專利名稱：30對棒多晶硅還原爐的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種生產多晶硅用的還原爐，特別是一種以提高單爐的產量和降 低能耗為目的大對棒數多晶硅還原爐。
背景技術：
多晶硅還原爐是生產多晶硅原料的關鍵設備，同時又是一個高耗能的設備。因此， 還原爐的設計和制造，直接影響到產品的產量、質量和生產成本。隨著多晶硅市場的竟爭日 趨激烈，要求多晶硅生產必須做到充分利用生產資料，提高生產效率、降低生產成本。因此， 開發大對棒數還原爐為多晶硅生產企業提高產量、質量、節省投資顯得尤為重要。現有的多晶硅還原爐結構由底盤、爐體組成，爐子主體采用不銹鋼材料。底盤上設 置電極、進氣口和還原尾氣排氣口。從節能降耗、提高生產效率、降低生產成本考慮，其單爐 產量有待進一步提高。
發明內容本實用新型的目的是為了提高產品的產量和質量，對現有多晶硅還原爐底盤和爐 體的冷卻腔的結構和尺寸進行優化設計，設計一種提高多晶硅的產量和降低能耗，降低多 晶硅生產的成本的高產多晶硅還原爐。本實用新型的結構特點實現了上述設計目的。本實用新型是一種30對棒多晶硅 還原爐，由底盤和爐體構成，在爐體和底盤上設有冷卻水腔和冷卻水進水口和出水口，底盤 上配有電極、進氣口和排氣口，底盤與爐體采用緊固件連接，其特征在于還原爐內壁有一 層厚度為2-3mm的光滑的銀層，底盤上有30對用于生成硅棒的電極。上述設置的30對電極在底盤上分三圈在360°上均布內圈為5對電極，中圈為 10對電極，外圈為15對電極，逐圈增加5對；底盤上設有8個進氣噴嘴，分二圈分布內圈 和中圈電極之間相距180°設有2個進氣噴嘴，中圈和外圈電極之間在360°上均勻分布6 個進氣噴嘴，底盤中心設有還原尾氣的出氣口。為了滿足高產多晶硅還原爐的生產需要，多晶硅還原爐的爐體高度設置大于3.0 米。本實用新型由于采用了在爐子底盤上采用大對數電極、爐內壁設置光滑的銀層， 均勻設置多個進氣噴嘴，采取了增加爐體高度和直徑等措施，使多晶硅還原爐中反應時的 供料氣體分布更均勻，反應更充分，多晶硅棒數量更多，更長，直徑更大，從而顯著提高了反 應效率和單爐產量，單爐產量可達5-6噸；并利用銀的化學特性和良好的加工性，以及拋光 后的鏡面效果，在生產出純度更高的多晶硅產品的同時，大幅度降低了能耗，從而大大降低 了多晶硅的生產成本。
圖1是本30對棒多晶硅還原爐的結構示意圖。
3[0010]圖2是爐子底盤電極、進氣噴嘴和排氣口分布示意圖。實施例1如圖所示，本實用新型是一種高產30對棒多晶硅還原爐，由底盤9和爐體5構成， 底盤與爐體采用法蘭盤8連接。爐體5上設有冷卻水腔夾套7，底盤9上也設有冷卻水夾 套，夾套上設有冷卻水進出口。爐體上設有9個用于觀察和測量溫度的視孔4，分上、中、下 三層120°均布；還原爐內壁有一層光滑的銀層3，厚度2-3mm。底盤上設置有電極30對10， 在底盤上分三圈分布內圈為5對電極，中圈為10對電極，外圈為15對電極，逐圈增加5對 電極；爐子下部有進氣管道2與底盤上的8個進氣噴嘴11連通，8個進氣噴嘴在底盤上分 二圈分布內圈與中圈電極之間設有相距180°的2個進氣噴嘴，中圈和外圈電極之間均勻 分布6個進氣噴嘴；底盤中心設有還原尾氣的出氣口 1 ；多晶硅棒的高度設計為2500mm，， 生長直徑為150mm，因此，本30對棒多晶硅還原爐的爐體高度大于3. 0米。
權利要求1.30對棒多晶硅還原爐，包括底盤和爐體，在爐體和底盤上設有冷卻水腔和用于冷卻 水進出的進出口，底盤上配有電極、進氣口和排氣口，底盤與爐體采用緊固件連接，爐體上 設有用于觀察和測量溫度的視孔，其特征在于還原爐內壁有一層厚度為2-3mm的光滑的銀 層，底盤上有30對用于生成硅棒的電極。
2.根據權利要求1所述的30對棒多晶硅還原爐，其特征在于30對電極在底盤上分三 圈在360 °上均布，內圈為5對電極，中圈為10對電極，外圈為15對電極，底盤上設有8個進 氣噴嘴內圈和中圈電極之間相距180°設有2個進氣噴嘴，中圈和外圈電極之間在360° 上均勻分布6個進氣噴嘴，底盤中心設有還原尾氣的排氣口。
3.根據權利要求2所述的多晶硅還原爐，其特征在于多晶硅還原爐的爐體高度大于 3. 0 米。
專利摘要本30對棒多晶硅還原爐由于采用了在爐子底盤上采用大對數電極、還原爐內壁設置光滑的銀層，均勻設置多個進氣噴嘴，采取了增加爐體高度和直徑等措施，使多晶硅還原爐中反應時的供料氣體分布更均勻，反應更充分，多晶硅棒數量更多，更長，直徑更大，從而顯著提高了反應效率和單爐產量，使單爐產量提高到5-6噸；并利用銀的化學特性和良好的加工性，以及拋光后的鏡面效果，在生產出純度更高的多晶硅產品的同時，降低了能耗，從而大大降低了多晶硅的生產成本。
文檔編號C01B33/021GK201785198SQ201020215609
公開日2011年4月6日 申請日期2010年6月4日 優先權日2010年6月4日
發明者王姍 申請人:成都蜀菱科技發展有限公司