本發明涉及tft-lcd技術領域,具體涉及一種tft-lcd玻璃基板薄化后處理方法。
背景技術:
液晶顯示器是目前廣泛使用的平板顯示器(fpd)之一,具有功耗低、外形薄、重量輕等特征。隨著lcd技術的發展,為了應對各類液晶顯示器薄型化的發展趨勢,高世代生產線相繼投入到薄型化產品的生產中。其中單片玻璃的厚度從流行的0.7t、0.63t逐步薄化為0.5t、0.4t甚至0.3t以下的玻璃基板生產的產品都已得到了生產。
液晶玻璃基板目前主要采用化學薄化的辦法,其主要特點是薄化時間短,生產產量較大,工藝簡單;目前所有的薄化廠家都是直接使用氫氟酸或者添加其它的有機活性劑進行蝕刻。液晶玻璃基板薄化后其表面均會有一定程度的不良,如凹點、劃痕等,這樣就必須對其表面進行物理研磨,以降低或消除部分不良,使得研磨時間增加,生產效率低。
技術實現要素:
本發明旨在提供了一種tft-lcd玻璃基板薄化后處理方法。
本發明提供如下技術方案:
一種tft-lcd玻璃基板薄化后處理方法,包括以下步驟:
(1)向一密閉、耐酸的容器中依次加入硫酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸及純水配制成預處理酸液,預處理酸液中質量分數分別為硫酸:32%~65%、鹽酸:12%~18%、硝酸:10%~15%、氫氟酸:0.9%~5%、純水:14%~32%;
(2)將tft-lcd玻璃基板置于預處理酸液中,預處理酸液液位控制在tft-lcd玻璃基板最上方的5cm以上,預處理時間以基板雙面處理量25μm~100μm的條件下控制在10min~200min內;
(3)預處理完成后的液晶玻璃基板置于純水中進行清洗,純水鼓泡流量維持在40l/h~200l/h范圍內,清洗時間控制在3min~10min;
(4)將上述清洗完成后的預處理基板轉投入有薄化酸液的設備內,直到基板薄化至目標厚度管控范圍內。
所述步驟(2)中預處理時間以液晶玻璃基板雙面處理量25μm~100μm的條件下控制在10min~200min內。
所述步驟(4)中目標厚度范圍為0.8-1.2mm。
所述步驟(4)中純水中的電阻率為90ω·m。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明本發明可以明顯改善液晶玻璃基板薄化后表面不良效果,使基板表面的凹點以及線狀劃痕得到一定程度的抑制,其深度及尺寸均有明顯的降低;本發明對液晶玻璃基板的研磨效率有明顯的提高,在相同研磨條件下,經預處理正常薄化后的液晶玻璃基板相對于未做預處理直接薄化后的液晶玻璃基板,其研磨時間可減少50%~80%,甚至部分預處理薄化后的液晶玻璃基板不用對其進行研磨就可達到標準。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
實施例1一種tft-lcd玻璃基板薄化后處理方法,包括以下步驟:
(1)向一密閉、耐酸的容器中依次加入硫酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸及純水配制成預處理酸液,預處理酸液中質量分數分別為硫酸:32%~65%、鹽酸:12%~18%、硝酸:10%~15%、氫氟酸:0.9%~5%、純水:14%~32%;
(2)將tft-lcd玻璃基板置于預處理酸液中,預處理酸液液位控制在tft-lcd玻璃基板最上方的5cm以上,預處理時間以基板雙面處理量25μm~100μm的條件下控制在10min~200min內;
(3)預處理完成后的液晶玻璃基板置于純水中進行清洗,純水鼓泡流量維持在40l/h~200l/h范圍內,清洗時間控制在3min~10min;
(4)將上述清洗完成后的預處理基板轉投入有薄化酸液的設備內,直到基板薄化至目標厚度管控范圍內。
所述步驟(2)中預處理時間以液晶玻璃基板雙面處理量25μm~100μm的條件下控制在10min~200min內。
所述步驟(4)中目標厚度范圍為0.8-1.2mm。
所述步驟(4)中純水中的電阻率為90ω·m。
對于本領域技術人員而言,顯然本發明不限于所述示范性實施例的細節,而且在不背離本發明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現本發明。因此,無論從哪一點來看,均應將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發明的范圍由所附權利要求而不是所述說明限定,因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發明內。此外,應當理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領域技術人員應當將說明書作為一個整體,各實施例中的技術方案也可以經適當組合,形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。