一種避免空心陰極放電的噴淋頭的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種應用于半導體鍍膜設備反應腔室的噴淋頭，特別涉及一種避免空心陰極放電的噴淋頭，屬于半導體薄膜沉積的應用技術領域。
【背景技術】
[0002]現有的半導體鍍膜設備的噴淋頭由于背面的孔徑處于容易產生空心陰極放電的鞘層范圍內，因此會在噴淋板背面形成輝光區，發生反應腔打火現象，從而影響工藝質量。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型以解決上述現有問題為目的，提供了一種避免空心陰極放電的噴淋頭，本實用新型采用了新型階梯式噴淋板，解決現有設備工藝過程中由空心陰極放電引起的反應腔打火問題。
[0004]為實現上述目的，本實用新型采用下述技術方案:
[0005]—種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺形成相對面，載物臺上放置所載物，該噴淋頭包括噴淋頭本體，所述噴淋頭本體上設有噴淋頭小孔，噴淋頭小孔包括上表面小孔和下表面小孔。
[0006]所述噴淋頭小孔為階梯式結構。
[0007]所述下表面小孔孔徑小于上表面小孔孔徑。
[0008]所述噴淋頭與載物臺形成相對面設置于反應腔室中，反應氣體從噴淋頭向反應區域進行氣體供給。
[0009]所述噴淋頭設置有多個噴淋頭小孔，用于反應氣體以噴淋狀向載物臺均勻供給。
[0010]所述噴淋頭可與載物臺形成上下電極。
[0011]所述噴淋頭與載物臺之間施加電壓形成等離子體，可對載物臺及所載物進行等離子體處理。
[0012]本實用新型的有益效果是:
[0013]本實用新型的噴淋頭小孔采用階梯式設計，通過擴大噴淋頭上表面孔徑尺寸，可以破壞空心陰極放電條件，從而避免噴淋頭背面的輝光放電，解決了現有技術存在的半導體鍍膜設備在沉積工藝過程中出現的空心陰極放電現象，防止反應腔室發生打火，避免了硬件損傷，保證了工藝的穩定性。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型的結構示意圖；
[0015]圖2為噴淋頭小孔的局部放大圖；
[0016]圖3為噴淋頭與載物臺相對位置示意圖；
【具體實施方式】
[0017]下面結合實施例進一步對本實用新型進行詳細說明，但實用新型保護內容不局限于所述實施例:
[0018]實施例
[0019]參考圖1至圖3，一種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺5形成相對面，載物臺5上放置所載物6，該噴淋頭包括噴淋頭本體1，所述噴淋頭本體I上設有噴淋頭小孔2，噴淋頭小孔2包括上表面小孔3和下表面小孔4。
[0020]所述噴淋頭小孔2為階梯式結構。
[0021]所述下表面小孔4孔徑小于上表面小孔3孔徑。
[0022]所述噴淋頭與載物臺5形成相對面設置于反應腔室中，反應氣體從噴淋頭向反應區域進行氣體供給。
[0023]所述噴淋頭設置有多個噴淋頭小孔2，用于反應氣體以噴淋狀向載物臺5均勻供給。
[0024]所述噴淋頭可與載物臺5形成上下電極。
[0025]所述噴淋頭與載物臺5之間施加電壓形成等離子體，可對載物臺5及所載物6進行等離子體處理。
[0026]噴淋頭開孔區域設置有多個噴淋頭小孔2，用于向反應腔室內以噴淋狀噴射反應氣體。這些噴淋頭小孔2按照一定的規律進行分布，可以是均勻分布也可以是非均勻分布，本實施例采用均勻分布。
[0027]從噴淋頭的噴淋頭小孔2以噴淋狀對載物臺5進行工藝氣體的供給，并從載物臺5周圍均勻排氣，通過控壓裝置穩壓后，噴淋頭與載物臺5作為上下電極來施加電壓可在噴淋頭與載物臺5間形成等離子體場，對所載物6進行等離子體處理，本實施例載物臺5的所載物6是300mm娃片。
[0028]噴淋頭小孔2采用臺階式結構，上表面小孔3孔徑大于下表面小孔4孔徑，小孔3孔徑為4_，小孔3孔徑為0.8mm,這種比例的孔徑設計可以避開空心陰極放電的條件，保證工藝的穩定性。
【主權項】
1.一種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺形成相對面，載物臺上放置所載物，其特征在于，該噴淋頭包括噴淋頭本體，所述噴淋頭本體上設有噴淋頭小孔，噴淋頭小孔包括上表面小孔和下表面小孔。2.如權利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，噴淋頭小孔為階梯式結構。3.如權利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述下表面小孔孔徑小于上表面小孔孔徑。4.如權利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭與載物臺形成相對面設置于反應腔室中，反應氣體從噴淋頭向反應區域進行氣體供給。5.如權利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭設置有多個噴淋頭小孔，用于反應氣體以噴淋狀向載物臺均勻供給。6.如權利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭可與載物臺形成上下電極。7.如權利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭與載物臺之間施加電壓形成等離子體，可對載物臺及所載物進行等離子體處理。
【專利摘要】一種避免空心陰極放電的噴淋頭，解決現有技術存在的半導體鍍膜設備在沉積工藝過程中出現的空心陰極放電現象的問題，本實用新型提供一種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺形成相對面，載物臺上放置所載物，該噴淋頭包括噴淋頭本體，所述噴淋頭本體上設有噴淋頭小孔，噴淋頭小孔包括上表面小孔和下表面小孔。本實用新型解決了現有技術存在的半導體鍍膜設備在沉積工藝過程中出現的空心陰極放電現象，防止反應腔室發生打火，避免了硬件損傷，保證了工藝的穩定性。
【IPC分類】C23C16/455
【公開號】CN204918761
【申請號】CN201520646244
【發明人】楊凌旭, 戚艷麗
【申請人】沈陽拓荊科技有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月25日