新型加成化合物及其制造方法
【專利摘要】本發明提供新型加成化合物及其制造方法，是利用一般比蒸鍍法容易的溶液法能夠形成由稠合多環芳香族化合物構成的有機半導體層的新型加成化合物。本發明的加成化合物具備特定的具有雙鍵的化合物介由所述雙鍵可脫離地加成于取代或非取代的下述式（I-4）的稠合多環芳香族化合物而成的結構，式（I-4）中，Y各自獨立地為選自硫屬元素中的元素。
【專利說明】新型加成化合物及其制造方法
[0001]本申請是中國申請號為201080038349.4的發明專利申請的分案申請(原申請的發明名稱為“新型加成化合物、稠合多環芳香族化合物的精制以及制造方法、有機半導體膜形成用溶液、以及新型α-二酮化合物”，原申請的申請日為2010年8月24日)。
【技術領域】
[0002]第I本發明涉及新型加成化合物和有機半導體器件、以及它們的制造方法。另外，本發明涉及用于這樣的新型加成化合物的中間體、以及含有這樣的新型加成化合物的溶液及其使用方法。第2本發明涉及稠合多環芳香族化合物的精制以及制造方法、特別是能夠作為有機半導體化合物很好地使用的稠合多環芳香族化合物的精制以及制造方法。第3本發明涉及新型有機半導體膜形成用溶液、以及這樣的有機半導體膜形成用溶液的使用方法。另外，本發明涉及利用這樣的有機半導體膜形成用溶液而得到的有機半導體器件。第4本發明涉及新型α-二酮化合物和有機半導體器件、以及它們的制造方法。另外，本發明涉及用于這樣的新型α - 二酮化合物的中間體、以及含有這樣的新型α-二酮化合物的溶液及其使用方法。
【背景技術】
[0003]關于有機半導體化合物在用于有機薄膜晶體管(TFT)、有機載流子輸送層、有機發光器件等的有機半導體層中的利用，進行了各種研究。特別是具有由有機半導體化合物構成的有機半導體層的薄膜晶體管作為低成本且輕量的器件，期待代替現在的硅基料晶體管。另外，有機半導體層通過活用輕量且撓性等有機材料特有的優點，還期待在智能標簽、輕量顯示器等中的應用。
[0004]因此，關于用于形成有機半導體層的有機半導體化合物進行了很多研究(專利文獻I~4、以及非專利文獻I和4)。已知在這些`有機半導體化合物中，稠合多環芳香族化合物在關于材料的穩定性、載流子的移動度等的方面優選。
[0005]此外,在有機合成的領域已知狄爾斯-阿爾德(Diels-Alder)反應。該反應是在具有共軛雙鍵的化合物的I位和4位加成具有雙鍵或三鍵的化合物而生成6元環的環式化合物的反應。另外，提出了利用該狄爾斯-阿爾德反應對萘加成六氯環戊二烯(非專利文獻
2和 3)。
[0006]另外，已知一種前體，該前體是作為有機半導體化合物的例子的并五苯的可溶性前體，通過光照射發生分解而能夠得到并五苯(非專利文獻4)。
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2006-89413號公報
[0009]專利文獻2:日本特開2008-290963號公報
[0010]專利文獻3:國際公開W02006/077888號公報
[0011]專利文獻4:國際公開第2008/050726號
[0012]非專利文獻[0013]非專利文獻1:“Facile Synthesis of Highly π-Extended Heteroarenes,Dinaphtho[2，3_b:2’，3’ -f]chalcogenopheno[3, 2_b]chalcogenophenes, andTheir Application to Field-Effect Transistors，，，Tatsuya Yama moto, and KazuoTakimiya, J.Am.Chem.Soc., 2007, 129 (8), pp2224_2225
[0014]非專利文獻2:“Dienophilic Reactions of Aromatic Double Bonds in theSynthesis of β -Substituted Naphthalenes，，, A.A.Danish, M.Silverman, Y.A.Tajima, J.Am.Chem.Soc.，1954，76 (23)，pp6144_6150
