。
[0111] 圖4為本發明實施例1的巧晶鋪設的俯視圖；圖5為本發明實施例1的巧晶鋪設的側 視圖；從圖4和圖5中可W看出，相鄰兩個巧晶4之間W及巧晶與相蝸內壁之間留有縫隙，石 英陶瓷條5填充在縫隙中，石英陶瓷條5和巧晶4緊密接觸鋪滿相蝸底部得到巧晶層。
[0112] 實施例2:
[0113] -種巧晶的鋪設方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0114] 提供內徑寬為796mm的相蝸，按照5X5的方式在相蝸底部鋪設長方體巧晶，巧晶的 長寬為152 X 152mm，巧晶的厚度為20mm，相鄰兩個巧晶之間留有4mm寬的縫隙，在縫隙中填 充導熱系數小于巧晶導熱系數的石英陶瓷條;石英陶瓷條為長寬為152X4mm和156X4mm， 厚度為20mm的長方體，相蝸內壁和巧晶之間的縫隙也填充有四條石英陶瓷條，每條石英陶 瓷條為IOmm寬度，長度和相蝸內徑相適應，厚度為20mm。石英陶瓷條表面均涂覆有氮化娃涂 層，石英陶瓷條和巧晶緊密接觸鋪滿相蝸底部得到巧晶層；
[0115] 相蝸底部設有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散熱板上對應巧晶縫隙的位置W及巧 晶與相蝸內壁的縫隙設有凹槽，凹槽的寬為40mm、深為25mm，凹槽中填充有石墨拉保溫材 料。凹槽的寬度大于巧晶的縫隙寬度，且凹槽中線與巧晶的縫隙中線重合。
[0116] 圖6為本發明實施例2的石墨散熱板上的凹槽俯視示意圖；圖7為本發明實施例2的 巧晶鋪設的側視圖。從圖6和圖7中可W看出，石墨散熱板6上設有凹槽7,凹槽7中填充有石 墨拉保溫材料，凹槽7的寬度大于巧晶4的縫隙寬度，且凹槽7中線與巧晶4的縫隙中線重合。
[0117] 實施例3:
[0118] -種巧晶的鋪設方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0119] 在內徑寬為796mm的相蝸底部按照5X5的方式鋪設長方體單晶娃塊，25個娃塊的 長、寬、厚度分別為140X 140 X20mm，相鄰兩個娃塊之間W及娃塊與相蝸壁之間留有縫隙， 縫隙的寬度為16mm，在縫隙中填充陶瓷石英條，石英陶瓷條為長、寬、厚度為156X16X20mm 或140X16X20mm的長方體，石英陶瓷條表面均涂覆有氮化娃涂層，石英陶瓷條和娃塊緊密 接觸鋪滿相蝸底部得到非巧晶層；
[0120] 然后再在非巧晶層上按照5X5的方式鋪設巧晶，中間9個巧晶長、寬、厚度分別為 153 X 153 X 20mm，靠相蝸壁的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 153 X 20mm，靠相蝸角的巧 晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 162.5 X 20mm，巧晶之間的縫隙寬度為3mm，在巧晶之間的縫 隙中填充細碎娃料，顆粒大小范圍為〇.2-3mm，娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶的縫隙寬度， 且娃塊之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合。
[0121] 圖8為本發明實施例3的巧晶鋪設的俯視圖，圖9為本發明實施例3的巧晶鋪設方法 的側視圖。從圖8和圖9中可W看出，圖8a為非巧晶層100的鋪設俯視圖，娃塊8之間W及娃塊 與相蝸內壁之間留有縫隙，縫隙中填充有陶瓷石英條9,圖8b為巧晶層200的鋪設俯視圖，圖 中虛線框中為中間的9塊巧晶，靠相蝸壁的巧晶用101表示，靠相蝸角的巧晶用102表示，巧 晶10之間留有縫隙，縫隙中填充有細碎娃料11。從圖9中可W看出，先在相蝸底部鋪設非巧 晶層100,然后再在非巧晶層100上設置巧晶層200,非巧晶層100娃塊之間的縫隙寬度大于 巧晶層200巧晶的縫隙寬度，且娃塊之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合。
[0122] 實施例4:
[0123] -種巧晶的鋪設方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0124] 在內徑寬為796mm的相蝸底部按照5X5的方式鋪設長方體單晶娃塊，25個娃塊的 長、寬、厚度分別為140X 140 X20mm，相鄰兩個娃塊之間W及娃塊與相蝸壁之間留有縫隙， 縫隙的寬度為16mm，在縫隙中填充陶瓷石英條，石英陶瓷條為長、寬、厚度為156X16X20mm 或140 X 16 X 20的長方體，石英陶瓷條表面均涂覆有氮化娃涂層，石英陶瓷條和娃塊緊密接 觸鋪滿相蝸底部得到非巧晶層；
[0125] 然后再在非巧晶層上鋪設巧晶，中間的9個巧晶長、寬、厚度分別為153 X 153 X 20mm，靠相蝸壁的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 153 X 20mm，靠相蝸的角的巧晶的長、 寬、厚度分別為162.5 X 162.5 X 20mm，巧晶之間的縫隙寬度為3mm，在巧晶之間的縫隙中填 充細碎娃料，顆粒大小范圍為〇.2-3mm，娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶的縫隙寬度，且娃塊 之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合；
