一種提純單晶硅生產中堝底料的酸泡處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及太陽能光伏技術領域，特別的涉及一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置。
【背景技術】
[0002]在單晶硅的生產過程中，單晶拉制完成之后，石英坩禍里面會剩余少量的硅材料，稱為禍底料，拉晶產生的禍底料與石英禍粘在一起很難處理。目前常用的處理方法為，先用錘子將禍底料和石英敲擊分離開，但是仍然有少量石英粘在禍底料上無法去除，然后將帶石英的禍底料放入盛滿氫氟酸的容器中，石英與氫氟酸發生反應將石英腐蝕掉，得到純凈的禍底料。當時所用工藝為將禍底料置于盛滿氫氟酸的容器中，由于容器中的酸為靜止狀態，存在反應不充分，處理效率低等缺點。
[0003]有鑒于此，需要發明一種處理時間短，工作效率高的提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置，其具備結構簡單，處理高效的特點。
[0005]為了實現上述目的，本實用新型采取的技術方案如下:
[0006]一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置，其包括酸泡池、下連接管道、沉淀池和上連接管道，所述下連接管道一端與所述酸泡池的底部相連通，所述下連接管的另一端與所述沉淀池的底部相連通，所述下連接管上安裝有閥門，所述上連接管道設置于所述酸泡池和所述沉淀池的上方，所述上連接管道的一端伸入所述酸泡池內，所述上連接管道的另一端伸入所述沉淀池內，所述上連接管道上設置有耐酸循環栗，所述沉淀池的底部設置有放酸口。
[0007]作為本實用新型進一步的改進，所述酸泡池為長、寬、高均為100mm的上部開口的PVC材質的池子；所述沉淀池為長、寬為500mm，高100mm的上部開口的PVC材質的池子；所述上下連接管道為直徑50mm的PVC材質的管道。
[0008]作為本實用新型進一步的改進，所述下連接管道2的兩端分別焊接在酸泡池和沉淀池距離地面10mm的位置。
[0009]作為本實用新型進一步的改進，所述上連接管道兩端別置于酸泡池和沉淀池的上口往下300mm的位置。
[0010]作為本實用新型進一步的改進，所述放酸口位于沉淀池距離地面10mm的位置。
[0011]與現有技術相比，本實用新型所取得的有益效果如下:
[0012]本實用新型裝置采用耐酸循環栗將酸循環起來，增加了酸與禍底料的接觸面積，加快酸與石英的接觸沖刷大大提高酸的腐蝕強度減少酸泡時間，提高了處理禍底料的工作效率。具備結構簡單，處理高效的特點。
【附圖說明】
[0013]附圖1為本實用新型的結構示意圖；
[0014]在附圖中:I酸泡池、2下連接管道、3閥門、4沉淀池、5上連接管道、6耐酸循環栗、7放酸口。
【具體實施方式】
[0015]以下結合附圖1對本實用新型進行進一步詳細的敘述。
[0016]如附圖1所示，一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置，包括酸泡池1、下連接管道2、閥門3、沉淀池4、上連接管道5、耐酸循環栗6和放酸口 7，所用材料均為PVC材料。所述酸泡池I為長、寬、高均為100mm的上部開口的PVC材質的池子；所述沉淀池4為長、寬為500mm，高100mm的上部開口的PVC材質的池子；所述上連接管道2和下連接管道5為直徑50mm的PVC材質的管道。所述下連接管道2焊接到所述酸泡池I和所述沉淀池4之間，并連通所述酸泡池I和所述沉淀池4，所述下連接管道2中間裝有用于打開或關閉所述下連通管道2的閥門3，所述下連接管道2兩端分別焊接在所述酸泡池I和所述沉淀池4距離地面10mm的位置。所述上連接管道5置于所述酸泡池I和所述沉淀池4的上方位置，所述上連接管道5兩端的進口和出口分別置于所述酸泡池I和所述沉淀池4的上口往下300mm的位置。上連接管路5中間裝有耐酸循環栗6。放酸口 7位于沉淀池4距離地面10mm的位置。
