專利名稱：：有機硅改性的電荷遷移化合物和含有該化合物并具有電荷遷移能力的可固化組合物的制作方法
技術領域：
：本發明涉及電荷遷移化合物和含有該化合物并具有電荷遷移能力的可固化組合物。具體講，本發明涉及電荷遷移化合物和含有該化合物并具有電荷遷移能力的可固化組合物，該化合物和組合物具有優越的耐久性，例如歸因于高表面硬度的耐磨力，歸因于透明性的良好外觀，歸因于低表面能的優秀防污漬性和滑動性質以及抗靜電能力。塑料和軟金屬(例如鋁)的表面往往會因機械和電的作用而被刮傷和沾污；在極端情況下，還因磨損而不能使用。具體來說是指塑料透鏡、CRT表面、汽車車身等等會在使用中因橡膠重復磨擦或粘附等而導致的損傷出問題。為了滿足這些表面所需的不同性質和特點，已經設法提供了各種主要由樹脂組成的表面保護層。例如，提出提供其中加入作為導電顆粒以控制耐磨性和電阻的金屬氧化物顆粒的表面保護層。還研究了通過加入各種物料以提高表面性能。例如，著眼于硅氧烷內在的低表面能的添加劑有報導，該硅氧烷例如硅油、聚二甲基硅氧烷、硅氧烷樹脂粉末、交聯的硅氧烷樹脂、聚(碳酸酯-硅)嵌段共聚物、硅氧烷改性的聚氨酯和硅氧烷改性的聚酯。氟型高聚物(例如聚四氟乙烯粉末和氟化碳粉末)一般具有低表面能。含有金屬氧化物等的表面保護層可具有高硬度，但由于高表面能使其在清潔性能等方面成問題。硅氧烷樹脂鑒于其低表面能而言是有益的，但是，由于它們難與其它樹脂相容，它們在系統中會凝聚而造成光散射并且可在表面滲出分離，導致不穩定。氟型高聚物具有低表面能，通常不溶于溶劑并也具有不良分散性；因此很難用它們制造光滑的表面，還因為它們的低折散率會產生光散射，從而引起透明性減退。此外，氟型高聚物通常較軟從而使表面會被擦傷。這些樹脂由于單獨使用時有高電阻使它們還具有易帶靜電的缺點。本發明的目的是提供有機硅改性的電荷遷移化合物和含有該化合物并具有電荷遷移能力的可固化組合物，它們可以解決如上所述的那些問題，即可以形成在均勻狀態具有電荷遷移能力，而不會出現滲出或光散射并同時具有低表面能和機械及電的耐久性的表面層。首先，本發明提供具有由下式(I)表示的結構的有機硅改性的電荷遷移化合物其中A表示電荷遷移基，Q表示水解基或羥基，R2表示具有1至15個碳原子的一價烴基或鹵代一價烴基，n是1至18，m是1至3，和l是1至5。本發明的第二個目的是提供具有電荷遷移能力的可固化組合物，其包括主要由有機硅高聚物構成的固化型樹脂，該高聚物中一價烴基與硅原子鍵合且硅原子與烴基的比例由0.5至1.5，和具有由上式(I)表示的結構的有機硅改性的電荷遷移化合物。圖1示出了實施例1的4-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺的H-NMR譜。圖2示出了實施例4的4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯的H-NMR譜。圖3示出了實施例4的4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯的C-NMR譜。本發明的有機硅改性的電荷遷移化合物具有由式(I)表示的結構其中A表示電荷遷移基，Q表示水解基或羥基，R2表示具有1至15個碳原子的一價烴基或鹵代一價烴基，n是1至18，m是1至3，和l是1至5。在上式(I)中，由Q表示的水解基可包括甲氧基、乙氧基、甲基乙基酮肟基、二乙氨基、乙酰氧基、丙烯氧基、丙氧基、丁氧基和甲氧乙基，更優選由-OR1表示的基團，其中R1表示形成可水解的烷氧基或烷氧烷氧基的基團，且是含1至6個碳原子的烷基或烷氧烷基，包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和甲氧乙基。作為Q，優選由-OR1表示的烷氧基。一般來說，當與硅原子鍵合的水解基的數量m為1時很難發生有機硅化合物自身的縮合，以致于抑制了聚合反應。當m是2或3時，縮合反應可容易發生，并可能發生高交聯反應。因此，盡管預期地提高了固化產物的硬度等，但是，可引起所得高聚物在硅型可熱固化樹脂中的溶解度和與硅型可熱固化樹脂的反應性的變化。R2是直接與硅原子鍵合的基團，代表有1至15個碳原子的一價烴基，包括甲基、乙基、丙基、丁基和戊基；還可包括鏈烯基(例如乙烯基和烯丙基)和芳基(例如苯基和甲苯基)；還可包括鹵代一價烴基，例如以三氟丙基、七氟戊基和九氟己基為例的氟代烴基。字符n是1至18，且該亞烷基不一定是直鏈的。如果n為19或更大，電荷遷移基A可能容易移動而引起硬度的降低。電荷遷移基A直接與硅原子鍵合時，由于位阻現象等會對穩定性和物理性能起反作用。優選n為2至8。數值l是1至5。如果l是6或更大時，在固化反應中未反應的基團會增多而導致電性能下降。本發明中的電荷遷移能力是指遷移電荷的能力且優選的電離勢是6.2eV或低于6.2ev。也就是說，由式(I)表示的有機硅改性的電荷遷移化合物和電荷遷移基A的氫化化合物優選具有的電離勢為6.2ev或低于6.2eV，特別優選4.5至6.2eV。如果電離勢高于6.2eV，難以進行電荷噴射(Chargeinjection)，化合物會帶電。如果低于4.5eV，化合物易被氧化而變質。用常壓光電分析(使用如RikenKeikiK.K.制造的表面分析儀AC-1)測定電離勢。在上式(I)中的電荷遷移基A當以其氫化化合物(電荷遷移物)表示時，可以包括噁唑衍生物、噁噻唑衍生物、咪唑衍生物、三芳基胺衍生物(例如三苯胺)、9-(對-二乙氨基苯乙烯基)蒽、1，1-雙-(4-二芐氨基苯基)丙烷、苯乙烯基蒽、苯乙烯基吡唑啉、苯腙、α-苯基芪衍生物、噻唑衍生物、三唑衍生物、吩嗪衍生物、吖啶衍生物、苯并呋喃衍生物、苯并咪唑衍生物、噻吩衍生物和N-苯基咔唑衍生物。電荷遷移基A優選為由下式(II)表示的基團，其中R3、R4和R5分別表示有機基團且至少其中之一表示芳環烴基或雜環基，R3、R4和R5可相同，也可不同。