[0015]非專利文獻3:“Tandem Diels-Alder-Diels-Alder Reaction Display ingHigh Stereoselectivity:Reaction of Hexachlorocyclopentadiene with Naphthalene.”，Lacourcelie, Claire;Poite, Jean Claude;Baldy, Andre;Jaud, Joel;Negrel，JeanClaude;Chanon, Michel, Acta C hemica Scandinavica47, 0092-0094
[0016]非專利文獻4:“Photo Precursor for Pentacene，，，Hidemitsu Uno, etal., Elsevier, Tetrahedron Letters46(2005) 1981-1983
【發明內容】
[0017](第I本發明)
[0018]在有機半導體層的形成中，已知將含有有機半導體化合物的溶液涂布于基材，然后除去溶劑的溶液法(流延、旋涂、印刷等)、以及將有機半導體化合物蒸鍍于基材的蒸鍍法。已知溶液法一般在制造成本、制造速度等方面優選。
[0019]但是，已知作為有機半導體化合物優選的稠合多環芳香族化合物由于為非極性且結晶性高，所以難以溶于溶液中。因此，在利用稠合多環芳香族化合物形成有機半導體層、特別是利用低分子的稠合多環芳香族化合物形成有機半導體層時，一般使用蒸鍍法。
[0020]因此，在第I本發明中，提供能夠利用溶液法形成由稠合多環芳香族化合物構成的有機半導體層的新型加成化合物、以及含有新型加成化合物的溶液。另外，在本發明中，提供利用這樣的新型加成化合物而得到的有機半導體膜(有機半導體層)和有機半導體器件。另外，本發明還提供這樣的新型加成化合物的合成方法。
[0021](第2本發明)
[0022]如上述的記載，已知作為用于形成有機半導體層的有機半導體化合物優選稠合多環芳香族化合物。另外，用于這種用途的稠合多環芳香族化合物要求非常高的純度。
[0023]雖然提出了很多用于制造稠合多環芳香族化合物的方法，但是，當然在合成反應中使用在最終的稠合多環芳香族化合物中成為雜質的物質。為了除去這樣的雜質，進行溶劑清洗、真空升華精制等。但是，稠合多環芳香族化合物的結晶性高，因此有時在晶體結構中摻入雜質。這樣的摻入晶體中的雜質用溶劑清洗等以往的精制方法不能充分地進行精制。
[0024]因此，在第2本發明中，提供解決這樣的問題的稠合多環芳香族化合物的精制以及制造方法、特別是作為有機半導體化合物優選使用的稠合多環芳香族化合物的精制以及制造方法。
[0025](第3本發明)
[0026]在有機半導體層的形成中，已知將含有有機半導體化合物的溶液涂布于基材、然后除去溶劑的溶液法(流延法、旋涂、印刷等)、以及將有機半導體化合物蒸鍍于基材的蒸鍍法。已知溶液法一般在制造成本、制造速度等方面優選。
[0027]但是，已知作為有機半導體化合物優選的稠合多環芳香族化合物由于為非極性且結晶性高，所以難以溶于溶液中。因此，在利用稠合多環芳香族化合物形成有機半導體層、特別是利用低分子的稠合多環芳香族化合物形成有機半導體層時，一般使用蒸鍍法。
[0028]因此，在第3本發明中，提供能夠利用溶液法穩定地形成由稠合多環芳香族化合物構成的有機半導體層(有機半導體膜)的新型有機半導體膜形成用溶液、以及這樣的有機半導體膜形成用溶液的使用方法。另外，在本發明中，提供利用這樣的有機半導體膜形成用溶液而得到的有機半導體器件。
[0029](第4本發明)
[0030]在有機半導體層的形成中，已知將含有有機半導體化合物的溶液涂布于基材，然后除去溶劑的溶液法(流延、旋涂、印刷等)、以及將有機半導體化合物蒸鍍于基材的蒸鍍法。已知溶液法一般在制造成本、制造速度等方面優選。
[0031]但是，已知作為有機半導體化合物優選的稠合多環芳香族化合物由于為非極性且結晶性高，所以難以溶于溶液中。因此，在利用稠合多環芳香族化合物形成有機半導體層、特別是利用低分子的稠合多環芳香族化合物形成有機半導體層時，一般使用蒸鍍法。
[0032]因此，在第4本發 明中，提供能夠利用溶液法形成由稠合多環芳香族化合物構成的有機半導體層的新型α-二酮化合物、以及含有新型α-二酮化合物的溶液。另外，在本發明中，提供利用這樣的新型α-二酮化合物而得到的有機半導體膜(有機半導體層)和有機半導體器件。另外，本發明還提供這樣的新型α-二酮化合物的合成方法。
