專利名稱：：化合物、電荷傳輸材料和有機電致發光元件的制作方法
技術領域：
：本發明涉及新的電荷傳輸材料和新化合物復進行電氧化或還原時也穩定的電荷傳輸材料料且具有高效率和長壽命的有機電致發光元件。
背景技術：
：作為薄膜型電致發光(EL)元件，包括摻雜Mn或稀土元素(Eu，Ce,Tb或Sm)的發光中心的II-VI族化合物如ZnS、CaS或SrS的無機材料已習以為常。然而由該無機材料制備的EL元件涉及如下問題1)它們要求逆電流驅動(50-1000Hz);2)它們要求高驅動電壓(1-200V);3)通過使用它們難以實現全色顯示(特別是藍色困難)；和4)它們要求昂貴的外周裝置驅動電路。然而，近年來，為解決上述問題，已開始開發使用有機薄膜的EL元件。特別地，為增強發光效率，通過開發其中提供包括芳香二胺的空穴傳輸層和包括8-羥基喹啉的鋁配合物的發光層的有機電致發光元件，對電極的種類進行優化，目的在于改進自電極注入載流子的效率。(參見，非專利文獻l:Appl.Phys.Lett.,51，913,1987),與使用例如蒽單晶的常規EL元件相比，已極大地改進了發光效率。還提出使用8-羥基喹啉的鋁配合物作為主體材料并對其摻雜激光用熒光染料如香豆素(參見，非專利文獻2:J.Appl.Phys.，65,3610,1989),由此改進發光效率并進行發射光波長的轉化。于是，基本上獲得實際可使用的性能。,更特別涉及甚至當反,和4吏用該電荷傳輸材除了使用上述低分子材料的電致發光元件外，已開發了使用高分子材料如聚(對亞苯基亞乙烯基)、聚[2-曱氧基-5-(2-乙基己氧基)-l，4-亞苯基亞乙烯基]或聚(3-烷基噻吩)作為發光層的電致發光元件，和其中將低分子量發光材料和電子遷移元素與高分子材料如聚乙烯咔唑混合的元件。為提高元件的發光效率，已試驗使用磷光代替熒光。與使用熒光(單重態)的常規元件相比，使用磷光(即利用自三重激發態發射光)的元件預期顯示3倍以上的改進效率。為此目的，過去研究了形成包括香豆素衍生物或二苯酮衍生物的發光層(參見非專利文獻3:51thOyoButsurigakukaiRengoKoenkai，28a-PB-7,1990)。然而，獲得特別低的亮度。在這之后，作為利用三重態的一種嘗試，已研究了使用銪配合物，但這一嘗試未導致實現高發光率。最近，已報道通過使用下面給出的鉑配合物(T-1)可高效率發射紅光(非專利文獻4:Nature,395，151，1998)。這樣，通過將下面給出的銥配合物(T-2)摻入發光層中顯著改進發綠光(非專利文獻5:App.Phys.Lett.，75,4,1999)。為將有機電致發光元件用于顯示元件如平板顯示器中，必須在驅動時確保足夠的穩定性以及改進發光元件的發光效率。然而，使用上面的文獻中描述的發磷光分子(T-2)的有機電致發光元件呈現事實上不足的驅動穩定性，盡管它呈現高發光效率(參見非專利文獻6:Jpn.J,Appl.Phys.,38，L1502,1999)。因此，在現有狀況下，難以實現呈現高效率的顯示元件。作為新的材料體系，專利文獻1(JP-A-2003-123983)提出了由如下然而，這些化合物具有其中相應吡啶環中的氮原子可相互共軛的結構，因此它們呈現相當小的氧化還原勢差。通常，為制備發射藍色熒光或綠色至藍色磷光的有機電致發光元件，要求使用具有特別大氧化還原勢差的發光染料，并且為以高效率提供和聚焦電荷，要求包圍該染料的材料(發光層中的主體材料和構成與發光層相鄰的層的電荷傳輸材料)具有比染料大的氧化還原勢差。因此，認為將專利文獻1中描述的吡啶基化合物施于藍色熒光發光元件或磷光發光元件。同樣，由于吡咬基化合物在吡啶環上為活性點的2-、4-或6位具有氫原子，因此它們涉及電化學穩定性的問題。因此，為使用它們作為電致發光元件中電荷傳輸材料，必須對它們進行進一步改進。此外，在發光元件為金屬配合物的情況下，當長時間施加電場時，將具有強配位能力的單元如雙吡啶基的化合物引入發光層或造成配位體交換。非專利文獻7(Collect.Czech.Chem.Commun.(vol.57)(1992))提出下式表示的熒光材料該文獻提出主要使用上述化合物作為發射藍光的熒光染料，但沒有公開其它具體應用。此外，在已報道的有機電致發光元件中，通過電荷傳輸層和電子傳輸層組合基本上可獲得發光。發光的原理是自陽極注入的空穴遷移兩層之間的界面附近再次結合，由此激發空穴傳輸層和/或電子傳輸層。通常，在空穴傳輸層與電子傳輸層之間設置發光層，由此改進發光效率。此外，在某些情況，與陰極一面上的發光層的界面接觸設置空穴阻擋層，目的在于促進在發光層中產生激子，由此增強發光效率和發光顏色的純度。特別地，在其中將基于三芳基胺的化合物用于空穴注入/傳輸層和鋁配合物用于電子注入/傳輸層的元件中，空穴的遷移率趨于超過電子遷移率，導致空穴通過陰極一側，而無助于發光。特別是在使用其中發光層的氧化勢大且電子傳輸層使用常用的Alq3(8-羥喹啉的鋁配合物)的元件時，對于其中空穴難以限制在發光層內的發藍光元件或發磷光元件，特別需要空穴阻擋層。對于空穴阻擋層，專利文獻2(JP-A-2-195683)描述了例如提供具有比發光層大的電離勢的空穴阻擋層，作為其一個例子，提出使用三(5，7-二氯-8-羥基喹啉合)鋁。此外，專利文獻3(JP-A-9-87616)提出使用硅雜環戊二烯。然而，這些未能提供足夠的驅動穩定性。作為破壞驅動的原因，已指出因空穴阻擋材料的低玻璃轉化溫度(Tg)和空穴阻擋材料被注入的電子或空穴還原或氧化的電化學印刷導致的熱降低。在使用以高效率發射磷光的銥配合物作為發光染料的元件中，通鋁(III)雙(2-曱基-8-喹啉合)4-苯基酚鹽)或SAlq(鋁(m)雙(2-曱基-8-會啉合)三苯基曱硅烷醇鹽)，在一定程度上獲得長壽命(參見非專利文獻8:Appl.Phys.Lett.,vol.81,p.162(2002))。然而，上述化合物的不足空穴阻擋性能已造成元件的不足發光效率問題和電子傳輸層材料的氧化劣化問題，原因在于部分空穴通過空穴阻擋材料至電子傳輸層。基于上述問題，必須實現發光層中的電荷和摻雜劑的高發光效率的快速組合，由此給予空穴阻擋材料本身抗電氧化和還原的足夠耐久性。因此，對于用于制備高效率發光的穩定元件和這種材料的元件結構的材料，還需要進一步改進和研究。JP隱A畫2003畫123987JP-A-2-195683JP-A-9-87616Appl.Phys.Lett.,vol.51,p.913，1987[非專利文獻2]J.Appl.Phys.，vol.65,p.3610,1989[非專利文獻3]The51thOyoButsuri畫gakkaiRengoKoennkai，28a國PB國7，1990Nature,vol.395，p.151,1998Appl.Phys.Lett.,vol.75,p.4,1999[非專利文獻6]Jpn.J.Phys"vol.38,LI502,1999[非專利文獻7]Collect.Czech.Chem.Commun.(Vol.57)(1992)[非專利文獻8]Appl.Phys.Lett"vo181，p.162，200
發明內容在上述情況下，本發明人提供具有優良電子傳輸穩定性、優良抗電氧化還原耐久性和寬氧化-還原勢差的電荷傳輸材料，并提供具有高發光效率和具有高驅動穩定性的有機電致發光元件。還提供具有高無定形、優良耐熱性和優良溶解度的化合物。即，本發明在于包括一種化合物的電荷傳輸材料和使用該電荷傳輸材料的有機電致發光元件，所述化合物在其分子內具有在2-、4-和6-位取代的兩個或多個吡啶環，這些環基本上相互不共軛(條件是吡啶環3-和5-位可被取代)。此外，本發明在于下式(n)表示的化合物，該化合物在優化幾何形狀時不形成平面結構，和下式(II)表示的化合物，該化合物在優化幾何形狀時形成平面結構，其中p為0:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>術語"在優化幾何時不形成平面結構的化合物"是指該化合物具有不能形成基本上單個平面結構作為分子的優化幾何形狀的結構。該結構起到抑制分子之間的兀-7l堆疊相互作用，并提供優良的無定形性、溶解度和升華性能。此外，與溶解狀態(其中分散分子)相比，當成型為作為分子聚集體的薄膜時，這種結構的化合物可抑制最大吸收波長和最大熒光波長增加的現象。再及，認識到該化合物可抑制三重激能級降低的現象或電氧化-還原差降低的現象。因此，該化合物為可聚積很大的能量(例如光、電或熱能)并可釋放該聚焦能量(例如光、電或熱能)的化合物。此外，術語"在優化幾何形狀時形成平面結構的化合物"是指該化-成的結構,其中p表示0的化合物，即包括4-吡啶基的化合物顯示特別高的耐重復氧化耐久性。特別地，其中吡啶環通過間亞苯基相互連接并且相應的吡啶環的氮原子上的非共軛電子對不能相互直接共軛和其中共軛結構存在與間亞苯基環和吡啶環之間的化合物，顯示很大的氧化-還原勢差和特別優良的可逆性。無定形性和在有機溶劑中的溶解度可通過破壞吡啶環的對稱性改進。這種對稱性起到在化合物成型為薄膜時提供穩定成膜性能而不結晶。當吡啶環通過1，3,5-取代亞苯基(衍生自苯環)相互連接時，相應吡啶環的氮原子上的非共軛電子對不能直接相互共軛，而共軛結構存在于1，3，5-取代亞笨基和吡啶環之間，這樣具有該結構的化合物顯示很大氧化-還原勢差和優良的可逆性。此外，存在的具有電子傳輸性能的三個或多個雜環起到進一步改進化合物的電子傳輸穩定性和耐熱性的作用。該化合物具有優良的無定形性和在有機溶劑中的優良溶解度，并因此在成膜時呈現良好的成膜性能而不結晶。該化合物的高玻璃轉化溫度(Tg)起到提供優良的耐熱性和優良的耐久性的作用。使用本發明電荷傳輸材料的有機電致發光元件可以高發光度和高效率發射光，顯示改進的元件穩定性。本發明的電荷傳輸材料可用作發光材料、主體材料、電子注入材料、電子傳輸材料或空穴阻擋材料，取決于基于其優良耐熱性、成膜性、電荷傳輸穩定性和發光性的元件的層結構。用于o:計算機或作為壁掛)、在交通工具°上的顯示元件、用于蜂窩電話的顯示器、使用作為平光發射體特征的光源(例如用于復印機的光源或用于液晶顯示器或儀表的背面光源)、顯示板或指標燈，這樣元件的技術價值增大。由于本發明的化合物具有很優良的氧化還原穩定性，因此適合將該化合物用于靜電復印光感受器以及有機電致發光元件中。此外，本發明的化合物除了本發明的電荷傳輸材料具有的高性能外，還具有優良的無定形性、溶解度、耐熱性和耐久性。因此它可用于發光材料、太陽能電池的材料、電池材料(如電解質溶液、電極、隔膜或穩流器)、醫用材料、用于漆的材料、用于涂布的材料、用于有機半導體的材料、用于化妝用品的材料、用于抗靜電材料的材料和用于熱電元件以及用于電荷傳輸材料的材料。圖1為顯示有機電致發光元件的一個例子的橫截面示意圖。圖2為顯示有機電致發光元件的另一例子的橫截面示意圖。圖3為顯示有機電致發光元件的再一例子的橫截面示意圖。此外，對于附圖中的標號，l表示基板，2表示陽極，3表示陽極緩沖層，4表示空穴傳輸層，5表示發光層，6表示空穴阻擋層，7表示電子傳輸層和8表示陰極。具體實施例方式下面給出的對本發明構成的描述介紹了本發明的實施方案(典型的實施例)但不限制本發明。本發明涉及包括一種化合物的電荷傳輸材料，所述化合物在其分子內具有在2-、4-和6-位取代的兩個或多個吡吱環，這些環基本上相互不共軛。這些吡啶環可在其3-和5-位#1取代。本發明的電荷傳輸材料特別電穩定，因為在其分子內包含在2-、4-和6-位取代的吡啶環。因此，本發明的電荷傳輸材料用于有機電致發光元件或其類似物可提供改進的穩定性。此外，由于在分子內的吡咬環如在下面描述的不相互共輒，因此難以降低氧化-還原勢差。這里使用的術語"在分子內的吡啶環不相互共軛"具有針對下面的連接器Q該化合物滿足在分子內具有2個或多個吡啶環。然而，吡啶環數優選為8或更少，因為升華性能或溶解度趨于犧牲且化合物的純化變得困難。該電荷傳輸材料的分子量通常為4,000或更小，優選3，000或更小，更優選2,000或更小，通常為200或更大，優選300或更大，更優選400或更大。當分子量超過上限時，可導致嚴重降低的升華性能，這在將真空沉積法用于制備發光元件時會帶來麻煩，或可導致在有機溶劑中的溶解度降低，使得在合成步驟中形成的不純物的量增加時難以進行高純化(除去造成劣化的物質)。另一方面，當分子量低于下限時，導致玻璃轉化溫度降低、熔點降低、氣化溫度降低和成膜性能降低，這嚴重損害耐熱性。空穴阻擋性能，其在本發明電荷傳輸材料用于例如有機電致發光元件的空穴阻擋和電子傳輸層時為一個重要特性，趨于被分子內的二芳基胺部分損害。因此，考慮到空穴阻擋性能，因此，優選不存在二芳基胺部分。此外，盡管不如二芳基胺部分嚴重，但優選避免芳氧化物和芳硫化物部分，因為它們具有強的空穴傳輸穩定性，因此降低空穴阻擋性能。這里使用的術語"二芳基氨部分"本發明中是指其中至少兩個任意芳香環(在本說明書中，芳烴和芳香雜環在某些情況下統稱為"芳香環")作為取代基存在于氮原子上的胺部分，其例子包括二苯基胺部分、苯基萘胺部分和三苯基胺部分。還包括其中取代基相互連接形成環的那些。例如，可列舉呼唑部分、N-苯基啼唑部分和N-苯基吲咮部分(條件是不包括其中氮原子通過雙鍵連接至取代基的那些部分(例如吖啶和吩。秦))。它們都為具有強空穴傳輸性能的部分。本發明中，芳氧化物部分是指其中至少一個芳香環作為取代基存在于氧原子上的氧化物部分，其例子包括苯氧化物部分和二苯基氧化物部分。還包括其中取代基相互連接形成環的那些。其例子包括苯并呋喃部分、氧芴部分和二苯并[1,4]二噁英部分。它們都為具有強空穴傳輸能力的部分。本發明中，芳基硫化物部分是指其中至少一個芳香環作為取代基存在于硫原子上的疏化物部分，其例子包括苯基硫化物部分和二苯基硫化物部分。還包括其中取代基相互連接形成環的那些。其例子包括苯并噻吩部分、硫藥部分和噻蒽部分。它們都為具有強傳輸能力的部分。然而，當使用本發明的電荷傳輸材料作為構成發光層的主體(host)材料時，認為合適的是，電荷傳輸材料包括同時具有電子傳輸性能和空穴傳輸性能的化合物。在此情況下，空穴傳輸取代基是必須的。因此優選在化合物的分子內存在作為能夠賦予空穴傳輸性能的取代基的二芳基部分或呼唑環。特別地，為與在本發明中用作電荷傳輸材料的化合物的主部分的吡啶環的電子傳輸性能平衡，優選存在至少一個呻唑環，更優選2個或更多的^唑環，優選6個或更少的^唑環，優選4個或更少的啼唑環，特別優選3個或更少的咔唑環。咔唑環可在分子內相互共輒。但分子內的吡咬環優選不與呼唑環共軛。本發明的電荷傳輸材料優選為在分子內含2至8個選自非必要取代的2-吡咬基和非必要取代的4-吡咬取代基的吡咬基的化合物的電荷傳輸材料，其中所有吡咬基連接至連結物Q,且基本上不通過連接體Q相互共扼。然而，當化合物在分子內具有多個2-吡咬基時，取代基2-吡啶基可以相互相同或不同。同樣，在化合物在分子內具有多個4-吡。定基的情況下，取代基4-吡啶基可以相互相同或不同。此外，分子中所含的所有吡啶環的2-、4-和6-位連接至連接體Q或任意取代基上。在本發明的電荷傳輸材料中，連接體0為2-至8-價連接體并且無特殊限制，"只要分子中的所有吡p定基連接至連接體Q，并且吡咬基中的任何兩個基本上不通過連接體共扼"即可。其中吡咬基通過連接體Q共價的情況例如為其中分子中2個或多個吡啶基通過直接鍵、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>或通過這些基團組合構成的部分結構(其中Gt至G3各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，或構成芳香烴環或芳香雜環的部分)相互連接的情況。即上述情況不適于本發明。然而，即使當2或多個吡咬基團通過含上述結構的連接體Q連接時，其中連接體Q和通過連接體Q相互連接的和2個或多個吡p定基不能存在于同一平面上的結構(例如，其中連接體Q為連接兩個吡啶基的鄰亞苯基的情況)相應于其中"(吡啶基)基本上不通過連接體Q相互共軛"的情況，因此包括在本發明中。(Q)這種連接體的例子包括以下描述的式(I)中的-ZrQo-Z廣、-Z廠Q(rZ2-和-Z2-Qo-Zr,然而完全不受此限制。對于本發明的電荷傳輸材，認為包含在化合物分子中的吡啶環之間的共軛將降低化合物的氧化-還原勢差或改進在吡啶環上的空穴接受能力，如此促進氧化劣化。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>其中&、R3、R5和Rg各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R各自獨立地表示任意的取代基，Z!表示直接鍵或具有能夠共軛環A的電子的二價連接體，Z2表示直接—睫或具有能夠共，該連接體基本上不可能使選自分子中所含的環A和環B的任何兩個成員相互共軛，m表示0至8的整數，n表示0至8的整lt,m和n之和為2至8的整數。此外，當m和/或n為2或更大時，分子中所含的多個R!至R8可以相互相同或不同，和分子中所含的多個Z!和Z2可以相互相同或不同。在式(I)中，選自分子內所含的環A和環B的任何2個吡啶基不通過一Z廣Qo-Z廣、-ZrQo-Zr或一Z2-Qo-Z2-相互共軛。(Z，Z2)對于式(I)中的Zi和Z2，可使用直接鍵或具有可共軛電子并將連接體Qo連接至環A或環B的任一連接體。具體地，可列舉非必要地具有取代基的鏈烯基(衍生自鏈烯烴)；非必要地具有取代基的鏈炔基(衍生自鏈炔)；非必要地具有取代基的芳烴基；非必要地具有取代基的芳香雜環基；和包括這些基團中相互連接的兩個或多個基團的基團。其具體例子包括相應于以下作為至R8的例子描述的單價基團的那些二價基團。此外，這些基團可具有取代基的例子包括相對于R^至Rs描述的相同基團。考慮到抗電還原的耐久性，Z,和Z2各自優選表示直接鍵、非必要取代的鏈烯基、非必要取代的鏈炔基或非必要取代的芳香烴基，并且考慮到獲得高的三重激發態能級和4艮大的氧化-還原勢差，特別優選直接鍵或非必要取代的芳香烴基。各Z!和Z2的分子量優選為400或更小，更優選250或更小，包括取代基的分子量。連接體Zi或Z2的更優選的例子說明如下。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>在各上述結構中，U和Ls各自獨立地表示烷基、芳烴基或烷基取代的芳烴基。其'具體例子包括含約1至約6個碳原子的烷基如曱基、乙基、異丙基或叔丁基；含約6至約18個碳原子的芳烴基如苯基、萘基和芴基；和碳原子總數約7至約30個碳原子的烷基取代芳烴基如曱苯基、mesityl基和2,6-二曱苯基。此外，所有上述結構除L6和Ls之外還可具有一個取代基。然而，則會導致很小的氧化-還原勢差。因此，優選選取具有很小的給電子性能和很小的吸電子性能并且難以使分子內共軛長度延長的基團作為取代基。