲氧基硅烷(Azmax公司)，在氮氣氣氛下于90°C加熱攪拌3小時。冷卻溶液后加入3.9g上述的密封劑液時會暫時出現混濁，但會立刻溶解而成為透明。將該溶液再在氮氣氣氛下于90。C加熱攪拌3小時。其后，于5(TC減壓蒸餾去除溶劑，制作有機無機混合密封材料。將2g該液體加入到直徑5cm的特氟龍(注冊商標)皿中，在防爆爐中在微風下于ll(TC保持1小時，接著在15(TC保持3小時，從而得到厚度約lmm的獨立的圓形透明彈性體狀膜。使用該樣品進行上述的透過率的測定、耐熱試驗和耐紫外光試驗。并且，使用研缽粉碎該樣品，進行固體Si-NMR光譜測定、折射率的測定和特定金屬元素含量的測定。進而，使用在制造圓形半透明玻璃膜的過程中得到的水解縮聚液，通過密合性評價方法測定剝離率，并且，利用輝度提高率試驗測定輝度的提高率。此外，還通過加成型催化劑含量測定試驗測定樣品中的Pt和Rh的含量。結果列于表2。[實施例3]準備70gGE東芝硅酮制的兩末端硅烷醇二甲基硅油XC96-723、70g兩末端硅烷醇甲基苯基硅油YF3804、14g苯基三甲氧基硅垸以及0.308g作為催化劑的四乙酰丙酮鋯粉末，將這些物質加入到安裝有攪拌翼和電容器的三口燒瓶中，于室溫攪拌15分鐘直至催化劑充分溶解。其后，將反應液升溫至120度，在120度于完全回流下攪拌2小時，同時進行初期水解。接著，以SV20吹入氮，將生成的甲醇和水分、作為副產物的低沸硅成分蒸餾去除，同時于12(TC進行攪拌，進而進行6小時的聚合反應。停止吹入氮，將反應液一次性冷卻到室溫后，將反應液轉移至茄形燒瓶中，使用旋轉蒸發器在油浴上以12(TC、lkPa蒸餾20分鐘，除去殘留的微量的甲醇和水分、低沸點硅成分，從而得到無溶劑的密封劑液。將2g上述的密封劑液加入到直徑5cm的特氟龍(注冊商標)皿中，在防爆爐中在微風下于11(TC保持1小時，接著于15(TC保持3小時，從而得到厚度約lmm的獨立的圓形透明彈性體狀膜。使用該樣品，進行上述的透過率的測定、耐熱試驗和耐紫外光試驗。并且，使用研缽粉碎該樣品，進行固體Si-NMR光譜測定、折射率的測定和特定金屬元素含量的測定。進而，使用在制造圓形半透明玻璃膜的過程中得到的水解縮聚液，通過密合性評價方法測定剝離率，并且，利用輝度提高率試驗測定輝度的提高率。另外，還通過加成型催化劑含量測定試驗測定樣品中的Pt和Rh的含量。結果列于表2。[比較例l]將30.80g硅酸甲酯(三菱化學社制造的MKC硅酸酯MS51)、56.53g甲醇、6.51g水、19.6g作為折射率調整劑的涂布有粒徑為5run的二氧化硅氧化鋯的氧化鈦溶膠(固體成分為20重量％的甲醇分散液)、和6.16g作為催化劑的5%乙酰丙酮鋁鹽甲醇溶液用能密閉的容器進行混合，栓塞密閉后用攪拌器攪拌，同時用50度的溫水浴加熱8小時，然后返回室溫，調制成水解縮聚液。該液體的水解率為113%。將10ml上述的水解縮聚液加入直徑5cm的特氟龍(注冊商標)皿中，以與實施例l相同的條件進行干燥，得到厚度約0.3mm的玻璃膜，但在干燥過程的途中產生大量的裂紋而成為粉狀，沒能以獨立的圓形透明玻璃膜的形式取出。并且，使用該粉末進行固體Si-NMR光譜測定、折射率的測定和特定金屬元素含量的測定。進而，使用在制造圓形半透明玻璃膜的過程中得到的水解縮聚液，通過密合性評價方法測定剝離率，并利用輝度提高率試驗測定輝度的提高率。另外，還通過加成型催化劑含量測定試驗測定樣品中的Pt和Rh的含量。結果列于表2。[比較例2]用涂布器將用作半導體發光器件用模塑劑的市售的硅酮樹脂(東麗-道康寧公司制造JCR6101UP)涂布在特氟龍(注冊商標)板上，于25t:進行l小時真空排氣后，于15(TC加熱2小時進行固化，然后，剝離該固化物，得到厚度l.Omm的彈性體狀膜。使用該膜用于耐紫外光性試驗、耐熱試驗和透過率的測定。并且，上述的固體Si-NMR光譜測定、折射率測定、特定金屬元素含量的測定使用將該樣品用冷凍粉碎機粉碎后的樣品來進行。進而，使用上述的硅酮樹脂，通過密合性評價方法測定剝離率，并利用輝度提高率試驗測定輝度的提高率。另外，還通過加成型催化劑含量測定試驗測定樣品中的Pt和Rh的含量。結果列于表2。[比較例3]將用作半導體發光器件用模塑劑的市售的2液固化型芳香族環氧樹脂加入直徑5cm的特氟龍(注冊商標)皿中，于25'C進行1小時真空排氣后，于120'C加熱4小時進行固化，從而作為獨立膜得到了厚度l.Omm的稍帶藍色的圓形透明樹脂膜。使用該膜用于耐紫外光性試驗、耐熱試驗和透過度的測定。并且，上述的固體Si-NMR光譜測定、折射率的測定、特定金屬元素含量的測定使用將該樣品用冷凍粉碎機粉碎后的樣品來進行測定。進而，使用上述的2液固化型芳香族環氧樹脂，通過密合性評價方法測定剝離率，并且利用輝度提高率試驗測定輝度的提高率。