用于監測和控制硅棒溫度的方法和系統的制作方法
【專利摘要】本發明公開了用于監測和控制硅棒溫度的系統和方法。一個示例是在化學氣相沉積（CVD）過程期間監測CVD反應器中的至少一個硅棒的表面溫度的方法。該方法包括捕獲CVD反應器的內部的圖像。該圖像包括硅棒。掃描該圖像以識別硅棒的左邊緣和硅棒的右邊緣。識別在左邊緣和右邊緣中間的目標區域。確定目標區域中的硅棒的溫度。
【專利說明】用于監測和控制硅棒溫度的方法和系統
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2011年7月13日提交的美國臨時申請N0.61/507，405的優先權，該申請的全部公開內容通過引用全部結合在本文中。
【技術領域】[0003]本文公開的內容總地涉及用于監控硅棒溫度的系統和方法，較具體地，涉及基于數字圖像分析監控硅棒表面溫度的系統和方法。
【背景技術】
[0004]用在電子和太陽能工業中的超純多晶硅通常是通過在反應器中進行的化學氣相沉積(CVD)過程由氣態反應物的沉積生成的。
[0005]—種用于在CVD反應器中生產超純多晶娃的方法被稱為Siemens方法。設置在反應器中的硅棒用作開始該方法的籽晶。氣態的含硅反應物流經反應器并且使硅沉積在棒的表面上。該氣態反應物(即，氣態前體)包括鹵化娃，例如與合適的載氣(通常為氫氣)混合的三氯氫硅。因為三氯氫硅是動力學穩定的，所以CVD過程很慢，而且通常利用較高溫度，以允許產生沉積。利用大于1000°C的硅棒表面溫度并非是不常見的。在這些條件下，氣體反應物在硅棒的表面上分解。因此，硅根據下面的總反應式沉積在硅棒上:
[0006]SiHCl3+H2 — Si+3HC1
[0007]在硅棒生長至期望的直徑后，停止該過程。然后從CVD反應器中抽出硅棒，并從該硅棒上獲取硅以進行下一步處理。
[0008]在CVD過程期間，通常需要控制硅棒的表面溫度。如果表面溫度太高，可能會產生過多的硅屑。如果表面溫度太低，沉積可能會較慢或者甚至可能不發生。
[0009]Siemens方法利用焦耳熱來獲得期望的表面溫度。將電能轉換為熱能以加熱硅棒。通過電源向反應器提供電流，該電源調整供給每個硅棒的電壓，以控制電流強度，并且因而控制硅棒的溫度。
[0010]然而，在沉積過程中，反應器的功率需求不是恒定的。當硅棒的表面積增加時，離開硅棒的熱通量隨著沉積時間而增加。因此，不斷調整通過硅棒的電流，以保持期望的硅棒表面溫度。
[0011]至少一種已知的控制硅棒溫度的方法利用了高溫計來監測硅棒表面溫度。當監測到的溫度偏離期望的設定值時，調整電流強度以試圖使硅棒表面溫度回到期望的設定值。高溫計通常根據普朗克輻射定律，基于在特定波長或波長范圍發出的輻射的強度確定硅棒上的目標點的溫度。
[0012]然而，高溫計必須被正確地校準并且瞄準合適的目標，該目標優選地為所關注的硅棒的光滑的同質點。此外，利用高溫計監測硅棒表面溫度產生了其他困難。這些困難包括局部熱點或冷點的存在、高溫計未瞄準目標、以及硅棒移出目標區域等等。
[0013]此【背景技術】部分旨在向讀者介紹可能與下面將描述和/或要求保護的本申請的各方面相關的本領域的各方面。此部分內容有助于向讀者提供背景信息，以便于他們更好地理解本申請的各個方面。因此，應該理解的是，應該基于這種考慮來閱讀這些內容，而不能將其視為對現有技術的認可。
【發明內容】
[0014]本發明的一個方面是一種在化學氣相沉積(CVD)過程期間監測CVD反應器中的至少一個硅棒的表面溫度的方法。該方法包括捕獲CVD反應器內部的圖像。該圖像包括硅棒。該方法包括掃描該圖像以識別硅棒的左邊緣和硅棒的右邊緣、識別在左邊緣和右邊緣中間的目標區域以及確定目標區域中的硅棒的溫度。
[0015]本發明的另一方面是一種系統，該系統包括:包含內部的化學氣相沉積(CVD)反應器、聯接在該CVD反應器的內部的多個硅棒、定位成捕獲CVD反應器的內部和所述多個硅棒中的其中一個硅棒的圖像的成像裝置、以及控制器。該控制器構造成掃描圖像以識別硅棒的左邊緣和硅棒的右邊緣、識別在左邊緣和右邊緣中間的目標區域并確定目標區域中的硅棒的溫度。