[0126] 相蝸底部設有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散熱板上對應非巧晶層娃塊之間的縫 隙的位置設有凹槽，凹槽的寬為40mm、深為25mm，凹槽中填充有石墨拉保溫材料。凹槽的寬 度大于娃塊之間的縫隙寬度，且凹槽中線與非巧晶層娃塊之間的縫隙中線重合。
[0127] 實施例5:
[0128] -種巧晶的鋪設方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0129] 在內徑寬為796mm的相蝸底部按照5X5的方式鋪設一層長方體單晶娃塊，中間的9 個娃塊的長、寬、厚度分別為120 X 120 X 20mm，靠相蝸壁的娃塊的長、寬、厚度分別為146 X 120 X 20mm，靠相蝸角的娃塊的長、寬、厚度分別為146 X 146 X 20mm，相鄰兩個娃塊之間留有 縫隙，縫隙的寬度為36mm，在縫隙中填充細碎娃料，顆粒大小范圍為0.2-3mm，細碎娃料和娃 塊緊密接觸鋪滿相蝸底部得到第一娃塊層；
[0130] 在第一娃塊層上按照5X5的方式鋪設一層長方體單晶娃塊，中間9塊娃塊的長、 寬、厚度分別為128 X 128 X 20mm，靠相蝸壁的娃塊的長、寬、厚度分別為150 X 128 X 20mm，靠 相蝸角的娃塊的長、寬、厚度分別為150X150X20mm，相鄰兩個娃塊之間留有縫隙，縫隙的 寬度為28mm，在縫隙中填充細碎娃料，顆粒大小范圍為0.2-3mm，細碎娃料和娃塊緊密接觸 鋪滿相蝸底部得到第二娃塊層；
[0131] 然后在第二娃塊層上按照5X5的方式鋪設再鋪設一層長方體單晶娃塊，中間的9 個娃塊的長、寬、厚度分別為136 X 136 X 20mm，靠相蝸壁的娃塊的長、寬、厚度分別為154 X 136 X 20mm，靠相蝸角的娃塊的長、寬、厚度分別為154 X 154 X 20mm，相鄰兩個娃塊之間留有 縫隙，縫隙的寬度為20mm，得到第=娃塊層；
[0132] 第一娃塊層、第二娃塊層和第=娃塊層構成非巧晶層；
[0133] 然后再在非巧晶層上按照5X5的方式鋪設巧晶，中間的9個巧晶長、寬、厚度分別 為153 X 153 X 20mm，靠相蝸壁的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 153 X 20mm，靠相蝸的角 的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 162.5 X 20mm，巧晶之間的縫隙寬度為3mm，在巧晶之間 的縫隙中填充細碎娃料，顆粒大小范圍為〇.2-3mm，娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶的縫隙寬 度，且娃塊之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合；
[0134] 相蝸底部設有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散熱板上對應非巧晶層娃塊之間的縫 隙的位置設有凹槽，凹槽的寬為40mm、深為25mm，凹槽中填充有石墨拉保溫材料。凹槽的寬 度大于娃塊之間的縫隙寬度，且凹槽中線與非巧晶層娃塊之間的縫隙中線重合。
[0135] 實施例6:
[0136] -種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0137] (1)按照實施例1的方法鋪設巧晶，
[0138] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時，調節熱場形成過冷狀態，使娃烙體在巧晶層基礎上 開始長晶；
[0139] (3)待全部娃烙體結晶完后，經退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0140] 將類單晶娃錠依次經過切片和清洗制備得到類單晶娃片。本發明實施例制得的類 單晶娃片的位錯較少，少子壽命高，類單晶一級片的比率達到70% W上，位錯少;利用本發 明類單晶娃片制得的太陽能電池片的轉換效率比普通的類單晶娃片制得的電池效率提高 0.2%W 上。
[0141] 實施例7:
[0142] -種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0143] (1)按照實施例2的方法鋪設巧晶，
[0144] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時，調節熱場形成過冷狀態，使娃烙體在巧晶層基礎上 開始長晶；
[0145] (3)待全部娃烙體結晶完后，經退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0146] 圖10為本發明實施例7的鑄錠爐的熱場模擬示意圖；從圖10中可W看出，在長晶過 程中，巧晶縫隙處散熱較慢