另外，還通過加成型催化劑含量測定試驗測定樣品中的Pt和Rh的含量。結果列于表2。[比較例4]將用作半導體發光器件用模塑劑的市售的硅酮樹脂(GE東芝硅酮社制造IVS5332)加入直徑5cm的特氟龍(注冊商標)皿中，于25'C進行1小時真空排氣后，于150'C加熱1小時進行固化，然后，將固化物剝離得到厚度l.Omm的彈性體狀膜。使用該膜用于耐紫外光性試驗、耐熱試驗和透過率的測定。并且，上述的固體Si-NMR光譜測定、折射率測定、特定金屬元素含量的測定使用將該樣品用冷凍粉碎機粉碎后的樣品來進行測定。進而，使用上述的硅酮樹脂，通過密合性評價方法測定剝離率，并利用輝度提高率試驗測定輝度的提高率。另外，還通過加成型催化劑含量測定試驗測定樣品中的Pt和Rh的含量。結果列于表2。[比較例5]在10g比較例2中所使用的硅酮樹脂中混合2g實施例2中所使用的經疏水化表面處理的氧化鋯溶膠顆粒粉末，于15(TC固化2小時，結果完全沒有固化。據認為是由于作為硅酮樹脂的固化催化劑的鉑絡合物與用于氧化鋯溶膠的表面處理的辛酸反應而失活，不能發揮固化催化劑的作用。一般為了將高折射率金屬氧化物顆粒分散于樹脂中，大多將有機酸或表面活性劑等配體用于顆粒的表面處理以使之具有疏水性和改善其分散性，但本發明的半導體發光器件用部件即使利用這樣的配體也不會使固化受到阻害，可以廣泛地選擇表面處理方法。[總結]如下述表2所示，滿足本發明的規定的實施例13的半導體發光器件用部件具有以基于金屬氧垸鍵的無機成分為主體的結構，不僅耐熱性、耐紫外光性優異，而且與僅由4官能硅烷形成的比較例1的半導體發光器件用部件相比，本發明的部件不易產生裂紋，容易制成厚膜。并且，與環氧樹脂和硅酮樹脂等現有樹脂相比，可以容易地分散高折射率金屬氧化物納米顆粒，容易調整折射率，所以可以用作有用的光取出材料。表2:實施例及比較例的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage105</column></row><table>*樣品成為粉狀，所以不能測定。**沒有固化，不能測定。工業實用性本發明的半導體發光器件用部件的用途并不特別限制，可以適于用于以對半導體發光元件等進行密封的部件(密封劑)為代表的各種用途。以上使用特定的方式詳細說明了本發明，但在不脫離本發明的意圖和范圍的條件下可以對其進行各種變化，這對本領域技術人員來說是顯而易見的。另外，本申請基于2005年9月22日提出的日本專利申請(特愿2005-276756)以及2006年9月22日提出的日本專利申請(特愿2006-256973)，以引用的方式援用其全部內容。權利要求1、一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(1)具有羥基或能夠與金屬氧烷鍵中的氧形成氫鍵的官能團；(2)在200℃放置500小時，放置前后，波長400nm的光的透過率的維持率為80％～110％；(3)以中心波長為400nm～450nm且波長大于385nm小于等于500nm的光進行24小時的照射從而使波長436nm的照度為4500W/m2后，目視確認沒有發生變化；(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上。2、一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(5)在固體Si-核磁共振光譜中具有至少一個選自由下述(i)和(ii)組成的組中的峰，所述(i)是峰頂位置位于化學位移為-40ppm0ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm3ppm的峰，所述(ii)是峰頂位置位于化學位移大于等于-80ppm小于-40ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm5ppm的峰，同時，(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上，(2)在20(TC放置500小時，放置前后，波長400nm的光的透過率的維持率為80%110%。3、一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(5)在固體Si-核磁共振光譜中具有至少一個選自由下述(i)和(ii)組成的組中的峰，所述(i)是峰頂位置位于化學位移為-40ppm0ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm3ppm的峰，所述(ii)是峰頂位置位于化學位移大于等于-80ppm小于-40ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm5ppm的峰，同時，(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上，(6)硅烷醇的含量為0.01重量％10重量％。