反應管及采用該反應管的硅芯生長爐的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種硅材料制作工業技術領域，特別是指一種反應管及采用該反應管的硅芯生長爐。
【背景技術】
[0002]多晶硅是制備半導體器件和太陽能電池的原材料，是全球電子工業及光伏產業的基石。目前制備多晶硅主要利用化學氣相沉積技術，采用反應管，將硅芯作為發熱體及硅的沉積載體，用三氯氫硅作為反應氣體，氫氣作還原氣體，待硅芯升高到一定溫度后，三氯氫硅與氫氣在硅芯表面反應生成硅并沉積在硅芯表面，最終得到想要的多晶硅。然而，現有的反應管通常為一直筒狀的管體，由于硅料熔化后體積會變小，常常使得硅料不足而影響產品質量。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型提出一種反應管及采用該反應管的硅芯生長爐，解決了現有技術中硅料不足的問題。
[0004]本實用新型的技術方案是這樣實現的:
[0005]一種反應管，用于設于一硅芯生長爐內，該反應管為氮化硅管，其包括一管體及設于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態，頂部為開口狀態，所述端部連接設于管體的頂部，且為漏斗狀結構。
[0006]優選方案為，所述反應管內還可設有一層氮化硅涂層。
[0007]優選方案為，所述端部的內徑由其頂端向其底端逐漸縮小，且底端的內徑與管體的內徑相同，所述管體的內徑由上向下各處均相等。
[0008]一種硅芯生長爐，包括底座、設于該底座上的保溫爐及設于該保溫爐內的反應管，該保溫爐上分別設有進氣口及出氣口，該反應管包括一管體及設于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態，頂部為開口狀態，所述端部連接設于管體的頂部，且為漏斗狀結構。
[0009]優選方案為，所述保溫爐內由下向上依次設有襯板、第一限位板及第二限位板，所述第一限位板與第二限位板上分別對應設有若干限位孔，所述反應管依次穿設于第一限位板與第二限位板的限位孔內，并使其底端抵靠于襯板上。
[0010]優選方案為，所述保溫爐內壁在豎直方向排列有多個且彼此相互獨立的發熱體。
[0011]本實用新型的有益效果為:
[0012]本實用新型中的反應管，由于其端部的設置，所放置的硅料除放滿管體內外還設于端部內，硅料于管體內熔化成液體而體積變小，該端部內的硅料彌補于管體內，最終使熔化成液態的硅料完全處于管體內，從而防止管體內硅料不足而影響產品的問題。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本實用新型反應管的剖視圖；
[0015]圖2為設有圖1反應管的硅芯生長爐的剖視圖。
[0016]圖中:
[0017]10、反應管；11、管體；13、端部；110、卡槽；20、硅芯生長爐；21、底座；22、保溫爐；23、襯板；24、第一限位板；25、第二限位板；26、進氣口 ；27、出氣口 ；28、發熱體；29、限位孔。
【具體實施方式】
[0018]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0019]如圖1所示，該反應管10用于設于一硅芯生長爐20內，包括一管體11及設于該管體11頂端的端部13。該反應管10為氮化硅管。
[0020]該管體11的橫截面為“U”字形，其底部為封閉狀態，頂部為開口狀態。該管體11的內徑由上向下各處均相等。該管體11底端的外周面上設有一卡槽110，用以固定卡設反應管10。
[0021]該端部13連接設于管體11的頂部，其為漏斗狀結構，即端部13的內徑由其頂端向其底端逐漸縮小，其底端的內徑與管體11的內徑相同。
[0022]該反應管10內還可設有一層氮化硅涂層，以便于后續反應管10于硅芯的分離。
[0023]在制備硅芯過程中，需向反應管10內放置硅料，所放置的硅料除放滿管體11內外還設于端部13內，在反應管10于硅芯生長爐20內反應時，硅料于反應管10內熔化成液體而體積變小，該端部13內的硅料彌補于管體11內，最終使熔化成液態的硅料完全處于管體11內，從而防止反應管10內娃料不足而影響產品的問題。
[0024]如圖2所示，該硅芯生長爐20包括底座21、設于該底座21上的保溫爐22、設于該保溫爐22內的襯板23、第一限位板24、第二限位板25及設于第一限位板24與第二限位板25上的反應管10。
[0025]所述保溫爐22為采用保溫層做成中空狀的腔體結構，其頂端設有一進氣口 26，側壁于靠近其底端位置設有一出氣口 27。該保溫爐22的內壁在豎直方向設有多個排列且彼此相互獨立的發熱體28。所述襯板23水平設于保溫爐22的底部。所述第一限位板24與第二限位板25相互平行間隔設于保溫爐22中部，該第一限位板24與第二限位板25的兩側與保溫爐22的爐體內壁相連接，該第一限位板24與第二限位板25上分別對應設有若干限位孔29，所述限位孔29內用于固定反應管10，使得反應管10處于豎直狀態并使其底部抵靠與襯板23上，也可通過卡槽110卡設于襯板23內。該娃芯生長爐20可一次生產較多數量的硅芯，從而提高硅芯的制備效率，且硅芯的制備過程簡單，不會造成硅料的浪費。
[0026]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種反應管，用于設于一硅芯生長爐內，其特征在于:該反應管為氮化硅管，其包括一管體及設于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態，頂部為開口狀態，所述端部連接設于管體的頂部，且為漏斗狀結構。2.如權利要求1所述的反應管，其特征在于:所述反應管內還可設有一層氮化硅涂層。3.如權利要求1所述的反應管，其特征在于:所述端部的內徑由其頂端向其底端逐漸縮小，且底端的內徑與管體的內徑相同，所述管體的內徑由上向下各處均相等。4.一種硅芯生長爐，包括底座、設于該底座上的保溫爐及設于該保溫爐內的反應管，該保溫爐上分別設有進氣口及出氣口，其特征在于:該反應管為權利要求1至3中任何一項所述的反應管。5.如權利要求4所述的硅芯生長爐，其特征在于:所述保溫爐內由下向上依次設有襯板、第一限位板及第二限位板，所述第一限位板與第二限位板上分別對應設有若干限位孔，所述反應管依次穿設于第一限位板與第二限位板的限位孔內，并使其底端抵靠于襯板上。6.如權利要求4所述的硅芯生長爐，其特征在于:所述保溫爐內壁在豎直方向排列有多個且彼此相互獨立的發熱體。
【專利摘要】本實用新型提出了一種反應管，用于設于一硅芯生長爐內，該反應管為氮化硅管，其包括一管體及設于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態，頂部為開口狀態，所述端部連接設于管體的頂部，且為漏斗狀結構。本實用新型中反應管，由于其端部的設置，所放置的硅料除放滿管體內外還設于端部內，硅料于管體內熔化成液體而體積變小，該端部內的硅料彌補于管體內，最終使熔化成液態的硅料完全處于管體內，從而防止管體內硅料不足而影響產品的問題。
【IPC分類】C30B29/06, C30B28/14
【公開號】CN204625833
【申請號】CN201520197397
【發明人】李剛
【申請人】新德隆特種陶瓷（大連）有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年4月2日