一種新型光學鍍膜坩堝的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種真空熱蒸發裝置，具體為一種新型光學鍍膜坩禍。
【背景技術】
[0002]蒸鍍法是一種屬于物理氣相沉積的真空鍍膜技術。它是將蒸鍍的材料置于一個坩禍之中，通過對坩禍的加熱，使坩禍內材料從固態轉化為氣態的原子、原子團或分子，然后凝聚到待鍍膜的基板表面形成薄膜，該技術廣泛應用于太陽能電池、半導體晶片、平板顯示、光學鏡片等領域。
[0003]目前，有機電致發光器件作為下一代平板顯示的核心技術正受到越來越多的關注。而器件制備的主要方法就是采用蒸鍍法。無論是有機功能層、有機發光層，還是金屬電極，都是采用對坩禍加熱的方法來蒸鍍。
[0004]現有的真空鍍膜機主要利用電子槍將蒸鍍材料進行加熱，并將蒸鍍材料蒸發到光學元件表面形成光學薄膜，現有的蒸鍍材料一般由坩禍裝載，坩禍由坩禍及承載板組成，坩禍緊密裝載于承載板槽內，而現有的蒸鍍材料一般呈顆粒狀，在加熱蒸鍍過程中材料從固態轉變為液態和從液態轉變為固態的相變過程中，鍍膜材料與坩禍之間的表面性質發生變化，表現為少量的鍍膜材料的溶液會沿著坩禍壁爬升，最終會有出現溢出坩禍的情況；或者是由于鍍膜材料在加熱過程中受熱膨脹，體積變化明顯的原因，當坩禍內鍍膜材料添加過量時，會有大量的溶液溢出坩禍，可能會濺淌到加熱燈絲上，在熔融狀態下的鍍膜材料與熾熱的燈絲接觸后可能會形成兩者的合金，從而可能會導致燈絲的加熱效能下降或者導致加熱絲本身變得容易蒸發，從而在蒸鍍的薄膜中加入燈絲成分的雜質。嚴重情況下，當溢出的鍍膜材料較多的時候，燈絲的線圈可能完全被鍍膜材料所短路，導致燈絲斷裂。
[0005]由于現階段的坩禍都屬于一端封死，一端開口的狀態，坩禍每次鍍膜材料加滿后，都需要給材料進行預熔，經過高溫材料熔融，坩禍表面的材料會由顆粒結塊成塊狀進行蒸鍍，而坩禍底部的材料短時間無法充分接觸導熱得到有效的預熔，從而可能會導致增大鍍膜過程中濺料的發生幾率，影響鍍膜的潔凈與光譜特性。
【實用新型內容】
[0006]針對上述技術問題，本實用新型公開一種新型光學鍍膜坩禍，包括:坩禍I以及設置在坩禍I內壁上的環狀凹槽，所述環狀凹槽包括第一環狀凹槽2和第二環狀凹槽3，第一環狀凹槽2和第二環狀凹槽3均與坩禍I呈同心圓，且均與坩禍I的平面平行。
[0007]優選地，所述i甘禍I的直徑為40mm，高度為17mm。
[0008]優選地，所述第一環狀凹槽2距離坩禍I的上沿的距離為8mm，且所述第一環狀凹槽2及第二環狀凹槽3的寬度均為2mm，高度均為1mm，第一環狀凹槽2及第二環狀凹槽3之間的距離為2mm。
[0009]本實用新型的有益效果是通過在坩禍內壁上設置環狀凹槽，使得坩禍材料經高溫融化后可進入凹槽內，從而使坩禍材料溶液整體高度下沉不易溢出，減少了材料輕易濺料和溢出的風險，從而保護了燈絲不與材料接觸導致短路和斷裂；且由于氧化物材料與坩禍壁的直接接觸而導熱，接觸面積增大后，減少了在鍍膜過程中濺料，蒸發不均勻等問題的發生幾率。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型所述新型光學鍍膜坩禍的結構剖視圖；
[0011]圖2是本實用新型所述新型光學鍍膜坩禍的環狀凹槽局部放大結構剖視圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖對本實用新型做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。
[0013]如圖所示，本實用新型公開一種新型光學鍍膜坩禍，包括:坩禍I以及設置在坩禍I內壁上的環狀凹槽，所述環狀凹槽包括第一環狀凹槽2和第二環狀凹槽3，第一環狀凹槽2和第二環狀凹槽3均與坩禍I呈同心圓，且均與坩禍I的平面平行。
[0014]優選地，所述i甘禍I的直徑為40mm，高度為17mm。
[0015]優選地，所述第一環狀凹槽2距離坩禍I的上沿的距離為8mm，且所述第一環狀凹槽2及第二環狀凹槽3的寬度均為2mm，高度均為1mm，第一環狀凹槽2及第二環狀凹槽3之間的距離為2mm。
[0016]通過在坩禍內壁上設置環狀凹槽，使得坩禍材料經高溫融化后可進入凹槽內，從而使坩禍材料溶液整體高度下沉不易溢出，減少了材料輕易濺料和溢出的風險，從而保護了燈絲不與材料接觸導致短路和斷裂；且由于氧化物材料與坩禍壁的直接接觸而導熱，接觸面積增大后，減少了在鍍膜過程中濺料，蒸發不均勻等問題的發生幾率。
[0017]盡管本實用新型的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本實用新型的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本實用新型并不限于特定的細節和這里示出與描述的圖例。
【主權項】
1.一種新型光學鍍膜坩禍，其特征在于，包括:坩禍(I)以及設置在坩禍(I)內壁上的環狀凹槽，所述環狀凹槽包括第一環狀凹槽(2)和第二環狀凹槽(3)，第一環狀凹槽(2)和第二環狀凹槽(3)均與坩禍(I)呈同心圓，且均與坩禍(I)的平面平行。
2.根據權利要求1所述的新型光學鍍膜坩禍，其特征在于:所述坩禍(I)的直徑為40mm，高度為17_。
3.根據權利要求1所述的新型光學鍍膜坩禍，其特征在于:所述第一環狀凹槽(2)距離坩禍(I)的上沿的距離為8mm，且所述第一環狀凹槽(2 )及第二環狀凹槽(3 )的寬度均為2mm，高度均為1mm，第一環狀凹槽(2)及第二環狀凹槽(3)之間的距離為2mm。
【專利摘要】本實用新型公開一種新型光學鍍膜坩堝，包括：坩堝（1）以及設置在坩堝（1）內壁上的環狀凹槽，所述環狀凹槽包括第一環狀凹槽（2）和第二環狀凹槽（3），第一環狀凹槽（2）和第二環狀凹槽（3）均與坩堝（1）呈同心圓，且均與坩堝（1）的平面平行。通過在坩堝內壁上設置環狀凹槽，使得坩堝材料經高溫融化后可進入凹槽內，材料液面高度下沉不易溢出，保護了燈絲不與材料接觸導致短路和斷裂；且由于氧化物材料與坩堝壁的直接接觸而導熱，接觸面積增大后，減少了在鍍膜過程中濺料，蒸發不均勻等問題的發生幾率。
【IPC分類】C23C14-24
【公開號】CN204356396
【申請號】CN201420605734
【發明人】王明利, 馮宇
【申請人】蘇州奧科輝光電科技有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2014年10月21日