這樣，從R3、R4和R5基團任何一個中除去一個氫原子就形成了電荷遷移基。由R3、R4和R5表示的優選的結構實例如下所示。在以下結構式中，Ph代表苯基，Me代表甲基，Et代表乙基，Bu代表丁基和Pr代表丙基。n＝1至3-CnH2n＋1n＝1至18n＝1至4，m＝1至3n＝1至4n＝1至4，m＝1至3n＝1至4，m＝1至3n＝1至4，m＝1至3n＝1至4，m＝1至3n＝1至4，m＝0至3n＝1至4，m＝0至3n＝1至6x鹵素(Cl，F，Br)n＝1至3n＝0至5x鹵素(Cl，F，Br)n＝0至3x鹵素(Cl，F，Br)n＝0至3x鹵素(Cl，F，Br)n＝0至3電荷遷移基A的氫化化合物的優選實例如下所示。腙型(氧化勢0.83V)電離勢5.47eV(氧化勢0.91V)電離勢5.54eV(氧化勢0.59V)電離勢5.24eV(氧化勢0.65V)電離勢5.30eV(氧化勢0.65V)電離勢5.30eV(氧化勢0.67V)電離勢5.31eV(氧化勢0.76V)電離勢5.40eV(氧化勢0.81V)電離勢5.45eV(氧化勢0.83V)電離勢5.47eV吡唑啉型噁唑型噁二唑型噻唑型三唑型吖嗪型二芐基苯胺型三苯胺型(氧化勢0.78V)電離勢5.42eV(氧化勢0.81V)電離勢5.45eV(氧化勢0.84V)電離勢5.47eV(氧化勢0.57V)電離勢5.22eV(氧化勢0.75V)電離勢5.40eV(氧化勢0.76V)電離勢5.40eV(氧化勢0.86V)電離勢5.49eV(氧化勢0.76V)電離勢5.40eV(氧化勢0.79V)電離勢5.43eV(氧化勢0.75V)電離勢5.40eV(氧化勢0.77V)電離勢5.41eV(氧化勢0.80V)電離勢5.44eV(氧化勢0.79V)電離勢5.43eV(氧化勢0.88V)電離勢5.51eV(氧化勢0.76V)電離勢5.40eV(氧化勢0.74V)電離勢5.38eV(氧化勢0.77V)電離勢5.41eV(氧化勢0.63V)電離勢5.28eV(氧化勢0.62V)電離勢5.27eV(氧化勢0.58V)電離勢5.22eV(氧化勢0.59V)電離勢5.23eV(氧化勢0.80V)電離勢5.44eV(氧化勢0.78V)電離勢5.43eV(氧化勢0.78V)電離勢5.43eV(氧化勢0.76V)電離勢5.41eV(氧化勢0.58V)電離勢5.23eV(氧化勢0.58V)電離勢5.23eV(氧化勢0.63V)電離勢5.28eV(氧化勢0.77V)電離勢5.41eV(氧化勢0.83V)電離勢5.47eV(氧化勢0.83V)電離勢5.47eV(氧化勢0.84V)電離勢5.47eV(氧化勢0.83V)電離勢5.47eV(氧化勢0.83V)電離勢5.47eV(氧化勢0.85V)電離勢5.48eV(氧化勢0.74V)電離勢5.38eV(氧化勢0.80V)電離勢5.44eV(氧化勢0.83V)電離勢5.47eV(氧化勢0.84V)電離勢5.47eV(氧化勢0.72V)電離勢5.36eV(氧化勢0.73V)電離勢5.38eV(氧化勢0.81V)電離勢5.45eV(氧化勢0.78V)電離勢5.43eV(氧化勢0.76V)電離勢5.40eV(氧化勢0.82V)電離勢5.46eV(氧化勢0.82V)電離勢5.45eV(氧化勢0.89V)電離勢5.52eV(氧化勢0.81V)電離勢5.45eV(氧化勢0.84V)電離勢5.47eV(氧化勢0.79V)電離勢5.43eV三苯甲烷型苯乙烯基，茋型(氧化勢0.50V)電離勢5.15eV(氧化勢0.54V)電離勢5.19eV(氧化勢0.76V)電離勢5.40eV(氧化勢0.81V)電離勢5.45eV(氧化勢0.82V)電離勢5.46eV烯胺型氫化的電荷遷移基A化合物可通過以下方法合成。合成在20ml硝基苯中，加入10.0g2-氨基-9，9-二甲基芴，36.1g(165.6mmol)對-碘甲苯、22.9g(165.7mmol)無水碳酸鉀和7.0g銅粉，隨后在攪拌下加熱并回流8小時。將得到的反應混合物冷卻后，吸濾并將得到的濾液在減壓下蒸發。剩余物經過硅膠柱色譜純化得到15.6g標題化合物。m.p.141.0至141.5℃。合成I.MA反應II.硝化反應III.維悌希反應IV.還原反應V.Ulmann反應在攪拌下，在油浴中將154ml(1.34mol)芐基氯(d＝1.10)和206ml(1.2mol)亞磷酸三乙酯(d＝0.969)的混合物逐漸加熱。將油浴保持在160至180℃并回流和攪拌20小時。反應完全后，將反應混合物在減壓下蒸餾得到215.4g芐基膦酸二乙酯。產率78.6％；沸點134.6至135.0℃(7mmHg)。接著，在200ml三頸燒瓶中放55.0ml(1.25mol)發煙硝酸(d＝1.52，94％)，在攪拌下將內部溫度冷卻至-10至-5℃。隨后，持續1小時將預先得到的61.6g(0.27mol)芐基膦酸二乙酯逐滴慢慢加入。滴加完成后，在同一溫度將反應混合物攪拌30分鐘，接著將其倒入約600ml冰水后，再用約300ml乙酸乙酯萃取。將有機層用飽和鹽水清洗，再用無水硫酸鈉干燥，而后減壓蒸發。剩余物經減壓蒸餾后得到61.3g4-硝基芐基膦酸二乙酯。產率83.1％；沸點199至201.0℃(3mmHg)。元素分析給出C11H16NO5</tables>在室溫下，將3.60g(約90mmol)油狀氫化鈉(約60％)加入150ml二甲亞砜中。加入后，在油浴中將混合物加熱到內部溫度在70℃左右，并在同樣條件下攪拌1小時。隨后，將反應溶液冷卻至室溫，再逐滴加入25.1g(92mmol)4-硝基芐基膦酸二乙酯和10.0g(48.6mmol)5H-二苯并[a，d]環庚烯-5-酮在50ml二甲基亞砜中的溶液。加入完成后，將生成的混合物在室溫攪拌15分鐘，然后保持內部溫度在70至80℃，在油浴中加熱并攪拌2小時。反應完成后，使反應混合物冷卻至室溫，接著倒進約1升飽和鹽水中，再用乙酸乙酯萃取。