[0016]與上述各方面相關的特征包含各種改進。上述各方面中也可以結合其他特征。這些改進和附加特征可以單獨存在或者以任意組合存在。例如，下面關于任何示出的實施例所討論的各種特征都可以單獨地或以任意組合結合在任意上述方面中。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1為包括電源和反應器的示例性系統的框圖；
[0018]圖2為圖1的系統的成像裝置的視場的示意圖，該視場包括硅棒；
[0019]圖3為當硅棒已相對于成像裝置移動時圖2中示出的視場；
[0020]圖4為當硅棒尺寸已增加時圖2中示出的視場；
[0021]圖5為圖1的系統的成像裝置的視場的示意圖，該視場包括兩個在該視場內重疊的硅棒；以及
[0022]圖6為圖1的系統的成像裝置的視場的示意圖，該視場包括兩個硅棒。
[0023]各視圖中同樣的參考標號表示相同的元件。
【具體實施方式】
[0024]本文中描述的實施例總地涉及用于監測和控制多晶硅反應器中的溫度的系統和方法。較具體地，本文描述的實施例涉及利用數字圖像分析監測和控制硅棒表面溫度。
[0025]圖1中示出了整體由參考標號100表示的根據本發明的示例性系統的框圖。系統100包括具有多個硅棒組104的反應器102。電源106聯接到反應器102上。更具體地，電源106聯接到硅棒組104上。電源106包括控制器108和記憶裝置110。成像裝置116例如經由視鏡(未示出)聯接到反應器102上，以使硅棒組104的一個或多個硅棒成像，并向控制器108提供圖像數據。
[0026]在一些實施例中，反應器102為化學氣相沉積(CVD)反應器。更具體地，在一些實施例中，反應器102為Siemens反應器。在其他實施例中，反應器102可以是任何其他合適的多晶硅反應器。[0027]在所示實施例中，每個娃棒組104都包括一對串聯連接的娃棒112。在其他實施例中，硅棒組104可以包括任何數目的串聯連接的硅棒112 (不管是成對還是非成對連接)。在一些實施例中，每個硅棒組104都包括6個串聯連接的硅棒112。控制通過串聯連接的硅棒112 (B卩，通過每個硅棒組104)的電流以控制硅棒112的表面溫度。系統100可以包括任何合適數目的硅棒112，但是，這些硅棒是成一定構型和/或成組的。例如，系統100可以包括12、18、36、48、54或84個硅棒。
[0028]在該示例性實施例中，電源106包括多個功率轉換器114。每個功率轉換器114被聯接為向不同的硅棒組104輸出功率。在其他實施例中，電源106可以包括聯接到硅棒組104中的兩組或更多組(在一些實施例中，包括所有硅棒組104)的單個功率轉換器114。在一些實施例中，電源106可以使用一個或多個具有相位控制的可控硅整流器，以調整向一個或多個娃棒組104的輸出電流。在一些實施例中，電源106可以包括具有可調直流輸出的換流器，以控制向一個或多個硅棒組104的輸出電流。功率轉換器114可以具有任何合適的拓撲結構，包括例如降壓、升壓、反激、正向、全橋或其組合。
[0029]控制器108可以為模擬控制器、數字控制器或者模擬和數字控制器/組件的組合。在控制器108為數字控制器的實施例中，控制器108可以包括處理器、計算器等。雖然圖1中示出的控制器108在電源106內，但是控制器108可以另外地或者可選地位于電源106的外部。例如，所述由控制器108執行的功能可以全部或部分由單獨的控制器執行，例如系統控制器。
[0030]記憶裝置110為能夠使諸如可執行指令之類的信息和/或其他數據被存儲和檢索的一個或多個裝置。記憶裝置110可以包括一個或多個計算機可讀介質，例如但不限于，動態隨機存取存儲器(DRAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、固態盤和/或硬盤。記憶裝置110可以構造為存儲計算機可執行指令、算法、結果和/或任何其他類型的數據，但不限于此。在一些實施例中，記憶裝置110集成在控制器108中。在其他實施例中，記憶裝置位于控制器108和/或電源106的外部。`
