專利名稱:摻雜劑均勻分布的固體攝像器及其制造方法
本發明一般地涉及固體攝像器。更具體地說，本發明涉及的固體攝像器包含一個所謂垂直溢漏型(V-OFD)的電荷耦合器件(CCD)，其過剩電荷通過其襯底漏出。本發明還涉及含有一個V-OFD電荷耦合器件CCD的固體攝像器的生產方法。
以CCD為基礎的固體攝像器近來已經發展起來并且已經投入使用。一般說來，以CCD為基礎的固體攝像器在半導襯底上包含多個以行和列排列的光敏元件。每個固體攝像器都有多個垂直移位寄存器和多個水平移位寄存器。具有一個CCD結構的垂直移位寄存器被安置在各列光敏元件的一側，其轉移部件則分別對應于相鄰的光敏元件，用以將電荷從光敏元件轉移到水平移位寄存器。水平移位寄存器中的電荷，作為表示沿一水平線所接收到的光的強度，通過一輸出電路輸出。
在該類型的固體攝像器中，按所接收到的光的強度在各光敏元件中產生的少數載流子被轉移到相應于垂直列的移位寄存器的對應轉移部件。在各移位寄存器中，少數載流子朝水平移位寄存器順序地轉移到相鄰的轉移部件，結果，如上所述，像素圖像信號按照各光敏元件的接收到的光強度序貫地通過各水平線水平移位寄存器的輸出電路輸出。
當光敏元件暴露在過強的光線時，就產生過剩載流子。載流子不受約束地由光敏元件傳導到移位寄存器。結果在攝得的圖像上產生“開花效應”(blooming)。為避免開花效應，就要有可能考慮出在各光敏元件的附近提供一個溢漏區的技術。然而，這樣做，就會因漏區占用面積而使像素的高密度布局和小型化幾乎難以實現。要解決上述問題，可以采用一種V-OFD型的固體攝像器。V-OFD型的固體攝像器無需在電路平面有溢漏區就可以使過剩流子漏入襯底或通過襯底漏出。
在所說提出的V-OFD型固體攝像器中，由于有井型層，就產生出從襯底主平面算起的預定深度處載流子的預定高度勢壘。因此，沿垂直軸方向進入襯底的泄漏載流子可以加以限制或控制。但在強光加到光敏元件時，由于產生了大量的載流子，過剩的載流子就溢出下降到勢壘電平，然后通過襯底流出。這種做法避免過剩載流子進入垂直移位寄存器。
但當這種V-OFD型固體攝像器是由切克勞斯基技術(此后稱為“CZ法”)生長的n型硅單晶體得到的n型硅單晶襯底制得時，往往會產生一種固定的條狀噪聲圖。此外，由于晶體位錯等所造成的缺陷，也往往出現白點。
固定的條狀噪聲出現的原因，是由于為生長n型硅單晶體所需的n型摻雜雜質，例如磷，的非均勻分布引起的。這種濃度的不均勻度可達5%。這種非均勻度的濃度間距可長達60至400微米。這種條狀的濃度非均勻度稱為“條紋”是由晶體生長時固液界面周圍的環境或條件波動所引起的。其主要因素被認為是，在晶體生長或固化期間，由于晶體生長率的波動，或由于溫度變化或從熔體分凝出n型摻雜劑引起硅熔體里的對流，使得從容納液態熔體的石英坩堝的內周緣抽出的硼(B)和氧(O)數量變化的結果。
在450℃或更高的溫度下熱處理后，Si襯底中的氧被激活得有如一個施主，之后由于Si襯底的熱處理，它有抑制位錯增加數量的效用;即它起“吸收”位錯核的作用。
近來，還有一種方法，它與日本專利第二次(審查)公布(特許公報)昭和第58-50951號所公開的晶體生長技術的發展一起提出了在磁場中進行晶體生長。上述驗明的日本專利第二次公布中所公開的改進CZ法，此后將稱為“MCZ法”根據MCZ法，由于抑制了對流能使晶體在穩定的條件下生長，而且還能夠穩定地和容易地控制從坩堝抽出的氧(O)或硼(B)的數量。
然而，即使在這個MCZ法中，出現在實際生長晶體的熔體里的n型摻雜劑的數量，也由于分凝的效應而不易保持在一固定的濃度。此外，熔體中n型摻雜劑的濃度，也會在晶體生長的始末間改變，這就使得在相應于開始生長晶體的頂部和相應于生長末了的晶體底部之間有一個n型雜質濃度梯度存在。
