專利名稱：鑄錠邊皮和頭料的提純預處理法的制作方法
技術領域：
本發明涉及太陽能單晶硅的的生產技術領域。
背景技術：
拉制太陽能單晶硅的方法是通過輻射熱對多晶硅原料進行熔化，在石英 坩鍋中，通過轉動形成柱狀單晶硅，然后取出圓柱形單晶硅。由于在鑄錠中 生產邊皮和頭料雜質，這些產品的品質較差，不能直接用于單晶硅的拉拉制。 為了拉制合格的單晶硅，必須先進行提純。
發明內容
本發明目的在于發明一種對鑄錠中生產邊皮和頭料進行提純的預處理方法。
本發明包括以下步驟
1) 將分選好的材料用金剛砂輪磨去雜質點和粘附的石英；
2) 將鑄錠產生邊皮和頭料進行分選，按電阻率分類，分為0.1 0.2、 0.2 0.5、 0.5 3和3以上；
3) 將分選好的材料用酸進行酸洗浸泡，除去表面的雜質和石英；
4) 用去離子水沖洗，將材料表面的酸沖洗干凈；
5) 將材料裝于不銹鋼盒內放入烘箱烘干，待冷卻分別裝袋包裝。 通過以上工藝后，再將原料進行拉制提純、酸洗，才能去除鑄錠中生產
邊皮和頭料雜質，從而保障拉制的單晶硅的品質。
具體實施方式
一、材料預處理
1、將分選好的材料用金剛砂輪磨去雜質點和粘附的石英。
2、 將鑄錠產生邊皮和頭料進行分選，按電阻率分類，分為0.1 0.2、 0.2 0.5、 0.5 3和3以上。
3、 將分選好的材料用酸進行酸洗浸泡，除去表面的雜質和石英。
4、 用去離子水沖洗，將材料表面的酸沖洗干凈。
5、 將材料裝于不銹鋼盒內放入烘箱烘干，待冷卻分別裝袋包裝。
二、 拉制提純
1、 將預處理好的材料，按電阻率進行配比。
2、 按正常的拉棒程序進裝爐，抽空，加熱融化。
3、 保持1420。C 1460'C的高溫蒸發2 3個小時。
4、 進行引晶拉制，拉制時先把漂浮在液面的雜質提出，再拉制出多晶硅棒。
三、 酸洗除雜
1、 對拉制好的多晶硅棒進行型號電阻分類，要將硅棒表皮磨去檢測；如 有電阻率小于0.5切斷進行再提純。
2、 將檢測合格的硅棒按上面過程進行除雜質、破碎、酸洗、烘干、包裝。
雜質的具體方法是將表皮上的硬質點和邊皮上附著的石英用金剛砂輪磨掉。
酸洗的具體方法是用硝酸和氫氟酸以3: 1的體積比混合液浸泡2士0.2
小時，直至無石英雜質。
烘干的具體方法是將酸泡好的材料，用去離子水沖洗干凈；放入加溫
脫水機，保持150 20(TC進行脫水，材料表面沒有水漬后放入烘箱，在 20(TC條件下保持1 2小時，然后冷卻。
權利要求
1、鑄錠邊皮和頭料的提純預處理法，其特征在于包括以下步驟1)將分選好的材料用金剛砂輪磨去雜質點和粘附的石英；2)將鑄錠產生邊皮和頭料進行分選，按電阻率分類，分為0.1～0.2、0.2～0.5、0.5～3和3以上；3)將分選好的材料用酸進行酸洗浸泡，除去表面的雜質和石英；4)用去離子水沖洗，將材料表面的酸沖洗干凈；5)將材料裝于不銹鋼盒內放入烘箱烘干，待冷卻分別裝袋包裝。
全文摘要
鑄錠邊皮和頭料的提純預處理法，涉及太陽能單晶硅的的生產技術領域。先將分選好的材料用金剛砂輪磨去雜質點和粘附的石英；再將鑄錠產生邊皮和頭料進行分選，按電阻率分類，分為0.1～0.2、0.2～0.5、0.5～3和3以上；將分選好的材料用酸進行酸洗浸泡，除去表面的雜質和石英；用去離子水沖洗，將材料表面的酸沖洗干凈；然后，將材料裝于不銹鋼盒內放入烘箱烘干，待冷卻分別裝袋包裝。再將原料進行拉制提純、酸洗，才能去除鑄錠中生產邊皮和頭料雜質，從而保障拉制的單晶硅的品質。
文檔編號C01B33/037GK101362601SQ200810195890
公開日2009年2月11日 申請日期2008年9月18日 優先權日2008年9月18日
發明者譚寶平 申請人:揚州市科爾光電子材料有限公司