專利名稱：聚合物和低聚物,它們的合成方法以及含有它們的電子設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及聚合物和低聚物，它們的合成方法以及含有它們的電子設備。
背景技術：
本發明涉及用于制備電子設備的聚合物組合物。本發明的一個目的是制備能夠用于多種電子設備的穩定的組合物。
除以上所述外，通過閱讀以下的說明書或通過實施本發明，本發明的其它各種新性能及優點對于本領域技術人員來說將變得顯而易見。
發明概述本發明包括含各種聚合物、低聚物和它們的組成單體單元的組合物。本發明還包括這些組合物及由它們制得的設備的制備方法。
聚合物1本發明包括一種含有以下通式結構的聚合物的組合物
C/R2/DA/R1/BE/R3/F-(CH2)x-/-O(CH2)x-/-O(CH2)xO-其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B可獨立位于吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；和其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
優選R2取代基為甲氧基，最優選至少兩個R2取代基為甲氧基。優選R3取代基為甲氧基，最優選至少兩個R3取代基為甲氧基。
優選乙烯基連接基A和B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。還優選鍵C和D彼此間為對位，E和F彼此間為對位。
還優選x為1至6，包括1和6的整數。
聚合物2本發明包括一種含有以下通式結構的聚合物的組合物
R4C/R2/DA/R1/BE/R3/F-(CH2)x-/-O(CH2)x-/-O(CH2)xO-其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B可獨立位于吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵G和H彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分，其中x為1至15，包括1和15的整數；其中Z可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
優選R1、R2、R3和R4取代基為甲氧基，最優選R1、R2、R3和R4取代基中至少兩個為甲氧基。
優選乙烯基連接基A和B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。還優選鍵C和D彼此間為對位，E和F彼此間為對位。
還優選x為1至6，包括1和6的整數。
低聚物1、2、3和4本發明包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R3/R2 CA R1 BD R4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中如虛線所示，鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中如虛線所示，鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位。
優選R1、R2、R3、R4和R5取代基為甲氧基，最優選R1、R2、R3、R4和R5取代基中至少兩個為甲氧基。
優選乙烯基連接基A和B彼此間以對位鍵合。
低聚物5、6、7和8本發明還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R2 CA R1 BD R3其中
R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中如虛線所示，鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位或對位；其中如虛線所示，鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位或對位。
優選R1、R2和R3取代基為甲氧基，最優選R1、R2和R3取代基中至少兩個為甲氧基。
優選乙烯基連接基A和B彼此間以對位鍵合。
低聚物9和10本發明還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R3/R2CA R1 BDR4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位。
鍵C和D可分別與環R2/R3和R4/R5的任何位置鍵合，但優選它們按上述方式鍵合。
優選R1取代基為甲氧基，最優選至少兩個R1取代基為甲氧基。
低聚物11、12和13本發明還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R2 CA R1 BD R3其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；且其中鍵A和B可獨立位于吡啶基氮的鄰位、間位或對位。
優選R1、R2和R3取代基為甲氧基，最優選R1、R2和R3取代基中至少兩個為甲氧基。還優選三個R2和R3取代基為甲氧基。
聚合物6、7、8和9本發明還包括一種含以下通式結構的聚合物的組合物 C/R2/DA/R1/BE/R3/F-(CH2)x-/-O(CH2)x-/-(CH2)xO-/-O(CH2)xO-其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位或對位；
其中鍵C和D彼此間可為鄰位或對位；其中鍵E和F彼此間可為鄰位或對位；其中Y可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
優選R1、R2和R3取代基為甲氧基，最優選R1、R2和R3取代基中至少兩個為甲氧基。
本發明包括衍生自上述低聚物的各種嵌段共聚物組合物。
低聚物1、2、3和4(只存在Y)的嵌段共聚物本發明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R3/R2 CA R1 BD R4/R5-(CH2)x-/-(CH2)xO-/-O(CH2)x-/-O(CH2)xO-其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R2和R3上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有幾何結構和取代基。
低聚物1、2、3和4(Y、R和Z)的嵌段共聚物本發明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R6 ZR3/R2 CA R1 BD R4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R6取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R6上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；其中Z可為橋接環R2或R3和R6上的任何兩點的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有幾何結構和取代基。
低聚物5、6、7和8(只存在Y)的嵌段共聚物本發明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R2CA R1 BD R3其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R2上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15在內的整數；并且其中n為大于1的整數。
這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有幾何結構和取代基。
低聚物5、6、7和8(Y、R和Z)的嵌段共聚物本發明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物
R4 ZR2 CA R1 BD R3其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R4上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；其中Z可為橋接環R2和R4上的任何兩點的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有幾何結構和取代基。
