硅片背面長多晶方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種硅片背面長多晶方法。
【背景技術】
[0002]半導體市場競爭的日趨激烈，降低能耗、節省成本、提升良率成為技術發展的核心。在現有技術中多晶硅薄膜生長裝置，包括石英晶舟，石英晶舟總長度121.45mm，包含50個容置槽，相鄰容置槽間距為2.38mm，表面性質光滑。這種晶舟的缺點之一是50個容置槽無法全部排片，會導致氣流無法順利從片與片之間的間隙通過；另一缺點是硅片與晶舟接觸部位在工藝過程中會粘結在一起，導致卸片的時候崩邊。因此需要針對以上2點問題進行針對性改善。
【發明內容】
[0003]本發明的目的之一是為了克服現有技術中的不足，提供可提高良率的硅片背面長多晶方法。
[0004]為實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現:
[0005]硅片背面長多晶方法，其特征在于，多片所述硅片放置于晶舟上，所述晶舟上設置有多個容置槽，每片硅片放置在一個容置槽內；所述容置槽內壁使用噴砂處理使其粗糙。
[0006]優選地是，所述容置槽內壁粗糙度為2-4 μ m。
[0007]優選地是，使用金剛砂粉體噴砂處理所述容置槽的內壁。
[0008]優選地是，所述金剛砂粉體的粒徑為220-260目。
[0009]優選地是，所述容置槽的間距為2_4mm。
[0010]優選地是，所述容置槽的間距為2.5-4.5mm。
[0011]本發明中的硅片背面長多晶方法，提高了產品良率，崩邊不良率由5%降至蘭1%。晶舟單爐產出提升40%。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發明中使用的晶舟結構示意圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結合附圖對本發明進行詳細的描述:
[0014]硅片背面長多晶方法，多片所述硅片放置于晶舟1上，所述晶舟1上設置有多個容置槽2，每片硅片放置在一個容置槽2內；所述容置槽2內壁使用噴砂處理使其粗糙。
[0015]使用金剛砂粉體噴砂處理所述容置槽2的內壁，使所述容置槽2內壁粗糙度為2-4 μ m。所述金剛砂粉體的粒徑為220-260目。所述容置槽2的間距為2_4mm，優選為3mm。所述容置槽的間距為2.5-4.5mm,優選為3.5_。
[0016]本發明中的實施例僅用于對本發明進行說明，并不構成對權利要求范圍的限制，本領域內技術人員可以想到的其他實質上等同的替代，均在本發明保護范圍內。
【主權項】
1.硅片背面長多晶方法，其特征在于，多片所述硅片放置于晶舟上，所述晶舟上設置有多個容置槽，每片硅片放置在一個容置槽內；所述容置槽內壁使用噴砂處理使其粗糙。2.根據權利要求1所述的硅片背面長多晶方法，其特征在于，所述容置槽內壁粗糙度為 2-4 μ m03.根據權利要求1所述的硅片背面長多晶方法，其特征在于，使用金剛砂粉體噴砂處理所述容置槽的內壁。4.根據權利要求3所述的硅片背面長多晶方法，其特征在于，所述金剛砂粉體的粒徑為 220-260 目。5.根據權利要求1所述的硅片背面長多晶方法，其特征在于，所述容置槽的間距為.2_4mm.6.根據權利要求5所述的硅片背面長多晶方法，其特征在于，所述容置槽的間距為.2.5-4.5mm η
【專利摘要】本發明公開了一種硅片背面長多晶方法，其特征在于，多片所述硅片放置于晶舟上，所述晶舟上設置有多個容置槽，每片硅片放置在一個容置槽內；所述容置槽內壁使用噴砂處理使其粗糙。本發明中的硅片背面長多晶方法，提高了產品良率，崩邊不良率由5％降至≦1％。晶舟單爐產出提升40％。
【IPC分類】H01L21/02, C30B28/12
【公開號】CN105316760
【申請號】CN201410370757
【發明人】江笠, 謝江華
【申請人】上海合晶硅材料有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2014年7月30日