作為這種基團的一個具體的例子，還列舉烷基、芳烴基和烷基取代的芳烴基，其具體例子包括與上述對L6和Ls說明的相同基團。此外，對于在分子內具有2個或多個上述結構的化合物，該分子中所含的2個或多個U至L8可以相互相同或不同。其中，考慮到獲得足夠大的氧化-還原勢差并考慮到優良的反復抗電氧化還原的耐久性，在上述結構中，優選Z-1(直接鍵)、Z-2至21、28、29、31至35、48至52和56至60，更優選Z-l(直接鍵)、Z-2、3、4、5、8、10、12、15、16、17、19、28、29、31、33、34、52和56至58，進一步更優選Z-1(直接鍵)、Z-2、5、8、12、19、28和29,最優選Z-l(直接鍵)、Z-2和19。(Qo)連接體Qo表示(m+n)-價連接體，該連接體基本上不可能使選自分子中所含的環A和環B的任何兩個相互共軛。具體地，可列舉非必要地具有取代基的鏈烷基(衍生自鏈烷)；非必要地具有取代基的鏈烯基(衍生自鏈烯烴)；非必要地具有取代基的鏈炔基(衍生自鏈炔)；畫NRa隱(其中Ra表示任意取代基)、隱O國、畫CO畫、-COO畫、畫SO-、-S02-;非必要地具有取代基的酰胺基；非必要地具有取代基的曱硅烷基；非必要地具有取代基的硼烷基；非必要地具有取代基的膦酰基(phosphino);非必要地具有取代基的芳烴基；非必要地具有取代基的芳香雜環基；和包括這些基團中相互連接的兩個或多個基團的基團。其中，考慮到足夠增大氧化-還原勢差和抗反復電氧化還原耐久性，優選非必要地具有取代基的鏈烷基、-NRa-、非必要地具有取代基的曱硅烷基、非必要地具有取代基的芳烴基和非必要地具有取代基的芳香雜環基作為Qo。此外，由于預期高電子傳輸性能和高空穴阻擋性能，更優選列舉非必要地具有取代基的芳烴基和亞吡吱基(衍生自吡啶的二價基團)，其中特別優選非必要地具有取代基的芳烴基。包括取代基的Qo的分子量優選為400或更小，更優選250或更小。此外，當Qo表示亞吡啶基時，該化合物優選具有抑制吡啶環之間共軛的基團作為Z,和/或Z2。其具體例子包括相應于將在下面作為R！至R8的例子描述的單價基團的(m+n)-價基團。它們可具有并且優選的取代基的例子與下面針對為R,至Rs描述的那些相同。Ra的例子還包括與下面作為Ri至Rs描述的相同的基團，并且同樣適用于其優選的例子。連接體Qq的例子將在下面描述，然而絲毫不受此限制。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>Q一58Q—59Q—60Q—61在各上述結構中，Lu)和Lu各自獨立地表示烷基、芳烴基或烷基取代的芳烴基。其具體例子包括含約1至約6個碳原子的烷基如曱基、乙基、異丙基和叔丁基；含約6至約18個碳原子的芳烴基如苯基、萘基和芴基；和碳原子總數約7至約30個碳原子的烷基取代芳烴基如曱苯基、mesityl基和2，6-二曱苯基。此外，所有上述結構除L1Q和Lu之外還可具有一個取代基。然而，若取代基對連接該結構的吡啶環或其類似物的電子狀態產生強影響，則會導致很小的氧化-還原勢差。因此，優選選取具有很小的給電子性能和很小的吸電子性能并且難以使分子內共軛長度延長的基團作為取代基。作為這種基團的一個具體的例子，還列舉烷基、芳烴基和烷基取代的芳烴基，其具體例子包括與上述對L^和Ln說明的相同基團。此外，對于在分子內具有2個或多個上述結構的化合物，該分子中所含的2個或多個Lh)和L可以相互相同或不同。其中，考慮到獲得足夠大的氧化-還原勢差、實現優良的抗電氧化還原的優良耐久性和獲得，優選Q-1至4、7至13、19至23、29、34至43,45和51至61，更優選Q-l、8至13、19、20、21、23、34,35至42、45和55至61，進一步更優選Q-l、8至12、20、21、23、34、35、45、58和61，最優選Q-1、11、12、23和35。(A至R8)式(I)中的RpR3、R5和Rs各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，R2、R4、Re和R7各自獨立地表示任意取代基。用作R,至Rs的任意取代基的具體例子包括非必要地具有一個取代基的烷基(優選含1至8個碳原子的直鏈或支化烷基；如曱基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、異丁基或叔丁基)；非必要地具有一個取代基的鏈烯基(優選含2至9個碳原子的鏈烯基；如乙烯基、烯丙基或l-丁烯基)；非必要地具有一個取代基的鏈炔基(含2至9個碳原子的鏈炔基；如乙炔基或丙炔基)；非必要地具有一個取代基的芳烷基(優選含7至15個碳原子的芳烷基；如節基)；非必要地具有一個取代基的氨基(優選具有含1至8個烷基并非必要地具有一個取代基的烷氨基(如曱氨基、二亞氨基或二千氨基)，具有含6至12個碳原子并且非必要地具有一個取代基的芳烴基(如苯氨基、二苯氨基或二曱笨氨基)，非必要地具有取代基的具有5-或6-元方程雜環的雜芳香氨基(例如吡啶氨基、噻酚氨基或二噻酚基氨基)，具有含2至10個碳原子的酰基且非必要地具有取代基的酰氨基(例如乙酰氨基或苯曱酰氨基)，非必要地具有取代基的烷氧基(優選具有1至8個碳原子且非必要地具有取代基的烷氧基；例如曱氧基、乙氧基或丁氧基)，非必要地具有一個取代基芳氧基(具有優選含6至12個碳原子的芳烴基；例如苯氧基、1-萘氧基或2-萘氧基)，非必要地具有取代基的雜芳氧基(優選具有5-或6-元芳香雜環基；例如吡啶氧基或噻酚氧基)，非必要地具有取代基的酰基(優選含2至IO個碳原子且非必要地具有取代基的酰基；例如曱酰基、乙酰基或苯曱酰基)，非必要地具有取代基的烷氧羰基(優選含2至10個碳原子且非必要地具有取代基的烷氧羰基；例如家養羰基或乙氧羰基)，非必要地具有取代基的芳氧羰基(優選含7至13個碳原子且非必要地具有取代基的芳氧羰基；如苯氧基羰基)，非必要地具有取代基的烷基羰氧基(優選含2至IO個碳原子且非必要地具有取代基的烷羰氧基；如乙酰氧基)，卣原子(特別是氟原子或氯原子)，羧基，氰基，羥基，巰基，非必要地具有取代基的烷疏基(優選含1至8個碳原子的烷硫基；如曱硫基或乙硫基)，非必要地具有取代基的芳硫基(優選含6在12個碳原子的芳硫基；例如苯基或l-萘硫基)，非必要地具有一個取代基的磺酰基(例如曱磺酰基或曱苯磺酰基)，非必要地具有一個取代基的曱硅烷基(例如三曱基曱硅烷基或三苯基曱硅烷基)，非必要地具有一個取代基的硼烷基(例如二dimesitylboryl)，非必要地具有一個取代基的膦酰基(如二苯基膦酰基)，非必要地具有一個取代基的芳烴基(例如^f汙生自5-或6-元單環或含2至5個稠合環的一價環，如苯環、萘環、蒽環、菲環、二萘嵌苯環、并四苯環、芘環、苯并芘環、chrysene環、苯并[9，10]菲環或熒蒽)和非必要地具有取代基的芳香雜環(例如衍生自5-或6-元單環或含2至4個稠合環的稠合環的單價基團，如呋喃環、苯并呋喃環、p塞酚環、苯并蓬酚環、p比咯環、p比峻環、咪哇環、噁二哇環、p引咮環、呼峻環、吡略并咪唑環、吡咯并吡唑環、吡咯并吡咯環、噢酚并吡咯環、p塞酚并遂酚環、呔喃并吡咯環、吹喃并吹喃環、p塞酚并吹喃環、苯并異噁峻環、苯并異噻唑環、苯并咪唑環、吡啶環、吡嗪環、噠嗪環、嘧啶環、三溱環、喹啉環、異喹啉環、噌啉環、喹喔啉環、苯并咪唑環、嘧啶環或會唑淋環)。包括其取代基的各R,至R8的分子量優選為400或更小，更優選250或更小。(R!至Rs的取代基)這些基團可具有的取代基無特殊限制，只要這些取代基不損害本發明電荷傳輸材料的性能即可，但其優選的實施例包括烷基、芳烴基和烷基取代的芳烴基。其具體例子包括含約1至約6個碳原子的烷基如曱基、乙基、異丙基或叔丁基；含約6至約18個碳原子的芳烴基如苯基、萘基或芴基；和碳原子總數約7至約30個碳原子的烷基取代芳烴基如甲苯基、mesityl基或2,6-二甲苯基。R2、R4、R6和R7可為任一上述基團，但考慮到改進抗電氧化和還原的耐久性和耐熱性，它們優選為芳香基(本發明中，芳烴基和芳香雜環基在某些情況下統稱為"芳香基")。其中R4至Rs各自表示芳香環的具體例子說明如下。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>在各上述結構中，Li至L3各自獨立地表示烷基、芳烴基或烷基取代的芳烴基，L4和Ls各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烴基或烷基取代的芳烴基。烷基、芳烴基和烷基取代的芳烴基包括含約1至約6個碳原子的烷基如曱基、乙基、異丙基或叔丁基；含約6至約18個碳原子的芳烴基如苯基、萘基或芴基；和碳原子總數約7至約30個碳原子的烷基取代芳烴基如曱苯基、mesityl基或2，6-二曱苯基。此外，所有上述結構除L!至Ls之外還可具有一個取代基。然而，若取代基對連接該結構的吡啶環或其類似物的電子狀態產生強影響，則會導致很小的氧化-還原勢差。因此，優選選取具有很小的給電子性能和很小的吸電子性能并且難以使分子內共軛長度延長的基團作為取代基。作為這種基團的一個具體的例子，還列舉烷基、芳烴基和烷基取代的芳烴基。此外，對于在分子內具有2個或多個上述結構的化合物，分子中所含的2個或多個Li至Ls可以相互相同或不同。在上述說明性結構中，考慮到獲得足夠大的氧化-還原勢差，優選R陽l至6、10至13、33、34、38、45和48,更優選R-l至6和48,最優選R-1、4至6和48。Rj、R3、R5和R8優選非必要地具有取代基的烷基或非必要地具有取代基的芳烴基(特別是含約6至約12個碳原子的芳烴基，考慮到避免限制降低發光效率的分子振動，更優選氫原子或芳烴基，考慮到賦予很大的氧化勢或長壽命(優良的耐抗氧化還原性)，其中特別優選氫原子或苯基。上式(I)表示的化合物的最大特性是它在分子內在其中它們不能相互共軛的位置具有兩個或多個吡啶環。這樣起到實現優良的電子傳輸性能和寬氧化-還原勢差的作用。另一方面，若吡啶環數太大，則導致這樣的強堿性當該化合物加入發光層或與其相鄰的層時，因長時間施加電場產生配體交換的可能性。基于此觀點，表示連接至Q。的Z!個數和連接至Zi的環A的個數的m與表示連接至Qo的Z2個數和連接至Z2的環B的個數的n之和優選為2至8，更優選2至6，進一步更優選2至4，最優選2至3。此外，m為0至8、優選0至4的整數。此外，n為0至8、優選0至4的整數。考慮到增大氧化-還原勢差和抗反復氧化和還原的耐久性，m優選為0或1,n為1或更大的整數。考慮到增大氧化-還原勢差，優選2-吡啶基(即環A)。因此，優選其中n為O的情況。考慮到抗反復氧化和還原的耐久性，優選4-吡啶基(即環B)。即優選其中m為O的情況。此外，通過使用具有相同電化學性能的僅吡啶環構成本發明的電荷傳輸材料，可增大氧化-還原勢差并可抑制因電應力聚焦導致的電損害進展，這就是其中n或m為O的情況。然而，當其中需要在通過使用濕成膜法形成本發明有機化合物的薄膜時需要改進溶解度的情況下，一種有效的方式是有意使用具有不同取代基的吡啶環(即m和n同時為1或更大的整數)。此外，在其中n或m為0和化合物4又具有環A和環B之一和其中環A或環B上的取代基(Ri至R4或Rs至Rs)對于相應的環不同的情式，同樣有效的是合適地選取取代基，由此使具有稍微不同電化學特性的取代吡啶環共存于分子內。此外，將本發明的電荷傳輸材料用于有機電致發光元件-l)中作為構成發光層的主體材料的情況下，需要該材料具有合適優良的空穴傳輸特性和合適優良的電子傳輸特性。因此，優選在分子內具有給電子取代基的那些(例如烷基、氨基或烷氧基)，其中特別優選含芳香氨基的那些。為具有芳香氨基，優選如上所述的芳香氨基，即二芳基胺部分。然而，在此情況下，這是其中吡啶環和給電子雜原子基本上不能相互共軛的結構。它們之間的共軛使產生分子內的極化現象明顯，導致氧化-還原勢差降低或三重激發態能級降低。此外，在含銥配合物代表的金屬配合物作為摻雜劑的體系中，通常某些摻雜劑本身可接受和傳輸空穴。因此，在某些該體系中，不必有意賦予主體材料空穴傳輸性能。在此情況下，相對優選使用如下面作為2)描述的被認為增強電子傳輸性能的結構。在2)用作電子傳輸材料和/或空穴阻擋材料的情況下，需要降低空穴傳輸性能并增強電子傳輸性能。因此，優選在分子內不具有給電子取代基(如烷基、氨基、烷氧基、芳氧基、烷硫基或芳硫基)的那些，更優選不具有含二芳胺部分的那些。(Qo的取代基)式(I)中的連接體Qo可被任意取代基取代。取代基的例子包括與前面對至R8描述的相同的那些。為賦予式(I)的化合物適當寬的氧化-還原勢差，優選Qo為未取代的或被烴基取代的，考慮到限制分子振動，Qo更優選為未被取代的(氫原子)或被曱基或苯基取代的，最優選為未被取代的Q0。上式(I)表示的化合物的分子量通常為4,000或更小，優選3,000或更小，更優選2,000或更小，通常為200或更大，優選300或更大，更優選400或更大。當分子量超過上限時，可導致嚴重降^^的升華性能，這在將真空沉積法用于制備發光元件時會帶來麻煩，當分子量低于下限時，導致玻璃轉化溫度降低、熔點降低和氣化溫度降低，這嚴重損害耐熱性。本發明電荷傳輸材料的優選的具體例子為下面給出的，然而，這些例子并不限制本發明。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>結構選取起始材料采用已知方法合成。例如，A)在使用Z-(CHO)作為起始材料的情況下可采用如下方法l)通過強酸如硫酸存在下在乙酸、醇、硝基苯、氯苯、二氯苯或環己烷的單一溶劑中或在其混合溶劑中在室溫下攪拌1當量醛和0.5至2當量乙炔化物1至10小時或將其在強堿如氫氧化鈉存在下在醇和/或含水溶劑中在加熱下攪拌i至io小時，由此獲得中間體(-CH-CR-CO-),并將其在加熱條件下在氧存在下作用到酰基吡啶総鹽和乙酸銨上的合成方法，如Angew.Chem.Int.Ed.Engl.(1962),Synthesis(1976)，1-24,J.HeterocyclicChem.(1977)14，147,Collect.Czech.Chem.Commun.57(1992)2，385-392andCS-262585中描述的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>2)將醛與乙炔化物在氧化劑如三氟化硼或高氯酸存在下在加熱條件下在曱苯溶劑中生產吡喃鐵鹽、并將該反應產品與氨在水或醇溶劑中反應的方法如LiebigsAnn.Chem.(1974)，1415-1422，J.Org.Chem.38(2002)6,830-832andJP-A-2000-186066中描述的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>3)由乙酸銨、醛和乙炔化物在乙酸、醇、硝基苯、曱苯、氯苯、二氯苯或環己烷的單一溶劑中或在其混合溶劑中在室溫下的一步合成方法，如J.Am.Chem.Soc.(1952)74,200中描述的。NH4OAc->>Acid4)通過將醛和2當量乙炔化物在強堿如氫氧化鈉存在下在無溶劑存在下使用研缽研磨由此生產中間體(二酮)，然后將其在加熱下作用到乙酸、醇、硝基苯、曱苯、氯苯、二氯苯或環己烷的單一溶劑或在其混合溶劑上的合成方法，如Chem.Commun.(Cambridge)(2000)22,2199-2200中描述的。。T卞bBaseNH4OAC-^~Acid5)由醛和亞乙基乙烯基胺的一步合成方法，如J.Org.Chem.(1988)，53,5960中描述的。CF3C02HFlV乂N、乂R'R1B)使用在2-、4-和6-位的至少一個位置被囟原子如氯、溴或碘取代的吡啶環能夠使卣元素轉換至任意取代基。例如，可列舉通過在鈀催化劑存在下在加熱條件下作用溴化鋅或硼酸的合成方法，如Org丄ett.3(2001)26,4263-4265中描述的。+R*~ZnCIPd卿a)afc1c)除此之外，在引入各種取代基或形成連接體z時，可根據需要使用任何已知技術。例如，當Z為直接鍵時，列舉1)通過使用低聚甲醛作為醛和芳香酰基化物作為乙炔化物，用卣化試劑如N-溴代丁二酰亞胺卣化吡啶環的-位獲得由化物產品，將卣原子轉化為-B(OH》基、-ZnCl基或-MgBr基，并將該產品與囟化物產品偶聯來合成在其2-和6-位具有芳香基吡啶的方法；2)將卣化物產品用正丁基鋰轉化為其鋰產品，將其用N,N-二曱基基的吡啶，然后將該產品用乙炔化物反應合成第二個吡啶環的方法；和3)將上面步驟B)中的作為起始物描述的2,6-二氯-4-碘吡啶在堿存在下使用銅催化劑如銅粉在150至250°C下攪拌由此合成2,6，2，,6，-四氯-[4，4，]聯苯，并將其按照與上面B中描述的相同方式處理的方法。此外，對于在合成時使用的醛(Ra-CHO),可適當使用通常可獲得的試劑，但若必要，可容易按照如下方法合成1)一種將烷基鋰如丁基鋰或強堿如氫化鈉、三乙基胺、叔丁醇鉀或氫化鈉(優選烷基鋰如丁基鋰)作用于例如鹵化物(Ra-X)或具有活潑氫(Ra-H)的烴化合物、然后將該產品用N，N-二甲基甲酰胺處理的方法(Organic&BiomolecularChemistry(2003)1，7，1157-1170orTetrahedronLett.42(2001)37,6589-6592);2)將-C02R基(其中R表示氫原子、氯原子、烷基、芳香基或氨基)用鋁氬化鋰或硼氬化鈉還原生產醇，然后用氯曱酸吡啶鎗、二氧化錳、碘酰苯曱酸或過二硫酸鹽、2，3-二氯-5，6-二氰基-1,4-苯醌氧化形成一CHO產品的方法(J.Med.Chem.(1990)33，2408-2412;Angew.Chem.,Int.Ed.40(2001)23,4395-4397;J.Am.Chem.Soc.(2002)124,10,2245-58;J.Am.Chem.Soc.(1993)115，9,3752-3759;J.Chem.Res"Synop.(2001)7,274-276;Synthesis(2001)15,2273-2276;Bull.KoreanChem.Soc.20(1999)11,1373-1374;Arzneim.Forsch.47(1997)1，13-18;J.Org.Chem.63(1998)16，5658-5661;J.Chem.Soc.Sec.C;Organic(1968)6，630-632);3)將-C02R基(其中R表示氫原子、氯原子、烷基、芳香基或氨基)用三(二烷基氨基)鋁氫化鋰或三(二烷基氨基)鋁氫化鈉一步還原轉化為—CHO的方法(Bull.KoreanChem.Soc.，13(1992)6，670-676;Bull.KoreanChem.Soc.,12(1991)1,7陽8;Org.Prep.Proced.Int.24(1992)3,335-337》4)將-C02R基(其中R表示氫原子、氯原子、垸基、芳香基或氨基)一步還原轉化為-CHO的方法(Chem.Ber.