[0017]本實用新型是基于以下原理形成的:
[0018]靜止腐蝕又稱為靜磨損腐蝕。流動(沖刷)腐蝕是被腐蝕物品與流體(酸)之間由于高速相對運動而引起的被腐蝕物品的損壞現象，是被腐蝕物品受沖刷和腐蝕交互作用的結果，是一種危害性較大的局部腐蝕。沖蝕就是被腐蝕物品表面與腐蝕流體沖刷的聯合作用，而引起材料局部的腐蝕。在發生這種腐蝕時，被腐蝕物品離子或腐蝕產物因受高速腐蝕流體沖刷而快速溶解或分解，使新鮮的被腐蝕品表面與腐蝕流體直接接觸，從而加速了腐蝕過程。
[0019]本實用新型的工作過程如下:
[0020]先將禍底料放入酸泡池中然后打開閥門3，并確認放酸口 7保持關閉狀態，開啟耐酸栗6，使酸從酸泡池I通過下連接管道2流到沉淀池4內，再通過上連接管道5流動到酸泡池I內，形成循環。處理完成后，打開放酸口 7，將酸放出。
[0021]以上所述實施方式僅為本實用新型的優選實施例，而并非本實用新型可行實施的窮舉。對于本領域一般技術人員而言，在不背離本實用新型原理和精神的前提下對其所作出的任何顯而易見的改動，都應當被認為包含在本實用新型的權利要求保護范圍之內。
【主權項】
1.一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，其包括酸泡池(I)、下連接管道(2)、沉淀池(4)和上連接管道(5)，所述下連接管道(2) —端與所述酸泡池(I)的底部相連通，所述下連接管道(2)的另一端與所述沉淀池(4)的底部相連通，所述下連接管道(2)上安裝有閥門(3)，所述上連接管道(5)設置于所述酸泡池(I)和所述沉淀池(4)的上方，所述上連接管道(5)的一端伸入所述酸泡池(I)內，所述上連接管道(5)的另一端伸入所述沉淀池(4)內，所述上連接管道(5)上設置有耐酸循環栗￠)，所述沉淀池(4)的底部設置有放酸口(7)。2.根據權利要求1所述的一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，所述下連接管道(2)的兩端分別焊接在酸泡池(I)和沉淀池(4)距離地面10mm的位置。3.根據權利要求1所述的一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，所述上連接管道(5)兩端別置于酸泡池⑴和沉淀池⑷的上口往下300mm的位置。4.根據權利要求1-3任一項所述的一種提純單晶硅生產中禍底料的酸泡處理裝置，其特征在于，所述放酸口(7)位于沉淀池(4)距離地面10mm的位置。
【專利摘要】本實用新型涉及一種提純單晶硅生產中堝底料的酸泡處理裝置，其包括酸泡池、下連接管道、沉淀池和上連接管道，所述下連接管道一端與所述酸泡池的底部相連通，所述下連接管的另一端與所述沉淀池的底部相連通，所述下連接管上安裝有閥門，所述上連接管道設置于所述酸泡池和所述沉淀池的上方，所述上連接管道的一端伸入所述酸泡池內，所述上連接管道的另一端伸入所述沉淀池內，所述上連接管道上設置有耐酸循環泵，所述沉淀池的底部設置有放酸口。本實用新型裝置采用耐酸循環泵將酸循環起來，增加了酸與堝底料的接觸面積，加快酸與石英的接觸沖刷大大提高酸的腐蝕強度減少酸泡時間，提高了處理堝底料的工作效率。具備結構簡單，處理高效的特點。
【IPC分類】C30B35/00
【公開號】CN204727994
【申請號】CN201520343114
【發明人】邊志堅, 李德建, 張曉朋, 申朝倫, 米興錄
【申請人】河北寧通電子材料有限公司
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2015年5月26日