因此，本發明的一個主要目的是要提供一種固體攝像器，它能可靠地防止n型雜質的非均勻分布，并防止引起上述的缺陷。
本發明的另一個目的是要獲得一種適用在固體攝像器的n型Si襯底，該襯底有所需的高電阻率，并且不會因為有晶體缺陷而誘發固定型式的噪聲、低劣的圖像質量或其它有缺陷的產品。
為了要完成上述的和其它的目的，根據本發明的一種固體攝像器的制造方法，用中子輻射P型Si圓片的原子嬗變法使部分的組成元素Si變成n型雜質磷(P)，從而將襯底改變為n型，并且產生了電阻率ρs為10至100歐姆-厘米，或者最好是40至60歐姆-厘米的Si襯底。于是，用所得的Si襯底制造上面提出的具有多個光敏器件和有多個垂直及水平移位寄存器的一種固體攝像器。
在所提出的工序中，例如用上述的中子輻射到從MCZ法生長所得的晶體切割下來的圓片上，直到襯底具有所需的電阻率ρs為止，這樣就可得硅襯底。這種硅襯底在中子輻射前最好是P型的，即在晶體生長狀態中，其電阻率ρo比隨后用中子輻射所得的電阻率ρs高出10或10倍以上(100歐姆-厘米或更大的數值)例如，如所需電阻率ρs是40至50歐姆-厘米，則原來的電阻率ρo應為680至1180歐姆-厘米。于是，n型雜質，例如磷(P)，用中子照射法產生出來，使硅襯底轉變為低電阻率ρs＝10至100歐姆-厘米或40至50歐姆-厘米的n型襯底。
此外，如上所述，在制造高電阻率(100歐姆-厘米或更大的數值)的Si晶體，在MCZ法中有可能用非摻雜的Si熔體。這種非摻雜的Si熔體有可能使其獲得P型的高電阻率晶體，因為從石英坩堝來的P型雜質，特別是可熔的硼(B)將隨即混合。
在這Si晶體中，即，在Si襯底中的氧濃度是2×1017至1.2×1018原子/厘米3。在用MCZ法生長晶體期間，根據所加磁場的強度、坩堝旋轉的速率、拉晶機器的旋轉速率等等條件，選定待從石英坩堝抽出的氧量，就可以確定氧的濃度。
以離子注入或擴散法將P型雜質引進主平面以形成一個P型勢井層;一個P型溝道截止區;在需要處的一個相似P型井區;以及用離子注入或擴散法在P型勢井里制取n型區光敏器件以形成光敏器部件和垂直及水平移位寄存器;在這個硅襯底上就形成固體攝像元件。
就如上已描述過的那樣，在本發明中，因為有預定電阻率ρs的n型硅襯底可以用中子輻射形成，原始的電阻率ρo可以是高值的，這便能防止n型雜質在晶體生長期間和熔體混合。因此，可以防止前述的雜質分凝引起的摻雜劑的非均勻分布。此外，又因n型磷(P)原子是由中子輻射Si襯底而產生的，有可能選擇中子的均勻輻射量而可靠地獲得精確度高的所需濃度的n型襯底。因此，根據這樣形成起來的本發明的固體攝像器，就可以按設計可靠地呈現出勢壘效應而無摻雜劑的非均勻分布，從而不會出現固定的條件狀噪聲圖。
此外，因為硅襯底的電阻率ρs要設計成10至100歐姆-厘米，這就可能制造出現有高質量圖像又無開花或例如白點缺陷的固體攝像器。更具體地說，如果ρs小于10歐姆-厘米，硅襯底本身的n型雜質濃度可能太高，使得與溢出有關的勢壘會太靠近硅襯底的表面1a，因此，光敏部件就不可能積累足夠多的信號電荷。另一方面，如果ρs超過100歐姆-厘米，硅襯底中的氧在制造固體攝像器期間就會被熱處理激活，使得器件的特性會因改變成施主狀態而受到影響。
在本發明中，硅襯底中的氧濃度設計成相當高的數值，如高達2×1017至1.2×1018原子/厘米3。這使氧可以對晶體位錯核有一個吸收效應。結果是，有可能制得既有良好特性又無白點的固體攝像器。
