專利名稱：制備納米硒管的方法
技術領域：
本發明涉及納米硒管的制備方法背景技術硒單質作為半導體家族中的重要一員，不僅因其導電性和杰出的光電特性而被廣泛的應用于制造整流器和光電池，而且也是合成其他硒化物的首選材料。近年來由于納米技術的發展使得人們在一維納米硒材料上發現了比塊體材料更優越的性質。比如由納米尺寸效應帶來的禁帶寬度的可調性，光電導性能上百倍的提高，還有其它許多潛在的性能。一維硒材料包括一維硒納米管和一維硒納米線。目前一維硒納米線已經被制得，但是一維硒納米管還沒有被制備。
發明內容
本發明的目的是提供一種制備納米硒管的方法。
本發明制備過程如下1)將單質硒粉放入高壓釜中，在高壓釜里面加入水、酒精、氨水和肼，水∶酒精∶氨水∶肼的體積比為2～10∶1～10∶3～10∶6～10；2)把高壓釜放置在100～500℃的溫度下處理1～200小時；3)取出上述處理過的溶液，把它放置在超聲波中超聲1～10小時，然后將溶液離心、干燥，得到納米硒管。
本發明制備方法簡單，生產成本低，制造過程中對環境無污染。
圖1是硒管的透射電鏡照片，右上角的小圖是硒管的電子衍射照片；圖2是硒管的掃描電鏡照片。
具體實施例方式
以下結合實例進一步說明本發明。
實施例稱1g硒粉放入高壓釜中，在高壓釜中加入20毫升酒精、10毫升肼、30毫升氨水和60毫升水，把高壓釜放置在150℃的溫度下處理60個小時，取出上述處理過的溶液，把它放置在超聲波中超聲30分鐘，然后把溶液離心、干燥。所得物質見圖1、圖2，從圖1的透射電子顯微鏡照片，可以證明所得物是納米硒管。納米硒管的掃描電鏡外貌象見圖2。
權利要求
1.制備納米硒管的方法，其特征是步驟如下(1)將單質硒粉放入高壓釜中，在高壓釜里面加入水、酒精、氨水和肼，水∶酒精∶氨水∶肼的體積比為2～10∶1～10∶3～10∶6～10；(2)把高壓釜放置在100～500℃的溫度下處理1～200小時；(3)取出上述處理過的溶液，把它放置在超聲波中超聲1～10小時，然后將溶液離心、干燥，得到納米硒管。
全文摘要
本發明公開的制備納米硒管的方法，步驟如下1)將單質硒粉放入高壓釜中，在高壓釜里面加入水、酒精、氨水和肼，水∶酒精∶氨水∶肼的體積比為2～10∶1～10∶3～10∶6～10；2)把高壓釜放置在100～500℃的溫度下處理1～200小時；3)取出上述處理過的溶液，把它放置在超聲波中超聲1～10小時，然后將溶液離心、干燥，得到納米硒管。發明制備方法簡單，生產成本低，制造過程中對環境無污染。
文檔編號C01B19/00GK1519195SQ0315080
公開日2004年8月11日 申請日期2003年9月2日 優先權日2003年9月2日
發明者楊德仁, 張輝, 馬向陽, 闕端麟 申請人:浙江大學