低聚物9和10(只存在Y)的嵌段共聚物本發明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物
R3/R2 CA R1 B D R4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R2或R3上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有幾何結構和取代基。
低聚物9和10(只存在Y、R和Z)的嵌段共聚物本發明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R6R3/R2 CA R1 B DR4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；
R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R6取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R6上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15之內的整數；其中Z可為橋接環R2或R3和R6上的任何兩點的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有幾何結構和取代基。
本發明組合物可用于制備多種電子設備，如那些可按照已知的生產工藝制造的電子設備。這些設備包括聚合物光發射設備，包括單色和多色設備、可變顏色的設備、紅外發射設備；所謂的SCALE設備，包括雙色和多色SCALE設備。其它可采用本發明組合物的設備包括光電設備和聚合物基晶體管。這些設備的例子見述于美國專利第6,004,681、5,955,834、5,858,561、5,663,573號和幾個同時待審的專利申請，其系列號為09/041,337、08/902,145、08/901,888和60/187,278，這些專利和專利申請均通過引用結合到本文中來。
本發明的組合物可為雙極性的，這樣它們可用于層壓聚合物設備中，并可按已知的構造構成電子傳送或空穴傳送材料和/或光發射層的部分。這些組合物還可用作用于上述設備的共混物的組分。
優選實施方案的詳述按照前面對本發明所作的概述，以下舉例說明本發明的實例，包括最佳實施方式。本文中描述的優選的實施方案并非是窮舉或是將本發明限定在所公開的幾種具體的變化范圍內。選擇并描述這些實例用于解釋本發明的組合物和方法，以及這些組合物的應用，使得本領域的技術人員可實施本發明。
以下將描述用于制備聚合物1和2(分別在實施例1和2中描述)的單體的制備方法。
單體合成以下為聚合物1和聚合物2的單體合成方案聚合物1的單體(1) 單體(1)(類似的合成方法可參見Macromolecule，26，1188-1190，1993)
聚合物1的單體(2) (類似的合成方法可參見Macromolecule，26，1188-1190，1993)單體(1)+單體(2)→聚合物1實施例1-聚合物1150mg該實施例顯示本發明一個實施方案的聚合物的合成方案。
往攪拌著的二醛(2)(502mg，1.12mmol)和1，4-吡啶二亞甲基雙(三苯基鏻)(1，4-pyridylylenebis(triphenylphophonium))(1)(890mg，1.12mmol)在150ml的四氫呋喃(THF)中的溶液內滴加入10ml叔丁醇鉀(KotBu)(2M的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流2小時。除去THF并將固體產物溶解在氯仿中，隨后從甲醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化12小時，得到淺黃色固體狀的聚合物1。將所述固體產物在50℃的真空烘箱中干燥2天(收率92％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)1.4(m，4H)，1.6(t，4H)，3.7(s，12H)，3.9(t，4H)，6.7(s，4H)，7.0(t，1H)，7.1(d，4H)，7.5(d，2H)。
實施例2-聚合物2360mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的聚合物的合成方案。
往攪拌著的二醛(3)(1.2g，2.28mmol)和1，4-吡啶二亞甲基雙(三苯基鏻)(1)(1.8g，2.28mmol)在150ml的THF中的溶液內滴加入10mlKotBu(2M的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流2小時。除去THF并將固體產物溶解在氯仿中，隨后從甲醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化12小時，得到淺黃色固體狀的聚合物2。將所述固體產物在50℃的真空烘箱中干燥2天(收率90％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)3.7(d，18H)，5.0(s，4H)，6.7(s，4H)，6.8，(s，2H)，7.0(t，1H)，7.1(d，4H)，7.5(d，2H)。
實施例3-低聚物1116mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的4-喹啉甲醛(8)(0.91g，5.80mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(2.0g，2.63mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在乙酸乙酯中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的橙色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到橙色晶體(產率55％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)4.0(s，6H)，7.2(d，4H)，7.7(m，6H)，7.9(d，2H)，8.1(d，2H)，8.2(d，2H)，8.9(d，2H)。
實施例4-低聚物260mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的4-喹啉甲醛(8)(0.32g，2.04mmol)和1，4-苯二亞甲基-雙(氯化三苯基鏻)(10)(0.85g，1.21mmol)在500ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在乙酸乙酯中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的黃色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產率59％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)7.2(d，2H)，7.4(d，2H)，7.7(m，8H)，7.9(d，2H)，8.1(d，2H)，8.2(d，2H)，8.9(d，2H)。
實施例5-低聚物330mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的2-喹啉甲醛(11)(1.0g，6.37mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(2.2g，2.90mmol)在150ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的橙黃色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到橙黃色晶體(產率49％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)4.0(s，6H)，7.3(d，4H)，7.5(m，4H)，8.0(m，6H)，8.1(m，4H)。