[0033](第I本發明)
[0034]本發明的發明人發現具備將特定的化合物加成于二萘并噻吩并噻吩(Dinaphthothienothiophene)等化合物的結構的加成化合物能夠解決上述課題,從而想到了第I本發明。
[0035]本發明的加成化合物具備六氯環戊二烯等具有雙鍵的化合物(I I)介由該雙鍵可脫離地加成于二萘并噻吩并噻吩等下述式(I)的稠合多環芳香族化合物而成的結構:
[0036]Ar1Ar2Ar3 (I)
[0037]Ar1和Ar3各自獨立地選自2~5個芳香族環稠合的取代或非取代的稠合芳香族環部分，
[0038]Ar2選自由I個芳香族環構成的取代或非取代的芳香族環部分、以及2~5個芳香族環稠合的取代或非取代的稠合芳香族環部分，
[0039]Ar1與Ar2共有至少2個碳原子而形成稠合芳香環，并且
[0040]Ar2與Ar3共有至少2個碳原子而形成稠合芳香環。
[0041]本發明的含有加成化合物的溶液是本發明的加成化合物溶解于有機溶劑而得到的溶液。
[0042]制造有機半導體膜的本發明的方法包含以下步驟:將本發明的含有加成化合物的溶液涂布于基材而制作膜的步驟；然后對該膜進行減壓和/或加熱，從加成化合物脫離和除去具有雙鍵的化合物(II)，得到由式(I)的稠合多環芳香族化合物構成的有機半導體膜的步驟。[0043]制造有機半導體器件的本發明的方法包含利用制造有機半導體膜的本發明的方法生成有機半導體膜的步驟。
[0044]本發明的有機半導體器件具有有機半導體膜，該有機半導體膜由具備從本發明的加成化合物脫離了具有雙鍵的化合物(II)的結構的式(I)的稠合多環芳香族化合物制作，并且該有機半導體膜含有本發明的加成化合物。另外，本發明的有機半導體器件具有有機半導體膜，該有機半導體膜具有長軸徑超過5μπι的式(I)的稠合多環芳香族化合物的結晶。
[0045]本發明的其它新型加成化合物(中間體加成化合物)可以作為用于合成本發明的加成化合物的中間體使用，并且是加成有具有雙鍵的化合物(II)的化合物。
[0046]合成本發明的加成化合物的本發明的方法包含將式(I)的稠合多環芳香族化合物與具有雙鍵的化合物(II)進行混合的步驟。另外，合成本發明的加成化合物的本發明的其它方法包含使2分子的本發明的中間體加成化合物反應的步驟。
[0047]此外，本發明的“加成化合物”意味著具備具有雙鍵的化合物(II)介由雙鍵可脫離地加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物而成的結構的任意化合物，并不由其具體的合成方法而受到限定。另外，該本發明的加成化合物不僅可以是具備I分子的具有雙鍵的化合物(II)加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物的結構的加成化合物，還可以是具備2分子、3分子、4分子或比這更多的具有雙鍵的化合物(II)加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物的結構的加成化合物。
[0048]關于本發明，“芳香族環”與苯環同樣意味著共軛的環，例如與苯環并列地可以舉出呋喃環、噻吩環、吡咯環、咪唑環之類的芳香族雜環。另外，關于本發明，“立體異構體”是意味著具有同一結構式的化合物因其中的原子或原子團的立體構型不同而引起的異構，包括光學異構體、幾何異構體、以及旋轉異構體等。
[0049](第2本發明)
[0050]本發明的發明人發現通過使用加成脫離反應能夠精制以及制造稠合多環芳香族化合物，從而想到了第2本發明。
[0051]精制下述式(I)的稠合多環芳香族化合物的本發明的方法包含下述的步驟(a)~Cd):
[0052]Ar1Ar2Ar3 (I)
[0053](Ar1和Ar3各自獨立地選自2~5個芳香族環稠合的取代或非取代的稠合芳香族環部分，
[0054]Ar2選自由1個芳香族環構成的取代或非取代的芳香族環部分、以及2~5個芳香族環稠合的取代或非取代的稠合芳香族環部分，
[0055]Ar1與Ar2共有至少2個碳原子而形成稠合芳香環，并且