在本發明中，特別是生長的晶體主體仍保持P型，而P型襯底則被中子輻射而轉變成n型。因此，由于中子的輻射量可以在很大的范圍加以控制，故在強度可以精確控制的范圍內進行輻射。即有可能通過精確地設定ρs值來制造一個具有既穩定又均勻的特性器件。
根據本發明的一個方面，一種固體攝像器的生產方法包括下列步驟從非摻雜硅熔體生長一種有相當高電阻率的P型硅單晶;
從硅單晶形成硅圓片，并用中子輻射到硅圓片以形成電阻率小于硅單晶電阻率的n型硅襯底;以及在襯底上形成有多個光敏元件和移位寄存器的固體攝像器。
非摻雜硅熔體裝在用加熱器加熱石英坩堝里，硅單晶則從非摻雜硅熔體拉制出來。坩堝包含的硼在硅單晶生長過程熔進非摻雜硅熔體以形成P型硅單晶。生長P型硅單晶的步驟包括控制硼在硅熔體的熔化率和硅熔體中的氧濃度。
在所提出的工序中，硼和氧的熔化率的控制，是通過在坩堝周圍形成一個強度受控的磁場來進行的。硅熔體中硼的熔化率和氧濃度還通過調整坩堝的轉速來進行控制。
實際上P型硅圓片具有較100歐姆-厘米為高的電阻率。硅襯底的電阻率在10-100歐姆-厘米的范圍內。P型硅單晶的電阻率最好在680-1180歐姆-厘米的范圍內，而硅襯底的電阻率則在40-50歐姆-厘米的范圍內。
用中子輻射的步驟在硅襯底中形成磷的均勻分布。
根據本發明的另一方法，硅襯底的生產方法包括下列步驟在石英制成的旋轉坩堝里裝進非摻雜的硅熔體;
在坩堝周圍形成一個磁場;
在一預定速率下控制坩堝的旋轉速率;
提拉硅熔體使之固化以形成P型硅單晶;
從硅單晶形成硅圓片;以及在硅圓片上輻射中子以獲得n型硅襯底。
坩堝的轉速要控制得使硅單晶的電阻率大于100歐姆-厘米，而氧濃度要在2×1017至2×1018原子/厘米3的范圍內。
根據本發明的其它方面，固體攝像器包括一個用中子輻射而從硅單晶形成的n型硅襯底，多個在襯底上形成的光敏元件，一個用來轉移在各光敏元件產生的電荷的轉移裝置，以及一個漏出裝置，用來漏出為響應輻射到光敏元件上的過強光而產生的過剩載流子。
從下面所給的詳細敘述和從本發明最佳實施例的附圖會更全面地了解本發明。這個實施例不應拿來將本發明限制在具體實施例，而只是為了解釋和理解而已。
在附圖中圖1是根據本發明一個固體攝像器例子的說明圖;
圖2是通過其主要部份的橫載面放大圖;
圖3沿圖2A-A線取得的電勢圖;
圖4是用以實現MCZ法的硅單晶生長裝置的橫載面圖;以及圖5是出現在先有技術的固體攝像器中的條狀噪聲圖。
現參看附圖1和2來說明一種以CCD為基礎的典型固體攝像器或固體成像器的結構。圖1是攝像器電路的配置圖。圖中的固體攝像器是由多個排成行和列的光敏部件1制成的。各光敏部件1分別在共同的硅襯底上組成一個像素。CCD結構的垂直移位寄存器2放置在光敏部件1各列的一側。CCD結構的公共水平移位寄存器3則放置在所有移位寄存器2的一端。每個垂直移位寄存器2都有轉移部件2a，各對應于一個相鄰的光敏器件1。按照檢測出的光量在各光敏器件1處產生的少數載流子被傳移到相應于各垂直到的移位寄存器2的相應轉移部件2a。在各移位寄存器2的少數載流子朝水平移位寄存器3序貫地轉移到相鄰的轉移部件2a。因此，根據在各光敏部件1處所檢測出的光量的像素信號序貫地從各水平線的水平移位寄存器3的一個輸出電路的輸出端t輸出。