用無水硫酸鈉干燥有機層，減壓除去溶劑。在得到的剩余物中加入甲醇，通過過濾收集析出的晶體。用甲醇/丙酮混合溶劑使晶體重結晶，得到10.94g5-(4-硝基亞芐基)-5H-二苯并[a，d]環庚烯。產率69.3％；m.p.151.5至152.5℃。元素分析給出C22H16NO2</tables>在150mlN，N-二甲基甲酰胺中，加入10.0g(30.7mmol)上述的5-(4-硝基亞芐基)-5H-二苯并[a，d]環庚烯、8.0g(143mmol)還原鐵粉和2.70ml(30.6mmol)濃鹽酸(d＝1.18，35％)。將生成的混合物加熱至內部溫度約為70℃后，在同一溫度加熱和攪拌3小時。反應完成后，在冰水浴中冷卻反應混合物，加入約12.4ml10％氫氧化鈉水溶液后攪拌，再吸濾。把得到的濾液倒入約1升飽和鹽水中，并用乙酸乙酯萃取。用無水硫酸鈉干燥有機層，減壓除去溶劑。在得到的剩余物中加入甲醇，過濾收集析出的晶體。此晶體用甲醇再次重結晶，得到8.41g5-(4-氨基亞芐基)-5H-二苯并[a，d]環庚烯。產率92.7％；m.p.119至120.0℃元素分析給出C22H17N</tables>在30ml鄰-二氯苯中，加入7.90g(26.7mmol)預先得到的5-(4-氨基亞芐基)-5H-二苯并[a，d]環庚烯、22.0g(101mmol)對-碘甲苯、11.0g(79.6mmol)無水碳酸鈉和2.2g銅粉。在保持在190℃左右的油浴中，將混合物攪拌回流7小時。反應完成后，經過吸濾反應物，將濾液連續用35％硫代硫酸鈉溶液和飽和鹽水洗滌。用無水硫酸鈉干燥有機層，減壓除去溶劑。在生成的剩余物中加入約60ml丙酮并過濾收集析出的晶體。用乙酸乙酯/正己烷混合溶劑將得到的晶體進一步重結晶，得到9.52g5-[4-(二-對甲苯氨基)亞芐基)-5H-二苯并[a，d]環庚烯。產率75.0％；m.p.168.0至169.0℃。元素分析給出C36H29N</tables>優選的本發明有機硅改性的電荷遷移化合物的實例如下所示。三苯胺型其中Q表示水解基或羥基，R2表示有1至15個碳原子的一價烴基或鹵代一價烴基，n是1至18，m是1至3，和l是1至5。(下文同樣適用)以上式(I)表示的有機硅改性的電荷遷移化合物可通過已知方法合成。例如，優選使用在鉑催化劑或有機過氧化物催化劑存在下，使芳環上有乙烯基的化合物與帶取代基的氫化的硅化合物進行氫化硅烷化作用的方法。對所用的鉑催化劑沒有特殊限制，可以用任何通常氫化硅烷化和加成型硅橡膠合成中所用的鉑催化劑，包括氯化鉑、氯鉑酸、鉑-烯烴復合物和鉑-膦復合物。對所加鉑催化劑的量也沒有特殊限制。由于殘余的催化劑可能對產品的性能有反作用，所以優選以盡可能少的量使用催化劑。當在鉑催化劑存在下，芳環上有乙烯基的化合物與帶取代基的氫化的硅化合物通過加成反應合成本發明化合物時，反應發生在乙烯基的α-位或β-位，并常常制得混合物。在本發明所用化合物中，不是在α-位反應的，就是在β-位反應的。當與硅原子鍵合的烴基和電荷遷移基的碳原子數較少時，為避免位阻優選在β-位反應的化合物。可以使用在室溫或室溫以上時具有半衰期的有機過氧化物。特別是，優選用烷基過氧化物(例如月桂基過氧化物)，因為它難以拉出氫。至于沒有乙烯基的化合物可以在芳環上引入乙烯基(例如通過甲酰化再還原或脫水，或直接通過Wittig反應)，這樣就可在本發明中用作起始物料。下一步將說明本發明的具有電荷遷移能力的可固化組合物中所含的固化樹脂。作為固化型樹脂主要成分的有機硅高聚物，例如有機聚硅氧烷(polysilalkylenesiloxane)、聚硅亞烷基硅氧烷、聚硅亞芳基硅氧烷，其中與硅原子鍵合的一價烴基與硅原子的比例是從0.5至1.5。當該比例小于1.0時，該聚合物變得組成上越來越接近玻璃而加熱時失重更少和其樹脂產物會更硬，并且當比例小于0.5時，很難制成膜。在另一方面，當比例大于1.0時，聚合物顯示出相反的傾向。例如，在比例為2.0時，有機聚硅氧烷變成聚二有機聚硅氧烷。這樣，如果比例比1.5大，聚合物變得過于橡膠態而硬度不足。有機聚硅氧烷優選包括具有下式(III)表示的結構單元的那些R6nSiO(4-n-m)/2(OR7)m(III)其中R6表示有1至18個碳原子的直鏈或支鏈烷基或鏈烯基，或芳基；R7表示有1至4個碳原子的烷基；n平均是0.5至1.5；和m平均是0.01至1.5。R6的有1至18個碳原子的直鏈或支鏈烷基可包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、2-乙基己基、十二烷基和十八烷基；鏈烯基可包括例如乙烯基和烯丙基；和芳基可包括苯基和甲苯基。R6還可包括具有1至18個碳原子的鹵代直鏈或支鏈飽和烴基，例如以三氟丙基、七氟戊基和九氟己基為代表的氟代烴基，以氯甲基和氯乙基為代表的氯代烴基。R6不一定是單一類型，它的選擇是以所需改進的內容(例如樹脂性能和樹脂在溶劑中的溶解性)為依據的。本領域中眾所周知，當系統中有甲基和苯基時通常比系統中僅有甲基時對于有機化合物有更強的親合性。當在有機聚硅氧烷中引入氟代烴基時，正如在其它高聚物中一樣，由于氟原子的存在使表面張力降低而導致性能(例如防水性和防油性)可改變。同樣在本發明中，當需要較低表面張力時，可通過共聚作用將與氟代烴基鍵合的硅單元引入。在上式(III)中，與硅原子鍵合的OR7基表示羥基或能夠水解縮合的基團。R7選自氫原子或低級烷基、例如甲基、乙基、丙基和丁基。在OR7基中R7的反應性，在R7是氫時最高，隨著烷基中碳原子數的增多而降低，并且可根據所用的反應系統適當地選擇R7。能夠水解縮合的基團的數目用m表示。只要m為0.01或大于0.01，該基團可用于本樹脂的交聯。眾所周知，通過控制交聯密度來調節樹脂的硬度。在本發明中同樣，可通過上述與硅原子鍵合的能夠水解縮合的基團的數量來控制樹脂的硬度。