[0056]Ar2與Ar3共有至少2個碳原子而形成稠合芳香環)；
[0057](a)提供式(I)的稠合多環芳香族化合物的粗產物的步驟，
[0058](b)提供化合物(II)的步驟，所述化合物(II)具有雙鍵，且可脫離地加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物，
[0059](c)將式(I)的稠合多環芳香族化合物與具有雙鍵的化合物(II)混合，得到這些化合物的加成化合物至少部分溶解的混合液的步驟，以及[0060](d)從混合液分離得到精制的式(I)的稠合多環芳香族化合物的步驟。
[0061]制造稠合多環芳香族化合物的本發明的方法包含利用本發明的方法精制稠合多環芳香族化合物的粗產物的步驟。另外，制造稠合多環芳香族化合物的本發明的其它方法包含由稠合多環芳香族化合物的加成化合物得到稠合多環芳香族化合物的步驟。
[0062]此外，關于本發明，“加成化合物”意味著具備具有雙鍵的化合物(II)介由雙鍵可脫離地加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物而成的結構的任意化合物，并不由其具體的合成方法而受到限定。另外，該本發明的加成化合物不僅可以是具備I分子的具有雙鍵的化合物(II)加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物的結構的加成化合物，還可以是具備2分子、3分子、4分子、或比這更多的具有雙鍵的化合物(II)加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物的結構的加成化合物。
[0063]另外，關于本發明，“芳香族環”與苯環同樣意味著共軛的環，例如與苯環并列地可以舉出呋喃環、噻吩環、吡咯環、咪唑環之類的芳香族雜環。另外，關于本發明，“立體異構體”是意味著具有同一結構式的化合物因其中的原子或原子團的立體構型不同而引起的異構，包括光學異構體、幾何異構體、以及旋轉異構體等。
[0064](第3本發明)
[0065]本發明的發明人發現含有具備將特定化合物加成于二萘并噻吩并噻吩等化合物的結構的加成化合物的有機半導體膜形成用溶液能夠解決上述課題，從而想到了第3本發明。
[0066]用于形成有機半導體膜的本發明的溶液含有有機溶劑、溶解于所述有機溶劑的第I加成化合物、以及溶解于所述有機溶劑且抑制所述第I加成化合物的結晶化的結晶化抑制劑。
[0067]其中，該第I加成化合物具備具有雙鍵的第I化合物(II’)介由雙鍵可脫離地加成于下述式(I)的稠合多環芳香族化合物而成的結構:
[0068]Ar1Ar2Ar3 (I)
[0069](Ar1和Ar3各自獨立地選自2~5個芳香族環稠合的取代或非取代的稠合芳香族環部分，
[0070]Ar2選自由I個芳香族環構成的取代或非取代的芳香族環部分、以及2~5個芳香族環稠合的取代或非取代的稠合芳香族環部分，
[0071]Ar1與Ar2共有至少2個碳原子而形成稠合芳香環，并且
[0072]Ar2與Ar3共有至少2個碳原子而形成稠合芳香環)。
[0073]另外，結晶化抑制劑是選自下述(a)~(C)中的至少I種化合物:
[0074](a)具備具有雙鍵的第2化合物(II”)介由雙鍵可脫離地加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物而成的結構的第2加成化合物，
[0075](b)具有雙鍵、并且可以介由雙鍵可脫離地加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物的第I化合物(II’)，以及
[0076]( c)具有雙鍵、并且可以介由雙鍵可脫離地加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物第2化合物(II”)。
[0077]生成有機半導體膜的本發明的方法包含以下步驟:將用于形成有機半導體膜的本發明的溶液涂布于基材而制作膜的步驟；然后將所述膜減壓和/或加熱，從所述第I加成化合物脫離和除去具有雙鍵的第I化合物(II’)，得到由式(I)的稠合多環芳香族化合物構成的有機半導體膜的步驟。另外，制造有機半導體器件的本發明的方法包含利用生成有機半導體膜的本發明的方法生成有機半導體膜的步驟。