(1959)92，2532-2542;WO00/12457;Bull.Chem.Soc.Jpn.(2001)74，1803-1815);5)將-CN基用三(二烷基氨基)鋁氫化鋰一步還原轉化為-CHO的方法(Bull.KoreanChem.Soc.,13(1992)6,670-676);6)將鄰碘酰基苯曱酸、Dess-Martin全石典烷(periodinane)或乙酰氧基碘酰基苯曱酸作用于Ar-CH3基(其中Ar表示芳香基)變為Ar-CHO的方法(J.Am.Chem.Soc.(2002)124，10，2245-58);7)將Ar-CH3基(其中Ar表示芳香基)借助Ar-CH2Br或Ar-CH2OAcO轉化為Ar-CH2OH，并將該產品用氯曱酸吡啶鎿、二氧化錳或碘酰苯甲酸轉化為-CHO的方法(J.Org.Chem.(1993)58,3582-3585);8)通過將Vilsmeier試劑作用于l-乙基-l-芳基烯丙基醇上合成芳基羧基醛的方法(IndialJournalofChemistry(1988)27B,213-216);9)通過將Vilsmeier試劑作用于1,4-環己二烯上合成芳基羧基醛的方法(Synthesis(1987),197-199;Synthesis(1985),779-781);10)通過用溴或N-溴代丁二酰亞胺溴化Ar-CH3基將Ar-CH3基(其中Ar表示芳香基)轉化為Ar-CHO由此生產Ar-CH2Br,然后在其上作用2-硝基丙烷碳陰離子試劑或六亞曱基四胺的方法(Collect.Czech.Chem.Commim.(1996)61，1464-1472;Chem.Eur.J.(1996)2，12，1585-1595;J.Chem.Research(S)，(1999)210-211);11)由多次曱基鎗鹽(例如六次曱基鑰鹽)獲得芳基醛(例如1,3,5-三曱酰基苯)的方法(Collect.Czech.Chem.Co薩un.(1965)30，53-60);12)通過三曱酰基曱烷自縮合形成1，3,5-三曱酰基苯的方法(Collect.Czech.Chem.Commun.(1962)27，2464-2467);和13)通過用二烷基胺將(其中Ar表示芳香環基)轉化為ArCHO的方法(BulletindeLaSocieteChmiqueDeFrance(1966)9,2966-2971)。作為在合成化合物時使用的酮(Re-CO-CH2-Rb))，可適當使用通常可獲得的試劑，但若必要，可容易按照如下方法進行合成1)通過用各種烷基化試劑(如烷基鋰、二甲基疏酸或二曱亞砜)處理R、C02R基團(其中R表示氫原子、氯原子、烷基、芳香環基或氨基)將其轉化為Re-CO-CH2Rb的方法(J.Am.Chem.Soc.(1959)，81,935-939;J.Am.Chem.Soc.(1961)83,4668-;TetrahedronLett.(1967)1073-;J.Chem.Soc.,PerkinTrans.1(1977)680;JP-5-5062039);和2)在路易斯酸如氯化鋁存在下合成作用酰基化試劑如酰氯的方法(特別流行Friedel-Crafts反應)。本發明的的化合物可通過從反應產品中，按照常規方式根據需要通過過濾或萃取和隨后經諸如重結晶或柱色譜技術的濃縮和純化獲3曰侍。當連接體Zi和Z2、Qo和R!至R8為雜環時，還可通過如下方法合成最終產品由通常可獲得的試劑或通過使用文獻HeterokanNoKagaku-IyakuhinNoKiso(2002,Kimieda,etal"Kagakudojin-sha)andHeterocyclicChemistry(4thed.，2000,J.A.JouleandK.Mills,BlackwellScienceCo.)中描述或引用的合成方法制備其前體，并將所得前體進行上述合成工藝或4安照文獻PalladiuminHeterocyclicChemistry:AguidefortheSyntheticChemist(2nded.，2002,JieJackLiandGordonW.Gribble:PergamonCo.)andSenikinzokuGaHirakuYukigousei-SonoTasaiNaHannokeishikiToSaishinNoSeika(1997，JiroTsuji，Kagakudojin-sha)中描述或引用的進行偶聯反應。當本發明的電荷傳輸材料用于有機電致發光元件時，使用發磷光的染料的有機金屬配合物作為發光層中的摻雜劑提供特別優良的發光效率和驅動壽命。當有機金屬配合物為其中2-芳基吡咬基配體和金屬元素通過碳-金屬CT堿和氮-金屬配位鍵相互連接時，這一效果特別明顯。因此，該有機金屬配合物優選具有2-芳基吡咬基配體。對于中心金屬，生成其發光機理涉及至少電荷自配體軌道轉移至金屬原子軌道的配合物的金屬是優選的,的層(空穴阻擋層和/或電子傳輸層)相同的層時,具有2-芳基吡咬基配體的電荷傳輸材料的物化類似性、電化學類似性和三重激發態能級類似性發揮其效果，并由此帶來摻雜劑上電荷再次偶聯的改進效果、能量自基體分子轉移至摻雜劑的改進效果、和發光層與空穴阻擋層之間的激發減活化幾率p爭低的效果。本發明的電荷傳輸材料具有如此高的電荷傳輸性能，以至于它可有利地用作靜電復印感光器、有機電致發光元件、光電轉化元件、有機太陽能電池和有機整流元件中的電荷傳輸材料。特別地，因其優良的電子傳輸性能，因此適合用作電荷傳輸化合物。時間穩定運行(發光)的有機電致發光元件，因此它適合作為有機電致發光元件的材料。下面，描述本發明的有機電致發光元件。本發明的有機電致發光元件具有陽極、陰極和設置在兩個電極之間的有機發光層(以下在某些情況下僅稱為"發光層")，并且特征在于它具有含本發明電荷傳輸材料的層。本發明元件足夠的是至少具有陽極、陰極和設置在兩個電極之間的發光層。由于本發明的電荷傳輸材料具有寬光學譜帶間距并具有合適的電子傳輸性能，因此將該材料用于與發光層的陰極接觸設置的層(以下稱為"空穴阻擋層")特別有效。此外，本發明的電荷傳輸材料可用于構成有機電致發光元件的任何層。特別地，如前面描述的，優選用于有機發光層(以下有些情況下僅稱為"發光層，，)和設置在發光層與陰極之間的電子傳輸層。為有效使用用作本發明電荷傳輸材料的化合物特性，優選將該化合物用作不必與發光層接觸設置的空穴阻擋層的材料。此外將與發光層的陰極界面接觸的層通常稱為空穴阻擋層。此外，在用作發光層的材料，特別是用作主體材料的情況下，可獲得顯示高發光效率的有機電致發光元件，因此這種情況是優選的。70特別地，當將本發明的電荷傳輸材料用于發光層時，將電子適當注入發光層時，由于該材料具有衍生自吡啶環的適當LUMO能級，導致與自空穴傳輸層注入的空穴的有效組合。因此，這種發光層可用作不具有空穴阻擋層的有機電致發光元件的發光層。此外，本發明的電荷傳輸材料可用于多層中，特別優選將其同時用于發光層和空穴阻擋層中。將本發明的電荷傳輸材料同時用于發光層和空穴阻擋層中起到進一步延長元件壽命的作用。還可以將本發明的多種電荷傳輸材料用于相應層中，或將其與除本發明電荷傳輸材料外的其它電荷傳輸材料組合使用。當本發明的電荷傳輸材料引入兩層或多層中時，這些材料可以相互相同或不同。此外，在本發明的有機電致發光元件中，將陰極與發光層之間的層稱為"電子傳輸層"，并且當存在兩層或多層時，將與陰極接觸的層稱為"電子注入層"，將其它層統稱為"電子傳輸層"。在陰極與發光層之間的層中，將與發光層接觸的層在某些情況下特別稱為"空穴阻擋層"。以下，參考附圖，以其中本發明的電荷傳輸材料包含于空穴阻擋層中的情況作為例子詳細描述本發明有機電致發光元件的一個實施方案。圖1為顯示本發明中使用的一般有機電致發光元件的結構的橫截面示意圖，其中l表示基板，2表示陽極，4表示空穴輸送層，5表示發光層，6表示空穴阻擋層和8表示陰極。基板l起到有機電致發光元件中支撐物的作用，并使用石英或玻璃板、金屬板或金屬箔，或塑料膜或片材。特別地，優選玻璃板和透明合成樹脂如聚酯、聚曱基丙烯酸曱酯、聚碳酸酯或聚砜的板或薄膜。當使用合成樹脂基板時，必須注意氣體阻擋性能。若氣體阻擋性能太小，則由于外面的空氣通過基板會損害有機電致發光元件，因此很小的氣體阻擋性能不是優選的。因此，一種優選的方法是在合成樹脂基板的至少一面上設置致密二氧化硅薄膜，由此確保足夠的氣體阻擋性能。在基板1上設置陽極2。陽極2起到將空穴注入空穴傳輸層4的作用。陽極2通常由金屬如鋁、金、銀、鎳、鈀或鉑，金屬氧化物如氧化銦和/或氧化錫，金屬自化物如碘化銅，炭黑，或導電高聚物如聚(3-曱基噻吩)、聚吡咯或聚苯胺構成。陽極2通常通過'踐射法或真空沉積法形成。當由金屬如銀的細顆粒、碘化銅的細顆粒或導電高分子聚合物的細顆粒形成陽極2時，也可通過分散于合適的粘結劑樹脂溶液中并將該分散體涂布于基板1上形成。此外，在由導電高聚物形成陽極2時，還可在基板1上經電解聚合直接形成聚合的薄膜，或通過在基板1上涂布導電高聚物形成陽極2(App.Phys.Lett"vol.60，p.2711，1992)。陽極2通常為單層結構，但根據需要它也可具有疊層結構。陽極2的厚度根據所需的透明度而變化。當要求一定透明度時，將可見光的透光度調節至通常60%或更大，優選80%或更大。在此情況下，厚度通常為5nm或更厚，優選10nm或更大，且通常為l，OOOnm或更小，優選500nm或更小。在陽極可不透明的情況下，陽極2的厚度是任意的，并且根據需要可由金屬形成，由此起到基板l的作用。在圖l所示的結構元件中，在陽極2上設置空穴傳輸層4。對于空穴輸送層的材料，要求該材料顯示自陽極的高空穴注入效率并高效傳輸注入的空穴。為滿足這些要求，要求材料具有很小的電離勢，顯示對可見光的高透明度、顯示很大的空穴遷移率、具有優良的穩定性并且很難產生不純物(該不純物在生產或使用時起俘獲作用)。此外，由于空穴傳輸層與發光層5接觸，因此要求該材料不因淬滅自發光層發射的光或因形成激基復合物降低發光效率。除了上述一般要求外，考慮到用于交通工具上顯示器，要求該元件具有一定耐熱性。因此，需要具有玻璃轉化溫度Tg85。C或更高的材料。這種空穴傳輸材料的例子包括含兩個或多個叔胺的芳香二胺，其中氮原子被兩個或多個稠合芳香環取代，例如4,4，-雙[N-(l-萘基)-N-苯氨基]聯苯(JP-A-5-234681);具有星型爆發結構的芳香胺化合物如4,4，,4，，-三(l-萘苯氨基)三苯基胺(J.Lumin"vol.72-74，p.985，1997);包括三苯基胺的四聚體的芳香胺化合物(Chem.Commun.,p.2175,1996);螺旋化合物如2，2，,7,7，-四-(二苯氨基)-9,9，-螺雙芴(Synth.Metals,vol.91，p.209,1997)。這些化合物可單獨使用，或根據需要將其多種混合使用。除了上述化合物外，對于用于空穴傳輸層4的材料，可列舉聚乙烯咔唑、聚乙烯三苯基胺(JP-A-7-53953)和含四苯基聯苯胺的聚亞芳基醚砜(Polym.Adv.Tech.，vol.7，p.33,1996)。空穴傳輸層4可通過濕成膜法如通常的涂布法(如噴涂法、印刷法、旋涂法、浸涂法或模頭涂布法)或變化的印刷法(例如噴墨法或篩網法)或干成膜法如真空沉積法形成。對于涂布方法，將一種、兩種或多種空穴傳輸材料和若需要粘結劑樹脂或添加劑如不起空穴捕集器作用的涂布性能改進劑溶于適當的溶劑中制備涂布溶液，將該溶液按照旋涂方法或類似方法涂于陽極2上，接著干燥形成空穴傳輸層4。粘結劑樹脂的例子包括聚碳酸酯、聚芳酯和聚酯。當大量加入時，粘結劑樹脂將降低空穴遷移率，因此其量優選小，其中通常優選50wt。/。或更低。對于真空沉積法，將空穴傳輸材料放入安裝在真空容器內的坩堝內，并且在借助合適的真空泵將真空容器抽真空度至約1()4pa后，將坩堝加熱使空穴傳輸材料蒸發并在其上以形成陽極2并面向坩堝放置的基板1上形成空穴傳輸層4。空穴傳輸層4的厚度通常為5nm或更厚，優選10nm或更厚，通300nm或更小，優選100nm或更小。為均勻形成這種薄膜，一般經常使用真空沉積法。在圖1所示的元件中，發光層5設置在空穴傳輸層4上。發光層5由發光化合物形成，該化合物在供能電極之間的空間通過自陽極注入并已遷移通過空穴傳輸層的空穴與自陰極注入并已遷移通過空穴阻擋層6的電子再次結合強烈激發時發射強光。用于發光層的發光化合物要求其為顯示穩定薄膜形式、顯示固態高發光(熒光或磷光)量子收率并可高效傳輸空穴和/或電子的化合物。此外，該化合物要求其電化學和化學穩定并且在生產或使用時很難生成起捕集器作用的不純物。作為滿足這些要求并形成能夠發射熒光的有機發光層的材料，列舉金屬配合物如8-羥基喹啉鋰配合物(JP-A-59-194393)、10羥基苯并[h]壹啉的金屬配合物(JP-A-6-322362)、雙苯乙烯基苯衍生物73基亞芳基衍生物(JP-A-2-247278)、(2-羥苯基)苯并噻唑的金屬配合物(JP-A-8-315983)和silole衍生物。用于發光層的這些材料通常通過真空沉積法層壓至空穴傳輸層上。在上述空穴傳輸材料中，能夠發光的芳香胺基化合物也可用作發光層的材料。此外，本發明的電荷傳輸材料也可用作發光層的材料。在此情況下，優選選擇和使用具有電離勢比本發明的電荷傳輸材料大0.1eV或更多的上述例舉的已知材料作為用于空穴阻擋層6或電子傳輸層7的材料。此外，在本發明的有機電致發光元件中，本發明的電子傳輸材料可同時用于有機發光層(也簡稱為"發光層")和與有機發光層的陰極側界面接觸的層，并且考慮到驅動壽命，特別優選這種元件。與陰極側界面接觸的層在很多情況下為空穴阻擋層。當發光層不含摻雜劑時，從本發明規定的電荷傳輸材料中選取電離勢差為0.1eV或更大的材料并將其用于發光層就足夠了，當空穴包含摻雜劑時，從本發明規定的電荷傳輸材料中選取具有電離勢比該摻雜劑大0.1eV或更多的化合物并將其用于各發光層和空穴阻擋層就足夠了。出于改進元件的發光效率和改變發射光的顏色的目的，已用激光用熒光染料如香豆素對8-羥基喹啉鋁配合物的主體材料進行摻雜(J.Appl.Phys.,vol.65,p.3610,1989)。該摻雜技術也可用于發光層5，并且作為摻雜材料，還可使用除香豆素之外的熒光染料。發藍光的熒光染料的例子包括二萘嵌苯、芘、蒽、香豆素和其衍生物。發綠光的熒光染料的例子包括喹吖啶酮衍生物和香豆素衍生物。發黃光的熒光染料的例子包括紅熒烯和perimidone衍生物。發紅光的焚光染料的例子包括DCM-基化合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并p塞p屯衍生物和偶氮苯并遙叱衍生物。除了上述用于摻雜的熒光染料外，在LaserKenkyu,vol.8，p.694,p.803,p.958(1980)andibid.,vol.9，p.85(1981)中列舉的熒光染料可根據主體材料的種類用作發光層的摻雜材料。上述用于主體材料的熒光染料的量優選為l(T3%重量或更大，更優選0.1%重量或更大，優選10%重量或更小，更優選3%重量或更小。當該量低于下限時，摻雜劑可能無助于改進元件的發光效率，當該量超過上限時，可能導致光淬滅，由此可能導致發光效率降低。另一方面，顯示發磷光的發光層通常通過加入磷光摻雜劑和主體材料形成。磷光摻雜劑的例子包括含選自屬于元素周期表7至ll族的金屬的金屬，并且優選使用具有T1(最低激發三重態能級)高于金屬配合物的電荷傳輸有機化合物作為主體材料。含選自屬于元素周期表7至11族的金屬的金屬的磷光有機金屬配合物中的金屬的優選例子包括釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑和金。作為這些有機金屬配合物，優選列舉下式(X)或(VI)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>其中M表示金屬，q表示金屬的價數，L和L，各自表示雙齒配體，j表示0或1或2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>其中M表示金屬，T表示碳或氮，當T表示氮時，R^和R"不存在，當T表示碳時，1194和1195各自表示氫原子、卣原子、烷基、芳烷基、鏈烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、烷氨基、芳烷基氨基、囟烷基、羥基、芳氧基、或可具有取代基的芳烴基或芳香雜環基，R^和R"各自表示氫原子、卣原子、烷基、芳烷基、鏈烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、烷氨基、芳烷氨基、卣烷基、羥基、芳氧基或芳烴基或可具有取代基的芳香雜環基，并可相互連接形成環。式(X)中的雙齒配體L和L，各自表示具有如下部分結構的配體其中環A1，，和環A1，各自獨立地表示芳烴基或芳香雜環基，其可具有取代基，環A2和環A2，各自表示含氮芳香雜環基，其可具有一個取代基，R，、R，，和R"，各自表示卣原子、烷基、鏈烯基、烷氧基羰基、曱氧基、烷氧基、芳氧基、二烷氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、鹵烷基或氰基。作為式(X)表示的更優選的化合物，可列舉下式(Va)、(Vb)和(Vc)表示的化合物其中1V^表示金屬，w表示金屬的價態，環A1"表示可具有取代基的芳烴基，環A2表示可具有取代基的含氮芳香雜環基；其中MS表示金屬，w表示金屬的價態，環A1"表示可具有取代基的芳烴基或芳香雜環基，環A2表示可具有取代基的含氮芳香雜環基；其中mG表示金屬，w表示金屬的價態,j表示0、1或2,環Al"和環Al，各自獨立地表示可具有取代基的芳烴基或芳香雜環基，環A2，表示可具有取代基的含氮芳香雜環基。式(Va)、(Vb)和(Vc)表示的化合物的環Al和環Al，的優選例子包括苯基、聯苯基、萘基、蒽基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、p比咬基、喹啉基、異會啉基和啼峻基。環A2和環A2，的優選例子包括吡"先基、嘧咬基、pyrazyl基、triazyl基、苯并p塞唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和菲基。(Va)、(Vb)和(Vc)表示的化合物的取代基的例子可包括卣原子如氟原子；含1至6個碳原子的烷基如曱基或乙基；含2至6個碳原子的鏈烯基如乙烯基；含2至6個碳原子的烷氧基羰基如曱氧基羰基或乙氧基羰基；含1至6個碳原子的烷氧基如曱氧基或乙氧基；芳氧基如苯氧基或千氧基；二烷氨基如二曱氨基或二乙氨基；咔唑基；酰基如乙酰基；卣烷基如三氟曱基；和氰基。