本發明涉及單晶硅生產領域，特別是一種太陽能電池用單晶硅制備方法。
背景技術：
在生產太陽能電池片過程中，為了提高太陽能電池的性能和效率，需要在硅片表面制作絨面，有效的絨面結構可以使得入射陽光在硅片表面進行多次反射和折射，改變入射光在硅中的前進方向。
目前，常規太陽能電池生產的工藝流程為表面預清洗、制絨去除損傷層并形成減反射的絨面結構，化學清洗并干燥；通過液態源擴散的方法在硅片表面各點形成均勻摻雜的pn結，去除擴散過程中形成的周邊pn結合表面磷硅玻璃；表面沉積鈍化和減反射膜；制作太陽電池的背面電極、表面電場合正面電極；燒結形成歐姆接觸，從而完成整個電池片的制作過程。
技術實現要素：
本發明需要解決的技術問題是提供一種可以降低硅片表面反射率的單晶硅制備方法。
為解決上述的技術問題，本發明的一種太陽能電池用單晶硅制備方法，其特征在于，包括以下步驟，
物料準備，將多晶硅和摻雜劑置入單晶爐內的石英坩堝中；
熔化，當裝料結束關閉單晶爐門后，抽真空使單晶爐內保持在一定的壓力范圍內，驅動石墨加熱系統的電源，加熱至1400-1530℃，使多晶硅和摻雜物熔化；
引晶，當多晶硅熔融體溫度穩定后，將籽晶慢慢下降進入硅熔融體中，然后具有一定轉速的籽晶按一定速度向上提升，使籽晶與硅熔體的固液交接面之間的硅熔融體冷卻成固態的硅單晶；
縮徑，使用無位錯單晶作籽晶浸入溶體后，引晶后生長一段“細頸”單晶，并加快提拉速度；
等徑生長，在放肩后當晶體直徑達到工藝要求直徑的目標值時，再通過逐漸提高晶體的提升速度及溫度的調整，使晶體生長進入等直徑生長階段。
進一步的，所述步驟等徑生長后還包括步驟收尾，具體如下：
收尾，防止位錯的反延。
采用上述方法后，本發明的太陽能電池用單晶硅制備方法，在采用由同一坩堝中的原料熔體進行縮徑和等徑生產，可以有效的減少單晶硅的位錯的產生；另外，進行收尾工作，進一步的防止位錯的反延。
具體實施方式
本發明的一種太陽能電池用單晶硅制備方法，其特征在于，包括以下步驟，
物料準備，將多晶硅和摻雜劑置入單晶爐內的石英坩堝中；
熔化，當裝料結束關閉單晶爐門后，抽真空使單晶爐內保持在一定的壓力范圍內，驅動石墨加熱系統的電源，加熱至1400-1530℃，使多晶硅和摻雜物熔化；
引晶，當多晶硅熔融體溫度穩定后，將籽晶慢慢下降進入硅熔融體中，然后具有一定轉速的籽晶按一定速度向上提升，使籽晶與硅熔體的固液交接面之間的硅熔融體冷卻成固態的硅單晶；
縮徑，使用無位錯單晶作籽晶浸入溶體后，引晶后生長一段“細頸”單晶，并加快提拉速度；
等徑生長，在放肩后當晶體直徑達到工藝要求直徑的目標值時，再通過逐漸提高晶體的提升速度及溫度的調整，使晶體生長進入等直徑生長階段。
進一步的，所述步驟等徑生長后還包括步驟收尾，具體如下：
收尾，防止位錯的反延。
雖然以上描述了本發明的具體實施方式，但是本領域熟練技術人員應當理解，這些僅是舉例說明，可以對本實施方式作出多種變更或修改，而不背離發明的原理和實質，本發明的保護范圍僅由所附權利要求書限定。