專利名稱：一種光學純高喜樹堿中間體的制備方法及其應用的制作方法
技術領域：
本發明涉及有機化學技術領域，是合成光學純高喜樹堿(即R-高喜樹堿)的手性中間體化合物R-⑶E環(I)的制備方法，其為三酮類化合物(R)-5-乙基-5-羥基-4，5，8，9-四氫氧雜卓并[3，4-f]_中氮茚-3，7，11 (IH)。
背景技術：
高喜樹堿是近年來發展起來的新一代拓撲異構酶I抑制劑抗腫瘤藥物，具有活性高、選擇性強和毒性低的特點，先后有兩個高喜樹堿類衍生物diflomotecan和elomotecan進入臨床研究。高喜樹堿及其衍生物的全合成主要有兩條路線I、由環AB和環DE經過Mitsunobu反應和分子內的Heck反應縮合而成
權利要求
1. 一種光學純高喜樹堿中間體R-CDE環(I)的制備方法，其化學結構如下
2.如權利要求I所述的方法，其特征在于R1為含C1 C5的直鏈烷基，R2和R3為相連的或不相連的含C1-C5的直鏈或支鏈烷基；步驟I)中所用堿為氫化鈉，所說的溶劑為四氫呋喃，反應溫度為0°C 25°C ;步驟2)中所用還原劑為二異丁基氫化鋁，所用溶劑為甲苯， 反應溫度為_80°C -50°C;步驟3)中所用溶劑為二氯甲烷，反應溫度為-30°C -10°C;步驟4)中所用還原劑為紅鋁，所用溶劑為二氯甲烷，反應溫度為-30°C -10°C;步驟5)中所用溶劑為叔丁醇，反應溫度為20°C-30°C;步驟6)中所用酸為鹽酸或三氟乙酸，所用溶劑為乙醇，反應溫度為60°C -80°C。
3.權利要求I或2所述方法制備的R-⑶E環(I)。
4.權利要求3所述R-CDE環(I)在制備R-高喜樹堿類化合物中的應用。
全文摘要
本發明涉及合成光學純高喜樹堿的手性中間體化合物R-CDE環(I)的制備方法及其應用。高喜樹堿的化學結構中存在一個手性中心，構效關系研究表明R構型異構體活性明顯高于S構型異構體，制備R-高喜樹堿的關鍵是獲得光學純的中間體R-CDE環(I)。本發明提供一種制備R-CDE環(I)的方法，合成路線如下其中，R1為氫或含C1～C5的直鏈烷基，R2和R3為相連的或不相連的含C1～C5的直鏈或支鏈烷基。本發明提供了一種分離簡便、成本低廉、收率和純度高的R-CDE環(I)的制備方法。
文檔編號C07D491/147GK102702213SQ20121020409
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月19日 優先權日2012年6月19日
發明者姚建忠, 張萬年, 盛春泉, 祝令建, 繆震元 申請人:中國人民解放軍第二軍醫大學