用于有機半導體器件的二酮基吡咯并吡咯低聚物的制作方法
【專利摘要】本發明涉及式(I)的低聚物，及其作為有機半導體在有機器件，尤其是在有機光伏器件(太陽能電池)和光電二極管，或在含有二極管和/或有機場效應晶體管的器件中的用途。在將本發明低聚物用于有機場效應晶體管、有機光伏器件(太陽能電池)和光電二極管中時，可觀察到高能量轉換效率、優異的場效應遷移率、良好的電流開/關比和/或優異穩定性。
【專利說明】用于有機半導體器件的二酮基吡咯并吡咯低聚物
[0001]本發明涉及式I的1，4- 二酮基吡咯并[3，4-C]吡咯(DPP)衍生物，其制造，及其作為有機半導體，例如在半導體器件中，尤其是傳感器、二極管、光電二極管、有機場效應晶體管、柔性顯示器用晶體管和/或太陽能電池(光伏電池)的用途。
[0002]DPP聚合物的實例及其合成例如描述于US6451459B1、W005/049695、W02008/000664, EP2034537A2、 EP2075274A1、 W02010/04932U W02010/049323,W02010/108873、W02010/115767、W02010/136353、W02010/136352 和 W02011/144566 (PCT/EP2011/057878)。
[0003]Matthias Horn 等，Eur.Polymer J.38 (2002) 2197-2205 描述了在主鏈中具有
2，5-二氫吡咯并[3，4-c]吡咯單元的熱介晶聚硅氧烷的合成和表征。
【權利要求】
1.
2.根據權利要求1的化合物，其為下式化合物:
3.根據權利要求1或2的化合物，其中R1、R2、R1，、R2，、R1”、R2”、R1*和R2*可相同或不同且選自氫、C1-C50烷基、C1-C5tl鹵代烷基、C7-C25芳基烷基、C2-C50鏈烯基、C2-C5tl鹵代鏈烯基、烯丙基、C5-C12環烷基、苯基或可任選被C1-C12烷基或C1-C12烷氧基取代一次或多次的萘基、-CO-C1-C18 烷基、-CO-C5-C12 環烷基和-COO-C1-C18 烷基。
4.根據權利要求1-3中任一項的化合物，其中 AI 和A2相互獨立地為式
5.根據權利要求4的化合物，其中
A1和A2相互獨立地為式
6.根據權利要求1-5中任一項的化合物，其中 A3、A4和A5相互獨立地為式
7.根據權利要求5的化合物，其中A3、A4和A5相互獨立地為式
8.根據權利要求1-7中任一項的化合物，其為下式化合物:
9.根據權利要求1-8中任一項的化合物:
10.一種半導體器件，包含如權利要求1-9中任一項所定義的式I化合物。
11.根據權利要求10的半導體器件，其呈二極管、光電二極管、傳感器、有機場效應晶體管、柔性顯示器的晶體管或太陽能電池的形式。
12.如權利要求1-9中任一項所定義的式I化合物作為p型晶體管的用途。
13.一種制備其中R2為R1*的式
14.一種式(χ)化合物，
15.根據權利要求14的式(X)化合物在制備聚合物中的用途。
【文檔編號】C07D519/00GK103619855SQ201280030124
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2012年6月20日 優先權日:2011年6月22日
【發明者】P·哈約茲, N·舍博塔萊瓦 申請人:巴斯夫歐洲公司