一種單晶SiC及其制作方法
【專利說明】
所屬技術領域
[0001]本發明涉及一種單晶SiC及其制作方法，尤其是有完整單晶結構特性，可以用作面材、薄膜、線材的以單晶SiC為主、復合而成，或者純單晶SiC組成的單晶SiC及其制作方法。
【背景技術】
[0002]目前，公知的單晶SiC都為外延生長法制作，設備昂貴，條件苛刻，造成其成本高昂，產量嚴格受限；只能一次成型，缺陷無法補償，質量不易控制；晶圓尺寸受多種因素限制，很難做大。
【發明內容】
[0003]為了克服現有的單晶SiC的不足，本發明提供一種單晶SiC及其制作方法，該單晶有完整單晶結構特性，以單晶SiC為主、復合而成，或者純單晶SiC組成，設備簡單，不需要特別條件，成本低、產量大；可二次補償，缺陷容易控制，質量成品率高；晶圓尺寸不受限制，可以做大。
[0004]本發明解決其技術問題所采用的技術方案:其制作方法由二步組成:網格狀、集束狀、薄膜狀的單晶SiC復合體生成與二次補償單晶SiC生成。第一步制作網格狀、集束、薄膜狀的單晶SiC復合體，將SiC的前驅體正硅酸乙酯與蔗糖，作為硅源與碳源，以表面活性劑PVP，作為軟模板，也可以ΑΑ0、纖維薄膜模具等作為硬模板，加入溶劑，通過以定向附著生長(oreinted attachment)原理,在碳纖維、碳纖維前驅體纖維、導電金屬線、箱、其他纖維、薄膜面材模板等基材上形成網格狀、集束狀、薄膜狀的單晶SiC、/或其復合體；第二步，將網格狀邊界溶解、或者高溫去除，再在前驅體正硅酸乙酯與蔗糖溶液中，溶劑熱法，以電誘導二次補償，填平網格孔隙、及缺陷，通過調整模板可以得到完整晶型單晶SiC纖維、片材、薄膜。二次補償也可不要，如模板適宜，直接第一步即可形成單晶。
[0005]本發明的有益效果是，該單晶有完整單晶結構特性，以單晶SiC為主、復合而成，或者純單晶SiC組成，設備簡單，不需要特別條件，成本低、產量大；可二次補償，缺陷容易控制，質量成品率高；晶圓尺寸不受限制，形狀、長度可控，可連續生成，適宜大批量生產。
【附圖說明】
[0006]下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。
[0007]圖1是本發明的原理流程圖。
[0008]圖2是第一個實施例的構造圖。
[0009]圖中1.第一步效果，2.第二步效果。
【具體實施方式】
[0010]在圖1中，第一步將SiC的前驅體正硅酸乙酯與蔗糖，作為硅源與碳源，以表面活性劑PVP，作為軟模板，也可以AAO、纖維薄膜模具等作為硬模板，加入溶劑，通過以定向附著生長(oreinted attachment)原理,在碳纖維、碳纖維前驅體纖維、導電金屬線、箱、其他纖維、薄膜面材模板等線、面基材上形成網格狀、集束狀、薄膜狀的單晶SiC、/或其復合體；第二步，將網格狀邊界溶解、或者高溫去除，再在前驅體正硅酸乙酯與蔗糖溶液中，溶劑熱法，以電誘導二次補償，填平網格孔隙、及缺陷，通過調整模板可以得到完整晶型單晶SiC纖維、片材、薄膜。二次補償也可不要，如模板適宜直接第一步即可形成單晶。
[0011]在圖2所示實施例中，第一步效果(I)與第二步效果(2)比較，單晶晶格完整度更好。
【主權項】
1.涉及一種單晶SiC及其制作方法，尤其是有完整單晶SiC結構特性，可以用作面材、薄膜、線材的以單晶SiC為主、復合而成，或者純單晶SiC組成的單晶及其制作方法，其制作方法由二步組成:網格狀、集束狀的單晶SiC復合體生成與二次補償單晶SiC生成，二次補償也可不要，如模板適宜直接第一步即可形成單晶， 其特征是:以定向附著生長(oreinted attachment)原理,形成網格狀、集束、薄膜狀的單晶SiC、或其復合體，具有完整SiC單晶結構特性。2.根據權利要求1所述的單晶SiC及其制作方法，其特征是:可加入二次補償，填平晶體網格孔隙、及缺陷，生成單晶SiC。3.根據權利要求1所述的單晶SiC及其制作方法，其特征是:可軟模板、也可纖維、薄膜類硬模板。4.根據權利要求1所述的單晶SiC及其制作方法，其特征是:可形成SiC單晶纖維、也可薄膜。
【專利摘要】一種單晶SiC及其制作方法，尤其是有完整單晶SiC結構特性，可以用作面材、薄膜、線材的以單晶SiC為主、復合而成，或者純單晶SiC組成的單晶及其制作方法，其制作方法由二步組成：網格狀、集束狀的單晶SiC復合體生成與二次補償單晶SiC生成。該單晶有完整單晶結構特性，以單晶SiC為主、復合而成，或者純單晶SiC組成，設備簡單，不需要特別條件，成本低、產量大；可二次補償，缺陷容易控制，質量成品率高；晶圓尺寸不受限制，長度可控，可連續生成，適宜大批量生產。
【IPC分類】C30B9/00, C30B29/36
【公開號】CN105568361
【申請號】CN201410523794
【發明人】段興
【申請人】段興
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月8日