這些基團可相互連接形成環。此外，環Al"具有的取代基和環A2具有的取代基可相互連接形成一個稠合環，或環Al，具有的取代基和環A2，具有的取代基可相互連接形成一個稠合環。這種稠合環的一個例子是7,8-苯并喹林。環Al"、環Al'、環A2和環A2，中的取代基的更優選的例子包括烷基、烷氧基、芳烴基、氰基、鹵原子、鹵烷基、二芳氨基和咔唑基。式(Va)和(Vb)中的N^和M5的優選例子包括釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑和金。式(VI)中的M7的優選例子包括釕、銠、釔、銀、錸、鋨、銥、鉑和金，其中特別優選二價金屬如鉑和鈀。上式(X)、(Va)、(Vb)和(Vc)表示的有機金屬配合物的具體例子在下面說明。然而這些配合物并不僅限于下面的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage79</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage80</formula>在上式(X)、(Va)、(Vb)和(Vc)表示的有機金屬配合物中，優選具有2-芳基吡啶-基配體(2-芳基吡啶、具有任意取代基2-芳基吡。定衍生物或具有形成稠合體系的2-芳基吡啶衍生物)作為配體L和/或L，的那些化合物。上式(VI)表示的有機金屬配合物的具體例子在下面給出，然而絲毫不受此限制。曰BMe'扭曰'Et(T-1)(T一IO)(T-")作為用于發磷光的發光層中的主體材料，除了作為用于發熒光的發光層中的主體材料描述的材料(包括本發明的電子傳輸材料)夕卜，列舉呻唑衍生物如z^，-N,N，-di咕唑聯苯(WO00〃0655)、三(8-羥基喹啉)鋁(US6,303，238)、，2，，2"-(1，3,5-苯曱基)三[1-苯基-111-苯并咪唑](Appl.Phys.Lett"vol.78，p.1622，2001)和聚乙烯呻唑(JP-A-2001-257076)。如上面描述的，本發明的電荷傳輸材料可用作主體材料。此外，本發明有機電致發光元件中的發光層可包含與主體材料一起的上述熒光染料和磷光摻雜劑。在發光層中包含的用作摻雜劑的有機金屬配合物的量優選為0.1%曰lba、N\*.i"、』Nf803、,J-J*"、N，曰曰UI重量或更大，和優選30%重量或更小。當該量低于下限時，配合物可能無助于改進元件的發光效率，而當配合物超過上限時，發生因形成有機金屬配合物二聚體而發生濃縮淬滅的可能性，導致發光效率降低。存在這樣的趨勢顯示發磷光的發光層中的磷光摻雜劑的量優選稍大于在使用常規熒光(單重態)的元件的發光層中所含的焚光染料(摻雜劑)的量。此外，當熒光染料與磷光摻雜劑一起包含于發光層中時，熒光染料的量優選為0.05%重量或更大，更優選0.1%重量或更大，并且優選為10%重量或更小，更優選3°/。重量或更小。發光層5的厚度通常為3nm或更厚，優選5nm或更厚，和通常200nm或更薄，優選100nm或更薄。發光層也可按與空穴輸送層相同的方式形成。下面描述在發光層的主體材料中摻雜上述熒光染料和/或磷光染料(磷光摻雜劑)的方法。對于涂布，加入上述發光層的主體材料、摻雜染料和若需要不起電子捕集器作用或發射光猝滅劑作用的粘結劑樹脂并溶解由此制備涂料溶液，將該溶液通過旋涂或類似方法涂于空穴傳輸層4，接著干燥形成發光層5。粘結劑樹脂的例子包括聚碳酸酯、聚芳基酯和聚酯。當大量加入時，粘結劑樹脂降低空穴/電子遷移率，因此很小量的粘結劑是合適量，其中優選50°/。重量或更少。對于真空沉積法，將上述主體材料放入安裝在真空容器內的坩堝內，把摻雜染料放入不同的坩堝中，并且借助合適的真空泵將真空容器抽真空度至約1.0xl04托，將坩堝同時加熱使空穴傳輸材料蒸發并在面向坩堝放置的基板上形成層。另一種方法是，可^f吏用相同坩堝蒸發前面按預定比例混合上述材料制備的混合物。當各摻雜劑加入發光層時，該摻雜劑均勻分布在發光層的厚度方向。然而，在厚度方向可具有摻雜劑的濃度分布。例如，摻雜可僅在與空穴傳輸層的界面附近進行，或相反，可在空穴阻擋層的界面中進行。發光層可按與空穴傳輸層相同的方式進行，但通常使用真空沉積法。此外，發光層5可包含上面未描述的在不損害本發明性能范圍內的其它組分。在圖1所示的元件中，將空穴阻擋層6層壓在與發光層5的陰極側界面接觸的發光層5上。空穴阻擋層優選由起到防止自空穴傳輸層遷移的空穴到達陰極并可在面向發光層的方向有效傳輸自陰極注入的電子的化合物形成。構成空穴阻擋層的材料所需的物理性能包括高電子遷移率和低空穴遷移率。空穴阻擋層6具有將空穴和電子限制在發光層內由此改進發光效率的功能。本實施例中，將本發明的電荷傳輸材料用于空穴阻擋層。本發明的電荷傳輸材料可單獨或以其多種組合用于空穴阻擋層內。此外，已知的空穴阻擋化合物可在不損害本發明電荷傳輸材料性能的范圍內組合使用。用于本發明的空穴阻擋層的電離勢優選大于發光層的電離勢(當發光層同時包含主體材料和摻雜劑時，摻雜劑的電離勢)0.1eV或更大(更優選空穴阻擋層的電離勢大于主體材料電離勢0.1eV或更大)。該電離勢定義為將在物質的HOMO(最高占據分子軌道)能級下的電子釋放至真空能級所需的能量。電離勢可直接由光電子光譜測定法或通過基于標準電極校準電化學測量的氧化勢直接定義。在使用例如飽和甘汞電極的后一方法中，電離勢定義為電離勢^氧化勢(vs.SCE)+4.3eV(MolecularSemiconductors,Springer-Verlag,1985,p.98)此外，用于本發明的空穴阻擋層的電子親和勢(EF)^L選等于或大于發光層的電子親和勢(當發光層同時包含主體材料和摻雜劑時，主體材料的電子親和勢)。電子親和勢定義為當真空能級中的電子落入LUMO(最低未占據分子軌道)能級以達到穩定而釋放的能量，其中與電離勢一樣，將真空能級作為標準。電子親和勢類似地根據下面的公式通過從上述電離勢或從電化學還原勢中減去光譜帶隙確定電子親和勢二還原勢(vs.SCE)+4.3eV因此，用于本發明的空穴阻擋層可用氧化勢和還原勢按如下表示(空穴阻擋材料的氧化勢h(發光材料的氧化勢)^).lV;(空穴阻擋材料的還原勢》(發光材料的還原勢)此外，在具有下面描述的電子傳輸層的元件種，空穴阻擋層的電子親和勢優選等于或大于電子傳輸層的電子親和勢。(電子傳輸材料的還原勢)^(空穴阻擋材料的還原勢)^(發光材料的還原勢)空穴阻擋層6的厚度通常為0.3nm或更厚，更優選0.5nm或更大，但通常為100nm或更小，更優選50nm或更小。空穴阻擋層也按與空穴輸送層相同的方式形成，其中通常使用真空沉積方法。陰極8起到將電子經空穴阻擋層6注入發光層5的作用。對于用作陰極8的材料，可使用用于陰極2的那些材料，但為高效注入電子，優選具有低工作函數的金屬。因此，使用合適的金屬如錫、鎂、銦、4丐、鋁和銀或其合金。其具體例子包括具有低工作函數的合金電極，如鎂-銀合金、鎂-銦合金和鋁-鋰合金。此外，為改進元素的效率，在陰極與發光層或電子傳輸層之間的界面內插入LiF、MgF2或Li20的薄絕緣薄膜是特別有效的技術(Appl.Phys.Lett"vol.70，p.152，1997;JP-A隱10-74586;and正EETrans.Electron.Devices,vol.44,p.1245,1997)。陰極8的厚度通常與陽極2的厚度相同。為進一步在其上層壓起保護作用的具有低工作函數且在大氣中穩定的金屬層，包括具有低工作函數的金屬起到增強穩定性的作用。為此，使用金屬如鋁、銀、銅、鎳、鉻、金和鉑。為進一步改進元素的發光效率，可在空穴阻擋層6與陰極8之間設置電子傳輸層7，如圖2和3所示。電子傳輸層7由可以良好效率將自陰極注入的電子傳輸至供能電極之間的空穴阻擋層6的化合物。滿足這些要求的材料的例子包括金屬配合物如8-羥基喹啉的鋁配合物(JP-A-59-194393);10-鞋基苯并[h]喹啉的金屬配合物；噁二唑衍生物；二苯乙烯基聯苯衍生物；silole衍生物；3-或5-羥基黃酮的金屬配合物；苯并噁唑的金屬配合物；苯并噻唑的金屬配合物；三苯并咪唑基苯(US5，645,948)、查噁啉化合物(JP-A-6-207169);菲咯啉衍生物(JP-A-5-331459);2-叔丁基-9，10-N,N，-二氰基蒽醌二亞胺；n-型氫化無定形碳化硅；n-型硫化鋅和n-型硒化鋅。優選用堿金屬摻雜上述電子傳輸材料(描述于例如JP-A-10-270171、日本專利申請2000-285656和2000-285657中)，因為它起到改進電子傳輸性能的作用。電子傳輸層7通過涂布法或真空沉積法在空穴阻擋層6上形成，由此按與空穴傳輸層4相同的方式層壓。通常使用真空沉積法。此外，本發明的電荷傳輸材料可用于該電子傳輸層7中。在此情況下，電子傳輸層7可通過僅使用本發明的化合物或通過將其與前面描述的各種已知材料組合使用形成。當本發明的電荷傳輸材料用于電子傳輸層7時，該電荷傳輸材料也可用于上述空穴阻擋層6中，或本發明的電荷傳輸材料可僅用于電子傳輸層7中，其中其它已知的空穴封閉材料用于空穴阻擋層6中電子傳輸層6的厚度通常為5nm或更厚，更優選10nm或更厚，且通常200nm或更薄，更優選100nm或更薄。電子傳輸層7通過涂布法或真空沉積法在空穴阻擋層6上形成，由此按與空穴傳輸層4相同的方式層壓。通常使用真空沉積法。為更多改進注入空穴的效率并改進整個有機層在陽才及上的粘結力，還進行在空穴傳輸層4與陽極2之間插入陽極緩沖層3(參加圖3)。插入陽極緩沖層3起到提供降低元件的初始驅動電壓并且同時抑制在以恒定電流連續驅動元件時電壓增加的效果。作為對用于陽極緩沖層的材料的要求，要求該材料具有與陽極的良好接觸、形成均勻薄膜和熱穩定，即具有高熔點和高玻璃轉化溫度，其中熔點優選為300。C或更高，玻璃轉化溫度為100。C或更高。此外，要求這些材料具有足夠低的電離勢以有助于將注入來自陽極的空穴并具有4艮大的空穴遷移率。為此，作為陽極緩沖層3的材料，已報道，有機化合物如卟啉衍生物或酞菁衍生物(JP-A-63-295695)、腙化合物、烷氧基取代的芳香二胺衍生物、對-(9-蒽基)-N,N，-二-對曱苯基苯胺、多亞噻酚亞乙烯或聚-對亞苯基亞乙烯、聚苯胺(Appl.Phys.Lett.，vol.64，p.1245,1994)、聚漆酚(OpticalMaterials,vol.9,p.125，1998)和星型突出芳香三胺(jp_A-4-308688);賊射碳膜(Synth.Met"vol.91,p.73，1997);和金屬氧化物如氧化釩、氧化釕和氧化鉬(J.Phys.D，vol.29，p.2750,1996)。還可列舉含注入和傳輸的空穴、低分子量有機化合物和電子接受化合物的層(描述于例如JP-A-l1-251067和JP-A-2000-159221中)，包括根據需要摻雜有電子接受化合物的含芳香氨基的非共軛高分子量化合物的層(例如JP-A-l1-135262、JP-A-l1-283750、JP-A-2000-36390、JP-A-2000-150168、JP-A-2001-223084和W097/33193)和含導電聚合物如聚瘞酚的層(JP-A-10-92584)，然而它們并非是限制性的。對于陽極緩沖層的材料，可使用低分子量化合物和高分子量化合物之一。在低分子量化合物中，通常使用卟吩化合物和酞菁化合物。這些化合物可具有中心金屬或可無金屬。這些化合物的優選例子包括外吩；5,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩；5,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩鈷(II);5,10，15，20-四苯基-21H，23H-卟吩銅(II);5,10,15，20-四苯基-21H,23H-卟吩鋅(II);5，10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩釩(IV)氧化物；5，10，15，20-四(4吡啶基)-21H，23H-吟吩；29H,31H-酞菁；銅(II)酞菁；鋅(II)酞菁；鈦酞菁氧化物；鎂酞菁；鉛酞菁；和銅(II)4，4，,4，，，4"，-四氮雜-29H，31H-酞菁。對于陽極援沖層，也可與空穴傳輸層類似地形成薄膜，在使用無機材料的情況下，可進一步使用濺射方法、電子束沉積法或等離子體CVD法。對于如此形成的陽極緩沖層3的厚度，當使用^f氐分子化合物時，下限通常為約3nm,優選約10nm,而上限通常為約100nm,優選約50nm。當使用聚合物化合物時，加入上述聚合物化合物、電子接受化合物和若需要例如不起空穴捕集器作用的例如粘結劑樹脂或添加劑如涂布性能改進劑并將其溶解制備涂布溶液，將該溶液才艮據通用涂布方法如噴涂法、印刷法、旋涂法、浸涂法或模頭涂布法或噴墨法涂于陽極2上，接著干燥形成陽極緩沖層3。粘結劑樹脂的例子包括聚碳酸酯、聚芳基酯和聚酯。當大量加入時，粘結劑樹脂可能降^^空穴遷移率，因此其量優選很小，其中按陽極緩沖層3計50°/。重量或更少通常是優選的。優選按照上述薄膜形成法預先在介質如支撐基板或輥上形成薄膜，并將該介質上的薄膜通過加熱或加壓轉移至陽才及2上，由此形成薄膜。如上所述形成的陽極緩沖層3的薄膜厚度的下限通常為約5nm，優選約10nm，上限通常為約l，OOOnm，優選約500nm。對于本發明有機電致發光元件的層結構，也可使用圖1中所示的的反轉結構，即其中將陰極8、空穴阻擋層6、發光層5、空穴傳輸層4和陽極2按此順序層壓在基板上的結構。同時，正如已經描述的，可以在其中至少一基板具有高透明度的兩基板之間設置本發明有機電致發光元件。同樣，可以按相反順序層壓至圖2和3中所示的各層。此外，在圖l至3所示的任一結構中，可在不離開本發明精神的范圍內提供不同于上述層的其它非必要層，或合適變化如提供具有多層功能的層以簡化層結構是可能的。此外，可以使用頂發射結構或使用透明電極如陰極和陽極制備透明元件，或進一步使用其中堆疊圖1中所示的多個層結構的層結構(其中將堆疊多個發光單元的結構)。在此情況下，使用例如V20s作為電荷產生層(CGL)取代單元(發光單元)之間的界面層(在其中ITO和Al分別用作陽極和陰極的情況下，陽極和陰極的兩層)起到降低單元之間的阻擋的作用，因此考慮到發光效率和驅動電壓是更優選的。本發明可適用于其中有機電致發光元件包括單一元件的任一結構，包括已陣列形式設置的元件的結構，和其中陽極和陰極以X-Y矩陣圖案布置的結構。按照本發明的有機電致發光元件，通過加入具有特定部分的化合物作為電荷傳輸材料，可獲得具有高發光效率、發射具有高顏色純度和具有很大改進的驅動穩定性的元件。特別是對于發藍(熒光)光的元件或發磷光元件(其中因選擇合適的材料困難因此形成空穴阻擋層困難)，可獲得優良的發光效率、優良的發光純度和優良的驅動穩定性，因此當用于全色或多色嵌板時該元件可顯示優良的性能。接著，對本發明的電荷傳輸材料，下面描述新的化合物。在本發明的電荷傳輸材料中，由下式(II)表示的并不形成優化幾何平面結構的中P為0)是新的化合物。微k上式中，R、R13、R15和1118各自獨立地表示氫原子或任意取代基。R12、R14、R^和Rn各自獨立地表示任意取代基。Zu表示直接鍵或具有能夠共軛環A!的電子的二價連接體。Z^表示直接鍵或具有能夠共軛環B,的電子的二價連接體。Qo!表示(p+k)-價芳烴基或芳香雜環基，該基團使選自分子內所含的環Ai和環Bt的基團的任何兩個成員的共軛基本上不可能。p表示0至8的整數。k表示0至8的整數。P和k之和為整數2至8。此外，當p和/或k表示2或更大的整數時，分子內所含的多個R至R18可相互相同或不同，分子內所含的多個Z至Z12可相互相同或不同。上式(II)表示的化合物的分子量通常為4,000或更小，優選3,000或更小，更優選2,000或更小，且通常為200或更大，優選300或更大，更優選400或更大。當分子量超過上限時，可能導致嚴重降低的升華性能，這在將真空沉積法用于制備發光元件時會帶來麻煩，或可導致在有機溶劑中的溶解度降低，使得在合成步驟中形成的不純物的量增加時難以進行高純化(除去造成劣化的物質)。另一方面，當分子量低于下限時，導致玻璃轉化溫度降低、熔點降低、氣化溫度降低和成膜性能降低，這嚴重損害耐熱性。上式(II)表示的化合物的熔點通常為100°C或更高，優選12(TC或更高，通常為60(TC或更低，優選50(TC或更低。當熔點超過上限時，可能導致降低的升華性能和降低的溶解度，因此此熔點不是優選的。當熔點低于下限時，可能導致元件的低耐熱性，因此此熔點不是優選的。上式(II)表示的化合物的玻璃轉化點通常為50°C或更高，優選60°C或更高。當玻璃轉化點低于下限時，可能導致元件的低耐熱性，因此該玻璃轉化點不是優選的。上式(II)表示的化合物的氧化勢通常為+1.3V或更大，優選+1.5或更大，且通常為+2.5V或更小，優選+2.0V或更小。當氧化勢超過上限時，可能導致元素的驅動電壓升高，因此該氧化勢不是優選分，而當氧化勢低于下線時，可能導致降低的空穴封閉材料性能和降低的發光效率，因此該氧化勢不是優選的。此外，不特別要求電極氧化反應的可逆性，該反應可為可逆的或不可逆的。然而，當應用于使用的傳輸正電荷時，需要該化合物澄清相對于本發明中描述的可逆性的標準。上式(II)表示的化合物的還原勢通常為-1.6至-2.6丫，優選-1.8至-2.4V。當還原勢超過上限時，導致降低的電子傳輸性能，因此該還原勢不是優選的，當還原勢低于下限時，在電子傳輸至發光材料(磷光染料)時可能帶來麻煩，因此該還原勢不是優選的。此外，電極還原反應中的可逆性能是一個重要因素，并且重要的是針對本發明中描述的可逆性能的標準被澄清。(Z,Z12)足夠的是，Z為直接鍵或具有能夠共軛環A！的電子的二價連接體，和Zu為直接鍵或具有能夠共軛環B,的電子的二價連接體。特別地，優選可通過部分接受傾向于定域在環At和環Bi上的電荷或通過將電荷進一步傳輸至其它取代基將電荷合適地離域在分子內的那些。Z和Z12的具體例子與上面在(Zi,Z2)中描述的那些相同。作為用于本發明化合物的Zu和Z!2，考慮到高三重態激發能級和氧化-還原勢差，優選直接鍵或可具有取代基的二價芳烴基，其中特別優選Z-1(直接鍵)。Z和Z!2可具有的取代基同樣與Z，和Z2可具有的上述取代基相同。包括取代基分子量的Zn和Z,2的分子量優選為400或更小，更優選250或更小。(Q(H)足夠的是，Q(H為(p+k)-價連接體，該連接體使選自分子內所含的環A,和環B,的任何兩個成員相互共軛基本上不可能。特別優選具有通過部分接受傾向于定域在環A!和環B!上的電荷而降低電荷差的性能的那些。其具體例子與上述(Q。)中描述的相同。在這些具體例子中，優選將Q-l和Q-35作為用于本發明化合物中的Q01。