一種用于單晶硅生產的整體燒制石英坩堝的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種石英坩禍，尤其是一種用于單晶硅生產的石英坩禍。
【背景技術】
[0002]石英坩禍是單晶硅生產中的主要耗材之一。制造這種單晶硅生產用的石英坩禍，是把石英砂裝填在一種石英坩禍模具中進行燒制；為了把它燒制成高密度、高硬度的透明坩禍以達到單晶硅生產的要求，需要在燒制前對其進行抽真空處理。生產石英坩禍的石英砂的質量和價格直接影響石英坩禍的質量和成本。目前，生產用于單晶硅生產的石英坩禍，普遍采用美國尤尼明公司生產的1TA-CG標準高純石英砂，但這種石英砂的價格要比國產石英砂高出很多；國產石英砂雖然價格較低，但質量達不到要求。另外，這種石英坩禍體積、重量較大，人工搬動不便。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型要解決的技術問題是:提供一種質量能夠達到單晶硅生產的要求而成本較低的整體燒制石英坩禍。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型所采取的技術方案是:
[0005]—種用于單晶硅生產的整體燒制石英坩禍，所述石英坩禍從內到外分為兩層；內層的材質為美國尤尼明公司生產的1TA-CG標準高純石英砂，外層的材質為國產石英砂，在燒制前只對內層進行抽真空處理，從而把其燒制成高密度、高硬度的透明層，其厚度為3mm?5mm，外層是厚度為5mm?1mm的不透明層。
[0006]在所述的外層的外壁表面對稱設置有兩個便于利用真空吸盤進行吸附的平面。
[0007]在所述的外層的外壁表面對稱設置有兩個便于人手至少四指摳進并把所述的石英坩禍抬起的凹陷部位，兩個凹陷部位的開口朝下。
[0008]本實用新型所取得的有益效果:
[0009]在生產石英坩禍的過程中進行分層處理，內層和外層分別采用高等級和低等級材質，并且在燒制前只對內層進行抽真空處理，從而使內層滿足單晶硅生產過程中的質量要求，外層對內層起到保護和支撐的作用，保證在單晶硅生產中整個石英坩禍不會變形，同時降低了成本。
[0010]在石英坩禍的外壁表面設置便于人手或真空吸盤操作的構造，方便了人工搬運或真空吸盤機械搬運。
[0011]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型做進一步詳細說明。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型實施例一的構造示意圖；
[0013]圖2為本實用新型實施例二的構造示意圖；
[0014]圖3為本實用新型實施例三的構造示意圖。
【具體實施方式】
[0015]實施例一、
[0016]如圖1所示，一種用于單晶硅生產的整體燒制石英坩禍，所述石英坩禍從內到外分為兩層；內層I的材質為美國尤尼明公司生產的1TA-CG標準高純石英砂，外層2的材質為國產石英砂，在燒制前只對內層I進行抽真空處理，從而把其燒制成高密度、高硬度的透明層，其厚度為3mm?5mm，外層2是厚度為5mm?1mm的不透明層。
[0017]在生產石英坩禍的過程中進行分層處理，內層和外層分別采用高等級和低等級材質，并且在燒制前只對內層進行抽真空處理，從而使內層滿足單晶硅生產過程中的質量要求，外層對內層起到保護和支撐的作用，保證在單晶硅生產中整個石英坩禍不會變形，同時降低了成本。
[0018]實施例二、
[0019]實施例二對實施例一的改進在于:在所述的外層2的外壁表面對稱設置有兩個便于利用真空吸盤進行吸附的平面3。
[0020]實施例三、
[0021]實施例三對實施例一的改進在于:在所述的外層2的外壁表面對稱設置有兩個便于人手至少四指摳進并把所述的石英坩禍抬起的凹陷部位4，兩個凹陷部位4的開口朝下。
【主權項】
1.一種用于單晶硅生產的整體燒制石英坩禍，其特征在于:所述石英坩禍從內到外分為兩層；內層(I)的材質為美國尤尼明公司生產的1TA-CG標準高純石英砂，外層(2)的材質為國產石英砂，在燒制前只對內層(I)進行抽真空處理，從而把其燒制成高密度、高硬度的透明層，其厚度為3mm?5mm，外層⑵是厚度為5mm?1mm的不透明層。2.根據權利要求1所述的用于單晶硅生產的整體燒制石英坩禍，其特征在于:在所述的外層(2)的外壁表面對稱設置有兩個便于利用真空吸盤進行吸附的平面(3)。3.根據權利要求1所述的用于單晶硅生產的整體燒制石英坩禍，其特征在于:在所述的外層(2)的外壁表面對稱設置有兩個便于人手至少四指摳進并把所述的石英坩禍抬起的凹陷部位(4)，兩個凹陷部位(4)的開口朝下。
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于單晶硅生產的整體燒制石英坩堝。其從內到外分為兩層；內層的材質為美國尤尼明公司生產的IOTA-CG標準高純石英砂，外層的材質為國產石英砂，在燒制前只對內層進行抽真空處理，從而把其燒制成高密度、高硬度的透明層，其厚度為3mm～5mm，外層是厚度為5mm～10mm的不透明層。本實用新型在生產的過程中進行分層處理，內層和外層分別采用高等級和低等級材質，并且在燒制前只對內層進行抽真空處理，從而使內層滿足單晶硅生產過程中的質量要求，外層對內層起到保護和支撐的作用，同時降低了成本。
【IPC分類】C30B35/00
【公開號】CN204939661
【申請號】CN201520635812
【發明人】范玉華, 李衛濤, 陳召強, 趙學東
【申請人】寧晉昌隆電子材料制造有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年8月21日