[0031]在該示例性實施例中，成像裝置116為配置有電荷耦合器件(CXD)傳感器的數碼相機。成像裝置116用于測量從硅棒112發出的輻射的強度，這在下文將進行詳細說明。因此，成像裝置116可以是構造為感應可見光譜范圍內的波長的任何傳感器，例如，包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)成像裝置。在另一些實施例中，成像裝置116可以是可操作成感應不同波長的光學裝置，例如，包括紅外波長、紫外線波長等。在該示例性實施例中，成像裝置116為面掃描相機。在其他實施例中，成像裝置可以為線性相機。面掃描相機聚焦在通常為矩形的二維目標上，該目標的尺寸是可以自定義的。在包括線性相機的實施例中，目標通常為長度可變的線。
[0032]控制器108包括信號分析器118，其將成像裝置116監測到的輻射強度轉換成溫度值。雖然是作為控制器108的一部分示出的，但是信號分析器118可以結合在單獨的控制器(例如，系統控制器、獨立控制器、相機控制器等)中，和/或可以結合在成像裝置116中。此外，在系統100中可以利用任何數目的合適的信號分析器118。信號分析器118可以包括用于數字圖像分析的任何合適的商業軟件包，或者可以包括定制設計的算法和/或軟件。在該示例性實施例中，信號分析器118通過比較成像裝置116針對一個或多個硅棒112的光譜響應與成像裝置116針對已知溫度下的電磁輻射的參考源的光譜響應，將從成像裝置116接收的輻射強度的信號轉換成溫度測量值。這種參考源可以是其溫度被準確監測的定標黑體。
[0033]該示例性實施例在不依靠高溫計的情況下監測和控制反應器102中的硅棒112組的表面溫度。作為替代，電源106使用反饋控制方案，該方案基于成像裝置116監測到的硅棒112發出的輻射。
[0034]在經由焦耳加熱開始并持續加熱到約980°C和約1200°C之間范圍內的溫度之前，將硅棒112安裝在反應器102中。硅棒112用作將電流消耗成熱能的電阻。通過反饋控制方案調整電流強度，以保持期望的溫度設定值。
[0035]在最初安裝到反應器102中時，硅棒112 (也稱作“硅芯”)通常具有呈方形或矩形的橫截面，該橫截面的特征尺寸在約5毫米至約15毫米之間。在其他實施例中，硅棒可以具有中空圓柱形或長板條形狀。這些初始的硅芯用作開始沉積過程的萌芽(germ)。根據多種參數，包括反應器102內的氣體的流體動力學和硅棒112的幾何形狀，硅棒112趨于在幾毫米至幾厘米的范圍內振蕩。該振蕩通常是由反應器102內的氣體施加在硅棒112表面上的剪切應力引起的。這種振蕩可以導致由例如高溫計瞄準的固定的目標在一段時間內從硅棒112的表面脫離，直到硅棒112返回其靜止位置。振蕩運動一直持續，直到硅棒112的直徑增加、硅棒112的慣性增加和/或硅沉積在各硅棒112插入其中的石墨卡盤(未示出)的頂部。在一些實施例中，根據反應器102的操作參數和硅的沉積速率，瞬變的時間(transitory time),即，娃棒112振蕩的時間,可以持續若干小時。在娃棒112的運動停止之前，例如利用高溫計在固定的目標位置測到的溫度可能是不準確的，并且提供給反應器102的電功率可能不是最佳值。
[0036]成像系統100動態地識別硅棒112上的目標區域，而不使用固定目標。參考圖2，成像裝置116具有視場220。在此視圖和后面的視圖中，成像裝置116為具有矩形目標232的面掃描相機。在圖2中,其中一個娃棒112位于視場220內。利用本文所描述的成像裝置116和信號分析器118識別硅棒112及其周邊的溫度場。兩個重疊的矩形掃描區222和224被限定在視場220中，并且因此被限定在溫度場中，以便無論硅棒112如何運動，都將在掃描區222和224中的至少一個內發現硅棒112。
[0037]掃描區222和224的垂直位置主要由視鏡(未示出)的位置限定，在該視鏡位置處安裝有成像裝置116。在成像裝置116的視場內，所有可以在其中識別目標232的可能的垂直位置都是適合的。目標232的位置沿垂直線最多可以有大約幾厘米的變化，這通常不會影響溫度測量值的準確性。
[0038]每個掃描區222和224都分成較小的區域，稱為像素(未示出)。對于每個像素，測得的溫度是不變的。成像裝置116的像素數(也成為分辨率)可以確定根據本發明的溫度測量值的準確度。