4、一種半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(5)在固體Si-核磁共振光譜中具有至少一個選自由下述(i)和(ii)組成的組中的峰，所述(i)是峰頂位置位于化學位移為-40ppm0ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm3ppm的峰，所述(ii)是峰頂位置位于化學位移大于等于-80ppm小于-40ppm的區域且峰的半峰寬為0.3ppm5ppm的峰，同時，(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上，(7)Pt和Rh的合計含量為O.lppm以下。5、如權利要求24中任一項所述的半導體發光器件用部件，該部件的特征在于，所述峰具有兩個以上。6、如權利要求15中任一項所述的半導體發光器件用部件，該部件的特征在于(8)Si、Al、Zr、Ti、Y、Nb和B的合計含量為20重量％以上。7、如權利要求16中任一項所述的半導體發光器件用部件，其特'征在于，所述部件在膜厚為l.Omm時于半導體發光器件的發射光波長下的光透過率為60%以上。8、如權利要求17中任一項所述的半導體發光器件用部件，其特征在于，該部件含有無機顆粒。9、一種半導體發光器件用部件的制造方法，其是權利要求18中任一項所述的半導體發光器件用部件的制造方法，該制造方法的特征在于，其具有對縮聚物進行干燥的工序，所述縮聚物是對下述通式(l)所示的化合物和/或其低聚物進行水解和縮聚而得到的，Mm+X。Y、—n(1)式(l)中M表示選自硅、鋁、鋯和鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團，Y表示l價的有機基團，m表示l以上的整數，用于表示M的價數，n表示l以上的整數，用于表示X基的個數，其中m^n。10、一種半導體發光器件用部件的制造方法，其是權利要求18中任一項所述的半導體發光器件用部件的制造方法，該制造方法的特征在于，其具有對縮聚物進行干燥的工序，所述縮聚物是對下述通式(2)所示的化合物和/或其低聚物進行水解和縮聚而得到的，(Ms+X〖Y、—h)UY2(2)式(2)中:M表示選自硅、鋁、鋯和鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團，^表示i價的有機基團，^表示u價的有機基團，s表示l以上的整數，用于表示M的價數，t表示1s—l的整數，u表示2以上的整數。11、如權利要求9或權利要求10所述的半導體發光器件用部件的制造方法，其特征在于，所述化合物的水解率為80%500%。12、如權利要求911中任一項所述的半導體發光器件用部件的制造方法，其特征在于，對得到的縮聚物千燥的工序具備第1干燥工序和第2干燥工序，在第1干燥工序中，在低于該溶劑的沸點的溫度實質性地去除溶劑；在第2干燥工序，在溶劑的沸點以上的溫度進行干燥。13、如權利要求911中任一項所述的半導體發光器件用部件的制造方法，其特征在于，該方法具備蒸餾去除所述溶劑的工序，在該工序中，在對所述縮聚物進行干燥之前從所述縮聚物中蒸餾去除上述溶劑。14、如權利要求913中任一項所述的半導體發光器件用部件的制造方法，其特征在于，所述水解和縮聚是在金屬絡合物催化劑的存在下進行的。15、一種半導體發光器件，該半導體發光器件的特征在于，其至少具備權利要求18中任一項所述的半導體發光器件用部件。全文摘要本發明提供半導體發光器件用部件及其制造方法、以及使用該部件的半導體發光器件，所述新穎的半導體發光器件用部件具有優異的透明性、耐光性、耐熱性，能夠密封半導體發光器件并保持熒光體，即使長期使用也不產生裂紋和剝離。所述半導體發光器件用部件具有如下特征(1)具有存在于陶瓷或金屬表面的羥基或能夠與金屬氧烷鍵中的氧形成氫鍵的官能團；(2)在200℃放置500小時，放置前后，波長400nm的光的透過率的維持率為80％～110％；(3)以中心波長為400nm～450nm且波長大于385nm小于等于500nm的光進行24小時的照射以使波長436nm的照度為4500W/m²后，目視確認沒有發生變化；(4)波長550nm的光的折射率為1.45以上。文檔編號C08G77/18GK101268120SQ20068003494公開日2008年9月17日申請日期2006年9月22日優先權日2005年9月22日發明者加藤波奈子,外村翼,小林博,山崎正典,寬森,阿部麻理申請人:三菱化學株式會社