一種硅晶片生產裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型一種硅晶片生產裝置，屬于硅晶片生產領域，包括多晶硅盛放箱，所述多晶硅盛放箱設有第一擋板，所述多晶硅盛放箱通過傳送帶連接超高溫熔解爐，所述超高溫熔解爐內腔設有第二擋板，所述第二擋板兩側底部均設有移動滑板，所述移動滑板頂部分別設有P型石英坩堝、N型石英坩堝，所述高溫熔解爐一側連接冷卻箱，所述冷卻箱從左到右依次連接切斷裝置、滾圓裝置、切片裝置與倒角裝置，所述倒角裝置從上到下依次連接研磨裝置、腐蝕裝置、拋光裝置、清洗裝置與檢驗裝置，所述檢驗裝置一側連接自動包裝裝置，本實用新型通過兩種放有不同摻雜劑的石英坩堝，經過一系列的工藝可以生產出具有不同電特性的硅晶片，結構簡單，設計合理，實用性強。
【專利說明】
一種硅晶片生產裝置
技術領域
[0001]本實用新型一種硅晶片生產裝置，屬于硅晶片生產領域。
【背景技術】
[0002]用于光伏行業多晶硅料熔化后結晶生長的一個設備，由于光伏行業多晶硅料的定向凝固過程需要先對硅料進行融化，然后定向結晶生長，硅液的生長需要在結晶設備容器內進行，大多的硅料的定向結晶是用鑄錠爐完成的，硅料在同一鑄錠爐內進行著熔化和定向凝固，這種設備價格昂貴，生產周期較長，無法實現硅料熔化和定向凝固分開進行，對設備的要求過高，因此將傳送帶與超高溫度溶解箱相對應，在完成溶解之后進行加熱后再將硅液移動至冷卻箱，操作靈活，結晶方式簡單，產品質量也穩定，同樣可以達到鑄錠爐的效果，現實生活中我們會需要具有不同電特性的硅，往往是在生產加工出來以后在進行電離，因此，需要進一步改進。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型要解決的技術問題克服現有的缺陷，提供一種硅晶片生產裝置，通過兩種放有不同摻雜劑的石英坩禍，經過一系列的工藝可以生產出具有不同電特性的硅晶片，可以有效解決【背景技術】中的問題。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型提供了如下的技術方案:
[0005]—種硅晶片生產裝置，包括多晶硅盛放箱，所述多晶硅盛放箱設有第一擋板，所述多晶硅盛放箱通過傳送帶連接超高溫熔解爐，所述超高溫熔解爐內腔設有第二擋板，所述第二擋板兩側底部均設有移動滑板，所述移動滑板頂部分別設有P型石英坩禍、N型石英坩禍，所述高溫熔解爐一側連接冷卻箱，所述冷卻箱從左到右依次連接切斷裝置、滾圓裝置、切片裝置與倒角裝置，所述倒角裝置從上到下依次連接研磨裝置、腐蝕裝置、拋光裝置、清洗裝置與檢驗裝置，所述檢驗裝置一側連接自動包裝裝置。
[0006]進一步而言，所述P型石英坩禍內腔摻雜劑為硼，所述N型石英坩禍內腔摻雜劑為磷、銻、砷其中一種。
[0007]進一步而言，所述移動滑板通過滑道與冷卻箱滑動連接。
[0008]進一步而言，所述切片裝置的材料為金剛石，所述腐蝕裝置的材料采用氫氧化鈉、乙酸與硝酸的混合物。
[0009]進一步而言，所述超高溫熔解爐兩側均設有出氣孔，所述傳送帶上設有若干圓形凸起。
[0010]本實用新型有益效果:本實用新型通過兩種放有不同摻雜劑的石英坩禍，經過一系列的工藝可以生產出具有不同電特性的硅晶片，結構簡單，設計合理，實用性強。
【附圖說明】
[0011]附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的限制。
[0012]圖1是本實用新型一種硅晶片生產裝置結構圖。
[0013]圖2是本實用新型一種硅晶片生產裝置超高溫熔解爐內部結構圖。
[0014]圖中標號:1、多晶硅盛放箱；2、第一擋板;3、傳送帶；4、超高溫熔解爐；5、第二擋板;6、移動滑板;7、P型石英坩禍;8、N型石英坩禍;9、冷卻箱；10、切斷裝置；11、滾圓裝置；12、切片裝置;13、倒角裝置;14、研磨裝置;15、腐蝕裝置;16、拋光裝置;17、清洗裝置;18、檢驗裝置;19、自動包裝裝置;20、出氣孔;21、圓形凸起。
【具體實施方式】
