太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型是關于一種噴砂工藝用噴嘴，尤其指一種太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴。
【背景技術】
[0002]現代可利用能源的種類，一般分為使用石油、天然氣及核能等不可再生能源，與利用自然界的水力、風力及太陽能等可再生能源，近年來，隨著科技進步及環保意識的高漲，可再生能源于發電過程中不會產生二氧化碳等溫室氣體且不會對環境造成污染，因此可再生能源的利用開始被社會大眾所重視。
[0003]其中，太陽能能源是在半導體太陽能電池中，利用自然界中的硅元素，制成P型及N型半導體作正負極，在半導體吸收太陽能后，通過適當的能階設計產生電位差而產生直流電，再經過轉換器變成交流電，供一般民生電器使用。
[0004]由于能量來源是所吸收的太陽能，對于太陽能電池來說最重要的參數是轉換效率，降低太陽能硅片表面的光反射率為提高轉換效率的重要工藝，因此在切割太陽能硅晶棒時，大多數是使用鋸片或多線鋸(Wire Saw)切削工藝，鋸片工藝是以具有齒痕或鑲有鉆石顆粒的鋸片進行切割，多線鋸則是以鋼線加上研磨顆粒進行研磨切割，而在將太陽能硅晶棒切片時，為了降低切片完成品的硅片表面光反射率，大多使用多線鋸工藝來提高硅片表面粗糙度。
[0005]而為了獲得更佳的硅片表面粗糙度，本實用新型人思及噴砂工藝加工的方式，但一般噴砂工藝用的噴嘴多為圓形，應用于方形的太陽能單晶硅硅片上時，需要將噴嘴進行XY軸方向移動來施行噴砂工藝，加上噴砂用的清潔干燥空氣(CDA:Clean Dry Air)也有氣壓不穩定的問題，使得噴砂工藝耗時且有表面粗糙度均勻性不一致的問題。
【實用新型內容】
[0006]本實用新型的目的是提供一種太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，可以提高硅片表面粗糙度及改善噴砂用氣體壓力不安定的問題。
[0007]為實現上述目的，本實用新型提供的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，包括有:一氣室部、一左擋部、一右擋部、一上蓋部、一扁平噴嘴部及二擋片。氣室部包括有相互固設的一左室構件及一右室構件，右室構件具有一進氣口構體，左擋部固設于左室構件上，右擋部固設于右室構件上，上蓋部固設于左擋部及右擋部上并具有復數進料口構體，扁平噴嘴部包括有相互固設的一左噴嘴構件及一右噴嘴構件，左擋部固設于左噴嘴構件上且右擋部固設于右噴嘴構件，二擋片分別固設于氣室部、左擋部、右擋部及扁平噴嘴部的前側及后側。以此結構設計，可達到太陽能硅片表面粗糙度均勻化及噴砂壓力穩定化的目的。
[0008]上述氣室部還可包括有依序與進氣口構體相通的一第一氣室、復數第一氣道、一第二氣室、一第二氣道及一排氣口，且每一第一氣道的間隙寬度系大于第二氣道的間隙寬度，如此可提高CDA的氣壓穩定性。
[0009]扁平噴嘴部還可包括有依序相通的一噴砂入口、一噴砂通道及一噴砂出口，而左室構件還可包括有復數溝槽且右室構件更可包括有一凹槽，使研磨料可進入進料口構體后，經由溝槽及凹槽相通至噴砂入口。
[0010]前述噴砂入口、噴砂通道及噴砂出口的寬度大于或等于一太陽能硅片的寬度，因此對太陽能硅片進行噴砂時，可僅移動單軸方向來實施噴砂工藝，排氣口位于噴砂入口的上方，以將CDA導入噴砂入口與研磨料進行混合。
[0011]另外，上述的氣室部、左擋部、右擋部、上蓋部、扁平噴嘴部及擋片是以螺絲鎖合相互固設，達到容易拆卸維修的目的。
[0012]以上概述與接下來的詳細說明皆為示范性質，是為了進一步說明本實用新型的申請專利范圍。而有關本實用新型的其他目的與優點，將在后續的說明與附圖加以闡述。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型一較佳實施例的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴的完全組合示意圖。
[0014]圖2是本實用新型一較佳實施例的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴的分解示意圖。
[0015]圖3是圖1的A-A處剖面示意圖。
[0016]附圖中符號說明
[0017]I氣室部，11左室構件，111溝槽，12右室構件，121進氣口構體，122第一氣室，123第一氣道，124第二氣室，125第二氣道，126排氣口，127凹槽，2左擋部，3右擋部，4上蓋部，41進料口構體，5扁平噴嘴部，51左噴嘴構件，52右噴嘴構件，53噴砂入口，54噴砂通道，55噴砂出口，6擋片，W寬度，Gl間隙寬度，G2間隙寬度。
【具體實施方式】
[0018]請參閱圖1至圖3，其分別為本實用新型一較佳實施例的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴的完全組合示意圖、分解示意圖及圖1的A-A處剖面示意圖。
[0019]本實施例的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，包括有:一氣室部1、一左擋部2、一右擋部3、一上蓋部4、一扁平噴嘴部5及二擋片6。其中，氣室部I由相互固設的一左室構件11及一右室構件12構成，左室構件11包括有復數溝槽111。
[0020]而上述右室構件包括有依序相連的一進氣口構體121、一第一氣室122、復數第一氣道123、一第二氣室124、一第二氣道125、一排氣口 126及一凹槽127，由于氣室部I有兩個氣室，CDA可由第一氣室122及第二氣室124得到緩沖效果，也就是說，當CDA的進氣量有所變動時，排氣口 126的CDA壓力不易隨進氣量變動而變化，因此可獲得氣壓穩定效果，且第一氣道123的間隙寬度Gl為大于第二氣道125的間隙寬度G2，更加強了 CDA氣壓穩定效果。