[0039]為了測量硅棒112的溫度，檢查掃描區222和224以試圖定位硅棒112的垂直左邊緣226和垂直右邊緣228。將左邊緣226和右邊緣228中間的位置(即，左邊緣226和右邊緣228之間的大約一半處)確定為硅棒112的中心230。在目標區域232內確定硅棒112的表面溫度，該目標區域232以所確定的硅棒112的中心230為中心。因此，不管硅棒112如何運動，目標232都將保持與硅棒112的實際中心基本對準。雖然目標232在圖2中示出為矩形，但是目標232可以具有任何其他合適的形狀，包括例如圓形、卵形、方形、六邊形等。此外，左邊緣226和右邊緣228中間的位置被選定為靠近硅棒112的中心，并且無需正好在左邊緣226和右邊緣228之間的中點。
[0040]基于對掃描區222和224內的像素的溫度測量值來定位邊緣226和邊緣228。更具體地，通過識別從指示硅棒112周圍的區域的較低溫度到指示硅棒112的表面的較高溫度的轉變來確定邊緣226和邊緣228。溫度閾值可用于識別指示邊緣226和邊緣228的位置的轉變。溫度閾值可以是例如溫差、固定溫度閾值和/或可變溫度閾值。例如，可以通過識別大于一定閾值的溫差、通過在較高溫度超過第二閾值的情況下識別大于第一閾值的溫差、通過在較低溫度低于第二閾值的情況下識別大于第一閾值的溫差等手段來識別邊緣。
[0041]為了定位邊緣226和邊緣228，分析左掃描區222和右掃描區224中的像素。具體地，從左到右掃描左掃描區222。當發現從暗像素(代表低溫)到亮像素(代表較高溫度)的轉變時，已經定位了硅棒112的左邊緣226。針對右掃描區224重復該過程，但是從右到左掃描以識別右邊緣228。
[0042]一旦通過定位左和右邊緣226和228確立了硅棒112的空間界限，則將用于溫度測量的目標232的位置計算為邊緣226和228之間的中點，即中心230。
[0043]重復執行尋找硅棒112的邊緣226和228的這一過程，并且該過程適合以較高頻率執行。因此，計算目標232的位置，以便根據流動氣體施加的剪切應力所引起的硅棒112的運動定期調整該位置。通常，定位邊緣226和228的頻率越高，目標232可以更準確地放置在硅棒112的實際中心附近。在一些實施例中，以高于硅棒112的振蕩頻率的頻率重復該過程。在其他實施例中，每次檢查邊緣226和228間隔的時間可以是用于系統100中的硬件的能力范圍內的任何合適的時間間隔。
[0044]參考圖3，有時可能在掃描區222和224的其中一個中沒有檢測到轉變。當硅棒112的位置超出特定掃描區222或224的界限時可能發生這種情況。這尤其可能在CVD過程的早期發生，此時硅棒112易于發生大的偏移。在這種情況下，系統100使用最后的記錄位置作為未檢測到的邊緣。因此，在圖`3中，硅棒112的右邊緣228位于掃描區224的外部。當掃描所述掃描區222和224時，沒有檢測到右邊緣。因此，由最后的邊緣334指示的右邊緣228的最后記錄位置用于指示右邊緣228。因為最后的邊緣334沒有與右邊緣228對準，計算的中心230不是硅棒112的實際中心336。但是，中心230足以靠近實際中心336，使得目標232保持在硅棒112上并且離實際中心336較近。因此，即使在硅棒112的較大偏移期間，也可以獲得準確的溫度測量值。
[0045]如圖4所示，在發生充分沉積以后，硅棒112的直徑已增加，使得成像裝置116的幾乎整個視場220都被硅棒112的表面占據。更特別地，硅棒112完全填滿掃描區222和224。當這種狀態發生時，在掃描區222或224中都沒有觀察到從暗像素到亮像素的轉變。由于沒有檢測到邊緣，用最后的邊緣334指示左和右邊緣226和228的位置。因此，基于最后的邊緣334計算中心230和放置目標232。在這一階段，追蹤目標的位置不再是必需的，并且可以終止本文描述的追蹤。在該示例性實施例中，當在一百秒內沒有發現從亮像素到暗像素的轉變時，即，沒有發現邊緣時，目標232追蹤算法可以終止操作，并進入待機模式。在其他實施例中，沒有觀察到轉變的時間量可以是任何其他合適的時間長度。在另一些實施例中，即使沒有觀察到轉變，追蹤算法也繼續操作，而不會終止。