Q(n可具有的取代基同樣與Qo可具有的取代基相同。包括取代基分子量的QQ1的分子量優選為400或更小，更優選250或更小。(Rii至Ris)R、R13、Ru和Ri8各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，Ri2、R14、R^和Rn各自獨立地表示任意耳又代基.用于R至R^任意取代基與上述(對至R8的取代基)描述的相同，其優選的例子也與那里描述的相同。Ru至R^的具體例子與上面(R,至Rs)中描述的相同，優選的例子也與其中描述的相同。包括取代基分子量的各Ru至R18的分子量優選為400或更小，更優選250或更小。對上式(II)表示的且不形成優化幾何形狀的平面結構化合物，考慮到改進抗氧化還原耐久性和改進耐熱性，R12、R14、Rw和Rn優選為可具有取代基的芳香烴基或芳香雜環基。(不形成平面結構的情況)在上式(II)表示的化合物中，基本上不形成單一平面結構作為分子的優化幾何結構的那些化合物具有這樣的分子結構，即其中基本上單一平面的結構不可能作為分子結構。因此，該結構起到抑制分子之間7U-兀堆疊相互作用并提供優良的無定形性、溶解度和升華性能的作用。此外，當形成為分子聚集體的薄膜時，該結構的化合物可抑制與溶液狀態(其中將分子分散)相比最大吸收的波長和最大焚光波長增加的現象。進一步地，認為這些化合物可抑制三重激發態能級降低的現象或電氧化-還原勢差降低的現象。因此，它們為可貯存很大能量(例如光、電或熱能)并有效釋放貯存的能量(以光、電或熱的形式)的化合物。此外，這些化合物不僅可用作電子傳輸材料，而且可用作發光材料，太陽能電池的材料、電池(如電解質溶液、電極、隔膜或穩流器)的材料、醫用材料、漆料、涂料、有機半導體的材料、化妝品材料、抗靜電材料和熱電材料。這里使用的術語"化合物的優化幾何形狀"是指通過使用通用MM2計算法引入本發明化合物的優化幾何形狀而獲得的結構(例如，參加M.J.Dudek&J.W.Ponder,J.Comput.Chem.，16,791-816(1995))。下面描述在優化幾何形狀中不形成平面結構的化合物，即在優化幾何形狀中不形成基本上單一平面結構的化合物。為參考實施例進行描述，其中構成該分子的任何兩個相鄰的芳香環具有大約與2-曱基聯苯(D)相同的非平面性能的化合物為不形成平面結構的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage91</formula>更具體地，其中構成分子的任何兩個相鄰的芳香環之間的平面角嚴格地為15。或更大、更嚴格地20。或更大、進一步更嚴格地30。或更大的化合物可認為不形成平面結構。PH3此外，優選與分子內的至少一個芳環(稱為Arl)4建合的任意芳香環(稱為Ar2)與任意的取代基(稱為Rr)合適地存在于相鄰的取代位置上。Rr可與Arl或其它取代基連接形成環。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage92</formula>其例子為下面列舉的那些。優選例1)在上式(II)表示的化合物中，考慮到獲得優良的抗氧化還原耐久性和不損害優良的電荷傳輸穩定性，其中包括環Ai和與其連接的Zn的部分A和包括環Bi和與其連接的Zu的部分B中的多個部分基本上處于與連接體Qcn同一平面上的那些化合物是優選的。作為基本上處于與連接體Q(m同一位置的環A！和Bi的例子，可列舉如下環環A其中R31和R"至R"各自表示任意芳香基，R"表示氫原子或任意取代基。環中Zu和Z,2的優選例子為下面描述的。優選例2)在上式(II)表示的化合物中，考慮到獲得寬氧化-還原勢差和高三重激發態能級，其中任意環A"或環B^基本上與Zu(或Z^)和/或連接體Q01不處于同一平面上的那些化合物是優選的。對于"環A"或環B0基本上與Zu(或Zu)和/或連接體QQ1不處于同一平面上的任意環A!(或環B!)的例子，可列舉如下環[a,=其中r41、r43、r45和r46各自表示任意芳香基，r42、r44、r47和R"各自表示氫原子或任意取代基。環中Z和Z12的優選例子為如下描述的。(優選例1和2中的Z、Zu和Q01)為構成優選例l)中的結構，Zn和Z!2優選為上面描述的Z-l(直接4建)、Z-3、12、16、19、20至30、37至39、41、42、45、46、48、49、52、53和58至60，更優選Z-1(直接鍵)、Z-3、12、16、19、20和21,進一步更優選Z-l(直接鍵)和Z-3，最優選Z-l(直接鍵)。在優選例2)的情況下，Zn和Z!2優選為Z-l(直接鍵)、Z-2至21、28、29、31至35、48至52,和56至60,更優選Z-1(直接鍵)、Z-2、3、4、5、8、10、12、15、16、17、19、28、29、31、33、34、52和56至58，進一步更優選Z-1(直接4建)、Z-2、5、8、12、19、28和29,最優選Z-l(直接鍵)和Z-2。在優選例l)的情況下，Qcn優選為上面描述的Q-l、23、29、34、35、45和58至61,更優選Q-1、23、29、35、45、58和61，進一步更優選Q-1、35和45，最優選Q-1和35。在優選例2)的情況下，Q(H優選為上面描述的Q-1、2、19、23、29至43、45、51至53和58至61,更優選Q-1、2、19至23、29、33、35至42和45，進一步更優選Q-1、2、19至23、35至42和45，最優選Q隱1、2、23、35。其具體例子為下面描述的，然而絲毫不受此限制。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage96</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage97</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage98</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage99</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage100</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage101</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage102</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage103</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage104</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage105</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage106</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage107</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage108</formula>在上式(n)表示的在優化幾何形狀時形成平面結構的化合物中，其中p=0的化合物，即包括4-吡啶基地化合物具有特別高的抗重復氧化耐久性。這里，形成化合物處于優化幾何形狀的平面結構意味著與已針對不形成平面結構的化合物描述的相反。為參考實施例進行描述，其中構成分子的任何兩個芳香環具有與聯苯(c)相同的平面性能的化合物被認為具有平面結構。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage108</formula>在上式(II)表示的在優化幾何形狀時形成平面結構和其中p=0的化合物中，下式(m)表示的且其中吡啶環通過間亞苯基相互連接到那些化合物具有^f艮大的氧化-還原勢差和特別優良的可逆性，因為吡啶環上的孤對不直接相互共軛并且在間亞苯基與吡咬基團之間形成共軛結構。此外，這些化合物因吡咬環的破壞對稱性因此具有優良的無定形性和優良的在有機溶劑中的溶解度。因此，它們在形成薄膜時在不結晶下顯示穩定的成膜性能。(rrf)這里，Ri5至F48與上面式(II)中定義的相同。環c可具有一個取代基。此外，式(m)中的兩個R,5至兩個R^可相互相同或不同。此外，上式(m)表示的化合物的分子量通常為200或更大，優選400或更大，且通常為4,000或更小，優選1,000或更小。若分子量太大，則導致純化操作容易性降低，而當分子量低于下限時，不能獲得穩定的成膜性能，并且因玻璃轉化溫度和氣化溫度降低及結晶度升高會導致耐久性不足。上式(III)表示的化合物的玻璃轉化溫度(Tg)優選為70°C或更高，更優選10(TC或更高。對于上式(m)表示的化合物的氧化-還原勢差，相對于標準電極電化學測量的氧化勢通常為1.3VvsSCE或更大，還原勢為-1.7VvsSCE或更低。氧化勢優選為1.5VvsSCE或更大，還原勢優選為-1.9VvsSCE或更低。特別優選氧化勢為1.7VvsSCE或更大，還原勢維-2.0VvsSCE或更低。選p=0和^Q(H為下式(V)表示的苯環衍生的基團的化^物，所述苯環衍生基團的l-、3-和5-位都與Zu或Zu連接(l,3，5-取代亞苯基)。這些化合物具有這樣的結構氛原子上的孤對電子不能相互直接共軛并且在1，3,5-取代亞苯基與吡啶環之間形成共軛結構，因此，該化合物具有很大的氧化-還原勢差且其可逆性特別優良。此外，通過引入3個具有電子傳輸性能的雜環更多地改進電子傳輸性能和耐熱性。同時，由于該化合物具有如此優良的無定形性和優良的在有機溶劑中的溶解度，因此其顯示在不結晶下的穩定成膜性能，并且因高玻璃轉化溫度(Tg)具有優良的耐熱性和優良的耐久性。在式(IV)中，X和Y各自表示-CH-或-N=。R23和Rm各自獨立地表示任意取代基。環E,至E3還可具有除R23至Rm外的一個取代基。式(IV)中的多個R23和R24可以相互相同或不同。該環D可具有一個取代基。(R23和R24)對于R23和R24，可使用對(R!至Rs)列舉動那些。1123和1124可具有一個取代基，作為取代基，可使用已作為(R^至R8)的取代基列舉的那些。對于R23和R24,考慮到改進抗電氧化還原耐久性和增大氧化-還原勢差，優選非必要地具有取代基的芳烴基。其特別優選的例子包括非必要地具有取代基的苯基(當存在取代基時，該取代基優選為烷基，如曱基、苯基或取代芳基如曱苯基或mesityl基)。對于E!至E3可具有的取代基，除了R23和R24外，還可使用上面作為(R!至R8)列舉的那些.考慮到不因限制分子振動損害發光效率，優選的是氫原子、烷基和芳基，更優選的是氫原子和可具有取代基的苯基(當存在取代基時，該取代基優選為烷基，如曱基、苯基或取代芳基如曱苯基或mesityl基)。R23和Rm的分子量與Rii至Ri8的那些相同或不同。上式(IV)表示的分子量通常為300或更大，優選400或更大，且通常4,000或更小，優選1,500或更低。當分子量超過上限時，導致操作的容易性降低，而當分子量低于下限時，不能獲得穩定的成膜性能，并且因玻璃轉化溫度和氣化溫度降低以及結晶度升高，導致耐久性不足。上式(IV)表示的化合物的玻璃轉化溫度(Tg)優選為90°C或更高，更優選IOO"C或更高。對于上式(III)表示的化合物的氧化-還原勢差，相對于標準電極電化學測量的氧化勢通常為1.3VvsSCE或更大，還原勢為-1.7VvsSCE或更低。氧化勢優選為1.5VvsSCE或更大，還原勢優選為-1.9VvsSCE或更低。特別優選氧化勢為1.7VvsSCE或更大，還原勢維-2.0VvsSCE或更4氐。具體例子在下面描述，但下面的具體例子絲毫不是限制性的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage112</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage113</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage114</formula>本發明化合物的合成方法已在上面進行了描述。本發明的化合物可用作電荷傳輸材料。此外，本發明的化合物通常用于靜電復印光感受器以及有機電致發光元件，因為它具有很優良的氧化-還原穩定性。此外，除了本發明的電荷傳輸材料具有的高性能外，本發明的化合物具有優良的無定形性、溶解度、耐熱性和耐久性。因此，不僅可用作電荷傳輸材料，而且用作發光材料，太陽能的材料，電池材料(如電解質溶液、電極、隔膜或穩流器)、醫用材料、漆料、涂料、有機半導體的材料、化妝品材料、抗靜電材料和熱電材料。實施例下面，本發明將參考實施例更詳細地描述。然而，本發明不限于下面的實施例，只要不超過本發明的宗旨即可。<合成例>在下面合成實施例1至26中給出。玻璃轉化溫度通過DSC測量法測定，氣化溫度通過Tg-DTA測量法測定，熔點通過DSC測量法或Tg-DTA測量法測定。(合成例l)終產物1至終產物2終產物1將石克酸(8.0ml)在大氣氣氛下在室溫下加入間苯二曱醛(2.7g)、苯乙酮(9.6g)和乙酸(57ml)的混合物中，接著在室溫下攪拌6小時。將曱醇(50ml)加入所得溶液并攪拌后，過濾收集沉淀物并用曱醇洗滌，由此獲得終產物1(2.6g)。終產物2將終產物1(2.6g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鎗(6.3g)、乙酸銨(29g)、乙酸(130ml)和N,N-二曱基曱酰胺(130ml)在氮氣流中攪拌8.5小時，同時在回流下加熱，并將水(80ml)和曱醇(80ml)加入所得溶液中，接著攪拌。過濾收集獲得的沉淀物，用曱醇洗滌后，將濾液由曱苯-乙醇重結晶純化。由此，獲得終產物2(1.7g)。該產品經EI-MS(m/z=536(M+)和1H-NMR確認為終產物2。iH畫NMR(270MHz,CDC13),8.25-8.21(m，8H)，8.06(t，1H)，7.96(s,4H),7.87-7.83(dd，2H),7.73-7.68(dd,1H)，7.56-7.43(m，12H)該混合物具有玻璃轉化溫度79°C，熔點205。C，和氣化溫度414。C。(合成例2)終產物3和4終產物3向1，3-二乙酰基苯(3.2g)、苯曱醢(9.6g)和乙酸(57ml)的混合物中在大氣氣氛下加入濃硫酸(8.0ml)，將該混合物在室溫下攪拌7小時。將水(10ml)和曱醇(50ml)加入所得溶液中，攪拌后，收集沉淀物并用曱醇洗滌獲得終產物3(6.0g)。終產物4將終產物3(3.4g)、溴化1-苯乙酖基吡啶鐵(8.3g)、乙酸銨(39g)、乙酸(150ml)和N，N-二曱基曱酰胺(130ml)在氮氣流中攪拌5.7小時，同時在回流下加熱，并將水(200ml)和曱醇(100ml)加入所得溶液中，接著攪拌。過濾收集獲得的沉淀物，用曱醇洗滌后，將濾液由曱苯-乙醇重結晶純化。由此，獲得終產物4(3.9g)。該產品經DEI-MS(m/z二536(M+)和1H-NMR確認為終產物4。iH-畫R(270MHz，CDC13),9.01(s,1H)，8.32-8.25(m,6H),8.019-8.015(d，2H)，7.95-7.94(d，2H)，7.81-7.78(m，4H)，7.71-7.65(t，1H)，7.59-7.46(m,12H)該化合物具有玻璃轉化溫度71。C，熔點233°C，和氣化溫度449。C。(合成例3)終產物5和6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage118</formula>向1，3，5-三乙酰基苯(3.1g)、苯曱醛(8.0g)和乙酸(43ml)的混合物中，在大氣氣氛下在室溫下加入濃碌u酸(6.0ml),將該混合物在室溫下攪拌21小時。將水(IOOml)加入所得溶液中，攪拌后，收集沉淀物并用水和曱醇洗滌獲得終產物5(3.5g)。終產物6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage118</formula>將終產物5(0.47g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(1.3g)、乙酸銨5.8g)、乙酸(150ml)和N，N-二曱基甲酰胺(37ml)在氮氣流中攪拌6小時，同時在回流下加熱，并將水(100ml)加入所得溶液中，接著攪拌。過濾收集獲得的沉淀物，用水洗滌后，將沉淀物以在氯仿-乙醇中的懸浮狀態在加熱下純化，由此獲得終產物6(0.38g)該產品經DEI-MS(m/z=765(M+))和1H-NMR確認為終產物6。^-NMR(270MHz,CDCB),9.11(s,3H)，8.34-8.31(d，6H),8.133-8.128(d，3H),7.993-7.998(d,3H)，7.84-7.82(d，6H)，7.57-7.48(m，18H)該化合物具有熔點384°C，氣化溫度523。C和玻璃轉化溫度Tg225。C。(合成例4)終產物7和8終產物7向間苯二曱醛(2.7g)、a-四氫萘酮(8.8g)和乙酸(57ml)的混合物中，在大氣氣氛下在室溫下加入濃硫酸(6.4ml)，將該混合物在室溫下攪拌6.5小時。將水(100ml)和乙醇(100ml)加入所得溶液中，攪拌后，收集沉淀物并用水和曱醇洗滌獲得終產物7(6.5g)。終產物8將終產物7(6.5g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鐺(14g)、乙酸銨65g)、乙酸(240ml)和N，N-二曱基曱酰胺(240ml)在氮氣流中攪拌18小時，同時在回流下加熱，將如此獲得的溶液冷卻。過濾收集獲得的沉淀物，用乙醇洗滌后，將沉淀物以在乙醇中的懸浮狀態在加熱下純化，接著由曱醇-吡咬-乙醇重結晶，由此獲得終產物8(2.0g)。該產品經EI-MS(m/z二588(M+))和1H-NMR確認為終產物8。'H-NMR(270MHz，CDC13)，8.60-8.57(dd，2H)，8.21-8.18(td，4H):7.66(s,2H),7.64-7.61(d,H)，7.53-7.32(m，13H),7.27-7.16(m，2H):3.05-2.89(m,8H)(合成例5)終產物9至10終產物9終產物10將間苯二曱醛(4.0g)、l-乙酰萘(15.3g)、濃硫酸(9.6ml)和乙酸(86ml)在大氣氣氛下在室溫下攪拌6小時。