[0021]左擋部2固設于左室構件11上，右擋部3固設于右室構件12上，上蓋部4固設于左擋部2及右擋部3上并具有復數進料口構體41，扁平噴嘴部5包括有相互固設的一左噴嘴構件51與一右噴嘴構件52、依序相通的一噴砂入口 53、一噴砂通道54及一噴砂出口 55。
[0022]此外，左擋部2亦同時固設于左噴嘴構件51上且右擋部3亦同時固設于右噴嘴構件52上，二擋片6分別固設于氣室部1、左擋部2、右擋部3及扁平噴嘴部5的前側及后側，如此構造可將氣室部I包圍在本實施例的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴的中央部，并且在氣室部I上方、兩側及下方制造出密閉空間供研磨料利用。
[0023]在本實施例中，研磨料由上蓋部4的三進料口構體41進入至氣室部I及上蓋部4之間的密閉空間，再經由位于左擋部2與左室構件11之間的復數溝槽111及右擋部3與右室構件12之間的凹槽127而向下流至扁平噴嘴部5的噴砂入口 53處。
[0024]接著，再通過位于扁平噴嘴部5的噴砂入口 53上方處氣室部I的排氣口 126，將CDA氣體及研磨料互相混合在噴砂入口 53處的同時，利用CDA的氣體壓力，經由噴砂通道54及噴砂出口 55進行噴砂作業。
[0025]本實施例的進料口構體41為三個，但本實用新型并不局限于此，以可對應噴砂工藝所需研磨料用量的數量為主。
[0026]而扁平噴嘴部5的噴砂入口 53、噴砂通道54及噴砂出口 55的寬度W為大于或等于一太陽能硅片的寬度，較佳為略大于太陽能硅片的寬度，如此可于進行太陽能硅片的噴砂工藝時，僅進行單軸移動即可施行太陽能硅片全表面的噴砂作業，進而提升硅片表面粗糙度均勻化的程度。
[0027]另外，本實施例將氣室部1、左擋部2、右擋部3、上蓋部4、扁平噴嘴部5及二擋片6固設的方法為利用螺絲鎖合，由于考慮到本實用新型的內部結構設計有研磨料的流通路徑，采用螺絲鎖合方式可方便拆卸以維修及清潔內部結構。
[0028]由上述內容可知，本實用新型的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，由氣室部I的第一氣室122、第一氣道123、第二氣室124及第二氣道125與第一氣道123間隙寬度Gl大于第二氣道125間隙寬度G2的結構設計，使CDA氣體壓力穩定化，而扁平噴嘴部5的噴砂入口 53、噴砂通道54及噴砂出口 55的寬度W略大于太陽能硅片寬度的結構設計，使噴砂作業更加省時且改善了太陽能硅片表面粗糙度均勻化的問題，進而降低光反射率并提升了太陽能硅片的能源吸收率。
[0029]上述實施例僅為了方便說明而舉例而已，本實用新型所主張的權利范圍自應以申請專利范圍所述為準，而非僅限于上述實施例。
【主權項】
1.一種太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，包括有: 一氣室部，包括有相互固設的一左室構件及一右室構件，該右室構件具有一進氣口構體； 一左擋部，固設于該左室構件上； 一右擋部，固設于該右室構件上； 一上蓋部，固設于該左擋部及該右擋部上并具有復數進料口構體； 一扁平噴嘴部，包括有相互固設的一左噴嘴構件及一右噴嘴構件，該左擋部固設于該左噴嘴構件上且該右擋部固設于該右噴嘴構件上；以及 二擋片，分別固設于該氣室部、該左擋部、該右擋部及該扁平噴嘴部的前側及后側。
2.根據權利要求1所述的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，該氣室部包括有依序與該進氣口構體相通的一第一氣室、復數第一氣道、一第二氣室、一第二氣道及一排氣口。
3.根據權利要求2所述的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，該每一第一氣道的間隙寬度大于該第二氣道的間隙寬度。
4.根據權利要求2所述的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，該扁平噴嘴部包括有依序相通的一噴砂入口、一噴砂通道及一噴砂出口。
5.根據權利要求4所述的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，該左室構件包括有復數溝槽且該右室構件包括有一凹槽，該進料口構體經由該溝槽及該凹槽相通至該噴砂入口。
6.根據權利要求4所述的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，該噴砂入口、該噴砂通道及該噴砂出口的寬度大于或等于一太陽能硅片的寬度。
7.根據權利要求4所述的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，該排氣口位于該噴砂入口的上方。
8.根據權利要求1所述的太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，其特征是，該氣室部、該左擋部、該右擋部、該上蓋部、該扁平噴嘴部及該擋片以螺絲鎖合相互固設。
【專利摘要】一種太陽能硅片濕式噴砂工藝用扁平式噴嘴，包括有：一氣室部、一左擋部、一右擋部、一上蓋部、一扁平噴嘴部及二擋片。氣室部包括有相互固設的一左室構件及一右室構件，左擋部系固設于左室構件上，右擋部固設于右室構件上，上蓋部固設于左擋部及右擋部上，扁平噴嘴部包括有相互固設的一左噴嘴構件及一右噴嘴構件，左擋部固設于左噴嘴構件上且右擋部固設于右噴嘴構件上，二擋片分別固設于氣室部、左擋部、右擋部及扁平噴嘴部的前側及后側。由此，可達到太陽能硅片表面粗糙度均勻化及噴砂壓力穩定化的目的。
【IPC分類】H01L21-67, B24C5-04, H01L31-18
【公開號】CN204604117
【申請號】CN201520160628
【發明人】廖文正, 游原昇, 何明果
【申請人】拓志光機電股份有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年3月20日