在上述固體攝像器中，當光敏部件1被強光輻射時，就產生過剩的載流子，這些載流子從光敏部件1無約束地傳導至移位寄存器2，故導致開花效應。為要防止這個開花效應，在各光敏部件1的附近提供一個溢漏區2b，溢漏區2b的形成，通過固體攝像器基本部分的橫截面圖中示出。在圖2中，P型井層5在n型硅襯底4的主平面4a上用離子注入法或擴散技術形成。n型區的光敏部件1在面向主平面4a上用離子注入法或擴散法有選擇地形成。參考數字6表示主平面4a中的溝道截止區，它將移位寄存器2和3和光敏器件1分開。如果有必要，P型井區7可以在移位寄存器2中有選擇地形成，而構成移位寄存器2中的轉移部件8的n型區則可以在面向主平面4a的區7上形成。
圖3是光敏部件1在厚度方向的載流子的電勢分布。由于有P型井層5，因而產生了一個從主平面4a算起的預定深度處的載流子的預定勢壘高度h，故可以限制載流子沿垂直方向進入襯底的泄漏。但在強光加到光敏部件1的情況下，產生了大量的載流子，因為勢壘高度h的限制是近似的，故該電平處的剩余載流子將越過這個勢壘進入襯底釋放出來，從而避免了剩余載流子進入移位寄存器2。
按上面提出的在以V-OFD型CCD為基礎的生產固體攝像器中，用MCZ技術生長P型硅單晶。在用MCZ法生長P型硅單晶的過程中，硅單晶中的氧濃度是由調整承受著硅熔體的坩堝周圍所產生的磁場來控制的。
圖4是實現MCZ法用的裝置。在圖4中，硅單晶生長裝置31有一個盛著熔融硅33的石英坩堝，晶體40就是從該處生長。這個坩堝32以可調轉速圍繞其中心軸旋轉。加熱裝置34則環繞這個坩堝32。這個加熱裝置34可以是一個圓柱狀的電加熱器35。加熱裝置外是圓柱狀的絕熱體，或按需要是用水冷的冷卻套36。在冷卻套外面則是一個由永久磁鐵或電磁鐵制成的直流磁場發生裝置37。數字38表示硅單晶籽晶;39表示拉動夾頭。當拉動夾頭圍繞坩堝的旋轉軸旋轉時，它將硅單晶籽晶38拉起。
加到加熱裝置34的電源是紋波為4%或更小的直流電流，或是1千赫茲或更高頻率的交流或脈動電流。已經證明這類電流能有效地防止加熱裝置34和磁場間的不必要的共振。
以一預定速率將單晶硅的籽晶拉離熔融的硅表面，以便誘發硅單晶40的生長。此時改變坩堝32的轉速，也特別會改變成品單晶40中的氧濃度。其理由如下坩堝中的熔融硅具有一個因使用磁場而增加的有效粘度，且熔融硅相對于坩堝旋轉而旋轉，結果產生了熔融硅33和坩堝32內壁之間的磨擦接觸。于是，坩堝32壁，具體地說是石英壁中的氧，溶在熔融硅33中。由于隨著增加磨擦接觸而增加氧的溶解，所以使生長晶體40中的氧濃度也增加，亦即隨相對于熔融硅33的坩堝轉速的增加而增加。曾經加以肯定的是，如坩堝的轉速足夠高，當有施加磁場時，可以在晶體中獲得比不施加磁場時高的氧濃度。
如上所述，在所用的硅單晶中，最好像硅襯底一樣有高的氧濃度，以便得到更顯著的吸收效應。采用比普通在常規CZ法下有較高的硅單晶生長率，就可能做到這一點。例如，硅單晶生長率最好高過或等于1.2毫米/分，最好是1.5毫米/分至2.1毫米/分。
眾所周知，在CZ法中，假定單晶和硅熔體間的固-液界面是平坦的，且在單晶中無徑向溫度梯度，則單晶的最大生長率Vmax可以如下式表達Vmax＝ (k)/(h·ρ) ·( (dT)/(dx) )式中k表示單晶的熱傳導率，h表示固化熱，ρ表示密度， (dT)/(dx) 表示固-液界面處固相(單晶)中的溫度梯度。具體地說，X表示沿單晶橫軸的距離。在上述表達式中，因k、h和ρ都是材料的固有性質，這就需要增加溫度梯度 (dT)/(dx) 以獲得高的生長率Vmax。但在上述CZ法中，因單晶是從硅熔體的表面、坩堝的內壁和熱產生器的輻射加熱的，溫度梯度 (dT)/(dx) 的上述值不可避免地要受到限制，使得實際中的生長率都是比較小的。