向如此獲得的溶液中，在攪拌下加入水(100ml)和曱醇(50ml),并將油狀產品通過加入曱苯沉淀。萃取后，將曱苯層依次用碳酸鈉水溶液、氯化鈉溶液和水洗滌。濃縮曱苯層后，將沉淀物通過硅膠柱色譜純化，由此獲得油狀終產物9(13g)。將終產物9(5.0g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鐵(9.5g)、乙酸銨(43.9g)、乙酸(IIOml)和N,N-二曱基甲酰胺(llOml攪拌8小時，同時在回流下加熱，將如此獲得的溶液倒入水250ml)中。過濾收集獲得的沉淀物，用曱醇(300ml)洗滌后，將沉淀物通過硅膠柱色譜純化，由此獲得終產物10(1.75g)。該產品經DEI-MS(m/z-636(M+))確認為終產物10。該化合物具有氣化溫度486°C和玻璃轉化溫度Tgl06。C。(合成例6)終產物11至13終產物ii終產物i2終產物向三(4-溴苯基)胺(4.8g)在無水四氫呋喃中的溶液中，在氮氣氣氛下在-78。C下在15分鐘內滴加入正丁基鋰(1.58M正己烷溶液；21ml)在無水四氫呋喃(15ml)中的溶液，接著攪拌70分鐘。然后在5分鐘內滴加入無水N，N-二曱酰胺(7.7ml)，將所得溶液在室溫下攪拌3.3小時并在78。C下攪拌30分鐘。將乙酸乙酯(10ml)和甲醇(IOOml)加入如此獲得的溶液中后，蒸除溶劑，將殘余物用二氯曱烷(150ml)萃取，并用水(150ml)洗滌。將如此獲得的化合物用硅膠柱色鐠純化，由此獲得終產物11(1.3g)。該產品經FAB-MS(m/z=329(M+),330(M+H+))確認為終產物11。向終產物11(1.3g)、a-四氫萘酮(2.6g)和乙酸(22ml)的混合物中，在大氣氣氛下在室溫下加入濃硫酸(1.9ml)，將該混合物在室溫下攪拌7小時。將水(150ml)和曱醇(50ml)加入所得溶液中，攪拌后，過濾收集沉淀物并用曱醇洗滌獲得終產物12(2.5g)。將終產物12(1.4g)、溴化l-苯乙酰基吡啶鎗(2.5g)、乙酸(11.6g)、乙酸(46ml)和N,N-二曱基曱酰胺(46ml)在氮氣中攪拌8小時，同時在回流下加熱，并將水(50ml)和曱醇(50ml)加入所得溶液中，接著攪拌。過濾收集形成的沉淀物，用水洗滌后，將沉淀物以在氯仿-乙醇中的懸浮狀態在加熱下純化，由此獲得終產物13(0.1g)該產品經EEI-MS(m/z=1010(M+))和1H-NMR確認為終產物13。^-NMR(270MHz,CDC13)，8.60-8.57(d,3H)，8.22-8.19(d，6H),7.68-7.65(m,3H)，7.56-7.25(m，30H)(合成例7)終產物14和15終產物14向1，3，5-三乙酰基苯(5.2g)、鄰曱苯曱醛(18.5g)和乙酸(71ml)的混合物中，在大氣氣氛下在室溫下加入濃石克酸(16ml)，將該混合物在室溫下攪拌6.7小時。將水(100ml)和甲醇(50ml)加入所得溶液中，攪拌后，過濾收集沉淀物并用曱醇洗滌獲得終產物14。向所得混合物、鄰曱苯曱醛(9.0g)、乙酸(70ml)和硝基苯(20ml)的混合物中，在大氣氣氛下在室溫下加入濃石克酸(8.0ml),將該混合物在室溫下攪拌5小時。將水(IOOml)和乙醇(80ml)加入所得溶液中，用超聲波照射10分鐘后，過濾收集沉淀物并在乙醇(200ml)-曱醇(100ml)的混合溶劑中的懸浮狀態下洗滌，過濾收集并用乙醇洗滌，由此獲得終產物14(12.2g)。將終產物14(12.2g)、溴化l-苯乙酰基吡啶錄(29.9g)、乙酸銨(166g)、乙酸(280ml)、N，N-二曱基曱酰胺(250ml)和硝基苯(70ml)在氮氣中攪拌10.5小時，同時在回流下加熱，將水(200ml)和乙醇(100ml)加入如此獲得的溶液中，接著攪拌。過濾收集形成的沉淀物，用乙醇洗滌后，將沉淀物以在乙醇(500ml)中的懸浮狀態在加熱(2小時)下，然后在氯仿(200ml)-曱苯(250ml)中的懸浮狀態下在加熱(1.5小時)下純化,由此獲得終產物l5(8.9g)。該產品經DEI-MS(m/z-807(M+))和1H-NMR確認為終產物15。該化合物具有玻璃轉化溫度105。C,熔點280°C和氣化溫度507°C。(合成例8)終產物16至18^,OAc,。HOAc/DMBr-P隨'終產物15pOCH3H2S04—AcOHBrr丄/6.5小時終產物16終產物17在通過于室溫下在大氣氣氛中攪拌間苯二曱醛(4.0g)、4-溴苯乙酮(17.9g)、濃硫酸(9.6ml)和乙酸(86ml)獲得的溶液中，在攪拌下加入水(100ml)和曱醇(50ml)，收集沉淀的晶體。然后將晶體在100ml曱醇中在懸浮狀態下洗滌，由此獲得終產物16(13.04g)。將終產物16(10g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(16.8g)、乙酸銨(77.6g)、乙酸(280ml)和N，N-二曱基曱酰胺(430ml)攪拌8小時，同時在回流下加熱，將如此獲得的溶敘倒入水(300ml)和乙醇(80ml)中。過濾收集形成的沉淀物，用曱醇(300ml)洗滌后，溶于50ml二氯曱烷中，然后在250ml曱醇中沉淀，獲得終產物17(11.34g)。0~B,K2C03Pd,4DME/H20回流x4小時終產物18將終產物17(5g)、苯硼酸(2,25g)、碳酸鉀(3.97g)、乙二醇二甲醚(70ml)和水(23ml)在氮氣流中加熱至80°C，并將四(三苯基膦)4巴(0.416g)加入其中，接著在80。C下反應4小時。反應后，將反應溶液用水/氯仿萃取獲得有機層。將其用硅膠柱色語純化，獲得終產物18(2.97g)。該產品通過DEI-MS(m/Z:719)確認為終產物18。該化合物具有氣化溫度495。C和玻璃轉化溫度109°C。(合成例9)終產物19和20終產物19向1,3,5-三乙酰基苯(1.03g)、間曱苯曱醛(3.63g)、乙酸(14ml)和硝基苯(8ml)的混合物中，在大氣氣氛下在室溫下加入濃碌^酸(3.2ml)，將該混合物在43至45。C下攪拌6小時。將曱醇(70ml)加入所得溶液中，然后向其中加入水(30ml)，攪拌并用超聲波照射后，過濾收集沉淀物并向其中倒入甲醇洗滌。將如此獲得的殘余物通過在曱醇(50ml)中在懸浮狀態下洗滌并在加熱回流下在乙醇(IOOml)中在懸浮狀態下洗滌，由此獲得終產物19(2.23g)。終產物20將終產物19(2.21g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(5.41g)、乙酸銨(30.0g)、乙酸(49ml)、N，N-二曱基曱酰胺(40ml)和硝基苯(20ml)在氮氣中攪拌7.5小時，同時在回流下加熱，將曱醇(70ml)力。入如此獲得的溶液中，然后加入水(30ml),接著攪拌并用超聲波照。過濾收集形成的沉淀物，用乙醇洗滌后，將沉淀物由氯仿-曱醇重結晶純化，由此獲得終產物20(2.00g)。該產品經DEI-MS(m/z-807(M+))確認為終產物20。該化合物具有玻璃轉化溫度216。C和熔點304°C。(合成例10)終產物21至23終產物21向間苯二曱醛(4.0g)、2，-溴苯乙酮(17.9g)和乙酸(86ml)的混合物中，在空氣中在室溫下加入濃石克酸(14.7ml),將該混合物在室溫下攪拌6.5小時。將水(50ml)和乙醇(150ml)加入所得溶液中，攪拌后，過濾收集沉淀物，將該沉淀物用乙醇洗滌，然后在乙醇(350ml)中在懸浮狀態下洗滌，由此獲得終產物21(10.0g)。終產物22將終產物21(10.0g)、溴化l-苯乙酰基吡啶鎿(16.9g)、乙酸銨(77.8g)、乙酸(230ml)、N，N-二曱基曱酰胺(200ml)和硝基苯(70ml)攪拌6.5小時，同時在回流下加熱，將水(150ml)和曱醇(100ml)加入如此獲得的溶液中，然后加入水(150ml),接著攪拌。過濾收集形成的沉淀物，用曱醇洗滌后，將沉淀物通過在曱醇(IOOml)-乙醇(100ml)的混合溶劑中在懸浮狀態下洗滌純化，由此獲得終產物22(10.5g)。終產物23將終產物22(10.5g)、苯硼酸(5.5g)、四(三苯基膦)把(1.4g)、曱苯(200ml)和離子交換水(30ml)的混合物在加熱回流下。然后將甲苯(50ml)和水(120ml)加入其中，接著充分攪拌。僅取出有才幾層，用水(100ml)1進一步洗滌后，在無水硫酸鎂上干燥并過濾。將濾液通過硅膠柱色鐠濃縮和純化，由此獲得終產物23(2.9g)。該產品經DEI-MS(m/z:688(M+))證實為終產物。該化合物具有玻璃轉化溫度102°C和氣化溫度466。C,但未檢測到熔點。(合成例11)終產物24和25終產物242-溴-4，-苯基苯乙酮(13.7g)在70。C加熱下溶于曱苯(85ml)中，接著向其中加入吡咬(7.9g)。在滴加的同時，分離出晶體。完成滴加后，將溫度升高，并將混合物在回流下攪拌。l小時后，將反應混合物冷卻。過濾后，將晶體在曱苯(250ml)中在懸浮狀態下洗滌，然后在正己烷250ml)在懸浮狀態下洗滌。干燥后，獲得終產物24(17.3g)。終產物1終產物24終產物25向通過在回流加熱下將實施例1的終產物1(3.0g)、上面獲得的終產物24(9.45g)、硫酸銨(34,2g)、乙酸(127ml)和N,N-二曱基曱酰胺(100ml)攪拌7小時獲得的溶液中，加入乙醇(80ml)，并在攪拌后，將該混合物倒入水(160ml)中。過濾收集沉淀物。將如此獲得的晶體通過在加熱下在乙醇(150ml)中回流洗滌。由曱苯(50ml)和曱醇(20ml)進行重結晶，并將如此獲得的晶體由氯仿(40ml)和曱醇(20ml)重結晶，獲得終產物25(1.5g)。該產品經DEI-MS(m/z-688(M+))確認為終產物25。該化合物具有氣化溫度515.5。C和玻璃轉化溫度Tglll。C。(合成例12)終產物26至29終產物26終產物27終產物28將1,3,5-苯三酸在100ml四氫呋喃(脫水的)中的溶液在攪拌下在17分鐘內在用氮氣流冷卻下，滴加入氫化鋰鋁在四氫呋喃中的溶液(lmol/L)100ml和四氫呋喃(脫水的)100ml的混合物中，接著在室溫下攪拌27分鐘，在加熱回流下攪拌20分鐘，再在室溫下攪拌3.5小時。向如此獲得的溶液中加入乙酸乙酯和冰水以石皮壞過量的氫化鋰鋁，接著過濾并倒入乙醇洗滌。將如此獲得的固體分散在250ml二氯曱烷中，以萃取有機產品，接著過濾。將如此獲得的濾液濃縮，獲得終產物26(1.8g)。將終產物26(1.8g)、二氧化錳(活化的，11.3g)和氯仿(100ml)在干燥空氣中在加熱回流下攪拌8.3小時，然后過濾。將如此獲得的濾液濃縮并通過石圭膠柱純化，獲得終產物27(0.6g)。將生產的終產物27經DEI-MS(m/z^62(M+))證實。將濃硫酸(1.6ml)在干燥空氣中滴加入終產物27(0.53g)、苯乙酮(1.8g)和乙酸(14ml中，接著在35。C下攪拌11小時。將乙醇和水加入其中形成沉淀物。過濾收集沉淀物，并將如此獲得的固體通過在乙醇中在懸浮狀態下洗滌純化，由此荻得終產物28(0.63g)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage128</formula>將終產物28(0.47g)、溴化l-苯乙酰基吡啶鎗(1.26g)、乙酸銨(7.1g)、乙酸(25ml)和N，N-二曱基曱酰胺(25ml)在加熱回流下攪拌6.5小時，并將曱醇和水加入所得混合物中形成沉淀。濾出沉淀物，將濾液濃縮。將如此獲得殘余物通過硅膠柱色譜純化，由此獲得，用水洗滌后，將沉淀物以在氯仿-乙醇中的懸浮狀態在加熱下純化，由此獲得終產物29(0.17g)。該產品經MALDI-TOF-MS(m/z-766(M+))確認為終產物29。該化合物具有熔點344。C，玻璃轉化溫度299。C和氣化溫度524。C。(合成例1"終產物30至33<formula>formulaseeoriginaldocumentpage128</formula>將N-溴代丁二酰亞胺(15.3g)在N,N-二甲基曱酰胺(70ml)中的溶液在氮氣流中在用冰冷卻下滴加入N-苯基咔唑(10.2g)在N,N-二曱基甲酰胺(80ml)中的溶液中，接著在室溫下攪拌7小時。將50ml水和100ml曱醇加入如此獲得的溶液中形成沉淀物。過濾收集沉淀物并通過用曱醇洗滌純化，由此獲得終產物30(14.8g)。終產物30終產物31將正丁基鋰在己烷(30.2ml)中的1.6M溶液在-70。C下在氮氣流中在15分鐘內加入終產物30(8.0g)在四氫呋喃(100ml)中的溶液中，并攪拌1小時。在-60。C下向其中滴加入N,N-二曱基曱酰胺(15.5ml)后，將該溶液在室溫下攪拌2小時。將如此形成的沉淀物過濾并用二氯曱烷萃取。將濃縮獲得的固體在曱醇中在懸浮狀態下洗滌并通過過濾收集，由此獲得終產物31(2.28§)。將水加入最終獲得的濾液中，并通過過濾收集沉淀的固體，進一步獲得終產物終產物31(1.01g;總計3.29g)。終產物31終產物32終產物33將濃石克酸(1.3ml)在干燥空氣中加入終產物31(L20g)、苯乙酮(1.44g)和乙酸(23ml)中，接著在35-40。C下攪拌8.5小時。將曱醇(20ml)和水(50ml)加入其中形成沉淀物。過濾收集沉淀物并用曱醇洗滌。將其在曱醇中通過施加超聲波洗涂，由此獲得終產物32(1.90g)。將終產物32(1.81g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鎗(3.00g)、乙酸銨(1《0g)、乙酸(62ml)和N,N-二曱基曱酰胺(62ml)在加熱回流下攪拌5小時。然后將甲醇(20ml)和水(100ml)加入其中。過濾收集如此形成的沉淀物并用曱醇洗滌。將如此獲得的固體通過硅膠柱色語純化，由此獲得終產物33(0.26g)。該產品經DEI-MS(m/z-701(M+))確認為終產物33。該化合物具有熔點285°C和氣化溫度523°C。(合成例14)終產物34終產物5終產物24終產物34將終產物5(0.70g)、終產物24(2.39g)、碌u敗恢(8.7Sg)、G敬("ml)和N，N-二曱基曱酰胺(43ml)在大氣氣氛中在加熱回流下攪拌10小時，將曱醇(20ml)加入所得溶液中，過濾收集形成的沉淀物并通過石圭膠柱色譜純化，獲得終產物34(0,52g)。該產品經MALDI-TOF-MS(m/z二994(M+)([M+H]+)確認T為終產物34。該化合物具有玻璃轉化溫度138。C、熔點340。C和氣化溫度571。C。(合成例15)終產物35至38終產物35終產物36向間苯二曱醛(6.71g)、3-溴苯乙酮(20.9g)和乙酸(215ml)的混合物中，在空氣中在室溫下加入濃〃琉酸16.1ml)，將并在室溫下攪拌9小時。然后將乙醇(70ml)和水(150ml)加入其中。過濾收集形成的沉淀物，并將其在曱醇中通過施加超聲波純化，由此獲得終產物35(l5.5g)。將終產物35(9.92g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鎗(16.7g)、乙酸銨78g)、乙酸(350ml)和N，N-二曱基曱酰胺(350ml)在加熱回流下攪拌7.5小時。然后將如此獲得的溶液倒入水(700ml)中。過濾收集如此形成的沉淀物并用曱醇洗滌，由此獲得終產物36(11.3g)H3C、,CHaPdCl2(dppf)CH2Cf2HaCJf^CH3KOAc/DMSOw《VH3C*^^CH3H3CCH3終產物37向9-溴菲(18.4g)、雙(頻哪醇)二硼(20.0g)、乙酸《甲(23.9g)和二曱亞砜(420ml)的混合溶液中在氮氣流中在60。C下加入l,l，-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)二氯曱烷配合物(l:l)，接著在80。C下攪拌8.2小時。將如此獲得的溶液倒入1L水中形成沉淀物。除去上層清液后，將所得固體通過硅膠柱色i普純化，由此獲得終產物37(13.3g)。H3C、HjC.Pd(PPh3)WKaC03終產物36終產物37終產物38向終產物36(3.47g)、終產物37(4.26g)和二曱氧基乙烷(50ml)的混合物中依次加入四(三苯基膦)鈀(0.46g)和2M碳酸鉀水溶液(10ml)，接著在加熱回流下攪拌5.5小時。將其用二氯曱烷(100ml)萃取，并將萃取物用鹽水(50ml)洗滌、在硫酸鎂上干燥、并濃縮。將如此獲得的固體通過硅;晈柱色語純化，獲得終產物38(3.59g)。該產品經DEI-MS(m/Z4S8(M+))確認為終產物38。該化合物具有玻璃轉化溫度148t:和氣化溫度558。C,且不具有可檢測的熔點。向終產物36(2.78g)、1-萘磺酸(1.79g)和二曱氧基乙烷(40ml)的混合物中依次加入四(三苯基膦)鈀(0.37g)和2M碳酸鉀水溶液(8ml)中，接著在回流加熱下攪拌6.3小時。將其用二氯曱烷萃取，并將該萃取物用鹽水(50ml)洗滌，在硫酸鎂上干燥并過濾。將濾液濃縮。將如此獲得的固體通過硅膠柱色譜純化，由此獲得終產物39(2.66g)。該產品經DEI-MS(m/Z^88(M+))確認為終產物39。該化合物具有玻璃轉化溫度113t:和氣味溫度530。C，不具有可檢測的熔點。(合成例1"終產物40至43終產物40終產物41將3-溴苯乙酮(11.9g)、苯曱醛(3.18g)、乙酸銨(30,0g)和乙酸(75ml)的混合溶液攪拌55分鐘，同時在回流下加熱并向其中鼓入干燥空氣氣泡。將所得溶液冷卻后，過濾收集沉淀物，用乙酸/水(7/3;100ml)洗滌并進一步在曱醇中在懸浮狀態下洗滌，接著由曱醇-乙醇重結晶純化，由此獲得終產物40(3.20g)。向終產物40(3.19g)、乙醚(160ml)和四氫吹喃(115ml)的混合溶液中在氮氣流中在-77。C下在IO分鐘內加入1.58M正丁基鋰己烷溶液(15.0ml)中。進一步攪拌4.7小時后，向其中加入N,N-二曱基曱酰胺(5.3ml)。接著在室溫下攪拌2.8小時。將1N鹽酸水溶液(24ml)加入如此獲得溶液中進行中和，然后將有機溶劑下減壓下蒸出。將曱醇(IOOml)加入殘余物中，過濾收集沉淀物，并用甲醇洗滌純化。如此獲得終產物41(1.80g)。終產物41終產物42終產物43向終產物41(1.80g)、苯乙酮(L25g)和乙酸(20ml)的混合溶液中，在干燥空氣中加入濃硫酸(1.6ml中。在35。C下攪拌9.5小時后，向其中加入曱醇(10ml)和水(40ml)，并通過潷析除去上層清液。將如此獲得的固體通過由氯仿-曱醇重結晶，由此獲得終產物42(1.78g)。