[0078]本發明的有機半導體器件具有有機半導體膜，該有機半導體膜由具有下述式(I )的有機半導體化合物制作，該有機半導體膜含有具有雙鍵的第I化合物(II’)介由雙鍵可脫離地加成于下述式(I)的稠合多環芳香族化合物而成的第I加成化合物，并且有機半導體膜含有具有雙鍵的第I化合物(II’)介由雙鍵可脫離地加成于下述式(I)的稠合多環芳香族化合物而成的第I加成化合物、以及選自下述(a)~(C)中的至少I種化合物:
[0079]Ar1Ar2Ar3 (I)
[0080](Ar1~Ar3如下述記載)。
[0081]此外，關于本發明，第I和第2 “加成化合物”分別意味著具備具有雙鍵的第I化合物(II’)和第2化合物(II’)介由雙鍵可脫離地加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物而構成的結構的任意化合物，并不由其具體的合成方法而受到限定。另外，該加成化合物不僅可以是具備I分子的具有雙鍵的第I化合物(II’)和/或第2化合物(II’)加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物的結構的加成化合物，還可以是具備2分子、3分子、4分子、或比這更多的具有雙鍵的第I化合物(II’)和/或第2化合物(II’)加成于式(I)的稠合多環芳香族化合物的結構的加成化合物。
[0082]關于本發明，“芳香族環”與苯環同樣意味著共軛的環，例如與苯環并列地可以舉出呋喃環、噻吩環、吡咯環、咪唑環之類的芳香族雜環。另外，關于本發明，“立體異構體”是意味著具有同一結構式的化合物因其中的原子或原子團的立體構型不同而引起的異構，包括光學異構體、幾何異構體、以及旋轉異構體等。
[0083]此外，在以下的說明中，有時為了簡單將“第I加成化合物”和“第2加成化合物”統稱為“加成化合物”。同樣地，有時為了簡單將“具有雙鍵的第I化合物(II’)”和“具體雙鍵的第2化合物(II’)”統稱為“具有`雙鍵的化合物(II)”。
[0084](第4本發明)
[0085]本發明的發明人發現具有特定結構的α - 二酮化合物能夠解決上述課題，從而想到了第4本發明。
[0086]本發明的α - 二酮化合物具有下述式(I (a) -X):
[0087]ArlxAr2(a)A;r3X (I (a)-X)
[0088](Arix和Ar3x各自獨立地選自2~5個芳香族環稠合的取代或非取代的稠合芳香族環部分，并且這些芳香族環中的至少一個被下述式(X)的二環α-二酮部分取代:
[0089]
【權利要求】
1.一種加成化合物，具備具有雙鍵的化合物(II)介由所述雙鍵可脫離地加成于取代或非取代的下述式(1-4)的稠合多環芳香族化合物而成的結構:
2.根據權利要求1所述的加成化合物，其中，通過減壓和/或加熱能夠使具有雙鍵的所述化合物(II)從所述式(1-4)的稠合多環芳香族化合物脫離。
3.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-6):
4.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-1):
5.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-2):
6.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-3):
7.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-4):
8.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-5):
9.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-7):
10.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(ΙΙ-8):
11.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-9):