實施例6-低聚物4100mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的2-喹啉甲醛(11)(3.2g，20.38mmol)和1，4-苯二亞甲基-雙(氯化三苯基鏻)(10)(8.5g，12.14mmol)在100ml乙醇中的溶液內滴加入30ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產率48％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)7.1(d，2H)，7.3(d，2H)，7.4(m，4H)，7.7(m，8H)，8.0(m，4H)。
實施例7-低聚物510mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的6-甲基-2-吡啶甲醛(12)(0.16g，1.32mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(0.5g，0.66mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌過夜。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在乙酸乙酯中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的綠色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到綠色晶體(產率57％)。
NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)2.5(s，6H)，3.8(s，6H)，6.9(d，2H)，7.1(d，4H)，7.4(t，2H)，7.5(s，2H)，7.7(d，2H)。
實施例8-低聚物620mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的6-甲基-2-吡啶甲醛(12)(0.17g，1.40mmol)和1，4-苯二亞甲基-雙(氯化三苯基鏻)(10)(0.5g，0.71mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌過夜。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產率52％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)2.5(s，6H)，6.7(d，4H)，7.1(d，4H)，7.4(t，2H)，7.5(d，2H)，7.7(d，2H)。
實施例9-低聚物740mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的4-吡啶甲醛(13)(0.38g，3.55mmol)和1，4-苯二亞甲基-雙(氯化三苯基鏻)(10)(1.0g，1.43mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌3小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產率43％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)7.0(d，4H)，7.3(d，4H)，7.5(d，4H)，8.4(d，4H)。
實施例10-低聚物830mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的4-吡啶甲醛(13)(0.38g，3.55mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(1.0g，1.32mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌3小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的橙色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到橙色晶體(產率46％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)3.8(s，6H)，7.0(d，4H)，7.3(d，4H)，7.5(s，2H)，8.5(d，4H)。
實施例11-低聚物9320mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的2-萘甲醛(14)(0.24g，0.15mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(0.5g，0.071mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌3小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的綠色固體狀的產物。隨后將所得固體產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到綠色晶體(產率59％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)3.8(s，6H)，6.7(s，2H)，7.1(d，4H)，7.3(m，4H)，7.6(m，8H)。
實施例12-低聚物10400mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的2-萘甲醛(14)(0.24g，0.15mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(0.5g，0.071mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌3小時。除去乙醇并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶氯仿＝1∶1)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產物(產率50％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)3.8(s，6H)，6.7(s，2H)，7.1(d，4H)，7.3(m，8H)，7.6(m，8H)。
實施例13-聚合物6該實施例顯示本發明另一個實施方案的聚合物的合成方案。
往攪拌著的二醛(2)(600mg，1.34mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(1.02g，1.34mmol)在100ml氯仿/乙醇(1∶3)中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產物用稀鹽酸洗滌，隨后溶解在氯仿中，接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化24小時，得到綠色固體狀的聚合物6。將所述固體產物在50℃的真空烘箱中干燥2天(收率88％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)1.4(m，4H)，1.6(m，4H)，3.7(s，12H)，3.9(t，4H)，4，1(s，6H)，6.7(s，4H)，7.1(d，4H)，7.5(d，2H)。
實施例14-聚合物760mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的聚合物的合成方案。
往攪拌著的二醛(15)(1.0g，2.59mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基鏻)(9)(1.97g，2.59mmol)在100ml氯仿/乙醇(1∶3)中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產物用稀鹽酸洗滌，隨后溶解在氯仿中，接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化24小時，得到綠色固體狀的聚合物7。將所述固體產物在50℃的真空烘箱中干燥2天(收率90％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)1.4(m，4H)，1.6(m，4H)，3.7(s，6H)，3.9(t，4H)，4,1(s，6H)，6.7(s，2H)，7.1(d，4H)，7.5(m，6H)。
實施例15-聚合物870mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的聚合物的合成方案。