從上述討論可以知道，可以通過熱產生器減少加到熔融硅的溫度，從而降低熔融硅的溫度，來加速硅單晶的生長率。根據斯蒂芬.玻耳茲曼定律，這樣做雖然會有一個正比的效應使溫度梯度降低，向單晶輻射的熱則會大大降低得使凈效應增加 (dT)/(dx) 。但是，用熱發生器來降低所產生的熱以取得較高生長率的做法，意味著熔融硅的表面將趨向固化，因為熔融硅的表面被暴露在氣態爐氣氛而被冷卻，這就限制了熔融硅能降到的程度。
所提出的硅單晶生長裝置的熱產生器要設計得能給熔融硅的表面供應足夠的熱量，以便將硅保持在液態。特別是，所提出的熱產生器的結構要設計得能給熔融硅的表面較表面外的硅體部分供應更多的熱量，這樣才允許熔融硅的溫度是在最小值。
在本發明中，硅晶體是從非摻雜的硅熔體中生長的。把這種硅熔體放進石英坩堝里;在垂直于拉制晶體的方向施加一直流磁場;并轉動坩堝或籽晶的支架和/或單晶拉制機構以生長單晶體。在生長期間，熔融體的粘度用施加的磁場加以控制，即控制對流。此外，通過控制磁場強的氧和硼的量，從而固定成品晶體的氧濃度和P型硅的電阻率ρo。
用該方法，得到了氧濃度為2×1017至1.2×1018原子/厘米3和電阻率為680至1180歐姆-厘米的P型硅晶體。這種晶體被切成薄圓片，然后借助于重水爐和輕水爐用中子輻射。結果，襯底4由P型襯底轉變成n型襯底，其電阻率ρs為40至50歐姆-厘米。
最后，通過在用上述方法得到的襯底4上面形成光敏部件1和移位寄存器2和3，以做出V-OFD型的固體攝像器。
在上述實施例中，單晶體是用MCZ法生長的。這樣做會有種種的優點;例如，可以準確地定出氧濃度，然而也可以用其它方法生長單晶。
如上所述，在本發明中，因為用中子輻射P型硅襯底而在其中產生n型的磷(P)雜質，使P型硅襯底轉變為n型襯底，故有可能防止以其它方法，即在晶體生長前加上n型雜質所引起的摻雜劑的非均勻分布，有可能增加中子輻射強度，有可能安全地控制操作，有可能提供均勻的特性，可靠地防止因晶體缺陷而引起的固定噪聲圖或白點的產生，并且有可能抑止位錯的產生，這最后一個是由于可以用精確的襯底電阻率ρs來控制氧濃度所產生的吸收效應的結果。因此，可以取得有很大實際優點的高品質的固體攝像器。
在用最佳實施例來公開本發明的同時，為了要更加易于理解本發明，應該認識到可在不偏離本發明的原則而用各種不同方法加以體現。因此，本發明顯然應包括一切可能的具體實施和包括對所示實施例的各種修改，這些實施例在不偏離本發明在附帶的權利要求
中所提出的原理就可以加以具體實施。
權利要求
1.一種生產固體攝像器的方法，其特征包括下列步驟從非摻雜硅熔體生長一種有相當高電阻率的P型硅單晶；從所說硅單晶形成一硅圓片，并用中子輻射至所說硅圓片上，以形成比所說硅單晶的電阻率小的n型硅襯底；以及在所說襯底上形成有多個光敏元件和移位寄存器的所說固體攝像器。
2.如權利要求
1中所提出的方法，其特征在于，所說的非摻雜硅熔體被盛在用加熱裝置加熱的石英坩堝里，而且所說硅單晶是從所說非摻雜硅熔體拉制得到的。
3.如權利要求
2中所提出的方法，其特征在于，在所說硅單晶生長過程期間，所說坩堝盛有熔進所說非摻雜硅熔體的硼，以形成所說P型硅單晶。
4.如權利要求
3中所提出的方法，其特征在于，生長所說P型硅單晶的所說生長步驟，包括控制在所說硅熔體中所說硼的熔化率和控制所說硅熔體中氧濃度的步驟。
5.如權利要求
4中所提出的方法，其特征在于，控制所說硼和氧的溶化率的步驟是通過控制環繞所說坩堝的磁場強度來進行的。
6.如權利要求
5中所提出的方法，其特征在于，在所說硅熔體中所說硼的熔化率和氧的濃度還通過調整所說坩堝的轉速來加以控制。
7.如權利要求
1中所提出的方法，其特征在于，所說P型硅圓片有一個高于100歐姆-厘米的電阻率。
8.如權利要求