12.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(11-10):
13.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(I1-1l):
14.根據權利要求1或2所述的加成化合物，具有雙鍵的所述化合物(II)具有下述的式(11-12):
15.根據權利要求1所述的加成化合物，是具有下述式(II1-1)的化合物或其立體異構體:
16.根據權利要求1所述的加成化合物，是具有下述式(II1-6)的化合物或其立體異構體:
17.根據權利要求16所述的加成化合物，是外加成物。
18.一種含有加成化合物的溶液，是將權利要求1~17中任一項所述的加成化合物溶解于溶劑中而成。
19.根據權利要求18所述的溶液，其中，是將權利要求1~17中任一項所述的加成化合物和至少I個其立體異構體溶解于溶劑中而成，并且熱脫離溫度最低的立體異構體相對于所述加成化合物和其立體異構體的合計的比例、即所述加成化合物和其立體異構體中熱脫離溫度最低的立體異構體/所述加成化合物和其立體異構體超過50mol%。
20.根據權利要求19所述的溶液，其中，是在溶劑中含有權利要求1~17中任一項所述的加成化合物的外型和內型而成，并且熱脫離溫度低的立體異構體相對于所述加成化合物的外型與內型的合計的比例、即外型和內型中熱脫離溫度低的立體異構體/ (外型+內型)超過50mol%。
21.根據權利要求18所述的溶液，其中，是在溶劑中含有權利要求16所述的加成化合物的外型和內型而成，并且外型相對于所述加成化合物的外型與內型的合計的比例即外型/ (外型+內型)超過50mol%。
22.—種有機半導體膜的生成方法，包含以下步驟: 將權利要求18~21中任一項所述的所述含有加成化合物的溶液涂布于基材而制作膜的步驟，然后 對所述膜進行減壓和/或加熱，從所述加成化合物脫離和除去具有雙鍵的所述化合物(II)，得到由取代或非取代的所述式(1-4)的稠合多環芳香族化合物構成的有機半導體膜的步驟。
23.根據權利要求22所述的方法，其中，通過以超過100°C/分鐘的加熱速度的加熱而進行具有雙鍵的所述化合物(II)的脫離和除去。
24.根據權利要求22或23所述的方法，其中，通過如下方式進行所述加熱:將具有所述膜的所述基材直接與已加熱的物體接觸的方式，將具有所述膜的所述基材導入已加熱的區域的方式，和/或對膜側或基材側放射電磁波的方式。
25.根據權利要求23或24所述的方法，其中，所述有機半導體膜具有長軸徑超過5μ m的所述式(1-4)的稠合多環芳香族化合物的結晶。
26.根據權利要求22~25中任一項所述的方法，在大氣下進行所述脫離和除去。
27.一種有機半導體器件的制造方法，包含利用權利要求22~26中任一項所述的方法生成有機半導體膜的步驟。
28.一種有機半導體器件，是具有有機半導體膜的有機半導體器件，所述有機半導體膜由取代或非取代的所述式(1-4)的稠合多環芳香族化合物所制作，并且所述有機半導體膜含有權利要求1~17中任一項所述的加成化合物。
29.根據權利要求28所述的有機半導體器件，是具有源電極、漏電極、柵電極、柵絕緣膜和所述有機半導體膜的薄膜晶體管，是通過所述柵絕緣膜使所述源電極和所述漏電極與所述柵電極絕緣，并且利用施加于所述柵電極的電壓來控制從所述源電極通過所述有機半導體向所述漏電極流動的電流的薄膜晶體管。
30.權利要求1~17中任一項所述的有機化合物的合成方法，包含將取代或非取代的所述式(1-4)的稠合多環芳香族化合物與具有雙鍵的所述化合物(II)混合的步驟。
31.權利要求1~17中任一項所述的加成化合物的制造方法，包含以下步驟: Ca)提供加成化合物的步驟，所述加成化合物具備具有雙鍵的化合物(II)介由所述雙鍵加成于下述式(I’)的化合物而成的結構:
【文檔編號】C07D495/04GK103880860SQ201410083086
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2010年8月24日 優先權日:2009年8月28日
【發明者】池田吉紀, 城尚志, 瀧宮和男 申請人:帝人株式會社