但是假如能夠水解縮合基團的數量太大，在系統中剩余的未反應的基團可在使用環境中水解，這樣對表面性能起反作用。優選的m值是0.01至1.5。有機硅高聚物共有的特點之一是對有機化合物具有很差的親合性或在其中溶解性差。例如，在普通有機樹脂中所用的抗氧劑和紫外光吸收劑等不溶于二甲基聚硅氧烷并在其中凝聚。通常的電荷遷移化合物無一例外且難以以電荷轉移的有效濃度溶解。以式(I)表示的電荷遷移化合物和以上提到的有機硅高聚物，特別是有機聚硅氧烷具有良好的相容性并能明顯地改進其機械性能。在固化時通過加入交聯劑還可將上述固化型樹脂交聯。上述的固化型樹脂還可包括作為交聯劑的下式(IV)表示的硅烷化合物。它使由該固化組合物固化得到的表面保護層的物理性能(例如硬度和強度)易于控制。R8aSiX4-a(IV)其中R8表示有1至18個碳原子的直鏈或支鏈烷基或鏈烯基，或苯基；X表示可水解的基團；和a表示與Si的摩爾比率。在式(IV)中，由R8表示的基團可包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、乙烯基、烯丙基、苯基和甲苯基。由X表示的水解基可包括氫原子、甲氧基、乙氧基、甲基乙基酮肟基、二乙氨基、乙酰氧基、丙烯氧基、丙氧基和丁氧基。以上樹脂的交聯固化，并不需要加入催化劑；但是如果要用的話，考慮到固化時間、固化溫度等等，可以用通常有機硅高聚物固化所用的普通催化劑，適宜選自烷基錫有機酸鹽(例如二乙酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫和辛酸二丁基錫)或有機鈦酸酯(例如鈦酸正丁酯)。以式(IV)表示的用作交聯劑的硅烷化合物的實例可包括甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷，和由以下基團(例如乙酰氧基、甲基乙基酮肟基、二乙氨基或異丙烯氧基)代替這些烷氧基的硅烷。該交聯劑可以是低聚物的形式例如聚硅酸乙酯。本發明中所用的有機硅高聚物可通過已知方法制備，其中包括在日本專利公開No.26-2696和No.28-6297中所公開的方法和在ChemistryandTechnologyofSilicones，Chapter5，P.191(WalterNoll，AcademicPress，Inc.1968)所述有機聚硅氧烷合成方法。例如，將與硅原子相連的一價有機基的取代基數n平均為0.5至1.5的有機烷氧基硅烷或有機鹵代硅烷溶于有機溶劑，然后，在酸或堿存在下水解和縮合以進行聚合，而后除去溶劑。溶解本發明中所用的有機硅高聚物的溶劑包括芳烴(例如甲苯和二甲苯)、脂族烴(例如環己烷和己烷)、含鹵素的烴(例如氯仿和氯苯)和醇(例如乙醇和丁醇)。本發明的可固化組合物包括主要由有機硅高聚物和有機硅改性的電荷遷移化合物組成的固化型樹脂，可通過例如將兩者在能溶解兩者的溶劑中混合來制備。當不含溶劑的固化型樹脂固體物料以重量計為100份時，將有機硅改性的電荷遷移化合物優選以重量計20份至200份的量混合。不優選使用低于20重量份的量是因為其電荷遷移性能不足和電勢增大。也不優選使用高于200重量份的量是因為機械強度下降和表面能升高。固化型樹脂以重量計為100份時，更優選以按重量計30至150份的量使用有機硅改性的電荷遷移化合物。在本發明可固化組合物中，只要以能應用于光敏器件的溶液或分散體形式，固化型樹脂就可以先與有機硅改性的電荷遷移化合物部分反應而后再固化。作為固化的條件，優選將組合物加熱為100至200℃。當加熱溫度低于100℃，固化反應時間長并因此可能殘留未反應的水解基。當加熱溫度高于200℃，電荷遷移基會因氧化變質而起副作用。更優選將組合物在120至160℃加熱固化。本發明具有電荷遷移能力的可固化組合物可用于形成固化時具有電荷遷移能力的表面保護層。在本發明具有電荷遷移能力的可固化組合物中，除了以上化合物還可用添加劑以改進機械性能和耐久性。所用添加劑包括抗氧劑、紫外線吸收劑、穩定劑、潤滑劑和電導性控制劑。本發明具有電荷遷移能力的可固化組合物可用作具有高硬度和低表面能的表面保護層。當用作此用途時，表面保護層的厚度從0.5至50μm。當比0.5μm薄時，保護作用不充分；當厚于50μm時，則不合乎需要地增大了成本。下面將通過實施例更詳盡地表述本發明。-主要由有機聚硅氧烷組成的固化型樹脂-參考實施例1制備主要由甲基聚硅氧烷樹脂組成的固化型樹脂溶液在10g甲苯中，溶入10g含有以重量計1％硅烷醇基和包含80mol％甲基硅氧烷單元和20mol％二甲基硅氧烷單元的甲基聚硅氧烷樹脂。在產生的溶液中，加入5.3g甲基三甲氧基硅烷和0.2g二乙酸二丁基錫，制成均勻溶液。參考實施例2制備主要由甲基聚硅氧烷樹脂組成的固化型樹脂溶液在10g甲苯中，溶入10g含有以重量計1％的硅烷醇基和包含80mol％甲基硅氧烷單元和20mol％二甲基硅氧烷單元的甲基聚硅氧烷樹脂。在產生的溶液中，加入11.5g甲基三(甲基乙基酮肟)硅烷和0.2g二乙酸二丁基錫，制成均勻溶液。參考實施例3制備主要由甲基苯基聚硅氧烷樹脂組成的固化型樹脂溶液在10g甲苯中，溶入12g含有以重量計1％的硅烷醇基和包含40mol％苯基硅氧烷單元、20mol％二苯基硅氧烷單元、20mol％甲基硅氧烷單元和20mol％二甲基硅氧烷單元的甲基苯基聚硅氧烷樹脂，然后加入0.2g二乙酸二丁基錫，制成均勻溶液。參考實施例4制備主要由氟硅氧烷樹脂組成的固化型樹脂溶液在10g甲苯中，溶入11g含有以重量計1％的硅烷醇基和包含50mol％甲基硅氧烷單元、10mol％二甲基硅氧烷單元和10mol％3，4，4，5，5，6，6，6-九氟代己基硅氧烷單元的甲基九氟己基聚硅氧烷樹脂。在產生的溶液中，加入0.2g二乙酸二丁基錫，制成均勻溶液。-有機硅改性的電荷遷移化合物的實施例-實施例1合成4-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺-合成4-(N，N-二苯氨基)苯甲醛在用冰水冷卻的三頸燒瓶中，放入101.4g三苯胺和35.5mlDMF(二甲基甲酰胺)，邊攪拌邊逐滴加入84.4ml磷酰氯，然后升溫至95℃，進行反應5小時。