7中所提出的方法，其特征在于，所說硅襯底的電阻率是在10歐姆-厘米至100歐姆-厘米的范圍內。
9.如權利要求
8中所提出的方法，其特征在于，所說P型硅單晶的所說電阻率最好在680歐姆-厘米至1180歐姆-厘米的范圍內，而且所說硅襯底的電阻率在40歐姆-厘米至50歐姆-厘米的范圍內。
10.如權利要求
1中所提出的方法，其特征在于，用中子輻射的所說步驟在所說硅襯底中形成均勻分布的磷。
11.一種生產硅襯底的方法，其特征包括以下步驟在石英制成的可旋轉坩堝中裝入一種非摻雜的硅熔體;圍繞所說坩堝形成一磁場;將所說坩堝的轉速控制在預定的速率;提拉所說硅熔體，使之固化以形成P型硅單晶;從所說硅單晶形成硅圓片;以及將中子輻射到所說硅圓片上以獲得n型硅襯底。
12.如權利要求
11中所提出的方法，其特征在于，所說坩堝的轉速要調整得能控制所說硅單晶的電阻率大于100歐姆-厘米。
13.如權利要求
12中所提出的方法，其特征在于，所說坩堝的轉速要調整得能控制氧的濃度在2×1017至2×1018原子/厘米3范圍內的。
14.如權利要求
13中所提出的方法，其特征在于，用中子輻射到所說硅圓片上而得到的所說n型硅襯底有一個10歐姆-厘米至100歐姆-厘米的電阻率。
15.如權利要求
11中所提出的方法，其特征在于，在所說硅單晶生長步驟中，盛在所說石英坩堝里的硼熔入所說硅熔體而作為P型雜質。
16.如權利要求
15中所提出的方法，其特征在于，調整所說坩堝的轉速以控制熔入所說硅熔體的硼的數量。
17.如權利要求
16中所提出的方法，其特征在于，調整所說坩堝的轉速以控制熔入所說硅熔體的硼的數量，使得硅單晶具有一個大于100歐姆-厘米的電阻率。
18.如權利要求
17中所提出的方法，其特征在于，所說硅單晶的電阻率最好在680歐姆-厘米至1180歐姆-厘米的范圍內。
19.如權利要求
17中所提出的方法，其特征在于，用中子輻射到所說硅圓片上而得到的所說硅襯底具有10歐姆-厘米至100歐姆-厘米范圍的電阻率。
20.如權利要求
18中所提出的方法，其特征在于，用中子輻射到所說硅圓片上而得到的所說硅襯底具有40歐姆-厘米至50歐姆-厘米范圍的電阻率。
21.如權利要求
11中所提出的方法，其特征在于，在所說用中子輻射的步驟中，在所說硅圓片中形成磷以制出n型硅襯底。
22.一種固體攝像器，其特征包括用中子輻射法從硅單晶形成n型硅襯底在所說襯底形成多個光敏元件;一種將各所說光敏元件中產生的電荷轉移的電荷轉移裝置;以及一種將反應輻射到光敏元件上的強光而產生的過剩載流子漏出的漏出裝置。
23.如權利要求
22中所提出的固體攝像器，其特征在于，所說n型硅襯底具有一個在10歐姆-厘米至100歐姆-厘米范圍內的電阻率。
24.如權利要求
23中所提出的固體攝像器，其特征在于，所說n型硅襯底含有的氧濃度為2×1017至2×1018原子/厘米3。
25.如權利要求
24中的提出的固體攝像器，其特征在于，所說n型硅襯底是用中子輻射法從P型硅單晶形成的，并在硅單晶中產生n型雜質。
專利摘要
一種固體攝像器的制造方法，通過中子輻射P型硅Si圓片的原子嬗變法，將部分的組成元素Si改變成n型雜質磷P，從而將襯底改變為n型，并產生一個電阻率ρ
文檔編號C30B15/30GK86107824SQ86107824
公開日1987年6月3日 申請日期1986年11月12日
發明者加藤彌三郎, 鈴木利彥, 伊沢伸幸, 神戶秀夫, 浜崎正治 申請人:索尼公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan