專利名稱：用于液晶介質的化合物和用于高頻組件的應用的制作方法
用于液晶介質的化合物和用于高頻組件的應用 本發明涉及具有兩個或更多個C-C三鍵和至少一個1，4-亞萘基或1，4-亞蒽基的新化學化合物，涉及由其組成的液晶介質和包含這些介質的高頻組件，特別是天線、尤其用于千兆赫范圍的天線。所述液晶介質例如用于可諧調的“相控陣”天線的微波相移或者基于“反射陣列”的微波天線的可諧調電池。液晶介質長久以來用于電光學顯示器(液晶顯示器-LCD)中以顯示信息。然而近年來，還建議液晶介質用于在微波技術用的組件或元件中，例如在DE 10 2004 029 和 JP2005-120208(A)中。液晶介質在高頻技術中的工業有價值的應用基于它們的性能它們的介電性能可以通過可變的電壓而控制，特別是對于千兆赫范圍而言。因此能夠構造不含任何移動部件的可諧調天線(A. Gaebler, A. Moessinger, F. Goelden 等，“Liquid Crystal-Reconfigurable Antenna Concepts for Space Applications at Microwave and Millimeter Waves“ ， International Journal of Antennas and Propagation,2009 論文 ID 876989,7 頁，2009，doi :10. 1155/2009/876989)。A. Penirschke、S. Muller> P. Scheele、C. Weil、M. Wittek、C. Hock 禾口 R. Jakoby "Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz，，,34th European Microwave Conference-Amsterdam,pp. 545-548尤其描述了在9GHz 頻率下已知的單一液晶物質K15 (Merck KGaA，德國)的性能。1-(苯基乙炔基)二苯乙炔，下面也稱為雙二苯乙炔化合物是本領域技術人員已知的。例如，Wu，S.-T. ,Hsu, C. -S.、Shyu，K.-F.，Appl. Phys. Lett. ,74(3), (1999)，344-346
公開了下式的具有側甲基的各種液晶雙二苯乙炔化合物
權利要求
1.式I的化合物
2.根據權利要求1的化合物，特征在于選自A2、A3和A4的至少一個基團表示任選取代的1，4-亞萘基或1，4-亞蒽基。
3.根據權利要求1或2的化合物，特征在于式I的化合物包含一個或兩個任選取代的 1，4-亞萘基或1，4-亞蒽基。
4.根據權利要求1-3的一項或多項的化合物，特征在于m和η為0。
5.液晶介質，特征在于其包含一種或多種式I的化合物
6.根據權利要求5的液晶介質，特征在于其另外包含一種或多種選自式II化合物的化合物
7.根據權利要求5或6的液晶介質，特征在于介質中式I化合物的濃度為總計 5% -95%。
8.根據權利要求5或者1-4的一項或多項的式I化合物在液晶混合物中的應用。
9.根據權利要求5或者1-4的一項或多項的式I化合物在用于高頻技術的組件中的應用。
10.制備根據權利要求5-7的一項或多項的液晶介質的方法，特征在于使一種或多種如權利要求5所述的式I化合物與一種或多種選自如權利要求6所述的式II化合物的化合物，和任選與一種或多種另外的化合物和任選與一種或多種添加劑混合。
11.用于高頻技術的組件，特征在于其包含根據權利要求5-7的一項或多項的液晶介質。
12.根據權利要求11的組件，特征在于其是一種或多種功能連接的移相器。
13.根據權利要求5-7的一項或多項的液晶介質在用于高頻技術的組件中的應用。
14.相控的天線群，特征在于其包括一個或多個根據權利要求11或12的一項或多項的組件。
全文摘要
本發明涉及式(I)的化合物，其中基團A1-5的一個或多個表示1，4-亞萘基或1，4-亞蒽基，并且其他參數如權利要求1中定義。本發明另外包括包含標題化合物的液晶介質、包含這些介質的用于高頻技術的組件，特別是移相器和微波天線陣。
文檔編號C07C15/58GK102574754SQ201080047409
公開日2012年7月11日 申請日期2010年10月1日 優先權日2009年10月24日
發明者C·雅斯佩, D·保盧斯, E·蒙特尼格羅, V·賴芬拉特, 真邊篤孝 申請人:默克專利股份有限公司