往攪拌著的二醛(16)(1.0g，3.07mmol)和[2，5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-(氯化三苯基鏻)(9)(2.33g，3.07mmol)在100ml氯仿/乙醇(1∶3)中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產物用稀鹽酸洗滌，隨后溶解在氯仿中，接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化24小時，得到綠色固體狀的聚合物8。將所述固體產物在50℃的真空烘箱中干燥2天(收率90％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)1.4(m，4H)，1.6(m，4H)，3.7(s，6H)，3.9(t，4H)，4,1(s，6H)，6.7(s，2H)，7.1(d，4H)，7.5(m，8H)。
實施例16-聚合物9110mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的聚合物的合成方案。
往攪拌著的二醛(2)(2.0g，4.48mmol)和1，4-苯二亞甲基-雙(氯化三苯基鏻)(10)(3.14g，4.48mmol)在100ml氯仿/乙醇(1∶3)中的溶液內滴加入10ml EtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產物用稀鹽酸洗滌，隨后溶解在氯仿中，接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化24小時，得到幾乎為淺黃色固體狀的聚合物9。將所述固體產物在50℃的真空烘箱中干燥2天(收率88％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)1.4(m，4H)，1.6(m，4H)，3.7(s，12H)，3.9(t，4H)，6.7(s，4H)，7.1(d，4H)，7.5(d，4H)。
實施例17-低聚物11300mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的茴香醛(18)(1.2g，10mmol)和單體(17)(1.32g，4.0mmol)在50ml THF中的溶液內滴加入10ml KotBu(2M的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌1小時。除去THF并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產物。接著將所述產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到無色晶體(產率45％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)3.7(s，6H)，6.8(d，4H)，70(d，4H)，7.1(d，4H)，7.5(m，3H)。
實施例18-低聚物12100mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的2，3-二甲氧基苯甲醛(19)(1.0g，9.64mmol)和單體(17)(1.38g，4.19mmol)在50ml THF中的溶液內滴加入10ml KotBu(2M的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌1小時。除去THF并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的白色固體狀的產物。接著將所述產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到無色晶體(產率56％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)3.8(d，12H)，6.7(d，2H)，6.9(t，2H)，7.1(d，4H)，7.2(d，4H)，7.5(t，1H)，7.9(d，2H)。
實施例19-低聚物13100mg該實施例顯示本發明另一個實施方案的低聚物的合成方案。
往攪拌著的2，3，4-三甲氧基苯甲醛(20)(0.17g，0.87mmol)和單體(17)(0.12g，0.35mmol)在50ml THF中的溶液內滴加入10ml KotBu(2M的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌1小時。除去THF并將固體產物依次用己烷和水洗滌。將所述產物溶解在氯仿中，接著經快速柱層析(SiO2，己烷∶乙酸乙酯＝1∶1)純化，得到所需的白色固體狀的產物。接著將所述產物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產率53％)。NMR數據如下1H-NMR(CDCl3)3.8(d，18H)，6.7(s，4H)，7.0(d，2H)，7.2(d，2H)，7.5(m，3H)。
已經顯示并描述了本發明的一個優選的實施方案，本領域的技術人員會認識到多種變體和修改方案可用來實施所描述的發明，而它們仍在本發明所要求保護的范圍內。因此，上述許多因素可改變或用其它不同的因素來代替，而仍得到相同的結果并在本發明所要求保護的宗旨內。因此，本發明僅受權利要求書所要求保護的范圍的限制。
權利要求
聚合物11.一種含有以下通式結構的聚合物的組合物 C/R2/DA/R1/BE/R3/F-(CH2)x-/-O(CH2)x-/-O(CH2)xO-其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B可獨立位于吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；和其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
2.權利要求1的組合物，其中至少一個R2取代基為甲氧基。
3.權利要求1的組合物，其中至少兩個R2取代基為甲氧基。
4.權利要求1的組合物，其中至少一個R3取代基為甲氧基。
5.權利要求1的組合物，其中至少兩個R3取代基為甲氧基。
6.權利要求1的組合物，其中所述乙烯基連接基A在吡啶基氮的鄰位上鍵合。
7.權利要求1的組合物，其中所述乙烯基連接基B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。
8.權利要求1的組合物，其中所述乙烯基連接基A在吡啶基氮的對位上鍵合。
9.權利要求1的組合物，其中所述乙烯基連接基B在吡啶基氮的對位上鍵合。
10.權利要求1的組合物，其中x為1至6，包括1和6的整數。
聚合物2
11.一種含以下通式結構的聚合物的組合物 R4C/R2/DA/R1/BE/R3/F-(CH2)x-/-O(CH2)x-/-O(CH2)xO-其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B可位于吡啶基氮的鄰位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵G和H彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分，其中x為1至15，包括1和15的整數；其中Z可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
12.權利要求11的組合物，其中至少一個R2取代基為甲氧基。
13.權利要求11的組合物，其中至少兩個R2取代基為甲氧基。
14.權利要求11的組合物，其中至少一個R3取代基為甲氧基。
15.權利要求11的組合物，其中至少兩個R3取代基為甲氧基。
16.權利要求11的組合物，其中至少一個R3取代基為甲氧基。
17.權利要求11的組合物，其中至少兩個R3取代基為甲氧基。
18.權利要求11的組合物，其中所述乙烯基連接基A在吡啶基氮的鄰位上鍵合。
19.權利要求11的組合物，其中乙烯基連接基B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。
20.權利要求11的組合物，其中乙烯基連接基A在吡啶基氮的對位上鍵合。
21.權利要求11的組合物，其中乙烯基連接基B在吡啶基氮的對位上鍵合。
22.權利要求11的組合物，其中x為1至6，包括1和6的整數。
低聚物1、2、3和4
