一種多晶硅鑄錠用提純爐的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及多晶硅生產工藝領域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠用提純爐。
【背景技術】
[0002]在多晶硅生產和提純的過程中，通常需要先采用真空感應爐進行熔煉去雜，再進行多次定向凝固去雜，上述提純過程需要消耗大量電能。
【實用新型內容】
[0003]有鑒于此，本實用新型提供了一種多晶硅鑄錠用提純爐，該多晶硅鑄錠用提純爐解決了耗電量高的技術問題。
[0004]本實用新型的技術方案是這樣實現的:
[0005]—種多晶硅鑄錠用提純爐，包括爐體、坩禍、離心裝置、真空裝置和加熱裝置；
[0006]所述爐體內設有保溫層，所述保溫層內設置所述加熱裝置；
[0007]所述坩禍設置于爐體內；
[0008]所述離心裝置設于所述爐體下部，并與所述坩禍通過離心裝置的主軸固定連接；
[0009]所述真空裝置設于所述爐體外，并與所述爐體通過真空管路連接。
[0010]優選地，還包括密封裝置，所述密封裝置環繞于所述坩禍外。
[0011]優選地，所述坩禍的數量與所述離心裝置的數量相同為2?100個。
[0012]優選地，所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。
[0013]優選地，所述加熱裝置為電極。
[0014]優選地，所述電極對稱安裝在所述第二保溫層內。
[0015]優選地，所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。
[0016]優選地，所述電極為石墨電極。
[0017]本實用新型的有益效果為:
[0018]本實用新型通過在保溫層內設置加熱裝置，節省爐體空間，提高爐體空間利用率。本實用新型中通過采用離心裝置對多晶硅進行提純，經實驗測試發現，采用本實用新型的提純爐提純得到的多晶硅中磷在5ppm以下，硼在0.3ppm以下，符合晶硅太陽能對多晶硅純度的要求。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本實用新型多晶硅鑄錠用提純爐的結構示意圖。
[0021]圖中:
[0022]1、爐體；2、坩禍；3、第一保溫層；4、第二保溫層；5、真空裝置；51、真空管路；6、離心裝置；61、主軸；7、加熱裝置；8、密封裝置。
【具體實施方式】
[0023]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0024]如圖1所示，本實用新型提供的多晶硅鑄錠用提純爐，包括爐體1、坩禍2、離心裝置6、真空裝置5和加熱裝置7。
[0025]所述坩禍2設置于爐體I內，用于盛放要提純的多晶硅，所述離心裝置6通過帶動i甘禍2旋轉，對多晶娃進彳丁提純，提尚多晶娃的純度。
[0026]所述離心裝置6通過離心過程對多晶硅進行提純，所述離心裝置6設置于所述爐體I 一側，通過主軸61與所述坩禍2固定連接，離心裝置6通過帶動主軸61旋轉，實現對多晶硅的提純，本實用新型中可設置2?100個坩禍2和離心裝置61，優選10?80個，更優選20?50個，可實現多組多晶硅同時提純，保證高純度多晶硅的批量化生產，提高了高純度多晶硅的生產效率。
[0027]所述保溫層用來減少爐內熱量流失，從而保證提純爐的保溫性能。具體實施時，保溫層包括第一保溫層3和第二保溫層4，第一保溫層3為耐火保溫纖維層，第二保溫層4為石墨碳磚層，通過采用耐火材料層和石墨碳磚層逐層保溫，將其熱傳導逐漸降低，進而保證了提純爐的保溫性能。
[0028]所述加熱裝置7設于保溫層內，節省爐體I空間，提高爐體I空間利用率，具體實施時，所述加熱裝置7為電極，對稱安裝在第二保溫層4內，其中電極的數量為5?25個，相鄰電極之間的距離相等，上述電極的設置使得爐體I內溫度均勻，消除了盲區，避免了礦石資源的浪費，同時降低了能耗。
[0029]所述真空裝置5用于保證爐體I的真空狀態，該真空裝置5設于爐體I外，通過真空管路51與爐體I連接，真空管路51設于爐體I外一側。
[0030]所述密封裝置8用于對坩禍進行密封，避免了坩禍內熱量損失，所述密封裝置8環繞于所述坩禍2外.
[0031]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:包括爐體、坩禍、離心裝置、真空裝置和加熱裝置； 所述爐體內設有保溫層，所述保溫層內設置所述加熱裝置； 所述坩禍設置于爐體內； 所述離心裝置設于所述爐體下部，并與所述坩禍通過離心裝置的主軸固定連接； 所述真空裝置設于所述爐體外，并與所述爐體通過真空管路連接。2.如權利要求1所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:還包括密封裝置，所述密封裝置環繞于所述坩禍外。3.如權利要求1所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述坩禍的數量與所述離心裝置的數量相同為2?100個。4.如權利要求1所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。5.如權利要求4所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述加熱裝置為電極。6.如權利要求5所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述電極對稱安裝在所述第二保溫層內。7.如權利要求6所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。8.如權利要求1?7任一項所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述電極為石墨電極。
【專利摘要】本實用新型公開了一種多晶硅鑄錠用提純爐，包括爐體、坩堝、離心裝置、真空裝置和加熱裝置；所述爐體內設有保溫層，所述保溫層內設置所述加熱裝置；所述坩堝設置于爐體內；所述離心裝置設于所述爐體下部，并與所述坩堝通過離心裝置的主軸固定連接；所述真空裝置設于所述爐體外一側，并與所述爐體通過真空管路連接。本實用新型通過在保溫層內設置加熱裝置，節省爐體空間，提高爐體空間利用率。采用本實用新型的提純爐提純得到的多晶硅中磷在5ppm以下，硼在0.3ppm以下，符合晶硅太陽能對多晶硅純度的要求。
【IPC分類】C30B29/06, C30B28/06
【公開號】CN204898124
【申請號】CN201520654801
【發明人】王增林
【申請人】寧夏金海金晶光電產業有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年8月27日