將得到的反應溶液倒入4升溫水后，攪拌1小時。隨后，過濾收集形成的沉淀，并用乙醇/水(1∶1)混合物洗滌以得到91.5g4-(N，N-二苯氨基)苯甲醛(產率81.0％)-合成4-乙烯基三苯胺在三頸燒瓶中放入14.6g氫化鈉和700ml1，2-二甲氧基乙烷，室溫攪拌下加入130.8g溴化三甲基鏻。接著，加入一滴無水酒精后，在70℃進行反應4小時。然后，加入100g4-(N，N-二苯氨基)苯甲醛，將溫度升至70℃進行反應5小時。過濾生成的反應溶液，將濾液和沉淀的乙醚提取液合在一起后用水洗。于是，將乙醚溶液用氯化鈣脫水，除去乙醚，得到反應粗產物。從乙醇中重結晶后，得到83.4g淺黃色針狀乙烯基三苯胺(產率84.0％)。-4-乙烯基三苯胺的氫化硅烷化室溫下，在三頸燒瓶中，放入40ml甲苯、9.9g(60mmol)三乙氧基硅烷和在甲苯中的0.018mmol三(四甲基-二乙烯基二硅氧烷)合二鉑(0)，邊攪拌邊逐滴加入20ml含有8.2g4-乙烯基三苯胺的甲苯溶液。加入完成后，在70℃攪拌混合物3小時，隨后，減壓除去溶劑，得到12.1g淺黃色油狀4-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺(產率91.7％)。圖1顯示該化合物的H-NMR光譜(由APC300測出，由BrukerCo.制造的NMR分光儀)。通過常壓光電子分析測量的該化合物的電離勢是5.68eV(使用表面分析儀AC-1，由RikenKeidiK.K.制造)。實施例2合成4-[2-(甲基二乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺-4-乙烯基三苯胺的氫化硅烷化室溫，在三頸燒瓶中放入40ml甲苯、8.1g甲基二乙氧基硅烷和甲苯中的0.018mmol三(四甲基二乙烯基-二硅氧烷)合二鉑(0)，邊攪拌邊逐滴加入20ml含有8.2g4-乙烯基三苯胺的甲苯溶液。加入完成后，在70℃攪拌混合物3小時，隨后減壓除去溶劑得到11.2g淡黃色油狀4-[2-(甲基二乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺(產率91.4％)。通過常壓光電子分析測出的該化合物的電離勢是5.66eV(使用表面分析儀AC-1，由RikenKeikiK.V.制造)。實施例3合成4，4’，4”-三[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺-合成三-(4-甲酰苯基)胺在三頸燒瓶中放入50.7g三苯胺和53.3mlDMF，用冰水冷卻下，邊攪拌邊逐滴加入126.6ml磷酰氯。加入完成后，加熱反應溶液至95℃，進行反應5小時。將得到的反應溶液倒入5升溫水后，攪拌1小時。然后，過濾收集形成的沉淀，再用乙醇/水(1∶1)的混合物洗滌得到65.3g三-(4-甲酰苯基)胺(產率95.9％)。-合成三(4-乙烯基苯基)胺室溫，在三頸燒瓶中放入14.6g氫化鈉和70ml1，2-二甲氧基乙烷，邊攪拌邊加入130.8g溴化三甲基鏻。接著，加入一滴無水酒精后，在70℃進行反應4小時。然后，在得到的混合物中加入40.2g(4-甲酰苯基)胺，在70℃進行反應5小時。過濾生成的反應溶液，除去濾餅，將濾餅的乙醚提取液和濾液放在一起再用水洗。跟著用氯化鈣將乙醚溶液脫水并隨后除去乙醚，得到反應混合物。用乙醇重結晶兩次，得到38.4g淡黃色針狀三(4-乙烯苯基)胺(產率97.3％)。-三(4-乙烯基苯基)胺的氫化硅烷化室溫，在三頸燒瓶中放入40ml甲苯、9.9g(60mmol)三乙氧基硅烷和在甲苯中的0.018mmol三(四甲基-二乙烯基二硅氧烷)合二鉑(0)，邊攪拌邊逐滴加入20ml含有3.3g(13mmol)三(4-乙烯苯基)胺的甲苯溶液。加入完成后，在70℃攪拌混合物3小時，隨后減壓除去溶劑得到7.8g淡黃色油狀4，4’，4”-三[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺(產率80.6％)。通過常壓光電子分析測得該化合物的電離勢是5.65eV(使用表面分析儀AC-1，由RikenKeikeK.K.制造)。實施例4合成4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯-合成N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基苯在20ml硝基苯中，加入38.5g(166mmol)4-碘-鄰-二甲苯、22.9g(166mmol)無水碳酸鉀和7.0g銅粉后，在攪拌下加熱回流8小時。冷卻、過濾反應混合物并除去沉淀。使濾液(反應粗產物)通過硅膠柱得到15.7gN，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基苯(產率69％)。-合成4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯甲醛將124.6gN，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基苯和35.5mlDMF放入用冰水冷卻的三頸燒瓶中，邊攪拌邊逐滴加入84.4ml磷酰氯。加入完后，加熱混合物至95℃并進行反應5小時。將生成的反應溶液倒入4升溫水中后攪拌1小時。隨后，過濾收集沉淀并用乙醇/水(1∶1)混合物洗滌，得到107.6g4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯甲醛(產率79.0％)。