23.一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R3/R2 CA R1 BD R4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位。
24.權利要求23的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
25.權利要求23的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。低聚物5、6、7和8
26.一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R2CA R1 BD R3其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位。
27.權利要求26的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
28.權利要求26的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。
29.權利要求26的組合物，其中至少一個R2取代基為甲基。
30.權利要求26的組合物，其中至少一個R3取代基為甲基。低聚物9和10
31.一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R3/R2CA R1 BDR4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位。
32.權利要求31的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
33.權利要求31的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。
低聚物11、12和13
34.一種含有以下通式結構的低聚物的組合物 R2 CA R1 BD R3其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；且其中鍵A和B可位于吡啶基氮的鄰位或對位。
35.權利要求34的組合物，其中至少一個R2取代基為甲氧基。
36.權利要求34的組合物，其中兩個R2取代基為甲氧基。
37.權利要求34的組合物，其中三個R2取代基為甲氧基。
38.權利要求34的組合物，其中至少一個R3取代基為甲氧基。
39.權利要求34的組合物，其中兩個R3取代基為甲氧基。
40.權利要求34的組合物，其中三個R2取代基為甲氧基。低聚物1、2、3和4(只存在Y)的嵌段共聚物
41.一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R3/R2 CA R1 BD R4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R2和R3上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
42.權利要求41的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
43.權利要求41的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基；其中Y可為選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-的部分；其中x為1至15，包括1和15的整數。低聚物1、2、3和4(Y、R和Z)的嵌段共聚物
44.一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R3/R2 CA R1 BD R4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R6取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R6上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；其中Z可為橋接環R2或R3和R6上的任何兩點的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
45.權利要求44的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
46.權利要求44的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。低聚物5、6、7和8(只存在Y)的嵌段共聚物
47.一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R2CA R1 BD R3其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R2上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
48.權利要求47的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
49.權利要求47的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。
50.權利要求47的組合物，其中至少一個R2取代基為甲基。
51.權利要求47的組合物，其中至少一個R3取代基為甲基。低聚物5、6、7和8(Y、R和Z)的嵌段共聚物
52.一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R2CA R1 BD R3其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R4上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；其中Z可為橋接環R2和R4上的任何兩點的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
53.權利要求52的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
54.權利要求52的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。
55.權利要求52的組合物，其中至少一個R2取代基為甲基。
56.權利要求52的組合物，其中至少一個R3取代基為甲基。
低聚物9和10(只存在Y)的嵌段共聚物
57.一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R3/R2CA R1 BDR4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R2或R3上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
58.權利要求57的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
59.權利要求57的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。低聚物9和10(只存在Y、R和Z)的嵌段共聚物
60.一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物 R3/R2 CA R1 BD R4/R5其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R6取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為與環R6上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；其中Z可為橋接環R2或R3和R6上的任何兩點的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、-O(CH2)x-和-O(CH2)xO-，其中x為1至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于1的整數。
全文摘要
本發明涉及聚合物和低聚物，它們的合成方法以及含有它們的電子設備。
文檔編號C07D213/53GK1516713SQ02809651
公開日2004年7月28日 申請日期2002年3月12日 優先權日2001年3月13日
發明者A·埃普斯坦, D·王, A 埃普斯坦 申請人:俄亥俄州大學