專利名稱：一種硅芯搭橋結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及多晶硅生產領域，尤其涉及一種硅芯搭橋結構。
背景技術：
目前，在西門子法生產多晶硅技術領域中，硅芯搭接技術是一項很重要的技術，主要應用與多晶生產過程中還原反應過程的環節，所述還原反應是在一個密閉的還原爐中進行，在還原爐中用硅芯搭接若干個閉合回路，每個閉合回路都是由兩根豎硅芯和一根橫硅芯組合而成，每一個閉合回路的兩個豎硅芯分別接在爐低上的兩個正負電極上，然后對硅芯加熱，加熱中一組搭接好的硅芯相當一個大電阻，向還原爐通入氫氣和三氯氫硅，進行還原反應，這樣，在硅芯表面上生成所需要的多晶硅。但是現有的硅芯搭接技術通常“u”、“v” 兩根豎硅芯和一根橫硅芯組合而成，不同的是u”、“v”形口搭接技術是在豎圓柱形硅芯的頂端開一個“U”、“v”形槽或者在豎方柱形硅芯頂端形成一定錐度的圓錐面，在橫方柱形橋芯二端鉆孔，將橋芯套入方柱形硅芯。綜上，現有的硅芯搭接技術存在如下缺陷1、兩根圓硅芯與橋芯接觸面不夠，往往僅僅為線接觸，造成接觸電阻相應較大，導致在通電導通的過程中需要較高的電壓，而硅芯在這個高電壓的情況下非常容易倒伏，影響了多晶硅的生產。2、二根方硅芯和一根橋芯的加工比較麻煩，需要采用高精度的數控磨床盒數控機床，導致生產效率不高。
實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種娃芯搭橋結構，通過第一豎娃芯和第二豎娃芯與橋芯，構成一個“ n ”形導電回路，且二者的接觸面較大，因而接觸電阻較小，有利于多晶硅氫還原的導通和提高生產效率。為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種硅芯搭橋結構，包括第一豎硅芯和第二豎硅芯，橫向搭接在第一豎硅芯和第二硅芯頂端上的橋芯，第一豎硅芯和第二豎硅芯的頂端切割有一預定角度的“V”形凹槽，橋芯的兩端切割有一預定角度的“V”形口，第一豎硅芯和第二豎硅芯頂端的“V”形凹槽和所述橋芯的兩端的“V”形口相適配。具體地，所述兩根豎硅芯頂端部的“V”形凹槽和所述橋芯的兩端的“V”形口相卡
口 o具體地，所述“V”形口中的切割角度和“V”形凹槽的切割角度是完全一致的。具體地，所述橋芯兩端的“V”形口的長度是相等的。具體地，所述橋芯中部未加工長度略小于還原爐電極中心距。具體地，所述橋芯的兩端的“V”形口位于第一豎硅芯和第二根豎硅芯頂端的“V”形凹槽中，“V”形口和“V”形凹槽完全適配。具體地，所述第一豎硅芯和第二豎硅芯的頂端的“V”形凹槽是縱向方向的。具體地，所述橋芯的兩端的“ V”形口是橫向方向的。[0013]由于硅芯頂端的“V”形凹槽和橋芯的兩端的“V”形口的切割角度是完全相同的，兩根豎硅芯頂端部的“V”形凹槽和所述橋芯的兩端的“V”形口相連接，第一豎硅芯和第二硅芯橫和搭接在所述兩根豎硅芯頂端上的橋芯構成了一個穩定的“ n ”形導電回路，故該“n”形導電回路中硅芯和橋芯是完全接觸的，接觸電阻比較小，解決了現有硅芯搭接技術中存在的硅芯和橋芯二者之間的接觸面不足，接觸電阻比較大以及需要采用高精度的數控磨床盒數控機床才能夠加工方硅芯和橋芯的缺陷。另外，加工本實用新型中硅芯頂端部的“V”形凹槽和橋芯的兩端的“V”形口所需的加工機床比較簡單，只需要一臺機床切割硅芯，一臺機床切割橋芯，加工效率較高，設備、人工成本均比較低，有利于工業推廣。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本實用新型實施例提供的硅芯搭橋結構的第一結構示意圖；圖2是本實用新型實施例提供的硅芯搭橋結構的第二結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請一并參閱圖I及圖2，本實用新型實施例提供的一種硅芯搭橋結構，包括第一豎硅芯12、第二豎硅芯11和橋芯10，所述橋芯10橫向搭接在所述第一豎硅芯12及第二豎硅芯11。