-合成4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯乙烯室溫下，在三頸燒瓶中，放入12.1g氫化鈉和580ml1，2-二甲氧基乙烷，邊攪拌邊加入108.5g溴化三甲基鏻。接著加入一滴無水酒精后，在70℃進行反應4小時。然后在反應混合物中加入100.0g4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯甲醛，在70℃進行反應5小時后，過濾并收集濾餅。將濾餅用乙醚提取并將提取液與濾液放在一起用水洗。然后，用氯化鈣使乙醚溶液脫水，而后除去乙醚得到粗產物。從乙醇中兩次重結晶后，得到84.5g針狀4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯乙烯(產率85.0％)。-4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯乙烯的氫化硅烷化室溫下，在三頸燒瓶中放入40ml甲苯、6.0g三乙氧基硅烷和在甲苯中的0.54mmol三(四甲基二乙烯基二硅氧烷)合二鉑(O)，邊攪拌邊逐滴加入20ml含有9.9g4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯乙烯的甲苯溶液。加料完成后，在70℃攪拌混合物3小時，隨后減壓除去溶劑得到13.4g淡黃色油狀的4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]-[2-三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯(產率90.1％)。所得化合物的H-NMR譜(由APC300，BrukerCo.制造的NMR分光計測得)如圖2所示。該產物化合物的C-NMR譜(由APC300，BrukerCo.制造的NMR分光計測得)如圖3所示。通過常壓光電子分析測得該化合物的電離勢是5.26eV(使用表面分析儀AC-1，由RikenKeikiK.K.制造)。實施例5合成4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯-4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基)苯乙烯的氫化硅烷化室溫下，在三頸燒瓶中放入40ml甲苯、6.0g(37mmol)三乙氧基硅烷和0.34mmol二氯(h-環辛-1，5-二烯)合鉑(II)，邊攪拌邊逐滴加入20ml含有9.9g4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]苯乙烯的甲苯溶液。加料完成后，在70℃攪拌混合物3小時，隨后減壓除去溶劑，得到14.0g淺黃色油狀的4-[N，N-雙(3，4-二甲苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯(產率94.2％)。通過常壓光電子分析測得該化合物的電離勢為5.31eV(使用表面分析儀AC-1，由RikenKeikiK.K制造)。實施例6合成4-[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]三苯胺-合成4-溴化三苯胺在200ml的三頸燒瓶中，放入8.0g(45mmol)N-溴代丁二酰亞胺和10.0g(41mmol)三苯胺，再加入150mlN，N-二甲基甲酰胺。在室溫下攪拌混合物過夜。接著，從反應中除去N，N-二甲基甲酰胺并用四氯化碳萃取生成的固體物質。然后，除去四氯化碳，用乙醇將反應產物重結晶二次，得到8.2g白色固體的4-溴代三苯胺(產率61.0％)。-合成4-N，N-二苯基氨基烯丙基苯在300ml四頸燒瓶中放入1.0g(40mmol)金屬鎂，并用氮氣代替空氣。隨后，加入100ml乙醚和開始攪拌。將30ml溶有8.6g(27mmol)4-溴代三苯胺的乙醚溶液慢慢地逐滴加入正在攪拌的混合物中。當滴加了約3ml4-溴代三苯胺溶液時，慢慢開始回流。邊回流，邊滴加剩下的4-溴代三苯胺。加料完成后，再回流1小時得到Grignard試劑溶液。將這樣得到的試劑溶液冷卻至室溫，接著在用冰冷卻下，慢慢逐滴加入40ml含有2.1g(27mmol)烯丙基氯的乙醚溶液。加料完成后，回流反應混合物2小時使反應老化。隨后，在用冰冷卻時加入50ml水以完成水解。下一步，收集乙醚層，用飽和碳酸氫鈉水溶液洗一次，再用水洗兩次，而后用無水硫酸鈉干燥。干燥后，除去乙醚得到4.9g4-N，N-二苯基氨基烯丙基苯白色固體(產率63.2％)。-4-N，N-二苯基氨基烯丙基苯的氫化硅烷化室溫下，在三頸燒瓶中放入40ml甲苯、6.0g(37mmol)三乙氧基硅烷和在甲苯中的0.54mmol三(四甲基二乙烯基二硅氧烷)合二鉑(O)，邊攪拌邊逐滴加入20ml含有9.7g(34mmo1)4-N，N-二苯氨基烯丙基苯的甲苯溶液。加料完成后，在70℃攪拌混合物3小時，隨后減壓除去溶劑得到10.7g淡黃色油狀4-[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]三苯胺(產率70.1％)。通過常壓光電子分析測得該化合物的電離勢為5.72eV(使用表面分析儀AC-1，由RikenKeikiK.K制造)。實施例7合成4-[4-(三乙氧基甲硅烷基)丁基]三苯胺-合成4-甲基三苯胺在30ml鄰-二氯苯中，加入4.5g(27mmol)二苯胺、11.0g(51mmol)對-碘甲苯、5.5g(40mmol)無水碳酸鈉和1.1g銅粉。攪拌下，將該混合物加熱回流7小時。反應完成后，過濾反應溶液。依次用35％硫代硫酸鈉溶液和飽和鹽水洗滌過濾液。用無水硫酸鈉干燥有機層后除去溶劑。從乙醇中將生成的反應粗產物重結晶，得到5.7g4-甲基三苯胺(產率81.4％)。