本技術涉及電氣元件生產裝置,尤其涉及一種半導體異質結構納米線的生長裝置。
背景技術:
1、一維納米線由于其對晶格失配的耐受度高和柔性等特性而優于體材料。半導體納米線可用于光電探測器、雪崩光電二極管、發光二極管、激光器、太陽能電池、生物傳感器、單光子源和其它領域,并已引起廣泛關注。然而,可用于半導體器件的具有復雜異質結構的高質量納米線的生長通常需要使用昂貴的設備,例如mbe(分子束外延)和mocvd(金屬有機化學氣相沉積)。這限制了納米線的廣泛實用化和民用進展。此外,mbe和mocvd設備中的源材料通常是固定的,不同的材料系統不能混合。這不利于結合不同材料系統的半導體異質結器件的研究。
2、通過簡單的cvd(化學氣相沉積)生長納米線,設備便宜,并且可以使用多種不同的源材料進行組合生長。到目前為止,許多研究人員已經研究了采用cvd進行不同種類納米線的生長。然而,cvd法生長的納米線的晶體質量普遍不高。用這種方法很難生長高質量的納米線異質結構,如pn結、pin和apd(雪崩光電二極管)。
3、造成這種困難的主要原因是:傳統的cvd沒有可以在生長過程中切換各種源材料的部件,不能生長復雜的異質結構。
技術實現思路
1、本實用新型的目的在于提供一種半導體異質結構納米線的生長裝置,旨在解決傳統的cvd沒有可以在生長過程中切換各種源材料的部件,不能生長復雜的異質結構的問題。本裝置不僅可以應用于納米線的生長,也可以用于cvd生長其它維度的材料,如二維材料和體材料。
2、為實現上述目的,第一方面,本實用新型提供了一種半導體異質結構納米線生長裝置,包括反應腔體石英管、切換機構和源機構;
3、所述切換機構包括把手、第二磁鐵、第一磁鐵、連接桿和掛鉤,所述第二磁鐵設置于所述反應腔體石英管內,所述第一磁鐵設置于所述反應腔體石英管外,所述把手與所述第一磁鐵固定連接,并位于遠離所述第二磁鐵的一側,所述連接桿與所述第二磁鐵固定連接,并位于所述第二磁鐵外側壁,所述掛鉤與所述連接桿固定連接,并位于遠離所述第二磁鐵的一側;
4、所述源機構包括石英細管、多孔石英支架、金屬環和石英舟,所述多孔石英支架設置于所述反應腔體石英管內,所述石英細管設置于所述多孔石英支架內側壁,并貫穿所述多孔石英支架,所述金屬環與所述石英細管固定連接,并位于靠近所述掛鉤的一側,所述石英舟設置于所述石英細管的一側。
5、其中,所述掛鉤為c形。
6、其中,所述金屬環為高純相材料。
7、第二方面,本實用新型提供了一種半導體異質結構納米線,所述半導體異質結構納米線為包含pn結構、pin結構和apd結構的inp納米線。
8、本實用新型的一種半導體異質結構納米線生長裝置,首先通過所述把手帶動所述第一磁鐵在所述反應腔體外壁上移動,使得所述第一磁鐵帶動吸附的所述第二磁鐵移動,所述第二磁鐵通過所述連接桿帶動所述掛鉤靠近對應的所述金屬環,根據所述石英細管上的所述金屬環上的角度,通過轉動所述把手帶動所述第一磁鐵轉動,使得所述第一磁鐵通過磁場帶動所述第二磁鐵在所述反應腔體石英管內轉動,改變所述掛鉤的角度,使得所述掛鉤與所述金屬環垂直,并將所述金屬環勾住,此時可通過所述把手對被勾住的所述金屬環上的所述石英細管進行位置調整,以實現源材料的切換,解決了傳統的cvd沒有可以在生長過程中切換各種源材料的部件,不能生長復雜的異質結構的問題。
1.一種半導體異質結構納米線的生長裝置,其特征在于,
2.如權利要求1所述的一種半導體異質結構納米線的生長裝置,其特征在于,
3.如權利要求2所述的一種半導體異質結構納米線的生長裝置,其特征在于,