第一豎硅芯12、第二豎硅芯11的頂端均切割有一預定角度的“V”形凹槽，“V”形凹槽是縱向方向的，橋芯10兩端切割有一預定角度的“V”形口，橋芯10的兩端的“V”形口是橫向方向的，“V”形口中的切割角度和“V”形凹槽的切割角度是完全一致的，故所述第一豎硅芯12、第二豎硅芯11頂端“V”形凹槽和橋芯10兩端的“V”形口相適配，第一豎硅芯12、第二豎硅芯11頂端的“V”形凹槽和所述橋芯10兩端的“V”形口相卡合。保證了第一豎硅芯12、第二豎硅芯11和橋芯10在組合安裝后，二者的接觸面積足夠大，形成全面接觸。由于切割硅芯“V”形凹槽和橋芯兩端的“V”形口的切割刀具采用了同一角度的切害I]刀具，其切割加工片的角度完全一致，故硅芯頂端切割的“V”形凹槽和橋芯的兩端切割的“V”形口的切割角度是完全相同的，這樣就保證了硅芯和橋芯在組合安裝后，二者的接觸面積足夠大，形成全面接觸，因而接觸電阻比較小，有利于多晶硅氫還原的導通和提高生產效率。橋芯10兩端的“V”形口的加工長度是相等的，中部未加工部分長度略小于還原爐 電極中心距，橋芯10的兩端的“V”形口是橫向方向的,第一豎娃芯12和第二豎娃芯11的頂端的“V”形凹槽是縱向方向的，橋芯10的兩端的“V”形口位于第一豎硅芯12和第二根豎硅芯11頂端的“V”形凹槽中，“V”形口和“V”形凹槽完全適配。[0021]第一豎硅芯12和第二硅芯11的頂端的“V”形凹槽和所述橋芯10的兩端的“V”形口相連接，第一豎娃芯12和第二娃芯11和橫向搭連在所述兩根豎娃芯頂端上的橋芯10構成了一個穩定的“ n ”形導電回路。硅芯頂端的“V”形凹槽和橋芯的兩端的“V”形口的切割角度是完全相同的，故該“n”形導電回路中硅芯和橋芯是完全接觸的，接觸電阻比較小，該設計結構有效提高改良西門子法多晶硅的氫還原生成。以上所揭露的僅為本實用新型一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本實用 新型之權利范圍，因此依本實用新型權利要求所作的等同變化，仍屬本實用新型所涵蓋的范圍。
權利要求1.一種硅芯搭橋結構，包括第一豎硅芯和第二豎硅芯，橫向搭接在所述第一豎硅芯和第二硅芯頂端上的橋芯，其特征在于，所述第一豎硅芯和第二豎硅芯的頂端切割有一預定角度的“V”形凹槽，所述橋芯的兩端切割有一預定角度的“V”形口，所述第一豎硅芯和第二豎硅芯頂端的“V”形凹槽和所述橋芯的兩端的“V”形口相適配。
2.如權利要求I所述的硅芯搭橋結構，其特征在于，所述兩根豎硅芯頂端的“V”形凹槽和所述橋芯的兩端的“ V”形口相卡合。
3.如權利要求2所述的硅芯搭橋結構，其特征在于，所述“V”形口中的切割角度和“V”形凹槽的切割角度是完全一致的。
4.如權利要求3所述的硅芯搭橋結構，其特征在于，所述橋芯兩端的“V”形口的長度是相等的。
5.如權利要求4所述的娃芯搭橋結構,其特征在于,所述橋芯中部未加工長度略小于還原爐電極中心距。
6.如權利要求5所述的硅芯搭橋結構，其特征在于，所述橋芯的兩端的“V”形口位于第一豎硅芯和第二根豎硅芯頂端的“V”形凹槽中，“V”形口和“V”形凹槽完全適配。
7.如權利要求6所述的娃芯搭橋結構,其特征在于,所述第一豎娃芯和第二豎娃芯的頂端的“ V ”形凹槽是縱向方向的。
8.如權利要求7所述的硅芯搭橋結構，其特征在于，所述橋芯的兩端的“V”形口是橫向方向的。
專利摘要本實用新型公開了一種硅芯搭橋結構，包括第一豎硅芯和第二豎硅芯，橫向搭接在第一豎硅芯和第二硅芯頂端上的橋芯，第一豎硅芯和第二豎硅芯的頂端切割有一預定角度的“V”形凹槽，橋芯的兩端切割有一預定角度的“V”形口，第一豎硅芯和第二豎硅芯頂端的“V”形凹槽和橋芯的兩端的“V”形口相適配。本實用新型提供一種硅芯搭橋結構，通過第一豎硅芯和第二豎硅芯與橋芯構成一個“Π”形導電回路，且二者的接觸面較大，因而接觸電阻較小，有利于多晶硅氫還原的導通和提高生產效率。
文檔編號C01B33/021GK202379744SQ20112056731
公開日2012年8月15日 申請日期2011年12月30日 優先權日2011年12月30日
發明者曹澤俊 申請人:江西賽維Ldk太陽能多晶硅有限公司