將終產物42(1.78g)、溴化1-苯乙酰基吡啶錄(2.62g)、乙酸銨(12.1g)、乙酸(75ml)和N，N-二曱基曱酰胺(75ml)攪拌5小時，同時向其中鼓入干燥空氣并在回流下加熱。向其中加入50ml曱醇和50ml水，過濾收集形成的沉淀物，并通過硅膠色語和由氯仿-曱醇重結晶純化，由此獲得終產物43(0.87g)。該產品經DEI-MS(m/Z-765(M+))確認為終產物43。該化合物具有玻璃轉化溫度111。C,熔點266°C和氣化溫度528°C。(合成例18)終產物44至46終產物31終產物44向終產物31(4.01g)、3-羧基苯硼酸(3.90g)和二曱氧基乙烷(100ml)的混合物中依次加入四(三苯基膦)鈀(0.92g)和2M碳酸鉀水溶液(20ml)中，并將該混合物在回流加熱下攪拌7,5小時。通過潷析除去上層清液得到固體。將該固體通過硅膠柱色譜純化，由此獲得終產物44(3.70g)。終產物44終產物45終產物46向終廣物44(3.70g)、冬乙酮(2.07g)和乙酸(52ml)的混兮落救甲加入濃硫酸(2.6ml)中。在35。C下攪拌9小時后，向其中加入曱醇(30ml)。通過潷析除去上層清液得到固體。將該固體通過硅膠柱色譜純化，由此獲得終產物45(1.56g)。將終產物45(1.56g)、溴化1-苯乙酰基吡啶鑰(1.99g)、乙酸銨(9.2g)、乙酸(57ml)和N,N-二曱基曱酰胺(57ml)在回流加熱下攪拌6.9小時，并向其中加入50ml曱醇和50ml水。過濾收集沉淀物并通過石圭膠柱色譜純化，由此獲得終產物46(0.65g)。該產品經DEI-MS(m/z-853(M+))確認為終產物46。該混合物不具有可^r測的熔點并具有玻璃轉化溫度140。C，和氣化溫度553。C。(合成例19)終產物47至50Brn>BuLi、DMF.DMF人rEt20Et20OHCCHO終產物47將11.6g1，3，5-三溴苯在脫水乙醚(240mL)中的溶液在氮氣氣氛下冷卻至_78°C，并向其中滴加入1.6M正丁基己烷溶液。在刁8。C下進行攪拌1小時，隨后將2.9mL二曱基甲酰胺小心加入其中以使溫度不升高，接著攪拌l小時。向其中進一步逐步加入25mL1.6M正丁基鋰己烷溶液，并在攪拌l小時，將9.1mL二曱基曱酰胺加入其中，并將該混合物在-78。C下進一步攪拌2小時。然后，將反應溫度升至0'C,并向其中加入200mL3N鹽酸，接著用400ml二乙醚萃取。將有機用硫酸鎂干燥，并在減壓下蒸出溶劑。將己烷加入如此獲得的粗產品中，并進行重結晶，由此獲得4.9g白色固體產品。該產品由質譜測量結果確認為終產物47。M/e:212(M+:EI-MS)終產物t47終產物48將3.3g苯乙酮和3,5mL疏酸加入終嚴物47(2.4g)在乙酸(30mL)中的溶液中，并將該混合物在空氣中攪拌9.5小時。然后，將100mL水和30mL曱醇加入反應體系中，并在攪拌后，進行過濾。將如此獲得粗產品用曱醇洗滌，由此獲得4.5g赭色固體產品。該產品由質譜測量結果確認為終產物48。M/e:416(M+:EI-MS)將120mL乙酸和0mL二曱基曱酰胺加入終產物48(4.16g)、溴化l-苯乙酰基吡啶総(8.34g)和無水乙酸銨(46g)中，并在空氣中在回流下加熱8.5小時。然后將100mL水加入反應溶液，過濾收集沉淀物并用曱醇洗滌。將如此獲得粗產品通過硅膠柱色譜純化，由此獲得4.5g赭色固體產品。該如此獲得的化合物由質譜測量結果確認為終產物49。M/e:614(M+:EI-MS)向終產物49(468mg)和9-菲基硼酸(444mg)中加入20mL曱苯、1.5mL乙醇和1.5mL2N碳酸鈉水溶液，在室溫下在氮氣下攪拌30分鐘后，向其中加入40mg四(三苯基膦)鈀(O),接著在回流下加熱7小時。然后，將50mL水加入反應溶液中，并用二氯曱烷萃取數次。向萃取液中加入碳酸鉀使其干燥，并在減壓下蒸出溶劑。然后，將所得沉淀物通過柱色譜純化，由此獲得黃白色固體(462mg)。如此獲得的化合物由質鐠測量結果確認為終產物50。M/e:712(M+:EI-MS)該化合物具有玻璃轉化溫度136。C,熔點278。C和氣化溫度507°C(合成例20)終產物51至53rPd(PPh3)4Na2C03Br/^=^BrB(OH)2曰OH,toluene終產物51向1,3,5-三溴苯(15.7g)和苯基硼酸(12.1g)中加入750mL曱苯、150mL乙醇和100mL2N碳酸鈉水溶液，并在室溫下在氮氣下攪拌30分鐘后，向其中加入40mg四(三苯基膦)鈀(O)，接著在回流下加熱4小時。冷卻至室溫后，將50mL水加入反應溶液中，并用二氯曱烷萃取數次。向萃取液中加入碳酸鉀使其干燥，在減壓下蒸出溶劑。然后，將所得沉淀物通過柱色譜純化，由此獲得白色固體(7.3mg)。如此獲得的化合物由質鐠測量結果確認為終產物51。M/e:308(M+:EI-MS)Et20終產物51終產物52將終產物51(3.04g)在脫水四氫呋喃(25mL)中的溶液在氮氣氣氛下冷卻至-78。C,并向其中逐漸滴加入13.8mL1.6M正丁基鋰己烷溶液。在-78。C下攪拌45分鐘。隨后，向其中一次加入三異丙氧基硼烷(4.1g)。在-78。C下攪拌30分鐘后，將反應溶液的溫度升至室溫，接著進一步攪拌1小時。將100mL3N鹽酸加入如此獲得的反應溶液中，接著用200ml乙醚萃取。將有機層用50ml水洗滌，然后用硫酸鈉處理，并在減壓下蒸出溶劑。將乙醚加入如此獲得的粗產品中，并進行再次沉淀，由此獲得1.97g白色固體(終產物52)。向終產物49(936mg)和終產物52(685mg)中加入40mL曱苯、3.0mL乙醇和3.0mL2N碳酸鈉水溶液，在室溫下在氮氣下攪拌30分鐘后，向其中加入40mg四(三苯基膦)鈀(O),接著在回流下加熱4小時。然后，將50mL水加入反應溶液中，并用乙酸乙酯萃取數次。向萃取液中加入碳酸鉀使其干燥，并在減壓下蒸出溶劑。然后，將所得沉淀物通過柱色語純化，由此獲得黃白色固體(685mg)。如此獲得的化合物由質譜測量結果確認為終產物53M/e:764(M+:DEI-MS)該化合物不具有可檢測的玻璃轉化溫度，并具有熔點284。C和氣化溫度524°C。(合成例21)終產物54終產物49終產物54將終產物49(936g)在脫水四氫呋喃(25mL)中的溶液在氮氣氣氛下冷卻至-78。C，并向其中逐漸滴加入2.6mL1.6M正丁基鋰己烷溶液。在-78。C下攪拌15分鐘。隨后，向其中一次加入三苯基氯硅烷(885g)。在減壓下蒸出溶劑后，通過柱色語和GPC純化，得到700mg白色固體。如此獲得的化合物由質語測量結果確認為終產物54。M/e:794(M+:DEI-MS)該化合物具有玻璃轉化溫度110°C，熔點228。C和氣化溫度494。C。(合成例22)終產物55至56終產物48終產物24^終產物55向終產物48(1.07g)、終產物24(2.7g)和無水乙酸銨(11.8g)中加入30mL乙酸和15mL二曱基曱酰胺，接著在回流下加熱8小時。然后，將50mL水和20ml曱醇加入反應溶液中，過濾收集沉淀物并用曱醇洗滌，由此獲得1.4g赭色固體。如此獲得的化合物由質譜測量結果確認為終產物55。M/e:766(M+:DEI掘)終產物55'終產物56向終產物55(977mg)和苯基硼酸(242mg)中加入30mL曱苯、2.0mL乙醇和2.0mL2N碳酸鈉水溶液，并在室溫下在氮氣下攪拌30分鐘后，向其中加入40mg四(三苯基膦)釔(O)，接著在回流下加熱5小時。然后將50mL水加入反應溶液中，將該溶液用氯仿萃取數次。向萃取液中加入碳酸鉀使其干燥，在減壓下蒸出溶劑。然后，將所得沉淀物通過柱色譜純化，由此獲得黃白色固體(823mg)。如此獲得的化合物由質譜測量結果確認為終產物56。M/e:764(M+:DEI陽MS)該化合物具有玻璃轉化溫度125°C，熔點268°C和氣化溫度528。C.(合成例23)終產物57終產物36終產物57將終產物36(3.0g)、呻唑(1.73g)、叔丁醇鈉(1.8g)和曱苯(80ml)在攪拌下加熱至60。C,并向其中加入三(二亞芐基丙酮)二鈀(0.16g)在5ml曱苯中的溶液。然后，將該混合物在回流加熱下攪拌8.5小時，冷卻后，倒入曱醇(400ml)中獲得粗晶體。然后將其在曱醇(400ml)中在加熱下攪拌，并通過硅膠柱色譜純化獲得3.43g終產物。該產品通過DEI-MS(m/z-866)確認為終產物57。它具有氣化溫度554°C和玻璃轉化溫度142°C。(合成例24)終產物58終產物17終產物58將終產物17(3.0g)、咔唑(1.73g)、叔丁醇鈉(1.8g)和曱苯(80ml)在攪拌下加熱至60。C,并向其中加入三(二亞芐基丙酮)二鈀(0.16g)在5ml曱苯中的溶液。然后，將該混合物在回流加熱下攪拌5.5小時，冷卻后，過濾收集形成的結晶體并在曱醇(400ml)中在加熱下攪拌，由此獲得粗產品。然后將該粗產品通過硅膠柱色譜純化獲得2.27g終產物。該產品通過DEI-MS(m/z-866)確認為終產物58。它具有氣化溫度556°C,熔點317。C和玻璃轉化溫度154°C。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage140</formula>將終產物49(2.0g)、呼唑(0.65g)、叔丁醇鈉(0.68g)和曱苯(30ml)在攪拌下加熱至60。C,并向其中加入三(二亞芐基丙酮)二鈀(0.06g)和三叔丁基膦(0.03g)在5ml曱苯中的溶液。然后，將該混合物在回流加熱下攪拌7.5小時，冷卻后，過濾收集形成的晶體并在曱醇中攪拌洗滌和在曱醇(400ml)中在加熱下攪拌，由此獲得晶體。將晶體重結晶得到0.45g終產物。該產品通過DEI-MS(m/z-701)確認為終產物59。它具有氣化溫度507°C，熔點360和玻璃轉化溫度130°C。(合成例26)終產物60至62<formula>formulaseeoriginaldocumentpage140</formula>將苯二甲醛(2.73g)、4-乙酰基聯苯(7.98g)、濃硫酸(6.54ml)和乙酸(58ml)在大氣氣氛中在5(TC下攪拌6.5小時。然后，向其中加入乙醇(60ml)和水(60ml),過濾收集沉淀的晶體。然后，將晶體在回流加熱下在150ml乙醇中攪拌，過濾收集后，通過柱色譜純化，獲得1.8g終產物60。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage140</formula>將50ml乙醇加入通過在回流加熱下攪拌終產物60(1.2g)、終產物24(2.5g)、乙酸銨(9.4g)、乙酸(36.63g)和N，N-二曱基曱酰胺(40ml)7.5小時獲得的溶液中，并過濾收集獲得晶。將該晶體在50ml乙醇中在加熱下攪拌兩次，獲得終產物62(0.97g)。該產品經DEI-MS(m/z-840)確認為終產物62通過DEI-MS(m/z=840)。它具有熔點319°C和玻璃轉化溫度142。C。實施例(實施例1)評估化合物(實施例1-1)測量氧化還原性能對上面合成實施例中獲得的終產物2(HB-1)、終產物6(HB-3)和終產物15(HB-5)測量氧化還原性能。測量條件如下。通過使用標準甘汞(SCE)作為標準電極轉化獲得的性能得到的結果在表1-1中給出。參比電極銀導線(使用二茂鐵作為內標物質)作用電極玻璃碳反電極柏導線測量溶劑0.1ml/L高氯酸四(正丁基)銨二氯曱烷溶液(乙腈溶液)掃描速度100ml/sec樣品濃度1mmol/L(對比例1-1)測量氧化還原性能測量氧化還原性能按與實施例1-1相同的方式對其中吡啶環相互共軛的下面結構(HB-6)的對比化合物進行測量。結構在表1-1-1中給出。<table>tableseeoriginaldocumentpage142</column></row><table>表1-1-1顯示，由于其中連接為非共軛型的結構，因此本發明的化合物具有比其中存在共軛連接的結構大的氧化-還原勢差。(實施例1-2)化合物最大發射光峰的波長通過真空沉積法在玻璃基板形成各終產物18和終產物15的薄膜(50nm厚)，所述終產物包括在式(II)表示的本發明化合物內，其在優化幾何形狀中不形成平面結構(以下稱為"化合物II")。如此獲得的薄膜為透明無定形薄膜。通過用各所得薄膜的最大吸收波長的光激發各所得薄膜獲得的在熒光發射光譜中的最大發射光峰的波長在表l-2中給出。(對比例l-2)對比化合物最大發射光峰的波長按與實施例1-2相同的方式制備各終產物6和終產物(HB-8)25的薄膜，所述終產物不包括在式(II)表示的本發明化合物內，且不為在優化幾何形狀中不形成平面結構的化合物。如此獲得的薄膜為透明無定形薄膜。通過用各所得薄膜的最大吸收波長的光激發各所得薄膜獲得的在熒光發射光譜中的最大發射光峰的波長在表1-1-2中給出。表1-1-2<table>tableseeoriginaldocumentpage142</column></row><table>從結果顯而易見，式(n)(化合物n)的化合物顯示在薄膜狀態下的限制分子內相互作用。(實施例2)制備元件i至8和發光特性(實施例2-l)制備元件i將具有圖3所示的元件的有機電致發光元件按照如下方法制備。將在玻璃基板1上形成的厚度150nm的氧化銦-錫(ITO)透明導電薄膜2(濺射薄膜；片材電阻15Q))用慣用光刻技術和用鹽酸蝕刻形成2-mm寬的條狀圖案，由此形成陽極。將如此圖案化的ITO基板通過施加超聲波在丙酮中洗滌，然后通過施加超聲波在異丙醇中洗滌，接著使用氮氣流干燥，并通過施加UV射線和臭氧洗滌。對于用于陽極緩沖層3的材料，將具有芳氨基的如下結構式的非共輒型聚合物化合物(PB-1)重均分子量29,400數均分子量12,600與電子接受體(A-l)起在在如下條件下:溶劑苯曱酸乙酯；涂料溶液的濃度2[wt%];PB-1:A-1=10:1;旋涂才幾轉數1,500[rpm];旋涂機的旋轉時間30[sec];和干燥條件簡。C，1小時。旋涂。通過上述旋涂法形成薄膜厚度30nm的均勻薄膜。然后，將其上形成陽極緩沖層的基板放入真空沉積裝置中。在借助油旋轉泵對裝置大致抽真空后，通過使用油擴散泵將裝置內部抽真空至真空度變為1.1xl0-6托(約1.5xl0-4pa)或更低。將下面給出的并放入設置在裝置內的陶瓷坩堝中的芳基胺化合物(H-l)通過處于坩鍋周圍的鉭導線加熱器加熱以進行真空沉積。在此情況下坩堝內的溫度控制在318至334°C內。真空沉積時的真空度為l.lxl(T6托(約1.4xlO-4Pa)，真空沉積速率為0.15nm/秒。如此獲得60-nm厚的空穴傳輸層4。隨后，將下面給出的用作發光層5的主組分(主體材料)的咔唑衍生物(E-1)和用作次組分(摻雜劑)的有機銥配合物(D-1)放入不同的陶瓷坩堝中，并通過同時雙真空沉積法進行成膜。將用于化合物(E-l)的坩堝溫度控制在184至196。C,并將真空沉積速率控制在0.11nm/sec，同時將用于化合物(D-l)的坩堝溫度控制在245至246。C。如此將含6%重量化合物(d-l)的30-nm厚發光層5層壓在空穴傳輸層4上。在真空沉積時的真空度為1.0xl(^托(約1,3xl(T4Pa)。此外，將上面合成例1中合成的終產物2(HB-1):在控制坩堝溫度190至196。C和真空沉積速率0.13nm/sec下以厚度10nm層壓作為空穴阻擋層6。真空沉積時的真空度為0.7xl0"托(約0.9x10-4Pa)。在空穴阻擋層6上，按相同的方式沉積下面的8-羥基喹啉鋁配合物(ET-1)作為電子傳輸層7。在此情況下用于8-羥基喹啉鋁配合物的坩堝溫度控制在250至262。C內。真空沉積時的真空度控制在0.7xl0"托(約0.9x10-4Pa),真空速率控制在0.21nm/sed，薄膜厚度控制在35nm。真空沉積空穴輸送層、發光層和電子傳輸層時的基板溫度保持在室溫下。這里，將已對電子傳輸層6進行真空沉積的元件從真空沉積裝置中取出放入大氣氣氛中。將A2-mm寬的條狀陰影掩蔽物與元件緊密接觸作為陰極的真空沉積掩蔽物，如此以直角與陽極2的ITO條交叉，將該元件放入不同的沉積裝置中，并將該裝置按與有^L層相同的方式抽真空至真空度2.7xl0《托(約2.0xlO"Pa)或更低。對于陰極8，首先將氟化鋰(LiF)用鉬船在真空沉積速率0.01nm/sec和真空度3.0xl(T6托(約4.0xlO"Pa)下以厚度0.5nm層壓到電子傳輸層7上。隨后，將鋁按相同的方式在鉬船中加熱，以真空沉積速率0.48nm/sec和真空度.5xl(^托(約1.1xlO-Spa)形成80-nm后的鋁層，如此完成陰極8。在真空沉積兩層型陰極8期間的基板溫度保持在室溫下。如此，獲得具有2mmx2mm尺寸的發光面積部分的有^^電致發光元件(元件1)。該元件的發光特性在表2中給出。在表2中，最大發光亮度為在電流密度0.25A/cn^下的值，發光效率、亮度/電流和電壓為在100cd/n^下的值。元件1的發射最大值為510nm，并確認形成有機銥配合物(D-1)。色度為CIE(x,y)=(0.28，0.62)。(實施例2-2)制備元件2按與(實施例2-l)相同的方式制備元件2，但使用下面給出的混合配體配合物(D-2)取代有機銥配合物(D-1)作為發光層5的次要組分(摻雜劑)。元件2的發光特性在表2中給出。元件2的發射最大值為626nm，色度為C正(x,y)=(0.68,0.32),其確認來自有機銥配合物(D-2)。(實施例2-3)制備元件3按與(實施例2-l)相同的方式制備元件3，但使用下面給出的混合配體配合物(D-3)取代有機銥配合物(D-1)作為發光層5的次要組分(摻雜劑)。元件3的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為471nm,色度為CIE(x,y)=(0.16，0.35)，其確認來自有機銥配合物(D-3)。(實施例2-4)制備元件4按與(實施例2-l)相同的方式制備元件4，但空穴阻擋層中使用合成例3中獲得的在下面給出的終產物6(HB-3)代替終產物2(HB-1)。元件4的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為512nm，色度為CIE(x,y)=(0.28,0.63)，其確認來自有機銥配合物(D-1)。其初始發光特性比元件1更有效。(實施例2-5)制備元件5按與(實施例2-l)相同的方式制備元件5，但空穴阻擋層中使用合'元件5的發光特性在表2中給出。'該元件的發射的最大值為512nm,色度為CIE(x,y)=(0.28，0.62),其確認來自有機銥配合物(D-1)。其初始發光特性大約與元件1相同。(實施例2-6)制備元件6按與(實施例2-l)相同的方式制備元件4,但空穴阻擋層中使用合成例7中獲得的在下面給出的終產物15(HB-5)代替終產物2(HB-1)。