-合成4-溴代甲基三苯胺在300ml三頸燒瓶中放入6.9g(39mmol)N-溴代丁二酰亞胺和9.1g(35mmol)4-甲基三苯胺后，加入100ml四氯化碳。隨后，在攪拌下將混合物加熱回流過夜。反應完成后，冷卻反應溶液。繼而過濾并除去溶劑。從乙醇中將這樣得到的反應產物重結晶，得到10.8g4-溴代甲基三苯胺(產率91.2％)。-合成4-N，N-二苯基氨基苯基-1-丁烯在200ml四頸燒瓶中放入1.0g(40mmol)金屬鎂，并用氮氣除去空氣。而后，加入100ml乙醚開始攪拌。在攪拌下，慢慢在混合物中逐滴加入20ml溶有9.1g(27mmol)4-溴代甲基三苯胺的乙醚溶液。當滴加約5ml溶液時，慢慢開始回流。邊回流，邊滴加剩下的4-溴代甲基三苯胺溶液。加料完成后，再回流1小時得到Grignard試劑溶液。將這樣得到的試劑溶液冷卻至室溫，然后，在用水冷卻時，慢慢滴加20ml含有2.1g(27mmol)烯丙基氯的乙醚溶液。完成加料后，回流2小時使反應老化。隨后，當用冰冷卻下加入50ml水以完成水解。下一步，收集乙醚層，用飽和碳酸氫鈉水溶液洗一次再用水洗兩次后，用無水硫酸鈉干燥。干燥后，除去乙醚得到5.5g4-N，N-二苯基氨基苯基-1-丁烯白色固體(產率66.7％)。-4-N，N-二苯基氨基苯基-1-丁烯的氫化硅烷化室溫下，在三頸燒瓶中放入40ml甲苯、9.9g(60mmol)三乙氧基硅烷和甲苯中的0.018mmol三(四甲基二乙烯基二硅氧烷)合二鉑(0)，邊攪拌邊逐滴加入20ml含有16.7g(54.7mmol)4-N，N-二苯氨基苯基-1-丁烯的甲苯溶液。加料完成后，在70℃攪拌3小時，隨后減壓除去溶劑得到13.9g4-[4-(三乙氧基甲硅烷基)丁基]三苯胺淡黃色油狀物(產率83.2％)。通光常壓光電子分析測得該化合物的電離勢為5.69eV(使用表面分析儀AC-1，由RikeuKeikiK.K制造)。實施例8在參考實施例1的樹脂溶液中，加入基于樹脂固體物料的重量為70％(重量)的量的4-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯胺(實施例1)，而后混合。用刮涂棒將混合物涂于玻璃板上，而后在140℃干燥15小時。在顯微鏡下觀察形成了均勻的膜。對比實施例1在參考實施例1的樹脂溶液中，溶解基于樹脂的重量為30％(重量)的量的三苯胺作為電荷遷移化合物，而后按照實施例8的方法混合、固化以形成膜。該膜不透明，并由顯微觀察證實有三苯胺的沉積。對比實施例2使用參考實施例2的樹脂溶液重復對比實施例1的方法形成膜。形成的該膜的不透明程度減輕，但是顯微觀察證實有三苯胺晶體的沉積。對比實施例3除了將6g(60mmol)三甲基硅烷用于實施例1得到的4-乙烯基三苯胺的氫化硅烷化以外，重復實施例1的方法以得到4-[2-(三甲基甲硅烷基)乙基]三苯胺。用它以對比實施例1的方法形成膜。結果該膜不透明，觀察到4-[2-(三甲基甲硅烷基)乙基]三苯胺的分離。實施例9合成4-(N-乙基-N-苯基氨基)-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯-合成4-(N-乙基-N-苯基氨基)苯甲醛用冰水冷卻下，在三頸燒瓶中放入82g二苯基乙基胺和35.5m1DMF，邊攪拌邊滴加84.4ml磷酰氯。加料完成后，升溫至95℃反應5小時。隨后，過濾收集生成的沉淀，并用乙醇/水(1∶1)混合物洗滌，得到62g4-(N-苯氨基)苯甲醛。-合成4-(N-乙基-N-苯基氨基)苯乙烯室溫下，在三頸燒瓶中放入14.6g氫化鈉和700ml1，2-二甲氧基乙烷，邊攪拌邊加入130.8g溴化三甲基鏻。接著，加入一滴無水酒精后，在70℃進行反應5小時。過濾反應溶液，將濾液和沉淀的乙醚提取液合在一起，用水洗。將乙醚部分用氯化鈣脫水，而后除去乙醚，得到反應粗產物。從乙醇中將其重結晶得到62.4g產物淡黃色針狀晶體。-4-(N-乙基-N-苯基氨基)苯乙烯的氫化硅烷化室溫下，在三頸燒瓶中放入40ml甲苯、9.9g(60mmol)三乙氧基硅烷和在甲苯中的0.018mmol三(四甲基二乙烯基二硅氧烷)合二鉑(0)，邊攪拌邊滴加20ml含有7.6g4-乙烯苯基(N-苯基-N-乙基)胺的甲苯溶液。加料完成后，在70℃攪拌混合物3小時，而后減壓除去溶劑，得到7.8g淡黃色油狀4-(N-乙基-N-苯基氨基)-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯。通過常壓光電子分析測得該化合物的電離勢為6.3eV(使用表面分析儀AC-1，由RikenKeikiK.K.制造)。實施例10通過在100重量份的參考實施例1的可固化樹脂溶液中，加入200重量份的甲苯和40重量份實施例9合成的4-(N-乙基-N-苯基氨基)-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯制備可固化組合物。將該組合物浸涂在50μm厚的Al片基上。將形成的涂層在140℃干燥和熱固化4小時以形成2μm厚的表面保護膜。將這樣得到的片放在泰伯爾耐磨試驗儀(由YasudaSeikiK.K.制造，500g負載×2，#2000包裝帶(Wrappingtape)，得自FujiPhotoFilmCo.Ltd.，1,000r.p.m)以測出其磨損深度。其結果好到0.8μm或更小。將Al片基接地和用電暈充電裝置使其帶700V靜電。5秒后測得剩余的電勢為350V或350V以下。實施例11通過在100重量份參考實施例1的可固化樹脂溶液中，加入200重量份甲苯和40重量份實施例4合成的4-(N，N-雙(3，4-二甲基苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯以制備可固化組合物。把該組合物浸涂于50μm厚鋁片基。