半導體晶棒熔煉拉晶裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及半導體致冷件的原材料—晶棒的生產技術領域，名稱是半導體晶棒熔煉拉晶裝置，半導體晶棒熔煉拉晶裝置，包括機座，在機座上具有可以升降的主立桿，主立桿和機座上有拉晶管的固定夾具，在機座上還有副立桿，副立桿上有升降動力裝置，升降動力裝置連接電磁加熱線圈，電磁加熱線圈內部具有套接在拉晶管外面的結構，在所述的電磁加熱線圈內部和盛裝拉晶管外面還安裝有不銹鋼套管；使用本實用新型可以得到受熱更均勻、品質更好的晶棒。
【專利說明】
半導體晶棒熔煉拉晶裝置
技術領域
[0001]本發明涉及半導體致冷件的原材料一晶棒的生產技術領域，具體地說是涉及半導體晶棒熔煉拉晶裝置。
【背景技術】
[0002]半導體致冷件的原材料一晶棒的主要原料是三碲化二鉍，這些原料在拉晶管中經過高溫形成分子排列整齊的晶棒，在高溫下原料的分子重新排列的過程就是拉晶，拉晶后的晶棒進行線切割生成半導體晶粒，然后將晶粒焊接在瓷板上就制造成半導體致冷件。
[0003]晶粒排列的整齊程度決定了半導體致冷件的效率，原料分子排列越整齊，半導體致冷件的致冷效率越高，反之，原料分子排列越雜亂，半導體致冷件的致冷效率越低，所以拉晶的效果決定了半導體致冷件的品質。
[0004]晶棒是在拉晶裝置上進行的，拉晶裝置具有加熱環，現有技術中，拉晶爐的加熱環是電加熱的，這樣的拉晶爐具有晶板溫度升高不均勻的缺點，影響了拉晶的質量。
【發明內容】
[0005]本發明的目的就是針對上述缺點，提供一種晶棒受熱更均勻、品質更好半導體晶棒熔煉拉晶裝置。
[0006]本發明半導體晶棒的拉晶裝置是這樣實現的:半導體晶棒熔煉拉晶裝置，包括機座，在機座上具有可以升降的主立桿，主立桿和機座上有拉晶管的固定夾具，其特征是:在機座上還有副立桿，副立桿上有升降動力裝置，升降動力裝置連接電磁加熱線圈，電磁加熱線圈內部具有套接在拉晶管外面的結構，在所述的電磁加熱線圈內部和盛裝拉晶管外面還安裝有不銹鋼套管。
[0007]本發明的有益效果是:這樣的使用半導體晶棒的裝置，可以得到受熱更均勻、品質更好的晶棒。
【附圖說明】
[0008]圖1是本發明半導體晶棒的拉晶裝置的結構示意圖。
[0009]其中:1、機座2、主立桿3、固定夾具4、副立桿5、升降動力裝置6、電磁加熱線圈7、拉晶管8、不銹鋼套管。
【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的的說明。
[0011]如圖1所示，半導體晶棒熔煉拉晶裝置，包括機座I，在機座上具有可以升降的主立桿2，主立桿和機座上有拉晶管的固定夾具3，其特征是:在機座上還有副立桿4，副立桿上有升降動力裝置5，升降動力裝置連接電磁加熱線圈6，電磁加熱線圈內部具有套接在拉晶管7外面的結構，在所述的電磁加熱線圈內部和盛裝拉晶管外面還安裝有不銹鋼套管8。這樣不銹鋼管耐溫1200°C，可以起到切割磁力線的作用，產生熱量，還具有防止拉晶管破裂，另外其還具有均溫的作用，拉晶的效果也更好。
[0012]以上所述僅為本發明的具體實施例，但本發明的結構特征并不限于此，任何本領域的技術人員在本發明的領域內，所作的變化或修飾皆涵蓋在本發明的專利范圍內。
【主權項】
1.半導體晶、半導體晶棒熔煉拉晶裝置，包括機座，在機座上具有可以升降的主立桿，主立桿和機座上有拉晶管的固定夾具，其特征是:在機座上還有副立桿，副立桿上有升降動力裝置，升降動力裝置連接電磁加熱線圈，電磁加熱線圈內部具有套接在拉晶管外面的結構，在所述的電磁加熱線圈內部和盛裝拉晶管外面還安裝有不銹鋼套管。
【文檔編號】C30B29/06GK205576350SQ201620413568
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年5月10日
【發明人】陳磊, 陳建民, 趙麗萍, 錢俊友, 張文濤, 蔡水占, 張會超, 王東勝
【申請人】河南鴻昌電子有限公司