元件6的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為512nm，色度為CIE(x,y)=(0.29，0.61),其確認來自有機銥配合物(D-1)。其初始發光特性比元件1更有效。(HB—5)(實施例2-7)制備元件7按與(實施例2-l)相同的方式制備元件7，但空穴阻擋層中使用合成例8中獲得的在下面給出的終產物18(HB-6)代替終產物2(HB-1)。元件7的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為512nm，色度為C正(x，y)=(0.29,0.62)，其確認來自有機銥配合物(D-1)。其初始發光特性比元件1更有效。(實施例2-8)制備元件8按與(實施例2-l)相同的方式制備元件8，但空穴阻擋層中使用下面給出的終產物25(HB-8)代替終產物2(HB-1)。元件8的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為510nm，色度為C正(x，y)=(0.28，0.60),其確認形成有機銥配合物(D-1)。(HB—8)實施例2-9)制備元件11按與(實施例2-l)相同的方式制備元件12，但空穴阻擋層中使用合成例2中獲得的在下面給出的終產物4(HB-9)代替終產物2(HB-1)。元件11的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為509nm,色度為CIE(x,y)=(0.27,0.58)，其確認來自有機銥配合物(D-1)。(實施例2-10)制備元件12按與(實施例2-l)相同的方式制備元件ll,但空穴阻擋層中使用合成例19中獲得的在下面給出的終產物50代替終產物2(HB-1)。元件12的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為512nm,色度為C正(x,y)-(0.29，0.61),其確認來自有機銥配合物(D-1)。其初始發光特性比元件1更有效。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage151</formula>(實施例2-11)制備元件13按與(實施例2-l)相同的方式制備元件13，但使用包括下面給出的具有芳氨基的非共軛型聚合物化合物(PB-1)和電子接受化合物(A-2)的材料作為陽極緩沖層3的材料，并且按如下改變有才A4氐分子層(空穴傳輸層4至電子傳輸層7)的厚度。具有芳香氨基的非共軛型高聚物化合物(PB-1):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage151</formula>重均分子量29,400數均分子量12,600電子接受體(A-2):日本專利申請2004-68958的0059自然段的表中描述的No.A-l化合物。旋涂條件PB-l:A-2=10:2;旋涂機轉數1,500[rpm];旋涂機的旋轉時間30[sec];和干燥條件畫。C，1小時。通過上述旋涂法形成30-nm厚的均勻薄膜。有機低分子層空穴傳輸層4:芳基胺化合物(H-l)40nm發光層5:主體材料呼唑衍生物(E-l)30nm摻雜劑:有機銥配合物(D-1)6wt%空穴阻擋層合成例中合成的終產物2(HB-l)5nm電子傳輸層7:A18-羥基喹啉配合物(ET-1)30nm元件13的發光特性在表2中給出。該元件13的發射的最大值為512nm，色度為CIE(x,y)=(0.30，0.59),其確認來自有機銥配合物(D-1)。(實施例2-12)制備元件14按與(實施例2-ll)相同的方式制備元件14,但空穴阻擋層中使用合成例15中獲得的在下面給出的終產物38代替終產物2(HB-1)。元件14的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為513nm,色度為CIE(x,y)=(0.30,0.59),其確認來自有機銥配合物(D-1)。(實施例2-13)制備元件15按與(實施例2-ll)相同的方式制備元件15，但空穴阻擋層中使用合成例16中獲得的在下面給出的終產物39代替終產物2(HB-1)。元件12的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為512nm,色度為CIE(x，y)=(0.29,0.58)，其確認來自有機銥配合物(D-1)。(對比例2)制備對比元件1至3和其發光特性(對比例2-1)制備對比元件1按與(實施例2-l)相同的方式制備對比元件1，但空穴阻擋層中使用下面給出的混合配體(HB-2)代替終產物2(HB-1)。對比元件1的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為510nm,色度為C正(x，y)=(0.28,0.62)，其確認來自有機銥配合物(D-1)。其初始發光特性與元件1相同。(對比例2-2)制備對比元件2按與(實施例2-2)相同的方式制備對比元件1，但空穴阻擋層中使用上述混合配體(HB-2)代替終產物2(HB-1)。對比元件2的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為626nm,色度為C正(x，y)=(0.67,0.32)，其確認來自有機銥配合物(D-1)。其初始發光特性與元件2相同。(對比例2-3)制備對比元件3按與(實施例2-3)相同的方式制備對比元件1，但空穴阻擋層中使用上述混合配體(HB-2)代替終產物2(HB-1)。對比元件2的發光特性在表2中給出。該元件的發射的最大值為472nm,色度為C正(x，y)=(0,17，0.37)，其確認來自有機銥配合物(D-3)。對于初始發光特性，發光效率和電流效率低于元件3的那些。權利要求1.一種包括在其分子內具有在2-、4-和6-位取代的兩個或多個吡啶環的化合物的電荷傳輸材料，其中吡啶環相互不共軛，條件是吡啶環3-和5-位可被取代。2.根據權利要求1的電荷傳輸材料，它包括在其分子內具有2至8個吡啶基的化合物，所述吡啶基選自非必要地具有取代基的2-吡啶基和非必要地具有取代基的4-吡。定基，其中所有吡啶基與連接體Q連接并且不通過連接體Q共軛，條件是，當在其分子中包含多個2-吡咬基時，各2-吡啶基的取代基可以相同或不同，當分子中包含多個4-吡咬基時，各4-吡咬基的取代基可以相同或不同，此外所有吡啶環的2,4，6-位與連接體Q或任意取代基連接。3.根據權利要求1的電荷傳輸材料，其中該化合物的分子量為200至4,000。4.根據權利要求2的電荷傳輸材料，其中該化合物的分子量為200至4,000。5.根據權利要求l的電荷傳輸材料，其中化合物由下式(I)表示其中R4、R3、R5和Rs各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自獨立地表示任意的取代基，Z!表示直接一建或具有能夠共軛環A的電子的二價連接體，Z2表示直接鍵或具有能夠共軛環B的電子的二價連接體，連接體Qo表示(m+n)價連接體，該連接體不可能使選自分子中所含的環A和環B的任何兩個成員相互共軛，m表示0至8的整數，n表示0至8的整數，m和n之和為2至8的整lt，條件是當m和/或n為2或更大時，在其分子中所含的多個R！至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多個Zj和Z2可以相互相同或不同。6.根據權利要求2的電荷傳輸材料，其中化合物由下式(I)表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>0)其中RpR3、Rs和Rs各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自獨立地表示任意的取代基，Z!表示直接鍵或具有能夠共軛環A的電子的二價連接體，Z2表示直接鍵或具有能夠共軛環B的電子的二價連接體，連接體Qo表示(m+n)價連接體，該連接體不可能使選自分子中所含的環A和環B的任何兩個成員相互共軛，m表示0至8的整數，n表示0至8的整數，m和n之和為2至8的整數，條件是當m和/或n為2或更大時，在其分子中所含的多個&至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多個Z!和Z2可以相互相同或不同。7.根據權利要求3的電荷傳輸材料，其中化合物由下式(I)表示(0<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中R!、R3、Rs和R8各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自獨立地表示任意的取代基，Zi表示直接鍵或具有能夠共軛環A的電子的二價連接體，Z2表示直接鍵或具有能夠共軛環B的電子的二價連接體，連接體Qo表示(m+n)價連接體，該連接體不可能使選自分子中所含的環A和環B的任何兩個成員相互共軛，m表示0至8的整數，n表示0至8的整數，m和n之和為2至8的整數，條件是當m和/或n為2或更大時，在其分子中所含的多個R！至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多個Z,和Z2可以相互相同或不同。8.根據權利要求4的電荷傳輸材料，其中化合物由下式(I)表示其中R!、R3、Rs和R8各自獨立地表示氫原子或任意的取代基，R2、R4、R6和R7各自獨立地表示任意的取代基，Z,表示直接鍵或具有能夠共軛環A的電子的二價連接體，Z2表示直接鍵或具有能夠共軛環B的電子的二價連接體，連接體Qo表示(m+n)價連接體，該連接體不可能使選自分子中所含的環A和環B的任何兩個成員相互共軛，m表示0至8的整數，n表示0至8的整數，m和n之和為2至8的整數，條件是當m和/或n為2或更大時，在其分子中所含的多個&至R8可以相互相同或不同，且分子中所含的多個Zi和Z2可以相互相同或不同。9.根據權利要求5的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0或1,n為1或更大的整數。10.根據權利要求6的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0或1，n為1或更大的整數。11.根據權利要求7的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0或1,n為1或更大的整數。12.根據權利要求8的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0或1,n為1或更大的整數。13.根據權利要求5的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0。14.根據權利要求6的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0。15.根據權利要求7的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0。16.根據權利要求8的電荷傳輸材料，其中式(I)中的m為0。17.根據權利要求5的電荷傳輸材料，其中式(I)中的n為0。18.根據權利要求6的電荷傳輸材料，其中式(I)中的n為0。19.根據權利要求7的電荷傳輸材料，其中式(I)中的n為0。20.根據權利要求8的電荷傳輸材料，其中式(I)中的n為0。21.根據權利要求5至20任何一項的電荷傳輸材料，其中式(I)中的Zj和Z2各自獨立地表示直接鍵或可具有取代基的二價芳烴基。22.根據權利要求5至20任何一項的電荷傳輸材料，其中在通式(I)中Qo表示可具有取代基的芳烴基。23.根據權利要求21的電荷傳輸材料，其中在通式(I)中Qo表示可具有取代基的芳烴基。24.根據權利要求1至20任何一項的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內不具有二芳基胺結構。25.根據權利要求21的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內不具有二芳基胺結構。26.根據權利要求22的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內不具有二芳基胺結構。27.根據權利要求23的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內不具有二芳基胺結構。28.根據權利要求1至20任何一項的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內具有至少一個咔唑環。29.根據權利要求21的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內具有至少一個。卡峻環。30.根據權利要求22的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內具有至少一個呻哇環。31.根據權利要求23的電荷傳輸材料，其中該化合物在其分子內具有至少一個啼峻環。32.根據權利要求1至20任何一項的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。33.根據權利要求21的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。34.根據權利要求23的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。35.根據權利要求24的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。36.根據權利要求27的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。37.根據權利要求28的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。38.根據權利要求31的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。39.—種有機電致發光元件，包括基板，在該基板上設置有陽極、陰極和在這些電極之間的有機發光層且包含權利要求1至38任何一項的電荷傳輸材料。40.根據權利要求39的有機電致發光元件，其中包含權利要求1至38任何一項所述的電荷傳輸材料的層為有機發光層。41.根據權利要求40的有機電致發光元件，其中有機發光層包含權利要求1至38任何一項所述的電荷傳輸材料作為主體材料，其中該主體材料用有機金屬配合物摻雜。42.根據權利要求39的有機電致發光元件，其中有機發光層包含有機金屬配合物作為發光染料，包含權利要求1至38任何一項所述的電荷傳輸材料的層為與陰極側上的有機發光層界面接觸設置的空穴阻擋層。43.根據權利要求41的有機電致發光元件，其中有機金屬配合物具有2-芳基吡啶-基配體。44.根據權利要求42的有機電致發光元件，其中有機金屬配合物具有2-芳基吡啶-基配體。45.根據權利要求39至44任何一項的有機電致發光元件，其中權利要求1至38任何一項所述的電荷傳輸材料同時包含于有機發光層和與陰極側上的有機發光層界面接觸的層內。46.—種下式(II)表示的且在優化的幾何形狀中不形成平面結構的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中Rn、R13、R15和1118各自獨立地表示氫原子或任意取代基，R12、R14、Rw和Rn各自獨立地表示任意取代基，Zn表示直接鍵或具有能夠共軛環Ai的電子的二價連接體，Zi2表示直接鍵或具有能夠共軛環B！的電子的二價連接體，連接體QG1表示(p+k)價連接體，該連接體使選自該分子內所含的環Ai和環Bi的任何兩個成員不能共軛，p表示0至8的整數，k表示0至8的整數，p和k之和為整數2至8，條件是，當p和/或k為2或更大時，分子內所含的多個R至R18可相互相同或不同，分子內所含的多個Z和Z12可相互相同或不同。47.根據權利要求46的化合物，其中1112、R14、1116和1117各自表示芳烴基或芳香雜環基，可具有取代基。48.根據權利要求46或47的化合物，其中Z和Z12各自獨立地表示直接鍵或可具有取代基的二價芳烴基。49.上式(II)表示的化合物，其在優化幾何形狀中形成平面結構，并且其中P=0。50.根據權利要求49的化合物，其中上式(II)表示的化合物為下式(III)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中環c可具有取代基，1115至1118與對上式(11)中定義的相同，且式(m)中的兩個r15至r18可以相互相同或不同。51.根據權利要求49的化合物，其由式(II)表示，其中QQ1為下式(V)表示的苯環衍生的基團，并且在l-、3-和5-位都與Zu連接<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中環d可具有取代基，并且當Z12為直接鍵時，衍生自苯環的基團與環B1直接連接。52.根據權利要求51的化合物，其中上式(II)表示的化合物為下式(IV)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中X為-N^Y為-CH^R23和Rm各自獨立地表示任意取代基，環Ei至E3可具有除R23至R24外的取代基，式(IV)中的多個R23和R24可以相互相同或不同，環D可具有取代基。53.—種電荷傳輸材料，包括根據權利要求49至52中任何一項的化合物。54.根據權利要求53的電荷傳輸材料，其為電子傳輸材料。全文摘要公開了具有優良耐熱性、成膜性、電荷傳輸性和發光性的電荷傳輸材料，及具有高亮度和高發光效率并具有高壽命的有機電致發光元件。本發明涉及包括一種化合物的電荷傳輸材料和使用該電荷傳輸材料的有機電致發光元件，所述化合物在其分子內具有在2-、4-和6-位取代的兩個或多個吡啶環，這些環基本上相互不共軛(條件是吡啶環3-和5-位可被任選地取代)，以及包括該電荷傳輸材料的有機電致發光元件。文檔編號C07D213/00GK101638380SQ20091016516公開日2010年2月3日申請日期2004年7月29日優先權日2003年7月31日發明者佐藤秀樹,畚野真代,鹽谷武,矢部昌義,竹內昌子申請人:三菱化學株式會社