形成的涂層在140℃干燥熱固化4小時以形成2μm厚的表面保護膜。將這樣得到的片放于泰伯爾耐磨試驗儀(由YasudaSeikiK.K.制造，500g負載×2，#2000包裝帶，得自FujiPhotoFilmCo.Ltd.，1,000r.p.m)以測出其磨損深度。其結果好到0.5μm或更小。將Al片基接地和用電暈充電裝置使其帶700V靜電。5秒后測得剩余電勢為50V或低于50V，由此顯示出良好的電荷消除性能。對比實施例4將通過5重量份聚碳酸酯樹脂(商品名Z-200；得自MitsubishiGasChemicalCompany，Ltd.)溶解于100重量份氯苯中制得的組合物浸涂于50μm厚Al片上。將形成的涂層在120℃干燥1小時以形成5μm厚的表面保護膜。將該片放于泰伯爾耐磨試驗儀(由YasudaSeikiK.K.制造，500g負載×2，#2000包裝帶，1,000r.p.m)，測得其磨損深度差到4μm或更大。將該鋁片接地并用電暈充電裝置使其帶700V靜電。5秒后測得剩余電勢為500V或500V以上，顯示出電荷消除性能不足。對比實施例5將通過把200重量份甲苯加入100重量份參考實施例1的可固化樹脂溶液制得的可固化組合物浸涂于50μm厚的Al片基上。將形成的涂層在140℃下干燥和熱固化4小時以形成2μm厚的表面保護膜。將該片放于泰伯爾耐磨試驗儀(由YasudaSeikiK.K.制造，500g負載×2，#2000包裝帶，1000r.p.m)，測得其磨損深度好到0.5μm或更小。另外將該Al片基接地并通過電暈充電裝置使其帶700V靜電。5秒后測得剩余電勢為450V，顯示出電荷消除性能不足。實施例12將通過把20重量份聚碳酸酯樹脂(商品名Z-200，得自MitsubishiGasChemicalCompanyLtd.)溶解于100重量份氯苯中制得的組合物浸涂于50μm厚的Al片上。在120℃干燥形成的涂層1小時形成50μm厚的膜。下一步，在涂了聚碳酸酯樹脂的片上噴涂通過在100重量份甲苯中加入和溶解55重量份實施例5合成的有機硅改性三芳基胺化合物和100重量份參考實施例3的可固化樹脂制得的可固化組合物。在120℃干燥和熱固化形成的膜5小時形成3μm厚的保護膜。該保護膜具有5H鉛筆硬度，與水的接觸角為105°，甚至在浸入水或礦物油中也易清潔。將該片置于泰伯爾耐磨試驗儀(由YasudaSeikiK.K.制造，500g負載×2，#2000包裝帶，1000r.p.m)，測出其磨損深度好到0.5μm或更小。對比實施例6將通過把5重量份具有以下結構的三芳基胺化合物、5重量份聚碳酸酯樹脂(商品名Z-200，得自MitsubishiGasChemicalCompany，Ltd.)溶于70重量份氯苯制得的溶液浸涂于1mm厚的不銹鋼上，使其在120℃干燥1小時后，得到10μm厚的涂層。最終形成的膜與水的接觸角小到75°，因此不易除去污染物。將該片放于泰伯爾耐磨實驗儀(由YasudaSeikiK.K.制造，500g負載×2，#2000包裝帶，得自FujiPhotoFilmCo.Ltd.，1,000r.p.m)，測出其磨損深度大到5μm。權利要求1.一種具有由下式(I)表示的結構的有機硅改性的電荷遷移化合物其中A表示電荷遷移基，Q表示水解基或羥基，R2表示具有1至15個碳原子的一價烴基或鹵代一價烴基，n是1至18，m是1至3，和l是1至5。2.按照權利要求1的有機硅改性的電荷遷移化合物，其中所說的水解基是由-OR1表示的基團，其中R1表示具有1至6個碳原子的烷基或烷氧基烷基。3.按照權利要求1的有機硅改性的電荷遷移化合物，該化合物的電離勢為從4.5eV至6.2eV。4.按照權利要求1的有機硅改性的電荷遷移化合物，其中所說的電荷遷移基具有由下式(II)表示的結構其中R3、R4和R5各自表示有機基團，至少其中之一表示芳環烴基或雜環基，和R3、R4和R5可相同或不同。5.一種具有電荷遷移能力的可固化組合物，該組合物包括主要由有機硅高聚物組成的固化型樹脂，其中與硅原子鍵合的一價烴基與硅原子的比例是從0.5至1.5，和具有由下式(I)表示的結構的有機硅改性的電荷遷移化合物其中A表示電荷遷移基，Q表示水解基或羥基，R2表示具有1至15個碳原子的一價烴基或鹵代一價烴基，n是1至18，m是1至3，和l是1至5。6.按照權利要求5的可固化組合物，其中所說的水解基是由-OR1表示的基團，其中R1表示具有1至6個碳原子的烷基或烷氧基烷基。7.按照權利要求5的可固化組合物，其中所說的有機硅高聚物是具有由下式(III)表示的結構單元的有機聚硅氧烷R6nSiO(4-n-m)/2(OR7)m(III)其中R6表示具有1至18個碳原子的直鏈或支鏈烷基或鏈烯基，或芳基；R7表示具有1至4個碳原子的烷基；n平均是0.5至1.5；和m平均是0.01至1.5。8.按照權利要求5的可固化組合物，其中所包含的所述有機硅改性的電荷遷移化合物的量按100重量份固化型樹脂的有機硅高聚物計，為20至200重量份。9.按照權利要求5的可固化組合物，其中所說的電荷遷移基具有由下式(II)表示的結構其中R3、R4和R5分別表示有機基團，至少其中之一表示芳環烴基或雜環基，和R3、R4和R5可以相同或不同。10.按照權利要求5的可固化組合物，其中所說的固化型樹脂包含由下式(IV)表示的硅烷化合物R8aSiX4-a(IV)其中R8表示具有1至18個碳原子的直鏈或支鏈烷基或鏈烯基，或苯基；X表示水解基；和a表示摩爾比率。全文摘要本發明公開了具有由下式(I)表示的結構的有機硅改性的電荷遷移化合物，其中A表示電荷遷移基，Q表示水解基或羥基，R文檔編號C07F7/18GK1156849SQ96121688公開日1997年8月13日申請日期1996年11月6日優先權日1995年11月6日發明者櫛引信男,竹內貴久子,小林秀樹,正富亨,吉永和夫,橋本雄一,西田俊一郎申請人:陶氏康寧亞洲株式會社,陶氏康寧東麗西林根株式會社,佳能株式會社