[0046]在具有可以在成像裝置116的視場220內重疊的硅棒的情況下，仍然可以使用本文所述的方法。為了定位期望的硅棒112的邊緣226和228，可能需要微調溫度閾值。如圖5所示，硅棒112與第二硅棒538在視場220內重疊。相比于例如具有單個硅棒112的視場220 (例如圖2-4)，在左邊緣226處從暗像素到亮像素的轉變被限制在更窄的范圍內。硅棒538通常定位成距離成像裝置116比硅棒112更遠。因此，測量到的硅棒538的溫度通常稍低于娃棒112的溫度。通過限定更接近前景(foreground)中的娃棒112的溫度的閾值，背景中的娃棒538可以被視為暗區域的一部分。因此,可以基于娃棒538和娃棒112之間的溫差檢測左邊緣226。
[0047]此外，本文描述的方法可用于監測一個成像裝置112的單個視場內的多個硅棒112的溫度，而不管這些硅棒重疊與否。圖6示出了成像裝置116的視場640，其中可以看到兩個未重疊的硅棒112。在該實施例中，如上所述地使用四個掃描區222和224，每個硅棒112使用一個左掃描區222和一個右掃描區224。因此，可以監測視場640內的兩個不同硅棒112的表面溫度。可以在一個視場內被監測的硅棒112的數目不限于兩個，可以通過單個成像裝置116監測更多或更少的硅棒112的溫度。如果硅棒112重疊，或者振蕩至出現重疊的程度，則可以對用于識別邊緣226和/或228的閾值進行如上所述的調整，以考慮在邊緣226和/或228處的觀察到的更小的溫差。此外，每個掃描區222和224可以使用相同或不同的閾值，并且用于每個硅棒112的掃描區222和224的閾值可以是相同或不同的。
[0048]系統100的附加的或可選的特征是量化正被監測的硅棒112的直徑的能力。當如上所述尋找目標時，計算硅棒112的邊緣226和228的位置。邊緣226和228之間的差提供了正被監測的特定硅棒112的直徑的測量值。
[0049]本文描述的基于圖像的系統以及監測和控制方法可以獲得比一些已知方法更優越的結果。例如，可 以通過更準確地定位娃棒和感應娃棒中心周圍的溫度來實現更準確的溫度監測。更準確的溫度測量可以改善對沉積過程的控制，從而在沉積速率和形態方面獲得提高的性能。此外，更準確的溫度測量可以導致能量消耗減少。而且，可以獲得硅棒的直徑的準確測量值。在任何給定時間了解硅棒的實際直徑可以改善對CVD過程的控制、提高能效和/或改善獲得的硅的品質。
[0050]一些實施例涉及使用一個或多個電子或計算裝置。這些裝置通常包括處理器或控制器，例如通用中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)、微控制器、精簡指令集計算機(RISC)處理器、特定應用集成電路(ASIC)、可編程邏輯電路(PLC)和/或任何其他能夠執行本文描述的功能的電路或處理器。本文描述的方法可以編碼為收錄在計算機可讀介質中的可執行指令，該介質包括但不限于存儲裝置和/或記憶裝置。這些指令在由處理器執行時會使處理器執行本文所述方法中的至少一部分。上述示例僅是示例性的，因而并非旨在以任何方式限制術語“處理器”的定義和/或含義。
[0051]當介紹本發明或本發明的實施例中的元件時，冠詞“一”、“該”和“所述”是指有一個或多個該元件。術語“包含”、“包括”和“具有”是指包含在內的，并且意味著除了列出的元件以外可以有其他元件。
[0052]由于可以在不偏離本發明的范圍的情況下對上文的方案進行各種改變，因此上文描述中包含的和附圖中示出的所有內容都應理解為示例性的，而非進行限制。
【權利要求】