[0015]以下結合附圖對本實用新型的優選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0016]如圖1-圖2所示，一種硅晶片生產裝置，包括多晶硅盛放箱I，所述多晶硅盛放箱I設有第一擋板2，所述多晶硅盛放箱I通過傳送帶3連接超高溫熔解爐4，所述超高溫熔解爐4內腔設有第二擋板5，所述第二擋板5兩側底部均設有移動滑板6，所述移動滑板6頂部分別設有P型石英坩禍7、N型石英坩禍8，所述高溫熔解爐4 一側連接冷卻箱9，所述冷卻箱9從左到右依次連接切斷裝置10、滾圓裝置11、切片裝置12與倒角裝置13，所述倒角裝置13從上到下依次連接研磨裝置14、腐蝕裝置15、拋光裝置16、清洗裝置17與檢驗裝置18，所述檢驗裝置18—側連接自動包裝裝置19。
[0017]更具體而言，所述P型石英坩禍7內腔摻雜劑為硼，所述N型石英坩禍8內腔摻雜劑為磷、銻、砷其中一種，通過不同的摻雜劑可以制造出不同電特性的硅錠。
[0018]更具體而言，所述移動滑板6通過滑道與冷卻箱9滑動連接，通過移動滑板6可以將熔解的硅移動至冷卻箱9冷卻。
[0019]更具體而言，所述切片裝置12的材料為金剛石，所述腐蝕裝置15的材料采用氫氧化鈉、乙酸與硝酸的混合物，金剛石的材質特別硬，適用于切割，混合物的腐蝕性更強。
[0020]更具體而言，所述超高溫熔解爐4兩側均設有出氣孔20，所述傳送帶3上設有若干圓形凸起21，通過出氣孔20可防止爐內溫度過高，通過圓形凸起21可增大運輸的摩擦力。
[0021]本實用新型有益效果:本實用新型通過兩種放有不同摻雜劑的石英坩禍，經過一系列的工藝可以生產出具有不同電特性的硅晶片，結構簡單，設計合理，實用性強。
[0022]以上為本實用新型較佳的實施方式，本實用新型所屬領域的技術人員還能夠對上述實施方式進行變更和修改，因此，本實用新型并不局限于上述的【具體實施方式】，凡是本領域技術人員在本實用新型的基礎上所作的任何顯而易見的改進、替換或變型均屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種硅晶片生產裝置，包括多晶硅盛放箱(1)，其特征在于，所述多晶硅盛放箱(I)設有第一擋板(2)，所述多晶硅盛放箱(I)通過傳送帶(3)連接超高溫熔解爐(4)，所述超高溫熔解爐(4)內腔設有第二擋板(5)，所述第二擋板(5)兩側底部均設有移動滑板(6)，所述移動滑板(6)頂部分別設有P型石英坩禍(7)、N型石英坩禍(8)，所述高溫熔解爐(4) 一側連接冷卻箱(9)，所述冷卻箱(9)從左到右依次連接切斷裝置(10)、滾圓裝置(11)、切片裝置(12)與倒角裝置(13)，所述倒角裝置(13)從上到下依次連接研磨裝置(14)、腐蝕裝置(15)、拋光裝置(16)、清洗裝置(17)與檢驗裝置(18)，所述檢驗裝置(18)—側連接自動包裝裝置(19)。2.根據權利要求1所述一種硅晶片生產裝置，其特征在于:所述P型石英坩禍(7)內腔摻雜劑為硼，所述N型石英坩禍(8)內腔摻雜劑為磷、銻、砷其中一種。3.根據權利要求1所述一種硅晶片生產裝置，其特征在于:所述移動滑板(6)通過滑道與冷卻箱(9 )滑動連接。4.根據權利要求1所述一種硅晶片生產裝置，其特征在于:所述超高溫熔解爐(4)兩側均設有出氣孔(20)，所述傳送帶(3)上設有若干圓形凸起(21)。
【文檔編號】C30B29/06GK205688053SQ201620262900
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年3月31日 公開號201620262900.8, CN 201620262900, CN 205688053 U, CN 205688053U, CN-U-205688053, CN201620262900, CN201620262900.8, CN205688053 U, CN205688053U
【發明人】鄒文龍, 張力峰, 田利中, 白青松, 梁會寧
【申請人】蘇州晶櫻光電科技有限公司