1.一種在化學氣相沉積(CVD)過程期間監測CVD反應器中的至少一個硅棒的表面溫度的方法，所述方法包括: 捕獲CVD反應器的內部的圖像，所述圖像包括硅棒； 掃描所述圖像以識別所述硅棒的左邊緣和所述硅棒的右邊緣； 識別在所述左邊緣和所述右邊緣中間的目標區域；以及 確定所述目標區域中的所述硅棒的溫度。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述CVD反應器為Siemens反應器。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，捕獲圖像包括捕獲所述CVD反應器的內部的數字圖像。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，掃描圖像包括分析圖像的單獨的像素以發現從較低溫度到較高溫度的轉變。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，捕獲數字圖像包括捕獲所述CVD反應器內的可見波長輻射的數字圖像。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，確定目標區域中的硅棒的溫度包括比較在所述圖像中捕獲的硅棒的輻射強度與參考圖像的輻射強度。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 基于所確定的目標區域內的硅棒的溫度控制所述硅棒的表面溫度。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，控制表面溫度包括利用所確定的溫度作為給電源的反饋，該電源聯接為向所述硅棒提供電功率。
9.一種系統,包括: 包含內部的化學氣相沉積(CVD)反應器； 聯接在所述CVD反應器的內部的多個硅棒； 定位成捕獲所述CVD反應器的內部和所述多個硅棒中的至少一個硅棒的圖像的成像裝置； 控制器，所述控制器配置成: 掃描所述圖像以識別所述硅棒的左邊緣和所述硅棒的右邊緣； 識別在所識別的所述左邊緣和右邊緣中間的目標區域； 確定所述目標區域中的所述硅棒的溫度。
10.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述CVD反應器為Siemens反應器。
11.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述系統還包括聯接到硅棒的電源，所述電源向硅棒提供電功率以控制所述硅棒的溫度，其中，所述控制器還配置成利用所確定的溫度作為給電源的反饋。
12.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述成像裝置包括數字成像裝置。
13.根據權利要求12所述的系統，其特征在于，所述控制器配置成掃描所述圖像，以便通過分析所述圖像的單獨的像素來發現從較低溫度到較高溫度的轉變，從而識別所述硅棒的左邊緣和所述硅棒的右邊緣。
14.根據權利要求12所述的系統，其特征在于，所述數字成像裝置包括可見波長數字成像裝置。
15.根據權利要求14所述的系統，其特征在于，所述成像裝置包括電荷耦合器件(CXD)傳感器。
16.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述控制器配置成:通過比較在所述圖像中捕獲的所述硅棒的輻射強度與參考圖像的輻射強度，確定所述目標區域內的硅棒的溫度。
17.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述控制器配置成: 當所述控制器沒有識別到所述硅棒的左邊緣或右邊緣時，將先前識別的所述硅棒的左邊緣或右邊緣用作所述硅棒的被識別的左邊緣或右邊緣。
18.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述多個硅棒包括20個或更多的硅棒。
19.根據權利要求9所述的系統,其特征在于,所述多個娃棒包括54個娃棒。
20.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述控制器還配置為確定所述圖像中的娃棒的直徑。
【文檔編號】C01B33/035GK103814149SQ201280044407
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年7月11日 優先權日:2011年7月13日
【發明者】E·里貢 申請人:Memc電子材料有限公司